「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 90 91 92 93 94 95 96 97 98 .... 399 400 次へ＞- To provide a method of roughening a substrate, capable of stably forming an etching mask of a single-layer particle layer without causing the agglomeration of particles and executing etching using the mask.
粒子の凝集を起こすことなく、安定的に単層粒子層のエッチングマスクを形成して、このマスクを用いてエッチングを行うことのできる基板の粗面化方法を得る。 - 特許庁 - And next, the surface of an interlayer insulation film 50 is washed with a cleaning solution which has an etching rate for the FSG film 5 almost equal to an etching rate for the USG film 3.
次に、ＦＳＧ膜３に対するエッチングレートと、ＵＳＧ膜５に対するエッチングレートとがほぼ等しい洗浄液を用いて、層間絶縁膜５０の表面を洗浄する。 - 特許庁 - According to this invention, while performing sufficient etching, the uniformity of the glass substrate 20 subjected to etching can be improved, thus productivity can be improved.
本発明によれば、十分なエッチングが行われながらも、エッチングされたガラス基板２０の均一度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。 - 特許庁 - To prevent a mask material from being broken on the way of etching a film to be worked when the etching mask of a laminated structure including a mask material/resist pattern containing a carbon is used.
炭素を含むマスク材／レジストパターンを含む積層構造のエッチングマスクを用いた場合における、被加工膜のエッチング途中でのマスク材の破裂を防止すること。 - 特許庁 - In the corner mirror part, etching is performed by self alignment while a pattern of the first resist 1 is maintained, so that position deviation is not generated throughout dry etching of two times.
またコーナーミラー部は第一のレジスト１のパターンを維持したままセルフアラインにてエッチングが行われており、二回のドライエッチングを通して位置ずれを起こすことがない。 - 特許庁 - Next, a shower of sulfur hydrofluoric acid solution is sprayed at a pressure of 2kg/cm^2 on both surfaces of the stainless plate 21 provided with the etching resists 22 for 13 minutes for etching.
次に、エッチングレジスト２２を備えたステンレス板２１の両側に対して、硫フッ酸溶液を２ｋｇ／ｃｍ^２の圧力でシャワーして吹き付け、１３分間エッチングを行なう。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method by which a guard ring (GR) having wide opening area and a via hole having small opening area can be simultaneously formed by etching to uniform depths.
開口面積の広いガードリング（ＧＲ）や開口面積の小さいビアホール（Ｖｉａ）を同時に且つ均等深さにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor manufacturing apparatus 40 includes an etching chamber, a heating chamber 43 having a facility for heating a substrate, and a transfer chamber 46 which communicates with the etching chamber and the heating chamber 43.
本発明の半導体製造装置は、エッチング室と、基板を加熱するための加熱設備を有する加熱室とエッチング室と加熱室に連通する搬送室とを備える。 - 特許庁 - Moreover, since the roughness is not formed by etching, the driving voltage does not increase.
またエッチングを用いて凹凸を形成していないので駆動電圧の増大もない。 - 特許庁 - To provide an etching defect inspection method of a piezoelectric vibration chip wafer, and an inspection system.
圧電振動片ウェハのエッチング欠陥検査方法、及び検査システムを提供する。 - 特許庁 - The protrusion 12 is formed precisely by photo-etching the thin film.
突条１２は、薄膜をフォトエッチングすることにより精度良く形成することができる。 - 特許庁 - A ratio of etching speed of the base material to the particles is 1 to 5.
前記粒子に対する前記基材のエッチング速度の比は１を超え５以下である。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR WAFER UTILIZING EVACUATING STAGE AND APPARATUS THEREOF
減圧化状態を利用した半導体ウェハーのエッチング処理方法およびその装置 - 特許庁 - Then, a kind of etching gas is changed and the remaining thickness of the conductive film 4A is etched by isotropic etching and thus an edge C of the bottom of the conductive film 4A is reduced.
その後、エッチングガスの種類を変え、等方性エッチングにより導電性膜４Ａの残りの膜厚をエッチングし、導電性膜４Ａの底部の角Ｃを削り取る。 - 特許庁 - In the case that the temperature of the etching fluid is 30°, overetched quantity of the bus electrode 4b is relatively small and the inclination angle becomes relatively small compared to the case that the temperature of the etching fluid is 40°.
蝕刻液の温度が40℃である場合より30℃である場合に、バス電極４bの過蝕刻される量が相対的に少なく、傾斜角が相対的に小さくなる。 - 特許庁 - To provide a method for purifying COF_2 used as a cleaning gas or an etching gas.
クリーニングガス及びエッチングガスとして有用なＣＯＦ_2の精製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a MEMS device for reducing an amount of side etching in a part where etching is essentially undesirable when releasing a movable electrode to miniaturize this device.
可動電極をリリースするときの本来エッチングを望まない部分のサイドエッチング量を軽減し、小型化を図ることが可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a simple method of recycling an etching waste liquid by defects in the conventional ejector method for recycling iron chloride from etching waste water.
塩化鉄系エッチング廃液等を再生する方法において、従来のエジェクター法における欠点を改良し、簡単な方法によりエッチング廃液を再生する方法の提供。 - 特許庁 - Before carrying out dry-etching to the rear face of a semiconductor substrate 10, a film 70 reduced in the area of an etching opening is formed on the rear face 10b of the semiconductor substrate 10.
半導体基板１０の裏面をドライエッチングする前に、半導体基板１０の裏面１０ｂに、エッチング開口面積を低減させる膜７０を形成する。 - 特許庁 - In other words, side etching will not advance very much in the depth direction, even if overetching is applied, and side etching can be controlled easily and a stable form is obtained.
つまり、オーバーエッチングを加えても、サイドエッチングが深さ方向に対して極端に進むことはなく、サイドエッチングの制御が容易になり、安定した形状を得ることができる。 - 特許庁 - GLASS ETCHING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE AND PHOTOELECTRIC TRANSDUCER
ガラスのエッチング方法、透明導電基板の製造方法および光電変換素子 - 特許庁 - A transition etching layer (20) is provided between an upper layer (12) and a lower layer (14) and preferably capable of preventing a material composition having undesired etching characteristics from being formed.
遷移エッチング層（２０）が上部層（１２）と下部層（１４）との間に設けられており、好ましくないエッチング特性を持った材料組成の形成が防止できる。 - 特許庁 - An additional dummy brings about more even plasma etching for the contact point of a wafer, improves etching at the contact point of a peripheral chip, and lowers the contact resistance at the contact point of peripheral chip.
追加ダミーはウェハの接点のより一様なプラズマ・エッチングをもたらし、周辺チップの接点のエッチングを改善し、周辺チップの接点の接触抵抗を下げる。 - 特許庁 - To secure a good anisotropic (perpendicular) shape and a high selection ratio with respect to both of a mask and an underlying film when etching an insulating film, and simultaneously to prevent an etching stop.
絶縁膜のエッチングにおいて良好な異方性（垂直）形状とマスクおよび下地膜の双方に対する高い選択比を確保しつつエッチストップを防止する。 - 特許庁 - In an etching process, etching treatment is applied by using the resist layer 34 as a mask, and through-holes 20a, 23a are formed against respective current collector materials 31, 32.
エッチング工程では、レジスト層３４をマスクとして用いてエッチング処理が施され、各集電体材料３１，３２に対して貫通孔２０ａ，２３ａが形成される。 - 特許庁 - Then etching processing is carried out to form a specific pattern on the reticle.
その後、エッチング処理を施すことによりレチクル上に所定のパターンが形成される。 - 特許庁 - Lateral spacers are formed around the salient pattern defining a third etching mask.
第３のエッチングマスクを定義する突出パターンの周囲に、横スペーサが形成される。 - 特許庁 - The etching mask 300 for forming the phase difference comprises a layer 310 of glass or quartz, an etching stop layer 380, a polymer layer 330, and a hard mask 320.
位相差を形成するためのエッチングスマスク３００はガラスもしくは石英の層３１０、エッチング停止層３８０、ポリマー層３３０、ハードマスク３２０より構成される。 - 特許庁 - To provide a plasma treating apparatus applicable to the more fine forming and an etching method which is applicable to the more fine forming and enables to perform etching process with higher selectivity.
より微細化に対応可能なプラズマ処理装置およびより微細化に対応可能でかつより選択性の高いエッチングが可能なエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - The etching temperature is lowered from approximately 300°C to approximately 100°C, and a dry etching is conducted at a stage when the tantalum film 15 reaches the specified film thickness or less and begins to be partially isolated.
その後、タンタル膜１５が所定の膜厚以下になって部分的に孤立し始めた段階で、エッチング温度を約３００℃から約１００℃に下げてドライエッチングする。 - 特許庁 - To provide a method of etching metal for avoiding decrease of an etching speed and increasing anisotropy even if thickness of a metal member to be etched is thick.
エッチング対象となる金属部材の厚さが厚くてもエッチング速度の低下を回避できると共に異方性を高くできる金属のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - At this time, etching stopper layers 24, 26 are formed under the respective GaAs layers 25, 27.
このとき、各ＧａＡｓ層２５，２７の下にエッチングストッパー層２４，２６を形成する。 - 特許庁 - Furthermore, according to the first and second correlation relationships, a third correlation relationship that can be established among the etching depth H, the opening diameter ϕ of the opening part, and an etching rate is obtained.
第１の相関関係と第２の相関関係とから、エッチング深さ、開口部の開口径及びエッチングレートの間に成り立つ第３の相関関係を求める。 - 特許庁 - In the beginning of etching, an etching intermittently progresses or stops, applying the cooling gas 41 to the opposite surface (back surface) to a resist pattern forming surface of a membrane portion 23.
エッチング開始時は、メンブレン部２３のレジストパターン形成面の反対面（裏面）に冷却ガス４１を当てつつ、エッチングを断続的に進行・停止しながら加工する。 - 特許庁 - METALLIC MASK FOR DRY ETCHING, INK-JET PRINTER HEAD COMPRISING THE SAME, AND PRODUCTION METHOD THEREOF
ドライエッチング用金属マスク、これを備えたインクジェットプリンタヘッド及びその製造方法 - 特許庁 - Further, the slight sagging of the outer periphery is removed by dry etching of next step.
しかも、外周部の若干の研磨ダレは、次工程のドライエッチングで除去される。 - 特許庁 - An amount of etching on the surface of the working strain layer 12 is controlled in the step of etching removal to adjust dislocation density in the non-diffusion layer 15.
ここで、上記エッチング除去の工程において加工歪み層１２の表面のエッチング量を制御することにより非拡散層１５内の転位密度を調節する。 - 特許庁 - To improve line edge roughness of an etching mask in a method of etching an inorganic compound film by using a reverse NIL method and in a method of manufacturing a semiconductor optical element.
反転ＮＩＬ技術を使用した無機化合物膜のエッチング方法および半導体光素子の製造方法において、エッチングマスクのラインエッジラフネスを向上させる。 - 特許庁 - When the conductive film is dry-etched, an etching condition is selected so that a deposition film is formed in the vicinity of an opening in the recess in the middle of the dry etching.
導電膜のドライエッチングに際して、その最中に前記凹部内の開口部近傍にデポジション膜が形成されるようにエッチング条件を選択して行う。 - 特許庁 - The etching stop layer under the opening of the resist film is etched by using the resist film as a mask.
レジスト膜をマスクとし、レジスト膜の開口下のエッチング停止層をエッチングする。 - 特許庁 - A set of an etching apparatus 150 in the apparatus for machining planar surface 10 enables a series of planar machining from rough grinding to etching to be processed using a single apparatus.
また、エッチング装置１５０を平面加工装置１０に設置したので、ウェーハ２８の粗研削からエッチングまでの一連の平面加工を一つの装置で実施することができる。 - 特許庁 - Then the application of dry etching to a crystal wafer 1 by an RIE (reactive ion etching) method to form nearly a cross-sectional tapered shape on the end face of the crystal element chip 1a.
そして、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法により水晶ウェハ１をドライエッチングすると、水晶素子片１ａの端面に略断面テーパー形状が形成される。 - 特許庁 - An etching end point can be detected by a change in light emitted from an etching product, when the upper portion 3 is etched and the lower portion 4 is exposed.
上部分３がエッチングされて下部分４が露出したときのエッチング生成物より発光される光の変化によりエッチング終点を検出することができる。 - 特許庁 - The etching of the inter-layer insulating film 19 to form the openings 20 is easily stopped at an etching stopper film 18, so that the inter-underlayer insulating film 17 is not etched.
開口部２０を形成するための層間絶縁膜１９のエッチングはエッチングストッパー膜１８で容易に停止できるので、下地層間絶縁膜１７がエッチングされない。 - 特許庁 - An etching stopper film 14 covering the fuse layer 12 is formed on the first insulating film 13, and a second insulating film 16 covering the etching stopper film 14 is formed.
第１の絶縁膜１３上にはヒューズ層１２を覆うエッチングストッパー膜１４を形成し、エッチングストッパー膜１４を覆う第２の絶縁膜１６を形成する。 - 特許庁 - Software algorithms calculate film thickness and etching and deposition rates.
膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 - 特許庁 - To develop a screening test method for the quality of a semiconductor device substrate during etching process.
半導体デバイス基板のエッチング過程の品質のスクリーニング試験法を開発する。 - 特許庁 - To solve cleaning problems in a dry etching device for treating a high-k/metal gate.
high-k/メタルゲートを処理するドライエッチング装置における、クリーニングの課題を解決する。 - 特許庁 - The projection 31 is formed by wet-etching or dry-etching the support substrate 30, and a pad electrode 33 is provided in the upper surface of the projection 31.
凸部３１は、支持基体３０をウエットエッチングまたはドライエッチングすることによって形成されたものであり、凸部３１の上面にはパッド電極３３が設けられている。 - 特許庁 - Drying is then carried out {figure 1 (d)} and the objective black matrix 6 is formed by etching {figure 1 (e)}.
次に、乾燥し｛図１（ｄ）｝、エッチングしてブラックマトリクス６を形成する｛図１（ｅ）｝。 - 特許庁
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