「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 88 89 90 91 92 93 94 95 96 .... 399 400 次へ＞- The working method comprises the step of forming an etching mask comprising a nitrogen-containing compound on the surface of single crystal alumina and the step of subjecting the single crystal alumina to reactive ion etching with a plasma containing boron and chlorine by using the etching mask.
単結晶アルミナ表面に窒素を含む化合物からなるエッチングマスクを形成する工程と、単結晶アルミナをエッチングマスクを用いてホウ素と塩素を含むプラズマによる反応性イオンエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In the method of the silicon anisotropic etching, a silicon substrate 5 is subjected to etching processing using a silicon anisotropic etching liquid in which polyoxyalkylene alkyl ether is added at a rate of 0.1 to 10 ppm to a hydroxylation tetramethylammonium aqueous solution of 20 to 25 mass%.
シリコン異方性エッチング方法において、２０〜２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルを０．１〜１０ｐｐｍの割合で添加したシリコン異方性エッチング液を用いて、シリコン基板５をエッチング加工する。 - 特許庁 - The ion beam etching method according to the embodiment comprises: a cooling stage S52 of cooling a drawing electrode E with an inert gas; and an etching stage S54 of etching a substrate W using an ion beam IB drawn by the drawing electrode E.
実施形態に係るイオンビームエッチング方法は、引き出し電極Ｅを不活性ガスにより冷却する冷却工程Ｓ５２と、引き出し電極Ｅによって引き出されたイオンビームＩＢを用いて基板Ｗをエッチングするエッチング工程Ｓ５４とを含む。 - 特許庁 - This regenerating method comprises cooling a copper-etching waste liquid which contains sulfuric acid, hydrogen peroxide and a hydrogen peroxide stabilizer, and has etched copper at 20-40°C, to 10°C or lower to precipitate/separate copper sulfate, supplying a regenerated etchant to the etching tank, and reusing it for etching.
硫酸、過酸化水素及び過酸化水素安定剤を含有する２０〜４０℃でエッチングした銅エッチング廃液を１０℃以下に冷却して硫酸銅を析出分離し、再生エッチング液をエッチング槽に供給し、エッチングに再利用する。 - 特許庁 - When an oxide film pattern is used as an etching mask to form a metal film pattern, the oxide film pattern is formed and then, the cleaning liquid is used to remove the etching by-product layers around the oxide film pattern before dry-etching the metal film.
金属膜パターンを形成するために、酸化膜パターンをエッチングマスクとして利用する場合には、酸化膜パターンを形成した後、金属膜を乾式エッチングする前に該洗浄液を使用して酸化膜パターン周囲のエッチング副産物層を除去できる。 - 特許庁 - To provide a method capable of eliminating the phenomenon that, in the case hydrochloric acid and hydrogen peroxide are added to an etching soln. and the etching soln. is regenerated, excessive hydrochloric acid is contained in the regenerated etching soln. to cause intergranular corrosion and crevice corrosion.
エッチング液に塩酸と過酸化水素とを添加してエッチング液を再生する場合に、再生されたエッチング液中に過剰な塩酸が含まれて粒界腐食や隙間腐食を引き起こす、といったことを無くすことができる方法を提供する。 - 特許庁 - According to the manufacturing process, an inter-layer insulating film 9 is subjected to wet etching with 10:1 BHF followed by dry etching using the same resist mask 10 for the wet etching, to form contact holes 11, 12 consecutively on the inter-layer insulating film 9 and a gate insulating film 4.
層間絶縁膜９に対する１０：１ ＢＨＦによるウェットエッチングに続いて、同一レジストマスク１０を用いたドライエッチングを行うことにより、層間絶縁膜９およびゲート絶縁膜４にコンタクトホール１１，１２を連続して形成する。 - 特許庁 - The recessed parts 11 are formed by etching the wafer 1 while forming a protective film on the side faces of the opening parts 21 of a resist pattern 2 by repeating introduction of a protective film forming gas and introduction of an etching gas in a dry etching device.
この凹部１１の形成は、ドライエッチング装置内で、保護膜形成用ガスの導入とエッチングガスの導入とを繰り返すことにより、レジストパターン２の開口部２１の側壁に保護膜を形成しながらウエハ１をエッチングすることによって行う。 - 特許庁 - In a microcrack 32 portion, since etching is promoted by the intrusion of the etchant into the interface between the lower electrode 14 and the piezoelectric body 16, wet etching which makes a chemical circulate in the microcrack 32 is more effective than Dry etching.
マイクロクラック３２部は下部電極１４と圧電体１６との界面にエッチャントが侵入することでエッチングが促進されるので、Ｄｒｙエッチングよりもマイクロクラック３２内部に薬液が回りこむＷｅｔエッチングのほうがより効果が大きい。 - 特許庁 - These laminated films 2, 3 and 4 are continuously etched by a mixing gas consisting of fluorine gas, chlorine gas and Ar gas in the same etching chamber, under the same etching condition, using the resist pattern 5 as the mask and an ICP etching device which can provide a high density plasma.
この積層膜２，３，４をレジストパターン５をマスクとして、高密度プラズマが得られるＩＣＰエッチング装置を使用して、「フッ素系ガスと塩素系ガスとＡｒガスの混合ガス」にて同一エッチング室内、同一エッチング条件で連続的にエッチングする。 - 特許庁 - (b) A second etching mask layer 14 is formed so as to include the first etching mask layer 12 and in order to partition the weight section formed region 4 and supporting section formed region 2 on the backside semiconductor layer 9, and etching is performed from the backside of the SOI substrate.
第１エッチングマスク層１２を含んで裏面側半導体層９上に重錘部形成領域４及び支持部形成領域２を画定するための第２エッチングマスク層１４を形成し、ＳＯＩ基板の裏面側からエッチングを行なう（ｂ）。 - 特許庁 - To improve the etching efficiency and reliability of an etching device for silicon wafer by constituting the device in such a way that the device can etch the rear surface side of a silicon wafer while the device etches the front surface side of the wafer.
シリコンウエハの表側面をシールしつつ裏側面にエッチングを施す構成とすることにより、エッチング処理の効率化、信頼性の向上を図る。 - 特許庁 - METHOD FOR TREATING COPPER CHLORIDE-CONTAINING WASTE ETCHING SOLUTION, TREATING AGENT AND METHOD FOR RECOVERING COPPER
塩化銅含有エッチング廃液の処理方法、処理剤及び銅の回収方法 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory having a structure in which etching of an insulating film in an element isolation trench and etching of an insulating film in an alignment trench can be simultaneously conducted by using one mask.
素子分離トレンチ内の絶縁膜のエッチングとアライメントトレンチ内の絶縁膜のエッチングとを、１つのマスクを用いて同時に行える構造の半導体メモリを提供する。 - 特許庁 - In the case where a metallic film 24 of a wafer W is subjected to etching treatment by an etching equipment 1, the wafer W is carried into a treating chamber 2 and is placed on a wafer stage 3.
エッチング装置１によりウェハＷの金属膜２４をエッチング処理する場合、ウェハＷを処理チャンバ２内に搬入して、ウェハステージ３上に載置する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a wiring pattern which prevents the width of the wiring from increasing in an etching process, and prevents the wiring from corroding in a wet treatment process that follows the etching process.
配線パターンの形成方法に関し、エッチング工程における配線幅の増大と、エッチング工程後のウエット処理工程における配線の腐食を防止する。 - 特許庁 - After that, the substrate 5 is moved and is brought into contact with an etching soln. removing means 6, so that the etching soln. 4 is absorbed away from the surface of the substrate 5.
そして、この後、基板５を移動してエッチング液除去手段６に基板５を接触させることにより、基板５上からエッチング液４を吸収除去するようにする。 - 特許庁 - (2) A part of layered product 10, including the active layer 40, is removed by etching.
（２）積層体１０の一部を、活性層４０を含めてエッチングにより除去する。 - 特許庁 - The insulation layer 4 comprises a crystal substance and has an anti-etching property.
絶縁層４は、結晶状の物質で構成され、かつ、耐エッチング性を有している。 - 特許庁 - The shape of the sensitive material pattern is transferred to a light shielding film by etching.
その後、エッチングによって感光性材料パターン形状を遮光膜に転写する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method and a device to be used for it capable of sufficiently taking the etching selection ratio of metal of a high melting point such as MoW and SiO2.
ＭｏＷのような高融点金属とＳｉ０_2とのエッチング選択比を十分にとることが可能なドライエッチング方法及びそれに用いる装置を提供する。 - 特許庁 - Consequently, the characteristics of an element can be prevented from deteriorating due to etching residue.
このため、エッチング残りによる素子特性の劣化を防止することが可能となる。 - 特許庁 - To provide a method of etching a photoresist mask while it is cured.
フォトレジストマスクを硬化しながら当該フォトレジストマスクをエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a thin sheet of a low thermal expansion alloy superior in an etching property.
優れたエッチング性を有する低熱膨張性合金薄板を提供すること。 - 特許庁 - The interlayer insulating layer is subjected to wet etching to form an interlayer insulating layer 31.
上記層間絶縁層をウェットエッチングして、層間絶縁層３１を形成する。 - 特許庁 - A second suction/exhaust port is provided on the outer periphery of a first suction/exhaust port provided around an exhaust nozzle so as to recover waste etching gases and unreacted etching gases from the exhaust nozzle through the first suction/exhaust port.
噴出ノズルの周囲に設けた第一の吸引・排気口に加えて、前記吸引・排気口の外周部分に第二の吸引・排気口を設ける。 - 特許庁 - By etching with the first resist pattern 8 as a mask, a connection hole pattern is formed in the inorganic stopper layer 7 and the first insulation film 6.
第１のレジストパターン８上から有機絶縁膜５をエッチングする。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Fe-Ni BASED THIN SHEET HAVING EXCELLENT ETCHING PROPERTY AND PRESS FORMABILITY
エッチング性およびプレス成形性に優れたＦｅ−Ｎｉ系薄板の製造方法 - 特許庁 - The second etching stopper film pattern and the spacer are removed, and a lower electrode is formed in contact with the first etching stopper pattern, the fist insulation film pattern, and the conductive region.
第２エッチング阻止膜パターン及びスペーサを除去し、第１エッチング阻止膜パターン、第１絶縁膜パターン及び導電領域に接する下部電極を形成する。 - 特許庁 - By etching back the plug material 2, a plug 3 is formed inside the contact hole 10.
プラグ材２をエッチバックすることにより、コンタクトホール１０内にプラグ３を形成する。 - 特許庁 - The notches 12 are formed in an etching process for forming the patterns 11 (half etching), which eliminates the need for another process for forming the notches.
また、切り欠き１２は、パターン１１を形成するためのエッチング工程（ハーフエッチング）で形成されたものであるので、切り欠きを形成するための別工程が不要となる。 - 特許庁 - To provide an etching liquid for a silver thin film with which an etching rate can optionally be controlled even in the case of the one obtained by adding an oxidizer to inorganic acids such as phosphoric acid and sulfuric acid.
リン酸や硫酸のような無機酸に酸化剤を加えたエッチング液であっても、エッチング速度を任意に制御し得る銀薄膜用エッチング液を提供する。 - 特許庁 - Further, after the removal of the surface layer by etching, the surface layer is cleaned with an alkali-based detergent.
さらに、表面層のエッチング除去の後、アルカリ系の洗剤で洗浄する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a high reliable wiring board and an etching device.
信頼性の高い配線基板の製造方法、及び、エッチング装置を提供する。 - 特許庁 - Fe-Ni-Co ALLOY EXCELLENT IN ETCHING PROPERTY AND LOW THERMAL EXPANDING CHARACTERISTIC
エッチング性および低熱膨張特性に優れたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF IRON-NICKEL BASED ALLOY THIN SHEET FOR SHADOW MASK WITH EXCELLENT ETCHING PERFORMANCE
エッチング性に優れたシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄板の製造方法 - 特許庁 - A material such as titanium is selected as the electrically conductive material and it is etched with the same etching medium as that used for etching the substrate 1, e.g. CHF3.
電導材料として、チタンなどの材料が選択され、これはＣＨＦ_3 のように基板（１）をエッチングするのに用いるのと同一のエッチング媒質によりエッチングできる。 - 特許庁 - Residual gas is exhausted from a load lock chamber 6a of a dry etching apparatus 1 by performing the following steps.
ドライエッチング装置１のロードロック室６ａ内を以下の手順で排気する。 - 特許庁 - Then, when an etching process is performed, the silicon oxide film 2 is subjected to etching treatment for removal with the contaminated metal 20b that is taken into the silicon oxide film 2.
つぎにエッチング工程が実施されると、シリコン酸化膜２がエッチング処理で除去されてシリコン酸化膜２中に取り込まれた汚染金属２０ｂが一緒に除去される。 - 特許庁 - At forming of an opening 24a in an interlayer insulation layer 24 through dry etching, damage is absorbed by the polycrystal line silicon layer 12a even if over-etching is carried out.
ドライエッチングにより層間絶縁膜２４に開口部２４ａを形成する際において、オーバーエッチングを行っても、ダメージは多結晶シリコン層１２ａに吸収される。 - 特許庁 - To prevent the change of a film thickness due to the etching of the nitride film of a gate insulating film for neighboring transfer gate by etching for forming the transfer gate electrode of the solid state imaging device.
固体撮像素子の転送ゲート電極形成のエッチングによって隣接する転送ゲート用ゲート絶縁膜の窒化膜がエッチングされて膜厚が変化しないようにする。 - 特許庁 - Etching is rapidly advanced to be centralized in the direction of <100> which is the direction of thickness of the silicon substrate 10, and when the sacrifice layer 2 is exposed, rapid etching is stopped (b).
シリコン基板１０の厚さ方向である＜１００＞方向に集中して急速にエッチングが進み、犠牲層２が露出すると急速なエッチングは停止する（ｂ）。 - 特許庁 - METHOD FOR REDUCING PARASITIC CAPACITANCE OF ELEMENT USING LOWER FACE CRYSTALLIZATION DIRECTION SELECTIVE ETCHING
下面結晶方向選択エッチングを利用した素子の寄生キャパシタンス削減方法 - 特許庁 - To provide a microstructure forming method for improving the controllability of etching in the case of fine-working using isotropic etching, and also, attaining uniform working even in a large-sized substrate.
等方性エッチングを用いた微細加工の際にエッチングの制御性を向上し、大型基板においても均一な加工を実現する微細構造形成方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND DEVICE STIMULATED BY LASER BEAM AND USING PROXIMITY FIELD OPTICAL PROBE
近接場光プローブを用いたレーザ光励起エッチング加工装置及び加工方法 - 特許庁 - Then, an etching stopper layer 15 is formed on the ILD 11 so as to cover the first aluminum wiring 17, and an IMD (inter metal dielectric) 21 is formed on the etching stopper layer 15.
次に、この第１アルミ配線１７を覆うようにＩＬＤ１１上にエッチングストップ層１５を形成し、さらに、このエッチングストッパ層１５上にＩＭＤ２１を形成する。 - 特許庁 - Holes 5 are bored in the insulating base material 2 by the use of the conductor layer 1 with the holes 4 as a mask layer through a laser processing method, a plasma etching method, or a wet etching method.
この孔４を有する導体層１をマスク層としてレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又はウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材２に孔５を形成する。 - 特許庁 - To achieve etching of a resist film after pressing by simple wet etching at a low cost in transferring a pattern by pressing a mold formed with an uneven pattern at the film.
凹凸パターンが形成された型をレジスト膜にプレスして行うパターン転写において、プレス後のレジスト膜のエッチングを安価で簡便なウェットエッチングによって実現する。 - 特許庁 - GLASS-ETCHING COMPOSITION AND METHOD FOR SURFACE PROCESSING OF SAND-BLASTED GLASS PRODUCT
ガラスエッチング組成物およびサンドブラスト加工を施したガラス製品の表面加工法 - 特許庁 - Especially, the control layer is formed of material whose etching rate is higher than that of the barrier layer.
特に、調整層には、障壁層よりもエッチングレートの大きいものを使用する。 - 特許庁
- 特許庁
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