「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 84 85 86 87 88 89 90 91 92 .... 399 400 次へ＞- When the first polishing stopper layer 69 is exposed, the etching treatment is finished.
第１研磨ストッパ層６９が露出した時点でエッチング処理を終了する。 - 特許庁 - Finally, the oxide film is removed by wet etching with hydrofluoric acid thus obtaining through holes (Fig. (E)).
次に、酸化膜を沸酸にてウェット除去して貫通口を得る（図１（Ｅ））。 - 特許庁 - To realize highly selective etching which enables plasma processing of superior uniformity.
均一性に優れたプラズマ処理を可能とし、高選択なエッチングを実現する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a lead frame which does not require partial etching.
部分的なエッチングを必要としないリードフレームの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus capable of reducing consumption of a reactive gas.
反応性ガスの消費量を抑えることができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - ETCHANT FOR SILICON WAFER, ETCHING METHOD AND METHOD OF SUPPLYING THE ETCHANT
シリコンウェーハのエッチング液、そのエッチング方法及びそのエッチング液の補給方法 - 特許庁 - At this time, a mixed gas of hydrogen, argon, and nitrogen is used as the etching gas.
このとき、エッチングガスとしては、水素、アルゴン及び窒素の混合ガスを使用する。 - 特許庁 - To detect an etching speed and abnormality in wafer in-plane uniformity.
エッチング速度およびウエハ面内均一性の異常を検出することができる。 - 特許庁 - PLASMA SYSTEMS WITH MAGNETIC FILTER DEVICES TO ALTER FILM DEPOSITION/ETCHING CHARACTERISTICS
膜の堆積／エッチング特性を変えるための磁気フィルタ装置を備えたプラズマ・システム - 特許庁 - To form a metal mask pattern having a high resistance to etching by using a wet method.
高エッチング耐性を有する金属のマスクパターンを湿式方法で形成する。 - 特許庁 - To provide an electrode plate for plasma etching, excellent in consumption resistance and hardly causing dust.
耐消耗性に優れ発塵の少ないプラズマエッチング電極板を提供する。 - 特許庁 - Next, an etching resistance protection film (Al film) 103 is formed on the surface of the SiN film 102.
次に、ＳｉＮ膜102の表面に耐エッチング保護膜(Ａｌ膜)103を形成する。 - 特許庁 - To obtain a flattening film for a semiconductor device which can easily be removed by dry etching.
ドライエッチで容易に除去可能な半導体装置用平坦化膜を得る。 - 特許庁 - An upper electrode 3 and an insulating film 2 are processed by dry etching at once.
上部電極３および絶縁膜２はドライエッチにて一括して加工する。 - 特許庁 - A thin film of excellent film quality can be formed and high-speed etching can be performed.
膜質のよい薄膜を形成したり、高速なエッチングを行うことができる。 - 特許庁 - A second etching mask is formed on an external metal layer through digital lithography.
外金属層上にディジタル・リソグラフィによって第２エッチング・マスクを形成する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF ORGANIC ANTI-REFLECTION FILM AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
有機系反射防止膜のエッチング方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To improve a condensing rate, and to prevent the formation of an etching damage layer.
集光率を向上できると共に、エッチングダメージ層の形成を防止する。 - 特許庁 - To provide a method for pattern-etching an anti-reflective coating (ARC) layer of a substrate.
基板の反射防止（ＡＲＣ）層をパターンエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - An etching chamber is constituted so as to support the MEMS substrate inside the chamber.
エッチングチャンバは、チャンバ内部にＭＥＭＳ基板を支持するように構成される。 - 特許庁 - To provide a method of forming a through-hole in a substrate by plasma etching.
プラズマエッチングにより基板に貫通孔を形成する方法を提供すること。 - 特許庁 - The anisotropic etching corrodes the wafer in a diagonal direction from the masked portion.
異方性エッチングは、マスキングされた部位から斜め方向にウェハを腐食させる。 - 特許庁 - A resist film with an opening is formed on the surface of the etching stop layer.
エッチング停止層の表面上に、開口を有するレジスト膜を形成する。 - 特許庁 - STRIPPING LIQUID FOR RESIST COATING, METHOD FOR ETCHING ALUMINUM PLATE, AND ALUMINUM ETCHED PLATE
レジスト被膜の剥離液、アルミニウム板のエッチング方法及びアルミニウム系エッチング板 - 特許庁 - This sensor chip 6 has an etching hole 11 bored on the chip reverse surface S1.
このセンサチップ６では、チップ下面Ｓ１にてエッチング穴１１が開口している。 - 特許庁 - SHEET PART FORMED BY ETCHING FOR USE INSERTED AND FIXED IN SHAFT
軸に挿通し固定して使用されるエッチングにより形成された薄板状部品 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING IRON-NICKEL ALLOY PLATE FOR ETCHING-PROCESSING, APPRECIATING QUALITY HISTORY
品質履歴のわかるエッチング加工用Ｆｅ−Ｎｉ合金板の製造方法 - 特許庁 - EQUIPMENT AND METHOD FOR WET-CLEANING OR WET-ETCHING FLAT SUBSTRATE
平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングするための装置および方法 - 特許庁 - To provide a method for forming a semiconductor element by etching an insulation layer.
絶縁層をエッチングして半導体素子を形成する方法が提供される。 - 特許庁 - RESIST RESIN COMPOSITION FOR GLASS ETCHING AND METHOD FOR FORMING CIRCUIT BY USING THE SAME
ガラスエッチング用レジスト樹脂組成物、およびそれを用いた回路形成方法 - 特許庁 - To provide a dynamic dry-etching apparatus and a method.
ダイナミックドライエッチング装置及びこれを用いたダイナミックドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - FILM THICKNESS MEASURING METHOD AND DEVICE, AND ETCHING METHOD AND DEVICE USING THEM
膜厚測定方法及び装置、並びにそれを用いたエッチング方法及び装置 - 特許庁 - APPARATUS FOR ETCHING GLASS SUBSTRATE AND GLASS SHEET MANUFACTURED BY THE SAME
硝子基板のエッチング装置と前記エッチング装置によって製造された硝子基板 - 特許庁 - Thickness of the partial etching part 22 is thinner than thickness of the island-shaped region 21.
パーシャルエッチング部２２の厚さは島状領域２１の厚さよりも小さい。 - 特許庁 - A cap with a stepped part is formed by anisotropic etching.
そして、異方性エッチングを行なうことにより、段差部を備えたキャップを形成する。 - 特許庁 - A recessed part 4 is formed by etching the principal surface of a Si substrate 3.
Ｓｉ基板３の主表面をエッチングすることにより凹部４を形成する。 - 特許庁 - To manufacture a microstructure and a micro machine without etching a sacrifice layer.
犠牲層エッチングを行わずに微小構造体及びマイクロマシンを作製する。 - 特許庁 - To remove residue generated by etching of a Cu film by chlorinated gas.
塩素系ガスによるＣｕ膜のエッチングによって生成した残渣を除去する。 - 特許庁 - ETCHING RESIDUE REMOVING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
エッチング残渣除去方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF ORGANIC FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
有機膜のエッチング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - An isolation region 58 is formed within the space made etching.
エッチングによって作成された空間内にアイソレーション領域５８を形成する。 - 特許庁 - Next, the patterning of the wiring film is carried out through etching employing the fluorine series gas.
次に、フッ素系ガスを用いたエッチングにより配線膜のパターニングを行う。 - 特許庁 - To provide an Fe-Ni-Co based low thermal expansion alloy thin sheet which has excellent etching precision.
エッチング精度に優れたFe-Ni-Co系低熱膨張合金薄板を提供する。 - 特許庁 - Then, the SiO_2 film 14 is removed by etching (SiO_2 film removal process).
ついで、エッチングにより、ＳｉＯ__２膜１４を除去する（ＳｉＯ_２膜除去工程）。 - 特許庁 - The contact trenches are formed by etching using the interlayer insulating film as a mask.
コンタクトトレンチは、層間絶縁膜をマスクに用いてエッチングにより形成される。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR ELECTRODE HAVING HOMOGENEOUS ETCHING CHARACTERISTIC
均質エッチング性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 - 特許庁 - The etching liquid composition contains ammonium persulfate and azole compound.
本発明のエッチング液組成物は過硫酸アンモニウムとアゾール系化合物を含む。 - 特許庁 - ACID ETCHING SOLUTION FOR MAGNESIUM METAL AND/OR ALLOY AND SURFACE TREATMENT METHOD
マグネシウム金属及び／又は合金用酸エッチング溶液及び表面処理方法 - 特許庁 - An etching mask 101 for the semiconductor ring laser gyro is formed as shown in figure (A).
（Ａ）に示す様に、半導体リングレーザジャイロのエッチングマスク１０１を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR PREVENTING OUT GAS BY OXYGEN PLASMA IRRADIATION IN SILICON SYSTEM PLASMA ETCHING
シリコン系プラズマエッチングに於ける酸素プラズマ照射によるアウトガス防止方法 - 特許庁
- 特許庁
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