「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 86 87 88 89 90 91 92 93 94 .... 399 400 次へ＞- A through hole 11a is formed by dry etching or sand blast in a substrate 11.
基板１１にドライエッチング又はサンドブラストにて貫通孔１１ａを形成する。 - 特許庁 - DEVICE FOR PREVENTING PLASMA FROM ETCHING WAFER CLAMP IN SEMICONDUCTOR PROCESS
半導体工程においてプラズマのウエハークランプに対するエッチングを予防する装置 - 特許庁 - An inner lens and an etching stop film are simultaneously formed on the upside of the substrate.
内部レンズ及びエッチング阻止膜は前記基板上部に同時に形成される。 - 特許庁 - LOW PRESSURE HARD ELECTROLYTIC AL FOIL WITH ETCHING STABILITY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
エッチング安定性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔およびその製法 - 特許庁 - A silicon substrate 1 is over-etched about 5 to 20 nm by anisotropic dry-etching.
異方性のドライエッチングにより、シリコン基板１が５nm〜２０nm程度オーバエッチングされる。 - 特許庁 - The etching liquid composition contains perfluoroalkyl carboxylate, oxalic acid and water.
パーフルオロアルキルカルボン酸塩、シュウ酸、および水を含有するエッチング液組成物とする。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER, METHOD OF MANUFACTURING MEMS DEVICE, AND MEMS DEVICE
犠牲層のエッチング方法、ＭＥＭＳデバイスの製造方法およびＭＥＭＳデバイス - 特許庁 - Moreover, etching is performed to form the offset spacer 7 lower than the gate structure 5.
また、オフセットスペーサ７も、ゲート構造５よりも低くなるようにエッチングされる。 - 特許庁 - This wet etching method is used for manufacturing a compound semiconductor electronic device.
化合物半導体系電子デバイスの製造におけるウエットエッチング方法に係る。 - 特許庁 - PHOTOSETTING OR THERMOSETTING TYPE RESIN COMPOSITION FOR NANOIMPRINTING HAVING RESISTANCE TO DRY ETCHING
耐ドライエッチング性を有する光または熱硬化型ナノインプリント用樹脂組成物 - 特許庁 - Further, the trench 4 is provided with a configuration of slightly opened upward by the etching.
また、このエッチングにより、トレンチ４を上に向かって開き気味の形状とする。 - 特許庁 - LOW THERMAL EXPANSION ALLOY THIN SHEET HAVING EXCELLENT ETCHING PRECISION AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
エッチング精度に優れた低熱膨張合金薄板およびその製造方法 - 特許庁 - ANISOTROPIC ETCHING METHOD FOR SILICON SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING INK JET RECORDING HEAD
シリコン基板の異方性エッチング方法及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 - 特許庁 - To provide a coating silicon electrode plate for plasma etching which has long utilization lifetime.
使用寿命の長いプラズマエッチング用被覆シリコン電極板を提供する。 - 特許庁 - After the TiN film 16 is subjected to isotropic etching, the polyimide resin 9 is baked.
ＴｉＮ膜１６を等方性エッチングした後、ポリイミド樹脂９をベークする。 - 特許庁 - SILICON WAFER ETCHANT COMPOSED OF HIGH PURITY ALKALINE, AND ETCHING METHOD USING THE SAME
高純度アルカリからなるシリコンウェハーエッチング液及びそれを用いたエッチング方法 - 特許庁 - CRYSTAL ETCHING METHOD, AND METHOD OF PREPARING SAMPLE FOR TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE
結晶エッチング方法および透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD, PROGRAM, RECORDING, COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM, AND PLASMA PROCESSOR
エッチング方法，プログラム，コンピュータ読み取り可能な記録媒体及びプラズマ処理装置 - 特許庁 - SILICON ANISOTROPIC ETCHING LIQUID AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
シリコン異方性エッチング液及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The silicon dioxide area masks the silicon existing below in silicon etching processing.
二酸化ケイ素領域は下にあるシリコンをシリコン・エッチング処理中にマスクする。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING WIRING BOARD, ETCHING APPARATUS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING WIRING BOARD
配線基板の製造方法、エッチング装置並びに配線基板の製造装置 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND SYSTEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
ドライエッチング方法およびドライエッチングシステム、並びに半導体レーザ素子製造方法 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING METAL AND METAL SHEET, AND SUPPORT SUBSTRATE FOR PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICE
金属のエッチング方法および金属板と半導体素子実装用支持基板 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR ETCHED LAYER, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
被エッチング層のエッチング方法、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - 特許庁 - To improve adhesion when etching and tinning a magnesium alloy.
マグネシウム合金をエッチングし、またすずめっきをする際の密着性を良好にする。 - 特許庁 - To provide a small ion etching apparatus having a simple structure capable of preventing image blurring.
像ブレを防止できる簡単な構造、小型のイオンエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for etching a quartz substrate for a photomask with high uniformity.
フォトマスク用石英基板を均一性良くエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - glass that diffuses light due to a rough surface produced by abrasion or etching
研磨またはエッチングで作られた粗い表面のために光を拡散するガラス - 日本語WordNet - To treat copper etching with high efficiency.
銅エッチングを効率よく処理する方法及びそれに使用する薬剤を提供する。 - 特許庁 - An etching compound of tantalum oxide, containing hydrogen fluoride and water, is employed.
フッ化ケイ素及び水を含んでなる酸化タンタルのエッチング用組成物を用いる。 - 特許庁 - A judgment means 33 judges an etching state based on a detection result.
判定手段３３によって、上記検出結果にエッチング状態を判定する。 - 特許庁 - The etching control layer is utilized for changing the depth of contact, thus achieving the resistor polysilicon layer having the plurality of different resistance values even in the small element region.
そのエッチングコントロール層を利用してコンタクトの深さを変える。 - 特許庁 - To enable control of an etching pattern having a point-symmetrical shape into an arbitrary shape.
点対称な形状を有するエッチングパターンを任意な形状に制御する。 - 特許庁 - After the resist mask 11 is removed, the insulating film 8 is removed by etching.
レジストマスク１１を除去した後に、絶縁膜８をエッチングにより除去する。 - 特許庁 - RESIST MATERIAL, ETCHING PATTERN FORMING METHOD AND CONDUCTIVE PATTERN FORMING METHOD
レジスト材料、エッチングパターンの形成方法及び導電性パターンの形成方法 - 特許庁 - The part of unreacted film containing Ni is removed by employing wet etching technique.
ウェットエッチング技術を用いて、Ｎｉを含む未反応膜の部分を除去する。 - 特許庁 - To provide a method for quantitatively wet-etching gold.
定量的なエッチングを可能にする新規な金のウエットエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the ridge waveguide type semiconductor laser element includes dry etching a ridge 8 by retaining a second conductivity type clad layer 7 by a thickness d from a second conductivity type etching stop layer 5, and then etching the second conductivity type clad layer 7 retained on the second conductivity type etching stop layer 5 to the second conductivity type etching stop layer 5 with a tartaric acid etchant to be formed in a rectangular shape.
リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部８を第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５から厚さｄだけ残してドライエッチングした後、酒石酸エッチング液により第２導電型エッチング停止層５上に残こった第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５までエッチングして矩形状に形成する。 - 特許庁 - A partial pressure of the CHF-based gas in the first etching gas of the first etching condition is set in such a range as an etching rate against the high carbon concentration insulating film 114 drops while that against the low carbon concentration insulating film 116 does not change, by adding the CHF-based gas with an etching rate relative to respective films when no CHF-based gas is added to the first etching gas as a reference.
第１のエッチング条件の第１のエッチングガス中のＣＨＦ系ガスの分圧は、第１のエッチングガスに当該ＣＨＦ系ガスを添加していない場合の各膜へのエッチングレートを基準として、当該ＣＨＦ系ガスを添加することにより、高炭素濃度絶縁膜１１４に対するエッチングレートが低下するとともに、低炭素濃度絶縁膜１１６に対するエッチングレートを変化させない範囲に設定されている。 - 特許庁 - To solve the unevenness of scattering, though, in the production of a semiconductor or a liquid crystal glass panel, an etching solution is scattered over a member 1 to be etched on etching, to simplify a complicated and expensive etching apparatus, and to reduce its cost as well.
半導体または液晶ガラスパネルの製造において、エッチングを行うときエッチング液を被エッチング部材１に散布するが、散布ムラを解消するとともに、複雑高価なエッチング装置をシンプルなものにし、併せてコストの低減を図る。 - 特許庁 - To provide a gravure plate making method which makes it possible to directly form a negative image consisting of etching resists by jetting an etching resist forming solution to a roll to be processed having variety of sizes from an ink jet printing device and then form cells by etching the negative image.
大きさが種々に異なる被製版ロールにインクジェット型のプリンタ装置によりエッチングレジスト形成液を噴射してエッチングレジストよりなるネガ画像を直接形成し得、その後エッチングしてセルを形成する、グラビア版の製版方法。 - 特許庁 - To provide a curable composition for an etching resist giving a cured film excellent in etching resistance even in secondary etching at a high temperature and excellent also in suitability to subsequent alkali dissolution and removal and in pattern forming property and suitable for use as a backing material particularly in the manufacture of a shadow mask.
高温下の２次エッチングにおいてもその硬化膜が耐エッチング性に優れ、その後のアルカリ溶解・剥離性及びパターン形成性のいずれにも優れる、特にシャドウマスク製造時の裏止め材に適したエッチングレジスト用硬化型組成物の提供。 - 特許庁 - Onto the surface of a glass plate G, positioned at the prescribed position in a treatment container 3 to which a photoresist is applied, an etching solution supply system 6 supplies the etching solution L of a fluorinated acid series by injecting the solution from a nozzle 5 to upward in the form of mist, and the etching is carried out.
レジストが塗布されて処理容器３内の所定位置に位置したガラス板Ｇの表面に、エッチング液供給系６がフッ酸系のエッチング液Ｌをノズル５から上方に霧状に噴射させて供給し、エッチングが行われる。 - 特許庁 - An etching waste liquid treatment method has the process of distilling the etching waste liquid obtained after the etching processing of a material to be etched with a hydrochloric acid-containing etchant, and the process of obtaining hydrochloric acid by subjecting the distillate obtained by the distillation to reduction treatment.
本発明のエッチング廃液の処理方法は、塩酸を含むエッチング液によって被エッチング材をエッチング加工した後のエッチング廃液を蒸留する工程と、蒸留して得られた留出液を還元処理して塩酸を得る工程と、を有する。 - 特許庁 - In the chamber of an inductive coupling type plasma etching apparatus, selective etching is made to the second insulating film 105 by a first etching gas using a fluorocarbon gas having a ring structure as a main constituent, and an upper section 108a of the hole is formed.
誘導結合型プラズマエッチング装置のチャンバー内において、第２の絶縁膜１０５に対して、環構造を有するフルオロカーボンガスを主成分とする第１のエッチングガスにより選択的エッチングを行なって、ホールの上部１０８ａを形成する。 - 特許庁 - In this semiconductor laser element, an InGaP etching blocking layer 11 as an etching selection layer having etching selectivity relative to current block layers 10 is formed on the n-type AlInP current block layer 10 as a layer which does not absorb light.
この半導体レーザ素子では、非光吸収層であるｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０の上に、電流ブロック層１０に対してエッチング選択性を有するエッチング選択層としてのＩｎＧａＰエッチング阻止層１１が形成されている。 - 特許庁 - In the working step, the working layer is worked so that the desired shape is formed on the surface of the working layer based on a distribution of the workpiece and the etching rate of the working layer in a surface perpendicular to the etching direction by the anisotropic etching.
加工工程は、異方性エッチングによるエッチング方向と直交する面内での被加工物体及び加工層のエッチングレートの分布に基づいて被加工物体の表面に所望の形状が形成されるように加工層を加工する。 - 特許庁 - Since etching gas or an etching liquid is easily infiltrated to the space between the spacer 6 and the support 5 via the notch 62 of the spacer 6, this part is prevented from remaining un-etched, thereby equalizing the etching speed distribution.
クリーニング時にエッチングガスまたはエッチング液がスペーサ６の切り欠き部６２を介してスペーサ６と支柱５との間の空間に容易に回り込むので、この部分にエッチング残りが発生することが防止でき、エッチング速度分布の均一化が図れる。 - 特許庁 - To provide a laser processing apparatus that divides the wafer into individual chips by irradiating the wafer with laser beam and thereafter performs etching process simultaneously and immediately inside an identical etching unit without transporting the divided wafers to another etching unit that is separately provided in order to remove processing distortions.
ウェーハにレーザー光線を照射することにより個々のチップに分割した後、加工歪みを除去するため、別途設けたエッチング装置に搬送することなく同一装置内で直ちにエッチング処理ができるレーザー加工装置を提供する。 - 特許庁 - To obtain a method for forming patterns and a method for manufacturing semiconductor devices, which reduce the lowering of an etching rate accompanying the advance of dry etching and can form an etching pattern with an enhanced aspect ratio for a member to be processed.
ドライエッチングの進行に伴うエッチング速度の低下を抑え、被加工部材に対しよりアスペクト比の高いエッチングパターンの形成を行うことのできるパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
