「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 82 83 84 85 86 87 88 89 90 .... 399 400 次へ＞- To provide a method and an apparatus for etching, which can form a high definition pattern in high efficiency by inhibiting progress of side etching even in a refined pattern.
微細化されたパターンにおいても、サイドエッチングの進行を抑制して、高精細なパターンを高効率で形成できるエッチング方法と装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a wet etching method which is improved so as to carry out etching uniformly by the use of a light irradiation method.
エッチングの均一化を図ることができるように改良された、光照射方法を用いたウエットエッチング方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for regenerating an etching waste liquid produced in a low-temperature etching process, which avoids blockage of a transportation path between a crystallization tank and an etching tank, without providing a special blockage-avoiding means between the tanks.
晶析槽とエッチング槽との間に特殊な閉塞回避手段を付設することなく、両者間の移送路の閉塞を回避することができる低温エッチングにおいて生成したエッチング廃液を再生する方法の提供。 - 特許庁 - During the etching, a less amount of the protection film is deposited in the corners which are boundaries between the side faces and the bottom face of each concave section such as the trench, in ends of the concave portion, accelerating the isotropic etching by radicals of chemical species contained in the etching gas.
これによって、エッチング中に、トレンチ等の凹部の終端部では、その側面と底面との境界となる角部に堆積する保護膜の量が減り、エッチングガス中の化学種のラジカルによって等方性エッチングが促進される。 - 特許庁 - A dug down portion 28 is formed by selectively etching a refractory metal layer 14 from an opening 26, using an etching material having the etching selectivity between a first insulating layer 20, a second insulating layer 22, and the refractory metal layer 14.
開口部２６から、第一の絶縁層２０、第二の絶縁層２２と高融点金属層１４とのエッチングの選択性があるエッチング材料で、高融点金属層１４を選択的にエッチングし、掘り下げ部２８を形成する。 - 特許庁 - An etching solution can be supplied to internal spaces of the grooves 4 and 5 via etching solution-feeding pipes 17 and 18 and can be discharged via etching solution-discharge pipes 19 and 20.
溝４，５の内部空間には、エッチング液供給配管１７，１８を介してエッチング液を供給できるようになっており、溝４，５の内部空間のエッチング液は、エッチング液排出配管１９，２０を介して排出できるようになっている。 - 特許庁 - To provide an anisotropic etching method capable of etching an object efficiently to have a desired shape, and to provide a three-dimensional structure which can be formed using the anisotropic etching method, and a device having the three-dimensional structure.
被対象物を効率よく所望する形状となるようにエッチングすることが可能な異方性エッチング方法、該異方性エッチング方法を用いて形成可能な三次元構造体、及び、該三次元構造体を備えたデバイスを得る。 - 特許庁 - The wet etching apparatus comprises the etching bath 1 wherein an etchant 11 is stored, a stirring member 2 which is disposed inside the etching bath 11 to agitate the etchant 11, and a power portion 3 for feeding rotative power to the stirring member 2.
エッチング液１１が貯留されるエッチング槽１と、エッチング槽１１内に配置され、且つ、エッチング液１１を攪拌する攪拌部材２と、攪拌部材２に回転動力を付与する動力部３とを備えたウェットエッチング装置を用いる。 - 特許庁 - Around the first and second etching hole patterns 15, 16, resistance patterns 26, 27 are wired zigzag via a beam 20 between etching holes 17a, 17b, 18 constituting the first and second etching patterns 15, 16.
第１及び第２エッチングホールパターン１５、１６を構成するエッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８の間の梁部２０を通過するようにして、第１及び第２エッチングホールパターン１５、１６の周囲に蛇行状に抵抗パターン２６、１７を配線する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method that improves a mask selection ratio and further obtains both high selectivity and a vertical processing shape in etching processing on a silicon substrate, particularly, etching processing for fabricating a solid structure.
シリコン基板のエッチング加工、特に立体型構造体を作製するためのエッチング加工において、マスク選択比の向上を可能とし、さらには高選択性と垂直加工形状との両立を可能とするドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a sensor of semiconductor structure at a low cost capable of preventing trouble such as insufficient etching or over etching in etching of a sacrificial layer and dispensing with complicated processes in a semiconductor sensor manufacturing process.
半導体センサ製造工程において、犠牲層エッチング時の問題である、エッチング不足、もしくは過剰エッチングを防止すること、並びに複雑なプロセスを必要とせず、低コストで半導体構造を用いたセンサを製造すること。 - 特許庁 - Next, an etching resist is applied onto the circuit substrate, a circuit pattern is formed by etching with iron chloride solution, unnecessary solder is removed, and two-stepped ends are formed by applying a second resist and by applying the etching with the iron chloride solution.
次いで回路用基板上にエッチングレジストを塗布し、塩化鉄溶液でエッチング処理をして回路パターンを形成し、不要なろう材を除去し、２回目のレジストを塗布して、塩化鉄溶液でエッチング処理を施して端部を２段とした。 - 特許庁 - In the method for regenerating an etching solution in which the double salt of cuprous chloride-hydrochloric acid contained in an etching solution after the etching of a printed circuit board is reduced into cupric chloride by an oxidizer and is reutilized, as the above oxidizer, ozone is used.
プリント配線板をエッチングした後のエッチング液に含まれる塩化第一銅・塩酸複塩を酸化剤により塩化第二銅に還元して再利用するエッチング液の再生方法において、前記酸化剤としてオゾンを用いる。 - 特許庁 - To provide an etching device and its method in which uniform etching machinability can be attained even when a plurality of substrates having different machining patterns are etched continuously while taking account of the instability of the etching system.
エッチング装置の不安定性を考慮しつつ、複数の加工パターンの異なる被処理基板を連続的にエッチング処理する場合であっても、均一なエッチング加工性を得ることができるエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - In the electrochemical measurement, the stainless steel material to be tested is etched to show a linear etching trace on crystal grains, and an etching trace density is determined, and the plastic strain of the stainless steel material is detected by using the etching trace density as an index.
該電気化学的測定は、被検ステンレス鋼材をエッチングして結晶粒上に直線状のエッチング痕を現出せしめ、エッチング痕密度を求め、該エッチング痕密度を指標としてステンレス鋼材の塑性ひずみを検出する。 - 特許庁 - To provide an etchant composition for a conductive film which can efficiently etch a conductive film, which does not produce residues after etching, which can suppress foaming at etching, and which is excellent in terms of etching workability.
導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じることがなく、かつ、エッチング時の発泡を抑制することが可能でエッチング作業性にも優れた導電膜用エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching device which automatically controls etchant to have predetermined nitric acid concentration, acetate concentration, and phosphate concentration, and appropriately manages liquid refill to an etching treatment bath, thereby keeping a constant etching performance all the time.
エッチング液を所定の硝酸濃度、酢酸濃度及び燐酸濃度に自動制御し、かつエッチング処理槽の液補給に対して適切な管理を行ない、もってエッチング性能を常時一定化するエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method of a resin film which is possible to anisotropically etch the film in a short time to a thickness direction and to obtain a nice etching shape and uniformly neat etching.
本発明は、短時間でエッチングされる膜の厚さ方向に対して異方的にエッチングすることができ、かつ、エッチング形状がきれいで均一に整ったエッチングをすることができる樹脂膜のエッチング方法を提供するものである。 - 特許庁 - To accurately monitor the degree of progress of an etching process, set the etching time of each vessel to the adequate condition in accordance with an increase in the impurity concentration of an etchant, improve the accuracy of the etching process, and effectively utilize the etchant.
エッチングの進行度合いを正確に監視して、エッチング液の不純物濃度の増大に応じて、各槽でのエッチング時間を適正な状態に設定でき、エッチング処理の精度を向上させ、かつエッチング液を有効に活用する。 - 特許庁 - The etching method includes: a liquid arrangement process for disposing an etching liquid activated chemically by irradiation of light on the body to be treated; and a light irradiation process for applying the light to an interface between the body to be treated and the etching liquid.
光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング液を被処理体上に配置する液配置工程と、前記被処理体と前記エッチング液との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a processing apparatus which includes a backside etching apparatus for etching a backside of a board as a component thereof and by which the backside of the board can be subjected to a backside grinding and a backside etching efficiently.
本発明は基板の背面をエッチング処理するバックサイドエッチング装置を構成要素に含む処理装置に関し、基板背面に対し実施される背面研削処理及びエッチング処理を効率よく実施することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a re-releasable pressure sensitive adhesive tape which protects an adherend without corrosion by an etching reagent, such as acid, alkali, during etching and which can be easily released without polluting the adherend at releasing of the tape after etching.
エッチング中は酸やアルカリ等のエッチング液により浸食されることなく被着体を保護し、エッチング終了後のテープ剥離の際に被着体を汚染することなく容易に剥離可能な再剥離性粘着テープを提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a substrate with recessed parts for a microlens which can fully promote isotropic etching by preventing an etching mask film from being removed or broken at the time of wet etching.
本発明は、ウェットエッチングの際にエッチングマスク膜が除去されたり破れたりするのを防止して、十分に等方性エッチングを進行させることのできる、マイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - An etching mask 201 in a geometrically similar shape to the top surface 102e of a truncated quadrangular pyramid 102 is formed on a substrate 101, and the substrate 101 is subjected to isometric etching using the etching mask 201 as a mask material, thereby forming the truncated quadrangular pyramid 102.
四角錐台１０２の頂面１０２ｅと相似な形状のエッチングマスク２０１を基板１０１上に形成し、エッチングマスク２０１をマスク材として基板１０１を等方性エッチングすることで四角錐台１０２を形成する。 - 特許庁 - In the manufacturing method, an etching rate of the second guide layer 22 is calculated on the basis of a change in AlCl emission intensity in the etching of the monitor layer 20 and the second guide layer 22 by dry etching using a chlorine type gas.
本製造方法では、塩素系ガスによるドライエッチングによってモニタ層２０及び第２ガイド層２２がエッチングされる際のＡｌＣｌの発光強度の変化に基づいて、第２ガイド層１８のエッチングレートが算出される。 - 特許庁 - The individual electrodes 3a are provided with level difference to form grooves 3b, and an etching stop or etching rest is prevented by the grooves 3b leading an etchant to a portion where sacrificial layer etching hardly occurs due to the narrow gap 10 between the electrodes.
個別電極３ａには段差を設けることにより溝３ｂが形成されており、電極間のギャップ１０が狭くて犠牲層エッチングがされにくい部位にエッチャントを導く溝３ｂによって、エッチストップやエッチング残が発生しない。 - 特許庁 - To provide a method for recovering cerium as high purity cerium ammonium nitrate capable of being used for preparing an etching reagent from waste liquid which is discharged from an etching process where chromium is etched with an etching solution containing cerium ammonium nitrate.
硝酸セリウムアンモニウムを含むエッチング液でクロムをエッチングする工程から排出された廃液から、セリウムをエッチング液の調製に用い得る高純度の硝酸セリウムアンモニウムとして回収する方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an etching solution for highly selectively etching copper or a copper alloy from an electronic substrate, in a stage of etching the copper or the copper alloy from the electric substrate simultaneously including the copper or the copper alloy and nickel simultaneously.
銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるエッチング液を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A part of the metallic film 2m with the side wall, exposed from the mask 3, and the re-deposited film 4 are etched by isotropic etching under an etching condition that the etching speed in the material of the metallic film 2m is higher than that in the material of the substrate 1.
異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。 - 特許庁 - To solve problems such as the occurrence of etching spots or the deterioration of surface roughness due to the local increase of the etching speed caused by the stress or the impurity that is existed on the surface of a glassy carbon when processing the glassy carbon by a dry etching method.
ガラス状カーボンをドライエッチング法にて加工した場合、ガラス状カーボン表面に存在する応力や不純物によって、局所的なエッチング速度の増加が生じ、エッチング斑や面粗度悪化が発生してしまう。 - 特許庁 - An etching solution is applied by a spray on a substrate having the unnecessary layer to be removed, and the etching solution applied by the spray is held on this substrate for a predetermined time, and next, an etching solution of the same composition is applied on the substrate by the spray.
除去すべき不要層を有する基板の上にエッチング溶液をスプレー塗布し、スプレー塗布したエッチング溶液を所定時間この基板上に保持しておき、次いで、同一組成のエッチング溶液を基板の上にスプレー塗布する。 - 特許庁 - To eliminate the influence of an etching gas or waste liquid on the environment and realize low-cost and efficient grinding to etching steps, when grinding a plate matter such as a semiconductor wafer, etc., and etching the ground face to remove deformations.
半導体ウェーハ等の板状物を研削してから、研削面をエッチングして歪みを除去する場合において、エッチングガスや廃液による環境への悪影響を回避し、低コストで、効率良く研削からエッチングまでを行う。 - 特許庁 - In an etching method of a silicon wafer, silicon wafers, having a process degenerated surface layer are sequentially impregnated with in an acid-etching solution having a chemical composition of a reaction rate limiting type including a hydrofluoric acid and a nitric acid fully stored in two to six etching tanks sequentially, and the wafers are etched.
２〜６槽のエッチング槽に満たされたフッ酸及び硝酸を含む反応律速型の化学組成を有する酸エッチング液に加工変質層を有するシリコンウェーハを順次浸漬させてウェーハをエッチングする方法である。 - 特許庁 - To control an etching rate, an in-plane uniformity and a selection ratio by adjusting the flow ratios of two kinds of etching gases, and to form a micro-lens having a desired shape when the micro-lens is formed by etching a lens-material layer and a mask layer.
レンズ材料層とマスク層とをエッチングしてマイクロレンズを形成するにあたり、２種類のエッチングガスの流量比を調整して、エッチングレートや面内均一性、選択比を制御し、所望の形状のマイクロレンズを形成すること。 - 特許庁 - A dry-etching method includes the process wherein oxygen is generated while dry-etching a tantalum film or a film containing tantalum as its main component which is the etched film formed on a substrate 100, and the dry-etching method is performed by using a gas containing boron.
基板１００上に形成された被エッチング膜であるタンタル膜またはタンタルを主成分とする膜のドライエッチング中に酸素が発生する過程を含むドライエッチング方法であって、ドライエッチングはホウ素を含むガスを用いて行う。 - 特許庁 - And, it has a process which makes the graphene sheet exfoliate into an etching solution by wet etching the surface of substrate in contact with the graphene sheet, and a process which sticks the graphene sheet which was exfoliated into the etching solution on an object.
そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。 - 特許庁 - An etching mask 9 is formed of SiO_2 on the second gate electrode layer 7, and a gate electrode 8 is formed by etching the first gate electrode layer 6 and the second gate electrode layer 7 by using the etching mask 9.
そして、第２ゲート電極層７上にＳｉＯ_2 からなるエッチングマスク９を形成し、エッチングマスク９を用いて第１ゲート電極層６および第２ゲート電極層７をエッチングすることにより、ゲート電極８を形成する。 - 特許庁 - According to the present invention, by abundantly generating radicals and ions required for etching reaction by using the inductively coupled plasma source and the remote plasma source, etching reaction can be made active and etching efficiency can be improved.
本発明によると、誘導結合プラズマ源とリモートプラズマ源とを使用してエッチング反応に必要なラジカルとイオンとを豊富に生成させることによって、エッチング反応が活発になってエッチング効率を向上させることができる。 - 特許庁 - To produce an etching solution for nickel or a nickel alloy in which the etching rate of the nickel or a nickel alloy is high, also, the erosion of the other metals such as copper and a copper alloy in particular is extremely small, and moreover, side etching is hardly occurred.
ニッケルまたはニッケル合金のエッチング速度が速く、かつそれら以外の金属、特に銅や銅合金の浸食がきわめて少なく、更にサイドエッチングがほとんど生じないニッケルまたはニッケル合金のエッチング液を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus, wherein etching finish point is set at high precision, even if an etching rate changes variously for high accuracy etching process with good reproducibility.
エッチングレートが様々に変化してもエッチング終了点を高精度に設定することができ、高精度なエッチング処理を再現性良く行うことのできる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁 - In a first step of etching a semiconductor substrate 3, anisotropic deep reactive ion etching is performed using a resist mask 59 having a large number of openings 88 of the same pattern at positions opposing to etching regions 87 independently partitioned to each other.
半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。 - 特許庁 - The reactive ion etching is carried out by replacing with the reactive gas having a low etching selection ratio between the monocrystalline silicon and the silicon oxide, thereby performing the anisotropic etching for the thermal oxide film 33 and the monocrystalline silicon layer 21C.
上記反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が低い反応性ガスに切り替えて行うことにより熱酸化膜３３及び単結晶シリコン層２１Ｃを異方性エッチングする。 - 特許庁 - In a dry etching device for dry-etching a silicon-oxide film using a C_5F_8 gas as an etching gas, a stabilization step immediately before a STEP 3 of performing actual etching operation is divided into two steps, that is, a STEP 1 of not introducing the C_5F_8 gas and a STEP 2 of introducing the C_5F_8 gas.
Ｃ_５Ｆ_８ガスをエッチングガスとして用いて酸化シリコン系膜をドライエッチングするドライエッチング装置において、実際にエッチング処理を行う処理ステップ（ＳＴＥＰ３）の直前の安定化ステップを、Ｃ_５Ｆ_８ガスの導入を行わないＳＴＥＰ１とＣ_５Ｆ_８ガスの導入を行うＳＴＥＰ２との２段階に分けて行う。 - 特許庁 - This invention is related to the etching solution composition that includes fluorine compounds and iron ions and is used for bulk etching of metal laminate films wherein a layer comprising aluminum or an aluminum alloy is laminated on top and a layer comprising titanium or a titanium alloy on bottom, and an etching method using the etching solution composition.
本発明は、フッ素化合物と鉄イオンを含むエッチング液組成物であって、上部にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層、下部にチタンまたはチタン合金からなる層が積層された金属積層膜を一括エッチングするのに用いられる、前記エッチング液組成物、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 - 特許庁 - To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same.
Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A process to carry out the hole etching or the trench etching of silicon so as to substantially expose at least the silicon on the bottom surface of an etched part and a process to form a silicon oxide film on a silicon structure formed in the process to carry out the hole etching or the trench etching by a CVD method are carried out.
エッチングされた部分の少なくとも底面のシリコンが実質的に露出するようにシリコンをホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程と、そのホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程により形成されたシリコン構造体上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。 - 特許庁 - Anisotropic etching of silicon is carried out by using the etching solution which contains a metal compound and has ≥18×10^3 Å/minute etching speed of a (110) plane at 80°C and a ≥1.7 etching speed ratio (110)/(100) of a (100) plane orientation to a (110) plane orientation at 80°C.
シリコンの異方性エッチングに用いるエッチング液は、金属化合物を含有し、８０℃における（１１０）面のエッチング速度が１８×１０^３Å／分以上であり、かつ８０℃における（１１０）面面方位と（１００）面面方位のエッチング速度比（１１０）／（１００）が１．７以上であるエッチング液を用いてエッチングする。 - 特許庁 - To provide an etchant that can etch a fine pattern without generating bubbles during etching at room temperature, can be easily removed by washing with water when it becomes no more necessary after etching, and can achieve an extremely precise pattern of a transparent conductive film without residual etching portions and overetched portions while having excellent electric properties, and also to provide a method of etching.
常温にて、エッチングの際に、泡立ちがなくて微細パターンのエッチング入り、およびエッチング後、不要になったエッチング液の水洗浄除性が優れており、エッチング残り、およびオーバーエッチングのない高微細精度の電気特性が優れた透明導電膜のパターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - The dielectric device manufacturing method comprises the steps of: forming a dielectric layer 3 made of an oxide on a first electrode layer 2 made of a metal; forming an etching mask 4 on the dielectric layer 3; and etching the dielectric layer 3 through the etching mask 4 by means of plasma of CHF_3-containing etching gas to expose the first electrode layer 2.
金属からなる第１の電極層２の上に酸化物からなる誘電体層３を形成し、誘電体層３の上にエッチングマスク４を形成し、ＣＨＦ_３を含むエッチングガスのプラズマによってエッチングマスク４を介して誘電体層３をエッチングすることで、前記第１の電極層２を露出させる。 - 特許庁 - In the oxidizing process at this time, the oxidized film is formed so as to secure an etching speed of 80% or more with respect to an etching speed in the direction of thickness which is operated upon etching the whole thickness of the aluminum alloy film, provided with a natural oxidized film, and having a predetermined thickness, by etching liquid for aluminum alloy.
この時の酸化処理は、自然酸化被膜を備えた所定厚みのアルミニウム合金膜を、アルミニウム合金用エッチング液にて全厚みをエッチングした際に算出される厚さ方向のエッチング速度に対して、８０％以上のエッチング速度が確保できるように酸化被膜を形成するようにする。 - 特許庁
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