「flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 65 66 67 68 69 70 71 72 73 .... 88 89 次へ＞- An application for executing the functions of copy machine, FAX and printer can be mounted and screen data corresponding to each application is held in the independent sector on the flash memory 2.
複写機、ＦＡＸ、プリンタの各機能を実行するアプリケーションが搭載可能であり、アプリケーションのそれぞれに対応する画面データを、前記フラッシュメモリ２上の独立したセクタに保持する。 - 特許庁 - Therefore, a printer body 100 can realize the added extension function when the microcomputer 30 for control executes the extension module stored in the flash memory 31.
従って、プリンタ本体１００は、制御用マイコン３０がフラッシュメモリ３１に格納された拡張モジュールを実行することにより、追加された拡張機能を実現することができる。 - 特許庁 - To provide a flash memory device that can stop the sequence during the operation from a writing or erasing command and output the status of that time inside the device.
書き込みあるいは消去コマンドによる動作の途中でシーケンスを停止でき、そのときの装置内部のステータスを装置の外部に出力することのできるフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - Concretely, the program of the new startup part based on version-up or the like is supplied from the FDD 107 and processing for writing such a program in the flash memory 105 or the like is performed.
具体的には、ＦＤＤ１０７から、バージョン・アップ等による新たなスタートアップ部のプログラムが供給され、かかるプログラムをフラッシュメモリ１０５に書き込む等の処理が行われる。 - 特許庁 - When receiving a read request from the host device through a controller LSI 15, the data merge section 14 automatically assigns access destinations between the media server and the flash memory 11.
データマージ部１４は、コントローラＬＳＩ１５を介してホスト装置からのリード要求を受信した場合には、アクセス先を、メディアサーバとフラッシュメモリ１１との間で自動的に振り分ける。 - 特許庁 - To suppress the conductance of a non-selective cell from degrading while preventing the occurrence of read disturbance phenomenon even when a coupling capacity between adjacent cells is increased in a NAND flash memory.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて隣接セル間での結合容量が増大した場合においても、リードディスターブ現象の発生を防止しつつ、非選択セルのコンダクタンスの低下を抑制する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device equipped with a flash memory cell and a manufacturing method thereof capable of preventing the occurrence of a malfunction in a logic circuit etc. formed in a peripheral circuit region.
周辺回路領域に形成されるロジック回路等に不具合が発生するのを防ぐことができるフラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To improve access speed in a flash memory system having a plurality of data storage areas each storing data of a logical page unit corresponding to areas of a plurality of sectors.
複数セクタの領域に対応する論理ページ単位のデータが格納されるデータ格納領域を複数個備えたフラッシュメモリシステムにおいて、アクセス速度を向上させることを目的とする。 - 特許庁 - The semiconductor storage device 10 including a NAND type flash memory 100 comprises a temporary storage part 200 to store writing data transmitted from the outside in the temporary storage part 200.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００を含む半導体記憶装置１０において、一時記憶部２００を設け、外部から送信された書き込みデータを一時記憶部２００に格納する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a multi-voltage flash memory integrated circuit structure on a semiconductor substrate (16), having a plurality of shallow trench isolations (18) and a floating gate structure (22).
複数のシャロートレンチアイソレーション（１８）とフローティングゲート構造（２２）とを有する半導体基板（１６）の上に多電圧フラッシュメモリ集積回路構造を製造するための方法を提供する。 - 特許庁 - An error correcting circuit 12 performs error correction when data are read from a flash memory 11, and outputs an output signal to a toggle output circuit 15 when any error correction is generated.
誤り訂正回路１２は、フラッシュメモリ１１からデータの読出し時に誤りの訂正を行い、誤り訂正が発生した場合にトグル出力回路１５に出力信号を出力する。 - 特許庁 - Moreover, in case of flash memory control, an address increment is not always needed and in even these cases, a disadvantage does not occur because a selection of the function is possible from the CPU 21.
またフラッシュメモリコントロールの場合はアドレス・インクリメントが必要ない場合もあり、これらの場合にもＣＰＵ２１から機能選択可能であるので不都合を発生しないようにできる。 - 特許庁 - When it is determined that the firmware to be executed by the second control unit 32 is recorded, the second control unit 32 reads binary data and writes that to a second serial flash memory 32.
第２制御部３２によって実行されるファームウェアが記録されていると判断したとき、第２制御部３２は、バイナリデータを読み出して、第２シリアルフラッシュメモリ３２に書き込む。 - 特許庁 - The signal transmission line 20 transmits to a serial flash memory 3 data sent from the data sending device 100 via the connector 4 by a switching action of second transistors 21 and 22.
信号伝送ライン２０は、第２トランジスタ２１、２２のスイッチング動作により、コネクタ４を介してデータ送信装置１００から送信されたデータをシリアルフラッシュメモリ３に伝送する。 - 特許庁 - When the microcomputer 21 discriminates that the update information is not addressed to itself, on the other hand, the microcomputer 21 transmits the received update information to the control microcomputer 22 to allow a flash memory 25 to write it.
一方、自己宛てでないと判別した場合に、ＵＳＢ通信用マイコン２１は、受信した更新用情報をコントロール用マイコン２２に送信し、フラッシュメモリ２５に書き込ませる。 - 特許庁 - To prevent the resistance of source wiring and gate wiring from being increased, related to a method for manufacturing a semiconductor storage device such as a flash memory using a self-align source structure.
セルフアラインソース構造を用いたフラッシュメモリ等の半導体記憶装置の製造方法において、ソース配線及びゲート配線の高抵抗化を防止した製造方法を提供する。 - 特許庁 - When power is on, a CPU 203 selects frequency information in a flash memory 201 to perform the tuning processing of the data transmission frequency in an RF interface 200 in the down link.
ＣＰＵ２０３は、電源オン時にフラッシュメモリ２０１から周波数情報を選択して、ＲＦインターフェース２００での下り回線におけるデータ伝送周波数のチューニング処理を実行させる。 - 特許庁 - To reduce the size of a circuit by realizing writing in a flash memory without using any ROM incapable of rewriting in which a program to be executed at the time of down-load is recorded in a down-load system.
ダウンロードシステムにおいて、ダウンロード時に実行するプログラムが記録された書換え不可能なＲＯＭを使用せずにフラッシュメモリへの書込みを実現し回路規模を縮小する。 - 特許庁 - An opening 10 is provided at the center of a TAB tape 36, a static RAM 34 is arranged in the opening 10, and a flash memory 32 is placed on the top surface of the TAB tape 36.
ＴＡＢテープ（３６）の中央に開口部（１０）を設け、該開口部（１０）内にスタティックＲＡＭ（３４）を配置し、フラッシュメモリ（３２）をＴＡＢテープ（３６）の上面に載置する。 - 特許庁 - The storage area of a flash memory is divided into a virtual sector 31 and a virtual cluster 32, so that the use of an FAT file system to be used for the file management of a hard disk device can be made available.
フラシュメモリの記憶領域を、仮想的なセクタ３１と仮想的なクラスタ３２で分割して、ハードディスク装置のファイル管理に用いられるＦＡＴファイルシステムの利用を可能にする。 - 特許庁 - Compressed picture parts data 500 stored in the RAM 360 is rotated at 90° on the RAM 360, is transferred to a flash memory 120 in a display device 100 and is preserved there.
ＲＡＭ３６０に記憶された圧縮画像部品データ５００は、ＲＡＭ３６０上で９０度回転された後、表示装置１００のフラッシュメモリ１２０に転送されて保存される。 - 特許庁 - To provide a voice recording and reproducing device in which connection point noise is not generated at the boundary of frames when it is constituted by combining a VQ(vector quantization) and an analog flash memory.
ＶＱとアナログフラッシュメモリを組み合わせて音声録音再生装置を構成するときに、フレーム境界において接続点ノイズを生じない音声録音再生装置を提供する。 - 特許庁 - A Flash memory system and a method for data management using the system's sensitivity to charge-disturbing operations and the history of charge-disturbing operations executed by the system are described.
障害を誘発する動作に対するシステムの感度およびそのシステムによって実行される障害誘発動作の履歴を用いるフラッシュメモリシステムとデータ管理の方法が開示される。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a flash memory element, capable of forming a gate pattern by using a hard mask pattern having a pitch not more than a resolution of an exposure apparatus.
本発明は、露光装備の解像力以下のピッチを有するハードマスクパターンを用いてゲートパターンを形成することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The frequency distribution of the achromatic color picture element density is generated by a frequency distribution generating circuit 22, and a reference value slice is decided based on this frequency distribution and registered on a flash memory 19.
頻度分布生成回路２２で無彩色の画素濃度の頻度分布が生成され、この頻度分布に基づいて基準値スライスが決定されてフラッシュメモリ１９に登録される。 - 特許庁 - Word lines WL1, WL2,...,WL32 are arranged orthogonally to bit lines DQ in a NAND type flash memory cell unit, and a source line CS is connected electrically in common.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリセルユニットのビットラインＤＱに対してワードラインＷＬ１，ＷＬ２，・・・，ＷＬ３２が直交して配置され、ソース線ＣＳは電気的に共通に接続されている。 - 特許庁 - The zero clear is realized by forming bit-inverted data of zero clear object data of a flash memory 20 by the CPU 12 and writing the formed data in the storage area of the zero clear object data.
ゼロクリアは、フラッシュメモリ２０のゼロクリア対象データをビット反転したデータをＣＰＵ１２で作成し、作成したデータを前記ゼロクリア対象データの記憶領域に書込むことで実現する。 - 特許庁 - When a recording operation to the flash memory is completed, the liquid crystal display displays the animation recordable time again in place of the remaining number of sheets that can be photograph for the still image (S13→S14).
フラッシュメモリへの記録動作が終了すると、液晶ディスプレイには静止画像の撮影可能枚数に代えて、再び動画像の記録可能時間を表示する（Ｓ１３→Ｓ１４）。 - 特許庁 - When power comes back, the recovery information saved in the flash memory 44 is recovered in the RAM 43, and a pachinko machine 1 resumes the game from the state before occurrence of the power failure.
停電が解消すると、フラッシュメモリ４４に退避されていたリカバリ情報がＲＡＭ４３へ復帰され、パチンコ機１は停電発生前の状態から遊技を続行することができる。 - 特許庁 - A controller for controlling access to the flash memory 2 where data can be erased per block, is given data for writing together with a logical block address indicating a logical block by a host system 20.
ブロック単位にデータの消去が可能なフラッシュメモリ２のアクセスを制御するコントローラにおいて、ホストシステム２０から論理ブロックを示す論理ブロックアドレスと共に書込み用データが与えられる。 - 特許庁 - The overwrite processing is executed with exclusive processing that read-write to the flash memory 2 by other processing is prohibited, and the CPU 1 executes the overwrite processing in a time division manner with other processing.
上書き処理は他の処理によるフラッシュメモリ２への読み書きが禁止される排他処理とともに実行され、ＣＰＵ１は、上書き処理を他の処理と時分割で実行する。 - 特許庁 - The multi-chip package, constituting a microcontroller, comprises a base chip 1 for fabricating therein a microcontroller having a mask ROM, and the upper chip 6 of a flash memory provided on the base chip 1.
マイクロコントローラを構成するマルチチップパッケージにおいて、マスクＲＯＭを有するマイクロコントローラを作り込むベースチップ１と、このベースチップ１上にフラッシュメモリの上部チップ６を具備する。 - 特許庁 - Then the received weather information is copied on the photographed picture together with the date, time, and latitude/longitude acquired from the GPS data and the retrieved place name and the picture is stored in a flash memory 8.
そして、受信した天気情報を、ＧＰＳデータから取得した年月日及び時分、緯度／経度、検索した地名と共に撮影画像に映し込み、その画像をフラッシュメモリ８に保存する。 - 特許庁 - To prevent a CPU or the like including a cache memory in the inside from writing or reading image data or the like from a storage to eliminate the necessity of flash processing or the like, and to increase the speed of data processing.
内部にキャッシュメモリを含むＣＰＵ等に、ストレージからの画像データ等の書込、読出を行わせないようにして、フラッシュ処理等の必要性を無くし、データ処理の高速化を図る。 - 特許庁 - A body program for controlling image forming operation, and image processing data are stored in a flash memory 22 when performing image forming operation, and the body program is expanded in a RAM 23 and executed.
画像形成動作を行うときにはフラッシュメモリ２２に画像形成動作を制御する本体プログラムと画像処理データとを格納し、本体プログラムをＲＡＭ２３に展開し実行する。 - 特許庁 - An information processor 200 of a medical institution 20 records medical information to an USB flash memory 400 where software for referring to the medical information is recorded.
医療機関２０の情報処理装置２００は、医療情報を、前記医療情報を参照するためのソフトウェアが記録されているＵＳＢフラッシュメモリ４００に対して記録する。 - 特許庁 - To provide a data storing method in which restoration can be performed by simple procedure, in a shorter time, and surely, even if write operation of data for a data region of a flash memory is interrupted.
フラッシュメモリのデータ領域に対するデータの書き込み動作が中断されても、簡素な手順で、より短時間で確実に、復旧させることができるデータ記憶方法を提供する - 特許庁 - The recorder device 100 includes a drive section 300 having a disk drive unit 330 and a storage unit 340 including the flash memory, etc., and a back end section 200 having a CM detection unit 202.
レコーダ装置１００は、ディスクドライブ部３３０とフラッシュメモリ等よりなる記憶部３４０を有するドライブ部３００と、ＣＭ検出部２０２を有するバックエンド部２００とを備える。 - 特許庁 - A flash memory of a navigation system includes: a text area where programs are arranged; and a backup area where backup data is arranged.
ナビゲーション装置が有するフラッシュメモリには、プログラムが配置される領域であるｔｅｘｔ領域と、バックアップデータが配置される領域であるｂａｃｋｕｐ領域とが設けられている。 - 特許庁 - Here, since the flash memory 26 is provided with two blocks and the timbre data are alternately transferred to these blocks, even if the timbre data in one block are lost, the timbre data before that are maintained.
ここで、フラッシュメモリ２６には２つのブロックが設けられ、これらブロックに交互に音色データが転送されるから、一方が消失したとしてもそれ以前の音色データは保持される。 - 特許庁 - Fluorine is injected to a nitride layer where data is to be stored in a flash memory element, thereby data retention and reliability are improved without putting an influence upon capacitor characteristics.
本発明は、フラッシュメモリ素子でデータが格納される窒化膜にフルオリンを注入してキャパシタ特性に影響を与えず、且つデータリテンション及び信頼性を向上させることができる。 - 特許庁 - To shorten a test time by parallel processing of a plurality of chips when defect check of a bit line or a sense amplifier is performed in a wafer test of a NAND type flash-memory.
NAND型フラッシュメモリのウェハテストに際してビット線またはセンスアンプの不良チェックを行う場合に、テスト時間を短縮し、複数チップの並列処理によりテスト時間を大幅に縮める。 - 特許庁 - To provide a device for improving a cell distribution characteristic by correcting a cell voltage when a cell voltage sifting phenomenon of a flash memory element is generated, and to provide a method of improving the characteristic of the cell.
フラッシュメモリ素子のセル電圧シフト現象が発生したとき、セル電圧を補正することでセル分布特性を向上させる装置とそのセル特性改善方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce the frequency in writing to a nonvolatile memory (NOR-Flash-ROM) while allowing continuation of processing regardless of the occurrence of power interruption, when updating software.
ソフトウェアの更新において、電源切断が発生しても処理が継続できるようにしながらも不揮発メモリ（ＮＯＲ・Ｆｌａｓｈ・ＲＯＭ）への書込み回数を少なくすることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.
素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a dielectric film between gates of a flash memory element capable of preventing a change in thickness of the dielectric film by suppressing a reaction between a floating gate and an oxide film.
フローティングゲートと酸化膜との反応を抑えて誘電膜の厚さの変化を防止することが可能な、フラッシュメモリ素子のゲート間の誘電膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - The decryption module 33B installs special software stored in the flash memory 22 and turned to an ON state in accordance with an instruction from the PC 2 executing the software to decrypt the data.
復号モジュール３３Ｂは、フラッシュメモリ２２に記憶されている特別なソフトウエアをインストールし、それを実行しているPC２からの指示に応じてオン状態となり、データの復号が可能となる。 - 特許庁 - A portable data transfer/storage device transfers data among one or more flash memory modules and an external or a built-in large capacity digital storage device 20.
一つ以上のフラッシュメモリーモジュールと外付けまたは内蔵の大容量デジタル貯蔵装置２０との間でデータ転送を行う、電池駆動の携帯可能なデータ転送蓄積装置である。 - 特許庁 - A voltage (Vref) of expectation is given parallel to a plurality of semiconductor integrated circuits from an evaluating device (18) outside of the semiconductor integrated circuits each having a CPU (2) and a flash memory (5).
ＣＰＵ（２）とフラッシュメモリ（５）を有する半導体集積回路の外部の評価装置（１８）から期待値の電圧（Ｖｒｅｆ）を複数の半導体集積回路に並列的に与える。 - 特許庁 - A flash memory 26 of a camera body 2 stores tables A, B and the table A stores each sampling pitch by each pixel pitch, and the table B stores a permissible defocus value by each pixel pitch.
カメラ本体２は、フラッシュメモリ２６にテーブルＡ及びテーブルＢを記憶し、テーブルＡには画素ピッチ毎のサンプリングピッチが示され、テーブルＢには画素ピッチ毎の許容デフォーカス値が示されている。 - 特許庁
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