「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 92 93 94 95 96 97 98 99 100 .... 399 400 次へ＞- An etching stopper layer 3 is formed previously on a heating element 2 in order to protect the heating element 2 against dry etching of a wiring pattern 4.
本発明は、エッチングストッパー層３を発熱素子２上に事前に作成し、このエッチングストッパー層３により配線パターン４のドライエッチングから発熱素子２を保護する。 - 特許庁 - EXFOLIATING LIQUID FOR MULTISTAGE TREATMENT AND METHOD FOR EXFOLIATING ETCHING RESIDUAL SUBSTANCE USING THE SAME
多段階処理用剥離液およびこれを用いたエッチング残渣物の剥離方法 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent the etching of a top part of a gate electrode together with a silicon substrate at the time of etching the silicon substrate in source and drain regions.
ソース・ドレイン領域におけるシリコン基板をエッチングする際にゲート電極の上部が併せてエッチングされることを防止し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁 - To provide an aluminum foil for an electrolytic capacitor, which gives higher capacitance to the electrolytic capacitor, by preparing more starting points of etching therein, from which pits start growing through an etching reaction.
エッチングによるピット形成の起点となるエッチング開始点を増加させて、静電容量をより増大させることが可能な電解コンデンサ用アルミニウム箔を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching solution containing anionic surfactant for removing an oxide film, its manufacturing method, and a manufacturing method for a semiconductor device using the etching solution.
陰イオン性界面活性剤を含有する酸化膜除去用のエッチング液及びその製造方法と、エッチング液を利用した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then, according to the resist pattern, the ITO film 6a is removed by etching.
次に、このレジストパターンに従い、前記ＩＴＯ膜６ａをエッチングにより除去する。 - 特許庁 - Also, the antenna part 20 and the antistatic part 30 are simultaneously formed by etching.
また、アンテナ部２０及び帯電防止部３０をエッチングによって同時に形成する。 - 特許庁 - TECHNIQUE FOR ETCHING METAL OXIDE SURFACE AND MATERIAL OBTAINED BY USING SAME TECHNIQUE
金属酸化物表面をエッチングする技術及びそれを用いて得られる材料 - 特許庁 - The polysilicon film 4 can avoid etching damages to the transistor formation region 29.
トランジスタ形成領域２９へのエッチングダメージをポリシリコン膜４によって阻止できる。 - 特許庁 - To provide a dry etching method having higher selectivity and causing no breakage of a gate oxide film when dry etching a gate electrode in multistep.
マルチステップにて行うゲート電極ドライエッチングにおいて、ゲート酸化膜破れの生じないより高選択性を有するドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Consequently, difference in etching rate is offset by difference in thickness and etching of the first and second metal layers 31 and 32 can be ended simultaneously or substantially simultaneously.
それにより、それらのエッチングレート差が厚さの違いで相殺され、第１，第２の金属層３１，３２のエッチングを同時あるいはほぼ同時に終了させることが可能になる。 - 特許庁 - To provide a plasma generator improving an in-plane uniformity while keeping a high etching rate when used for plasma etching in a semiconductor manufacturing process.
半導体製造プロセスにおけるプラズマエッチングに使用したときに、エッチングレートを高く維持しながら、面内均一性を向上させることができるプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁 - Etching is carried out under such etching conditions as the diameter A of an opening in the bottom of the via hole 16 becomes larger than the planar width C of the pad electrode 12.
ここで、上記エッチングは、ビアホール１６の底部の開口径Ａが、パッド電極１２の平面的な幅Ｃよりも大きくなるようなエッチング条件により行われる。 - 特許庁 - To provide a silicone electrode plate with a few particles produced for a plasma etching apparatus.
パーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用シリコン電極板を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING TiN AND SiO2 MATERIALS AND FORMATION OF TERMINAL VIA
ＴｉＮおよびＳｉＯ２材料のエッチング方法およびターミナル・ビアの形成方法 - 特許庁 - To provide an etching method causing no surface rougheness of a low permittivity insulating film.
低誘電率絶縁膜の表面荒れを起こさないエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - A silicon nitride film 20, located above the control gate 18a, is removed by etching.
コントロールゲート１８ａの上方の窒化シリコン膜２０をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a SiO2 buffer layer by which etching to produce a perpendicular cross section is possible without using dry etching, and the center electrode is not deteriorated.
ドライエッチングに依らずに垂直な断面を有するエッチングを可能とすると共に、中心電極を劣化させないＳｉＯ_2 バッファ層の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an upper electrode plate for plasma etching that produces no particle.
パーティクルが発生することのないプラズマエッチング用上部電極板を提供する。 - 特許庁 - The ratio of oxygen gas flow rate to etching gas flow rate is set in the range of 0.7-1.3 using a semi-gap parallel plate type UHF band ECR plasma etching system.
セミギャップ平行平板型のＵＨＦ帯ＥＣＲプラズマエッチング装置を用い、エッチングガス流量に対する酸素ガス流量の比率を０．７から１．３の範囲内にする。 - 特許庁 - In a plasma etching step, an AC voltage is measured through pads 22a, 22b formed on an outer periphery of a wafer 21, and thereby the etching ending point of the wafer 21 is detected.
プラズマエッチング工程において、ウェハ２１外周部に形成したパッド２２ａ，２２ｂを通して交流電圧を測定することにより、ウェハ２１のエッチング終点を検出する。 - 特許庁 - The first etching-resistant film 32 has a characteristic of larger adhesion force to the substrate 10 than adhesion force to the substrate 10 of the second etching-resistant film 34.
第１の耐エッチング膜３２は、基板１０に対する密着力が記第２の耐エッチング膜３４の基板１０に対する密着力よりも大きい性質を有する。 - 特許庁 - By etching the glass substrate in a covering state of a part of the glass substrate by an etching treatment liquid mainly consisting of hydrofluoric acid, the partition wall or an electrode pattern groove is formed.
ガラス基板の一部を被覆した状態で、フッ酸を主成分としたエッチング処理液によって前記ガラス基板をエッチングして、隔壁又は電極パターン溝を形成する。 - 特許庁 - Then, an etching process with a high frequency inert gas plasma of Ar, etc. is performed in the same processing apparatus for maintaining, for example, a vacuum state in this dry etching.
次に、例えばこのドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、Ａｒ等の高周波不活性ガスプラズマによるエッチング処理を行う。 - 特許庁 - When the pixel electrode 6 is formed by etching, the protective layer 15 prevents the removal of the 2nd electrode 18b under the pixel electrode 6 by etching.
画素電極６をエッチングによって形成する際、その下地層である第２電極１８ｂがエッチングによって除去されることを保護層１５によって阻止する。 - 特許庁 - The pair of electrodes 5a and 5b are formed by etching the conductive film 5.
導電膜５をエッチングすることにより一対の電極５ａ，５ｂを形成する。 - 特許庁 - A II-VI compound semiconductor crystal substrate is etched at room temperature by reactive ion etching using mixed gas of methane (CH_4) and hydrogen (H_2) as etching gas.
II−VI族化合物半導体結晶基板を、エッチングガスとしてメタン（ＣＨ_４）と水素（Ｈ_２）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにて常温でエッチングを行う。 - 特許庁 - To provide a dry etching process for suitably and selectively etching silicon nitride from a conductive oxide material in order to use in a semiconductor fabrication process.
半導体製造プロセスにおいて使用するために、導電性酸化物材料から窒化シリコンを好適に選択的にエッチングするドライエッチングプロセスを提供すること。 - 特許庁 - The method includes a step which performs underlayer etching for forming a mounting part and further a step which performs an upper layer etching for forming the plural prove fingers.
本方法は、取付部分を形成するために下層をエッチングする段階と、複数のプローブフィンガを形成するために上層をエッチングする段階とを更に含む。 - 特許庁 - The hole is formed by groove processing utilizing a dicer and etching by an ion beam.
穴は、ダイサーを利用した溝加工やイオンビームによるエッチングによって形成する。 - 特許庁 - The etching liquid containing hydrogen fluoride as the main component contains ammonium fluoride and acetic acid.
フッ化水素を主成分とするエッチング液がフッ化アンモニウム，酢酸を含有する。 - 特許庁 - METHOD OF ANALYZING ELECTROLESS NICKEL-PLATED COATING, AND ETCHING LIQUID USED FOR ITS ANALYSIS
無電解ニッケルめっき皮膜の分析方法及びその分析に用いるエッチング液 - 特許庁 - The removal of the semiconductor layer is conducted by laser and wet etching.
上記における半導体層の除去はレーザーと湿式エッチングにより行われる。 - 特許庁 - According to this method, by etching the second semiconductor substrate 2 and then dicing the deepest part of its etching groove, the second semiconductor substrate 2 is separated from the wafer.
この方法によれば、第２半導体基板２をエッチングした後に、そのエッチング溝の最深部をダイシングすることで、第２半導体基板２をウェハから分離している。 - 特許庁 - Gas containing chain perfluoroalkane whose number of carbons is 5 or 6 is used for dry etching.
炭素数５または６の鎖状パーフルオロアルキンを含むガスをドライエッチングに用いる。 - 特許庁 - A gas, containing a halogen compound gas, is used as a process gas in plasma etching.
プラズマエッチングの際、プロセスガスとしてハロゲン間化合物ガス等を含むガスを使用する。 - 特許庁 - A silicon nitride film 13 as etching stopper is formed on the polysilicon fuse circuit.
ポリシリコン・ヒューズ回路上にエッチング・ストッパーとしてのシリコン窒化膜１３を形成する。 - 特許庁 - ALUMINUM SUBSTRATE FOR ETCHING, AND ALUMINUM ELECTRODE MATERIAL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR USING THE SAME
エッチング用アルミニウム基材及びそれを用いた電解コンデンサ用アルミニウム電極材 - 特許庁 - Selective etching takes place through the dopant and a self-aligned conductive spacer is defined.
ドーパントにより選択的エッチングが生じ、自己整合導電スペーサが画定される。 - 特許庁 - By subjecting an electrode layer 4 to dry etching using plasma of this etching gas, a metal layer 4a and a conductive oxide layer 4b constituting the electrode layer 4 are sequentially etched.
このエッチングガスのプラズマを用いたドライエッチングを実施することで、電極層４を構成する金属層４ａと導電性酸化物層４ｂとが順次エッチングされる。 - 特許庁 - To provide an electron-beam excitation dry etching technique using a reaction gas having low toxicity and corrosiveness in the partial etching of a metallic material required in a fine machining technique.
微細加工技術で必要な金属材料の局所的エッチングを毒性、腐食性の低い反応ガスを用いた電子ビーム励起ドライエッチング技術を提供する。 - 特許庁 - The extracted residue is removed by physical removal by an AFM probe, electron beam gas assist etching, or focused ion beam gas assist etching to make the mold reusable.
抽出された残渣をAFM探針による物理的な除去または電子ビームガスアシストエッチングまたは集束イオンビームガスアシストエッチングで除去してモールドを再利用可能にする。 - 特許庁 - The insulation layers are etched using oxide etching gas and gas containing nitrogen.
この絶縁層は、酸化物エッチング・ガスと窒素含有ガスとを用いてエッチングされる。 - 特許庁 - The etching liquid for spray etching for copper and the copper alloy comprises iron chloride (III) of 1 to 16 mass% and phosphoric acid of 10 to 100 mass% to the iron chloride (III).
１〜１６質量％の塩化鉄（III）および塩化鉄（III）に対して１０〜１００質量％のリン酸を含有する銅および銅合金のスプレーエッチング用エッチング液。 - 特許庁 - The chamfered part 5b can be formed easily with high precision by performing isotropic dry etching before the spacer 5 is formed by anisotropic dry etching.
この面取り部５ｂは、スペーサー５を異方性ドライエッチングで形成するのに先立ち、等方性ドライエッチングを実施することで、簡単，高精度に加工することができる。 - 特許庁 - Thereby, the deposition/ stack of a reaction product of the fluorogas on the etching surface is controlled to be etched uniformly, and the mirror-like etching surface can be attained.
これによりフッ素系ガスの反応生成物のエッチング表面への付着・堆積を抑制してエッチングを均一に行い、鏡面状のエッチング面を得ることができる。 - 特許庁 - To prevent aluminum base materials forming an etching chamber or components therein from being corroded, as well as the degradation of productivity due to scattering thermal spraying in a plasma etching apparatus.
プラズマエッチング装置において、エッチング処理室やエッチング処理室内部品を構成するアルミミニウム基材の腐食を防止し、溶射被膜の飛散による生産性の低下をなくす。 - 特許庁 - During the course of trench etching, an embedded plug 13a is formed of a first embedded film 13 which is lower in etching rate than an SiOC film 8 on the internal bottom of a via hole 12.
トレンチエッチングにおいて、ＳｉＯＣ膜８よりもエッチングレートの遅い第１埋め込み膜１３によりヴィアホール１２内底部に埋め込みプラグ１３ａを形成する。 - 特許庁 - Thus, it is possible to perform uniform working while highly holding the aspect ratio of etching.
したがって、エッチングのアスペクト比を高く保持しつつ一様な加工が可能となる。 - 特許庁 - The occurrence of etching defects is made to concentrate on the patterns in the peripheral region with a sharp potential gradient, and the inside region can be secured as a normal etching region.
これにより、電位勾配が急な外周領域のパターンに積極的にエッチング異常が集中させ、内側の領域を正常なエッチング領域として確保できる。 - 特許庁
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