「implanted」を含む例文一覧(1969)

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  • a decorated dart that is implanted in the neck or shoulders of the bull during a bull fight
    闘牛で牛の首や肩に打ち込む飾りの付いた矢 - 日本語WordNet
  • Principal image: A statue with implanted hair said to have been crafted by Temple founder Tansei.
    本尊-開山弾誓自作の植髪像と伝えられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In addition, ions are also implanted perpendicularly into the bottom face of each trench.
    各トレンチ２３の底面に垂直にイオン注入をおこなう。 - 特許庁
  • Inert ions are implanted onto the surface of the substrate 1.
    半導体基板１の表面に不活性イオンを注入する。 - 特許庁
  • Then, oxygen ions are implanted into the wafer 40 (Fig. 2(b)).
    続いて、酸素イオンをウェハ４０にイオン注入する（図２（ｂ））。 - 特許庁
  • And now, hospital patients are getting these same chips implanted under their skin.
    入院患者も同様なチップを 皮下に埋め込まれています。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Then there's all kinds of other applications. implanted medical devices
    他にも色々な用途があります 埋め込まれた医療デバイスとか - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • These ideas are firmly implanted [rooted] in their minds.
    こうした考えが彼らの心にしっかりと植えつけられている. - 研究社 新和英中辞典
  • When the egg is implanted in a woman's uterus, she is pregnant.
    卵子が女性の子宮に移植されると、女性は妊娠する。 - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文
  • When the implanted passive component is an AC decoupling capacitor, the bottom and side portions of the implanted semiconductor material are surrounded by a depletion layer (7b) of a semiconductor material implanted between the bottom substrate (1) and the implanted semiconductor material.
    埋め込まれた受動素子がＡＣデカップリングキャパシタである場合、埋め込まれた半導体材料の底部及び側面部が、前記下部基板（１）と、前記埋め込まれた半導体材料との間に埋め込まれた半導体材料の空乏層により囲まれている。 - 特許庁
  • The number of layers to be ion-implanted is one or more layers.
    イオンを注入する層数は１層あるいは２層以上とする。 - 特許庁
  • ULTRASONIC FLAW DETECTOR FOR TURBINE BLADE IMPLANTED PART AND FLAW DETECTION METHOD USING THE SAME
    タービン翼植込部超音波探傷装置および探傷方法 - 特許庁
  • A mandrel 10 is implanted into the living body to form the tissue body 11.
    マンドレル１０を生体に埋入して組織体１１を形成する。 - 特許庁
  • An n-type impurity is implanted in the NMOS region (Figure 1 (A)).
    ＮＭＯＳ領域にＮ型不純物を注入する（図１（Ａ））。 - 特許庁
  • DEVICE FOR INTERSOMATIC STABILIZATION IMPLANTED WITH MINI-INVASIVE APPROACH
    微侵襲性アプローチでインプラント可能な体内安定化のための装置 - 特許庁
  • LOW FREQUENCY TRANSCUTANEOUS TELEMETRY TO IMPLANTED MEDICAL DEVICE
    移植した医療装置に対する低周波数の経皮遠隔測定 - 特許庁
  • In the ion implantation step, ion is implanted to the substrate.
    前記イオン注入工程では、前記基板にイオンを注入する。 - 特許庁
  • LOW-FREQUENCY TRANSCUTANEOUS ENERGY TRANSFER TO IMPLANTED MEDICAL DEVICE
    移植した医療装置に対する低周波数の経皮エネルギー伝達 - 特許庁
  • Fluorine ions are implanted into both the p-well and the n-well.
    ｐウェルおよびｎウェルの両方にフッ素イオンが注入される。 - 特許庁
  • Ions are implanted in a surface portion of a silicon substrate to make it amorphous.
    シリコン基板の表層部にイオンを注入してアモルファス化させる。 - 特許庁
  • The fixed angle fittings 30 of the plate 20 are implanted semipermanently.
    プレート２０固定角留め具３０は半永久的に移植される。 - 特許庁
  • Seventyfive thousand people have parkinson's deepbrain stimulators implanted.
    7万5千人のパーキンソン病患者が電気刺激機器を移植しており - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • You can implant it in the body without needing to retrieve what is implanted.
    身体に埋め込んだ後 取り除く必要がないということです - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • A small biochip implanted between the dura mater and the surface of the cerebrum.
    大脳表面と硬膜の間にインプラントする小型の培養チップ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • So it has to be implanted in a different place rather than the usual, and
    だから 通常とは違う場所に 縫合しなければならないし➡ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • There is a screw type sawari implanted in sao, called 'azuma sawari.'
    「東さわり」と呼ばれる棹に埋め込んだ、螺旋式のさわりもある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • An impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 by using an ion implanter, and then an impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).
    ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。 - 特許庁
  • By this method, the conductive material is implanted in the concavity part 22 by VLS growth, so the conductive material can be implanted in a short time.
    この方法では、ＶＬＳ成長によって凹部２２に導電材を埋め込むため、短時間で導電材を埋め込むことができる。 - 特許庁
  • A first rod member 14 is formed as the side part of a thigh bone to be implanted to the thigh bone, which is to be implanted along a medullary cavity section.
    第１棒状部材１４は、大腿骨に埋入される大腿骨側部分として設けられ、髄腔部に沿って埋入される。 - 特許庁
  • Also, the ions are implanted from a vertical direction to the bottom surface of the trench 2 and the impurity ions are implanted only to a bottom surface part.
    また、トレンチ溝２の底面に対し垂直な方向からイオン注入をし、底面部分にのみ不純物イオンを注入する。 - 特許庁
  • The ion-implanted electroformed structural material is made of an electroformed body 1 formed by electroforming and has an ion-implanted layer formed by implanting ions 2 into the electroformed body 1.
    電鋳によって形成された電鋳材１にイオン２が注入されて形成されたイオン注入層を有する部材である。 - 特許庁
  • When antimony ions are implanted actually, the antimony ions are implanted in a desired dosage (ion-implantation conditions) through the oxide film, the oxide film is recovered and analyzed by the ICP-MS, and the quantity (the concentration) of arsenic simultaneously implanted is detected when antimony ions are implanted.
    実際のアンチモンのイオン注入の際には、酸化膜を介して所望のドーズ量（イオン注入条件）でアンチモンのイオン注入を行い、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して、アンチモンのイオン注入の際に同時に打ち込まれた砒素の量（濃度）を検出する。 - 特許庁
  • To enable a lead to be easily implanted in curved subcutaneous part.
    リードの湾曲した皮下への植え込みを容易に行えるようにする。 - 特許庁
  • MECHANISM FOR MOLDING GLASS LENS USING IMPLANTED PRECISION GLASS MOLDING TOOL
    注入された精密ガラス成型ツールを用いたガラスレンズの成型メカニズム - 特許庁
  • To improve homogeneity of in-plane distribution of ion amount implanted to a wafer surface.
    イオン注入量のウェハ面内分布の均一性を向上させる。 - 特許庁
  • The cardiac sensor system 102 includes implanted cardiac sensor assemblies and an external controller 104 which receives information from the implanted sensors.
    心臓センサシステム１０２は、埋め込み心臓センサ組立体と、埋め込みセンサからの情報を受信する外部制御装置１０４とを備える。 - 特許庁
  • The implanted p-type impurities are scattered by laser anneal.
    そして、注入されたｐ型不純物をレーザアニールにより拡散させる。 - 特許庁
  • Methods for identifying the subcutaneously implanted access port 10 are also disclosed.
    皮下に埋め込まれたアクセスポート１０を識別する方法も開示される。 - 特許庁
  • Carbon ions are implanted into the CZ substrate 11 through the organic film 12 to form a carbon implanted region 13 in the CZ substrate 11.
    有機膜１２を介してＣＺ基板１１に炭素イオンを注入し、ＣＺ基板１１中に炭素注入領域１３を形成する。 - 特許庁
  • Since the n-type ion-implanted layer 5 and threshold controlling ion-implanted layer 6 are formed by simultaneously implanting n-type ions, the ion-implanted layer 5 can be formed deeply and the sensitivity of the photodiode can be improved.
    ｎ型イオン注入層５としきい値制御イオン注入層６とを同時にｎ型イオン注入して形成することにより、ｎ型イオン注入層５を深く形成でき、フォトダイオードの感度の向上を図れる。 - 特許庁
  • A pulse laser beam of 400 to 650 nm in wavelength is made incident on the region where the impurities are implanted to activate the implanted impurities.
    不純物の注入された領域に、波長４００〜６５０ｎｍのパルスレーザビームを入射させて、注入された不純物を活性化させる。 - 特許庁
  • The housing duct (1) is equipped with a housing (2) implanted a conductor element (3).
    ハウジングダクト（１）は、導体要素（３）が埋め込まれるハウジング（２）を具備する。 - 特許庁
  • pregnancy in which the placenta is implanted in the lower part of the uterus (instead of the upper part)
    胎盤が子宮（上部の代わりに）の下部に着床する妊娠 - 日本語WordNet
  • A cleaning brush 72 is cylindrical and is equipped with a brush part 72a on which a brush is implanted and a non-brush part 72b on which the brush is not implanted.
    クリーニングブラシ７２は、円筒形状をしており、ブラシが植設されたブラシ部７２ａと、ブラシが植設されていない非ブラシ部７２ｂとを備えている。 - 特許庁
  • This can dispense with a fiber-implanted base material, so that reduction in cost can be materialized.
    繊維を植毛した素材が不要であり、低コスト化が実現できる。 - 特許庁
  • Lead terminals 31 and 32 are electrically independently implanted in a base 3, and a lead terminal 33 is implanted in the state electrically connected to a shell 3a.
    ベース３には互いに電気的に独立したリード端子３１，３２が植設されており，またリード端子３３がシェル３ａと導通した状態で植設されている。 - 特許庁
  • In such a case, the impurity ion is prevented from being implanted into the N^+ layer 8.
    この際、不純物イオンがＮ^＋層８に注入されないようにする。 - 特許庁
  • To provide a fixture for an implanted tendon with a bone chip for ligament reconstruction fixing the implanted tendon with the bone chip with tension intended by an operator.
    骨片付き移植腱を術者の意図した張力で固定できる靱帯再建術用骨片付き移植腱固定具を提供するものである。 - 特許庁
  • When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.
    III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁
  • Ions 15 are implanted upwards onto a silicon nitride film 2 into a polycrystalline silicon layer 3 to obtain an ion-implanted polycrystalline silicon layer 16.
    多結晶シリコン層３に対しシリコン窒化膜２越しに上方からイオン１５を注入することにより、イオン注入多結晶シリコン層１６を得る。 - 特許庁
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