「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 99 100 101 102 103 104 105 106 107 .... 399 400 次へ＞- To provide a method for fabricating a semiconductor device in which etching lag phenomenon is improved.
食刻遅延現象を改善する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - After an ion implantation process is carried out, the silicon nitride film 3 is removed by wet etching using a hot phosphoric acid.
イオン注入後、熱燐酸によりウェットエッチングによりシリコン窒化膜３を除去する。 - 特許庁 - An etching stop film having an etching selective ratio different from a layer insulating film on prescribed etching conditions at the intermediate height of low layer wiring and high layer wiring is formed together with both the low layer wiring and the high layer wiring inside the layer insulating film on a wafer.
半導体基板の上において層間絶縁膜の中に低層配線と高層配線と、この両者の中間の高さに所定のエッチング条件に対して層間絶縁膜とは異なるエッチング選択比を有するエッチング停止膜を形成する。 - 特許庁 - The mold 1 is constituted of a mold matrix 2, a processing layer 3 and an etching layer 4.
金型１は金型母材２と加工層３とエッチング層４により構成されている。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR REMOVING OXIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
酸化膜除去用のエッチング液及びその製造方法と、半導体素子の製造方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING DROPLET DISCHARGING HEAD, AND METHOD OF MANUFACTURING DROPLET DISCHARGING APPARATUS
エッチング方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which removes etching residues resulting from a selective etching of a silicon nitride film or a silicon oxide film formed as a hard mask, without giving damage to the base and without greatly etching the remaining hard mask.
ハードマスク用として形成されたシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を選択的にエッチングした際の残渣を、下地にダメージを与えず、かつ残存しているハードマスクを大きくエッチングすることなく除去することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The interlayer insulation film in the fuse region is removed by etching and the stopper film is exposed.
ヒューズ領域の層間絶縁膜をエッチングにより除去して、ストッパ膜を露出する。 - 特許庁 - An etching stopper film 210 is formed at least over the second insulating layer 200.
エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。 - 特許庁 - To provide an etching method of forming high aspect ratio contact openings in a dielectric layer.
誘電体層に高アスペクト比のコンタクト開口部を形成するエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To suppress the occurrence of unevenness in processing such as etching and developing, on the surface of a substrate.
基板の表面にエッチングや現像等の処理のむらが発生するのを抑制する。 - 特許庁 - The geometric shape contains a sidewall having a first roughness caused from the etching processing.
この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。 - 特許庁 - An etching-back process is done to remove the sacrificial layer 22 and a part of the dielectric layer 20.
犠牲層２２と、誘電体層２０の一部とを除去する、エッチバック工程を行う。 - 特許庁 - Then, an etching rate is calculated from the time for penetration of the monitor wafer 22 (the penetration time).
続いて、モニタウェハ２２が貫通する時間（貫通時間）からエッチングレートを算出する。 - 特許庁 - At the periphery of the semiconductor mesa, a buried layer is grown using the etching mask as a selective mask.
半導体メサの周囲に、エッチングマスクを選択マスクとして埋め込み層を成長させる。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus which is short in production lead time and small in footprint.
生産のリードタイムが短く、小フットプリント化を実現できるエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - Using the metal layer 2 as a mask, a recessed part is formed on the transparent substrate 1 by etching.
その金属層２をマスクとして、エッチングにより透明基板１に凹部を形成する。 - 特許庁 - Preferably, an etching treatment is applied to the first electrode in addition to the heat treatment.
ここで、第１の電極に対して、熱処理に加えエッチング処理を施すことが望ましい。 - 特許庁 - The decompression device 10 performs a predetermined etching processing on a wafer using a resist pattern as a mask.
減圧処理装置１０は、レジストパターンをマスクとしてウェハにエッチング処理を施す。 - 特許庁 - The etching liquid preferably further contains a nonionic surfactant and hydrochloric acid.
かかるエッチング液に、さらに非イオン界面活性剤、塩酸を含有せしめることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a silicon wafer etching method that effectively removes Cu together with a wafer surface layer by etching while preventing diffusion of metal impurities such as Cu or the like from the wafer surface layer to a bulk part when etching a silicon wafer.
シリコンウェーハをエッチングする際に、ウェーハの表層からバルク部へのＣｕ等の金属不純物の拡散を防止しながら、ウェーハ表層と共にＣｕを効果的にエッチング除去することができるシリコンウェーハのエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The non-doped polysilicon layer is removed by wet etching through the through-hole 30.
次に、貫通ホール３０を介してウェットエッチングを行い、ノンドープドポリシリコン層を除去する。 - 特許庁 - The recesses and the protrusions are formed by partially etching an insulation film below the protection diode.
保護ダイオード下方の絶縁膜を部分的にエッチングすることで、凸部と凹部を形成する。 - 特許庁 - Thus, an increase in density of metal ions in the etching liquid is suppressed, a metal ion in the etching liquid is prevented from being reduced and precipitated to the substrate 9, and a frequency of exchange of the relatively expensive etching liquid is reduced.
これにより、エッチング液中における金属イオンの濃度増加が抑制され、エッチング液中の金属イオンが還元されて基板９上に析出してしまうことを防止することができるとともに、比較的高価なエッチング液の交換頻度を低減することができる。 - 特許庁 - The etched film is then etched with the developer soluble film and the etching resistant film as masks.
その後、現像液溶解性膜と耐エッチング膜とをマスクとして、被エッチング膜をエッチングする。 - 特許庁 - The invention operates to improve etching rate uniformity across a substrate (wafer).
本発明は基板（ウェーハ）全体でのエッチング速度均一性を改良する働きをする。 - 特許庁 - The generation of in-plane potential difference on the conductive material 14 due to electrons charged during plasma etching is suppressed and distortion of radiated ions is suppressed; consequently the side faces of patterns 4A can be made free from etching defects, such as etching residue (footing) and a wedge-shaped cut (notching).
プラズマ加工中に帯電する電子による導電性材料１４の面内電位差の発生を抑制し、照射イオンの歪曲を抑えて、パターン４Ａの側面に加工残り（フッティング）や楔状の切れ込み（ノッチング）等のエッチング異常を防止できる。 - 特許庁 - A desired pattern is formed on the thin film 2 through photolithography and etching.
そして前記薄膜２にフォトリソグラフィ−およびエッチングを介して所望のパタ−ンを形成する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR FILM TO BE ETCHED, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE TO WHICH THE SAME IS APPLIED
被エッチング膜のエッチング方法、及びそれを適用した半導体装置の製造方法 - 特許庁 - Then, as shown in figure (h), the patterning mask 7 is removed through, for example, wet etching.
その後、たとえばウエットエッチングにより、図１(h) に示すように、パターニング用マスク７を除去する。 - 特許庁 - Thereafter, an anisotropic etching is performed on the substrate which can be etched and the substrate is corroded as far as the etching stop member, the etching is stopped when a desired width is obtained, a groove part 3 is formed on the substrate, and an optical transmission part 5 is formed in the groove part.
その後、上記エッチング可能な基板に異方性エッチングを施して上記エッチングストップ部材まで上記基板を腐食させ、所望の幅となった時点でエッチングを停止して、当該基板に溝部３を形成し、上記溝部内に光伝播部５を形成する。 - 特許庁 - In an etching process for etching an etching ground on a Si film by bringing SF_6 gas into the plasma state, this process comprises two steps: a large-quantity supplying step for supplying a large quantity of SF_6 gas; and a small-quantity supplying step for supplying a small quantity of SF_6 gas.
ＳＦ_６ガスをプラズマ化してＳｉ膜上のエッチンググランドをエッチングするエッチング工程において、これを、多量のＳＦ_６ガスを供給する多量供給工程と、少量のＳＦ_６ガスを供給する少量供給工程との二工程から構成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a dry etching equipment and a semiconductor device, in which uniform etching is realized in a wafer surface, by making the amount of incidence of an etching reaction product in a wafer peripheral part and a wafer central part uniform, even when a wafer having a large diameter is used.
大口径のウエハを用いた場合でも、ウエハ周辺部とウエハ中心部とのエッチング反応生成物の入射量を均一にして、ウエハ面内で均一なエッチングを実現するドライエッチング装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To facilitate control of the etching rates of a movable part and a fixed part in sacrifice layer etching, in a manufacturing method of a semiconductor dynamic quantity acceleration sensor for forming a groove for partitioning the movable part and fixed part in a second silicon layer and then performing the sacrifice layer etching via a groove.
第２のシリコン層に可動部と固定部とを画定する溝を形成した後、この溝を介して犠牲層エッチングを行う半導体加速度センサの製造方法において、犠牲層エッチングにおける可動部および固定部のエッチングレートの制御を容易にする。 - 特許庁 - Contact plugs are formed on the source and drain regions 20 wherein the layers damaged by etching have been removed.
エッチングダメージ層の除去されたソースドレイン領域２０の上にコンタクトプラグを形成する。 - 特許庁 - An LP (low pressure CVD)-SiN film is formed at a film thickness of tens nm for a contact etching stopper.
コンタクトエッチングのストッパ用にＬＰ−ＳｉＮ膜を数十ｎｍの膜厚で形成する。 - 特許庁 - To form a step-like resist pattern having excellent etching durability and heat resistance.
耐エッチング性および耐熱性に優れた段状のレジストパターンを形成できるようにする。 - 特許庁 - METHOD OF RECOVERING CERIUM NITRATE AMMONIUM FROM CERIUM NITRATE AMMONIUM-CONTAINING ETCHING WASTE SOLUTION
硝酸セリウムアンモニウムを含むエッチング廃液から硝酸セリウムアンモニウムを回収する方法。 - 特許庁 - To provide a plasma etching apparatus, and to provide a method for fabricating a photomask that utilizes the apparatus.
プラズマエッチング装置及びこの装置を利用したフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING AGENT FOR COPPER, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR ELECTRONIC APERTURE USING THE SAME AND ELECTRONIC APPARATUS
銅のエッチング剤、これを用いた電子機器用基板の製造方法および電子機器 - 特許庁 - To provide a VHF electrode suppressing arc discharge and having improved etching uniformity.
アーク放電を抑制し、エッチング均一性が向上したＶＨＦ電極を提供する。 - 特許庁 - PROCESS FOR FORMING ETCHING RESISTANT RESIN LAYER AND METHOD FOR PRODUCING SHADOW MASK THEREWITH
エッチング耐蝕樹脂層の形成方法及びそれを用いたシャドウマスクの製造方法 - 特許庁 - The etching liquid may further comprise a nonionic surfactant.
また、本発明にかかるエッチング液は、更に非イオン系界面活性剤を含んでいてもよい。 - 特許庁 - The barrier film 114 thinned by the etching is deposited by isotropic sputtering.
このエッチングにより薄くなったバリア膜１１４を等方性スパッタリングにより堆積させる。 - 特許庁 - To manufacture a ferroelectric nonvolatile memory transistor which requires no gate stack etching.
ゲートスタックエッチングを必要としない強誘電体不揮発性メモリトランジスタを製造すること。 - 特許庁 - To prevent etching action from stopping at the bottom of a recess in a silicon oxide film when forming the recess having a high aspect ratio on the silicon oxide film by etching the silicon oxide film formed on a silicon nitride film with etching gas including fluorocarbon gas.
シリコン窒化膜の上に形成されたシリコン酸化膜に対してフルオロカーボンガスを含むエッチングガスを用いてエッチングを行なって、シリコン酸化膜にアスペクト比が高い凹部を形成する際に、シリコン酸化膜における凹部の底部に対するエッチングがストップしないようにする。 - 特許庁 - As the etching gas, a mixed gas containing a Br_2 gas and a Cl-based high molecular gas is used.
エッチングガスにはＢｒ_２ガスとＣｌ系の高分子ガスとを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁 - RESIN COMPOSITION, ETCHING RESISTANT RESIN LAYER USING SAME AND PRODUCTION OF SHADOW MASK
樹脂組成物及びそれを用いたエッチング耐蝕樹脂層並びにシャドウマスクの製造方法 - 特許庁 - In plasma treating, the space T is reduced to increase the plasma density, so that the etching rate is increased.
プラズマ処理時には間隔Ｔを小さくしてプラズマ密度を高くし、エッチングレートを上げる。 - 特許庁 - The connection 231C includes an etching part 60 formed by engraving the wiring layer 23.
接続部２３１Ｃは、配線層２３を彫り込んで形成されたエッチング部６０を備える。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
