「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 83 84 85 86 87 88 89 90 91 .... 399 400 次へ＞- A second recessed part 5 is formed at the insulating film 4 through etching, while the etching stopper film 2 on the side peripheral of the first recessed part 3 is exposed in the second recessed part 5, and by making the etching stopper film 2 sputtered so that a sputtering object 6 is deposited as to cover the first recessed part 3, thus allowing etching to stop spontaneously.
続いてエッチングにより絶縁膜４に第２の凹部５を形成するとともに第２の凹部５内に第１の凹部３の側周のエッチングストッパ膜２を露出させ、エッチングストッパ膜２をスパッタリングすることにより第１の凹部３上を覆う状態にスパッタ物６を堆積させてエッチングを自発的に停止させる。 - 特許庁 - According to the method of etching metal, at a concentration control point 6 where a groove 3 formed in a copper substrate 2 by etching is reached to a predetermined depth, a concentration of a liquid chemical for forming an etching controlled coating by replenishing a new solution into an etching solution 4, is reduced from 1,000 ppm to 500 ppm.
この金属のエッチング方法によれば、エッチングにより銅基板２に形成される溝３が設定深さに達した濃度制御点６において、エッチング液４中に新液を補充してエッチング抑制被膜を形成するための薬液の濃度を１０００ｐｐｍから５００ｐｐｍへ低下させる。 - 特許庁 - To prevent deposition substance from affecting a characteristic of etching, to generate plasma of a low dissociation degree which is suitable for deposition, and to secure anisotropy in an etching cycle even if cycles of etching and deposition are made into high speed in a manufacturing method of a semiconductor device to which etching and deposition are alternately applied.
エッチングとデポジションとを交互に適用する半導体装置の製造方法において、エッチングとデポジションとのサイクルを高速にした場合でも、デポジション物質がエッチングの特性に影響を及ぼさず、さらに、デポジションに適した解離度の低いプラズマを生成して、エッチングサイクルにおける異方性を確保すること。 - 特許庁 - When the distribution of transmittance of a mask corresponding to a predetermined pattern figure to be manufactured is determined, the distribution of transmittance of the mask is determined by taking into consideration the relation between the etching selection ratio for etching (the ratio of the etching rate of a substrate to the etching rate of a resist) and the predetermined pattern figure.
製造すべき前記所定のパターン形状に対応したマスクの透過率分布を決定する際に、前記エッチングにおけるエッチング選択比（基板のエッチンクレートとレジストのエッチングレートの比）と前記所定のパターン形状との関係を考慮して、前記マスクの透過率分布を決定するようにしている。 - 特許庁 - The anisotropic etching method includes a crystal anisotropic etching step for performing crystal anisotropic etching of a substrate having a mask of a prescribed shape on the surface under prescribed conditions, by reactive ion etching using a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8, or a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8 and O_2.
異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。 - 特許庁 - In carrying out etching of laminated films consisting of silver or a silver alloy by using an etching solution consisting of mixed acids composed of a phosphoric acid, nitric acid and acetic acid, the etching solution is made to flow and the flow intensity thereof is specified to a range from the fluid intensity at which the etching reaction starts up to the fluid intensity of 67% thereof.
リン酸・硝酸・酢酸の混酸から成るエッチング溶液を用いて銀または銀合金から成る積層膜のエッチングを行う際に、エッチング溶液を流動させ、その流動強度は、エッチング反応が開始する境界の流動強度からその６７%の流動強度までの範囲であることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a mask for quartz glass etching to be applied in the case where the hinge part in the pendulum for an accelerometer is constituted by etching a quartz glass with high 55% or so concentration of hydrogen chloride at several 100 μm level of etching for a long time of several hours level of 55% and provide the quartz glass etching process.
石英ガラスを５５％程度の高濃度の弗化水素酸により数時間に及ぶ長時間に亘って数１００μｍレベルのエッチング加工を施して加速度計のペンジュラムのヒンジ部を構成する様な場合に適用される石英ガラスエッチング加工用マスクおよび石英ガラスエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁 - In this method for detecting an etching end point, only a signal change based on an etching reaction in each etching cycle is extracted, a discontinuous location in a waveform corresponding to the extracted signal change is continuously corrected with the use of a first correction waveform and then a second correction waveform CW2 to detect an etching end point ED, based on a continuos waveform after correction.
各エッチングサイクルにおけるエッチング反応に基く信号変化だけを取り出すとともに、取出した信号変化に相応する波形の不連続個所を第１補正波形、次いで第２補正波形ＣＷ２によって連続させる補正を行い、補正後の連続波形よりエッチング終点ＥＤを検出する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a substrate for a thermal head, the substrate which has high partially convexed protrusions, and also has small undulations in their convexed top surfaces and slopes, by etching while removing a solid reaction product produced in a glass etching so as to improve a decrease of an etching speed and an unevenness of etching.
エッチング速度の低下及びエッチングの不均一を改善するために、ガラスエッチング時に生成する固形の反応生成物を除去しながらエッチングを行うことにより、凸状部の高さが高く、かつ凸状部頂面およびその斜面のうねりが小さいサーマルヘッド用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, all or some of the etching bath 11, etching liquid exhaust pipe 12, first-order reaction settling tank 14, and second-order reaction settling tank 16 are provided with the spraying means 32 through 35 which spray the impurities removal fluid 31 to the etching liquid 1 or etching drain 2, thereby triggering the settling reaction of the impurities 3.
そして、エッチング槽１１、エッチング液排出管１２、一次反応沈澱槽１４、および二次反応沈澱槽１６の全部または一部に噴射手段３２〜３５を設け、不純物除去流体３１をエッチング液１またはエッチング排液２に噴射して、これらから不純物３が沈殿する反応を誘起する。 - 特許庁 - After the cleaning etching gas is fed into the reactive tube 16, the cleaning method includes a first step for removing the film by etching under a first gas cleaning condition, and a second cleaning step for removing the film of the reactive tube 16 by etching under a second gas cleaning condition with an etching rate lower than that of the first step.
本方法は、クリーニング用エッチングガスを反応管内に導入して、第１のガスクリーニング条件で被クリーニング膜をエッチング除去する第１のステップと、第１ステップでの被クリーニング膜のエッチングレートよりエッチングレートが低くなるガスクリーニング条件で、反応管の被クリーニング膜をエッチング除去する第２のステップとを有する。 - 特許庁 - The polarizing element 1 includes: a substrate 11A; a plurality of metal filaments 18A provided on the substrate 11A by patterning a metal film by means of etching; and a deposition film 118 formed in an upper end part of each metal filament 18A, by chemical reaction of an etching gas with an etching product when etching the metal film.
基板１１Ａと、金属膜をエッチングによりパターニングし基板１１Ａ上に設けられた複数の金属細線１８Ａと、金属膜のエッチング時におけるエッチングガス及びエッチング生成物が化学反応することで各金属細線１８Ａの上端部に形成されてなる堆積膜１１８とを備えた偏光素子１である。 - 特許庁 - The etching step includes a first etching step for etching the base by each edge part outside the two facing metal films to form the external form of a vibration reed, and a second step for etching the base by each edge part inside the two facing metal films to form the groove part of the vibration reed.
エッチング工程は、２つの対向する金属膜の外側の各縁部により基板をエッチングして振動片の外形を形成する第１のエッチング工程と、２つの金属膜の対向する内側の各縁部により基板をエッチングして振動片の溝部を形成する第２のエッチング工程の２つの工程とする。 - 特許庁 - Then, the method is also provided with (b) a step of detecting the light intensity of the laser light 14, reflected from both the surface and the backside of the SiC substrate 2, calculating an amount of etching, based on an interference waveform indicated by the detected light intensity, and stopping the etching processing in the step (a), when the amount of etching reaches a desired amount of etching.
そして、（ｂ）ＳｉＣ基板２の表裏両面それぞれから反射したレーザ光１４の光強度を検出し、当該検出した光強度が示す干渉波形に基づいてエッチング量を算出し、当該エッチング量が所望のエッチング量となった場合に、工程（ａ）のエッチング処理を停止する工程を備える。 - 特許庁 - To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.
リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁 - This method includes a process of forming a reflection preventing film on the base substrate, a process of forming a photoresist having a prescribed pattern on this reflection preventing film, a first etching process for etching the reflection preventing film with this photoresist as a mask, and a second etching process for etching the base substrate with the reflection preventing film as a mask.
下地基板上に反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜上に所定パターンを有するフォトレジストを形成する工程と、このフォトレジストをマスクとして反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程と、反射防止膜をマスクとして下地基板をエッチングする第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁 - Specified metal 4 is plasma-etched as a pre-processing before the start of etching when the exposure stage of specified metal affecting the fluctuation of the etching rate is included, and a surface where specified metal is not exposed is etched in the initial stage of etching from the start of plasma etching to the end.
プラズマエッチングの開始から終了までの間に、エッチングレートの変動に影響を与える特定金属の露出段階が含まれ、且つ、エッチング初期には特定金属が露出していない表面に対してエッチングを行う際に、エッチングの開始前の前処理として、特定金属４をプラズマエッチングする。 - 特許庁 - In the method for manufacturing an etching foil for an electrolyte capacitor, which includes a plurality of steps of etching process in an etching liquid containing chlorine ions with respect to an aluminum foil, an immersion step of immersing the aluminum foil in an ethylene glycol aqueous solution having a concentration of 10.0 to 60.0 wt.% is provided between respective steps of etching process.
アルミニウム箔に対して、塩素イオンを含むエッチング液中でのエッチング工程を複数段有する、電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、各段のエッチング工程の間に、濃度１０．０〜６０．０ｗｔ％のエチレングリコール水溶液に浸漬させる浸漬工程を設けたことを特徴とする。 - 特許庁 - In a step S2, etching time corresponding to an etching shift amount for obtaining expected sizes of the sparse pattern and dense pattern using the exposure amount determined by the first correlation is determined using second correlation, pre-obtained, between etching times of the space pattern and dense pattern and the etching shift amount.
ステップＳ２では、予め取得された、疎パターン及び密パターンにおけるエッチング時間とエッチングシフト量との第２の相関関係を用いて、第１の相関関係により決定された露光量による疎パターン及び密パターンをそれぞれ所期の寸法とするためのエッチングシフト量に対応したエッチング時間を決定する。 - 特許庁 - Before being sent back to a load lock chamber 13, a silicon substrate 11 completed in an etching process in an etching chamber 16 is carried to a post-processing chamber 20 provided independently from the etching chamber 16 and subjected to plasma treatment thus removing chlorine remaining on each silicon substrate 11 after ending the etching process.
エッチングチャンバ１６でエッチングプロセスを終了したシリコン基板１１をロードロックチャンバ１３に返送するに先だって、エッチングチャンバ１６とは別途に設けた後処理用チャンバ２０に搬送してプラズマ処理することにより、エッチングプロセス終了後の各シリコン基板１１上に残留した残留塩素を除去する。 - 特許庁 - Next, in a second etching process, the surface of the crystal material is wet-etched using a second etching composite containing a hydrofluoric acid a main component to remove protrusions by anisotropic etching caused by crystal orientation which are formed on the surface of the crystal material in the first etching process, thus smoothing the surface.
次にこの水晶材料の表面を、第２エッチング工程において、弗化水素酸を主成分として含有する第２エッチング組成物を用いてウエットエッチングし、第１エッチング工程で水晶材料表面に形成される、結晶方位に起因した異方性エッチングによる突起を除去して平滑化する。 - 特許庁 - A mask correction pattern for narrowing an etching opening width is formed in a position in irrelevance to a sensor shape, in an etching opening part for etching the semiconductor substrate, and the etching difference within the wafer face is narrowed by regulating a size of the mask pattern toward a wafer outer circumferential part to enhance the yield and to reduce the cost.
半導体基板をエッチングするマスク開口部において、センサ形状と無関係の位置にエッチング開口幅を狭めるマスク補正パターンを形成し、ウエハ外周部に向かって、マスク補正パターンのサイズを調整することにより、ウエハ面内でのエッチングレート差を縮め、歩留まりの向上及び低コスト化を図る。 - 特許庁 - The wet etching solution includes: hydrogen fluoride in an amount of 0.1-3% by weight of the etching solution; one or more inorganic acids selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, and hydrochloric acid, in an amount of 10-40% by weight of the etching solution; and water in an amount of the remainder percent by weight of the etching solution.
本発明は、０．１〜３重量％のフッ化水素、１０〜４０重量％の、硝酸、硫酸及び塩酸から一つ以上選択される無機酸、及び残余重量％の水を含んでおり、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜の選択性が高い湿式エッチング溶液を構成する。 - 特許庁 - In the etching method for etching the wafer 80, an etching gas is supplied toward one surface of the wafer 80 where a plurality of communicating holes communicating the front and the back are formed, and at least a part of the supplied etching gas is discharged from the plurality of communicating holes to the other surface side.
ウエハ８０をエッチングするエッチング方法であって、表裏を連通する複数の連通孔が形成されているウエハ８０の一方の表面に向けてエッチングガスを供給するとともに、供給したエッチングガスの少なくとも一部を前記複数の連通孔から他方の表面側に排出する方法。 - 特許庁 - To provide a method of patterning a dielectric film which allows patterning and reduces or fully removes a residue after etching paste thermal treatment, by etching the dielectric film having such a thickness not capable of being etched in single etching paste processing through simple processing using the etching paste to form a patterned film.
一度のエッチングペーストによる処理ではエッチングできない程度の厚さを有する誘電体膜を、エッチングペーストを用いた簡単な処理でエッチングしてパターニングを形成できるとともに、エッチングペーストの熱処理後に発生する残渣を低減もしくは完全に除去できる誘電体膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - Next, the damaged through-oxide film 13 is removed through wet etching.
次に、ダメージが導入されたスルー酸化膜１３をウエットエッチングにより除去する。 - 特許庁 - The shape of t he resin layer 16 is transferred to the product substrate 2 by dry etching.
樹脂層１６の形状をドライエッチングにより製品基板２に転写する。 - 特許庁 - In a process S108, plasma ashing for removing etching residues is started.
工程Ｓ１０８では、エッチング残さを除去するためのプラズマアッシングを開始する。 - 特許庁 - In the second etching processing chamber 9, the substrate 16 is optically etched.
第２のエッチング処理室９では、光エッチングが基板１６に対して行われる。 - 特許庁 - THIN FILM ETCHING METHOD AND METHOD OF FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME
薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法 - 特許庁 - The a-Si layer 108 is removed from a channel portion by channel etching.
チャネル部からはチャネルエッチングによってａ−Ｓｉ層１０８が除去されている。 - 特許庁 - The pattern of the resist 11 is recessed by a distance S by a dry etching method.
次に、ドライエッチングによってレジスト１１のパターンを距離Ｓだけ後退させる。 - 特許庁 - Also, the need for the etching is eliminated, and the deterioration of the ground is thereby prevented.
また、エッチングが不要となることで、下地の劣化を防止することができる。 - 特許庁 - METHOD OF REDUCING UNNECESSARY ETCHING OF INSULATOR DUE TO INCREASE IN BORON CONCENTRATION
ボロン濃度上昇に起因する不要な絶縁体エッチングを低減する方法 - 特許庁 - METHOD OF PATTERNING ORGANIC METAL FILM, BONDING METHOD, JUNCTION STRUCTURE AND METHOD OF ETCHING
有機金属膜のパターニング方法、接合方法、接合体およびエッチング方法 - 特許庁 - MATERIAL FOR MASK, METHOD FOR FORMING MASK, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND ETCHING PROTECTION FILM
マスク用材料、マスクの形成方法、パターン形成方法、及びエッチング保護膜 - 特許庁 - To form a mesa which is excellent in smoothness and has an etching surface with a desired orientation.
エッチング面は所望の方位を持ち平滑性に優れたメサを形成する。 - 特許庁 - To provide an electrode material for an aluminum electrolytic capacitor, which dispenses with an etching treatment.
エッチング処理が不要なアルミニウム電解コンデンサ用電極材を提供する。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM
プラズマエッチング装置及び磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 - 特許庁 - By using the activated process gas, etching of the plurality of wafers 5 is perfomed in batch.
活性化したプロセスガスで複数のウェーハ５のエッチングを一括して行なう。 - 特許庁 - To provide an improved method of etching a porous dielectric thin film.
多孔質誘電体薄膜の改良されたエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - Subsequently, a buffer oxide film 124 is removed by using a wet or dry etching process.
その後、バッファ膜１２４はウェットまたはドライエッチング工程を用いて除去する。 - 特許庁 - Thereafter, the resist 28 is removed, and the embedded silicon 25 is removed by dry etching.
その後、レジスト２８を除去し、ドライエッチングにより埋込シリコン２５を除去する。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING ETCHING STOPPER FILM, AND FILM AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
エッチングストッパー膜形成用組成物、該組成物を用いた膜及び電子デバイス - 特許庁 - SUBSTRATE HOLDER, ETCHING PROCESS OF SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM
基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING THIN FILM OF MATERIAL CONTAINING POROUS SILICA ACCUMULATED ON SUBSTRATE
基板上に堆積したポーラスシリカを含有する材料の薄膜のエッチング法 - 特許庁 - RESIST PATTERN FORMING METHOD, ETCHING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING MASTER INFORMATION CARRIER
レジストパターン形成方法、エッチング方法およびマスター情報担体の製造方法 - 特許庁 - The layer 5 exposed after this process is removed by dry etching.
この工程の後に露出したエッチングストップ層５を、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁 - To measure surface roughness in real time while performing near-field light etching.
近接場光エッチングを実行しつつ、リアルタイムで表面粗さを計測する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing thin SOI devices that reduces etching problems.
エッチング問題が軽減される薄いＳＯＩデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
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