「implanted」を含む例文一覧(1969)

＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 39 40 次へ＞
  • LOW TEMPERATURE ANNEAL TO REDUCE DEFECT IN HYDROGEN-IMPLANTED, RELAXED SiXGe1-X LAYER
    水素注入緩和ＳｉＸＧｅ１−Ｘ層の欠陥を低減する低温アニール - 特許庁
  • Then, nitrogen is ion-implanted in the polysilicon gate 12 through the opening part OP.
    その後、開口部ＯＰを介してポリシリコンゲート１２内に窒素をイオン注入する。 - 特許庁
  • To enhance activation rate of an impurity implanted into a silicon carbide semiconductor.
    炭化珪素半導体に注入された不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁
  • SUBSTRATE FOR BIO CHIP WITH IMPLANTED GENE OR PROTEIN AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    遺伝子又は蛋白質を着床した生物チップの基板及びその製造方法 - 特許庁
  • APPARATUS AND METHOD FOR MINIMALLY INVASIVE CALIBRATION OF IMPLANTED PRESSURE TRANSDUCERS
    複数の埋め込まれた圧力変換器の低侵襲較正のための装置および方法 - 特許庁
  • METHOD FOR PROCESSING RESIDUE OF IMPLANTED PHOTORESIST IONS
    イオン注入されたホトレジストの残渣の処理方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • An ion is implanted by using the resist pattern as a mask, and then the resist pattern is removed.
    レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行い、その後、レジストパターンを除去する。 - 特許庁
  • SURGICALLY IMPLANTABLE ADJUSTABLE BAND HAVING FLAT PROFILE WHEN IMPLANTED
    植込み時に平らなプロフィールをもつ外科的に植え込むことができる調節可能なバンド - 特許庁
  • A contact region into which impurities are implanted, includes an element isolation region.
    不純物が打ち込まれるコンタクト領域を素子分離領域まで含むようにする。 - 特許庁
  • After the impurity ions are implanted, a processing such as conventional thermal processing is not conducted.
    不純物イオンの注入後は、従来方法のような加熱処理は行わない。 - 特許庁
  • In the reaction chamber, the gas mixture reacts with a high-dose implanted resist.
    反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。 - 特許庁
  • an electronic device that is implanted in the body to monitor heart rate and rhythm.
    心臓の拍数およびリズムを監視する目的で体内に植えこむ電子装置。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • METHOD OF CONSTRUCTING NUCLEUS-IMPLANTED EGG, PARTHENOGENETIC EMBRYO AND PARTHENOGENETIC MAMMAL
    核移植卵、単為発生胚および単為発生哺乳動物の作出方法 - 特許庁
  • Within a super luminescent diode(SLD), a current implanted end (18) slowly reducing the current implanted amount is provided between a current implanted region (11) sectioned by a current implanting part (14) to an active layer (3) and not implanted region (13) for inserting a transfer region (12).
    この発明にかかるスーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）は、活性層（３）に電流を注入する電流注入部（１４）で画成される電流注入領域（１１）と、注入されない非注入領域（１３）との間に、電流の注入量が徐々に減少する電流注入端部（１８）を設けて遷移領域（１２）を挿入した。 - 特許庁
  • Then phosphorous ions are implanted into the gate electrode 7a on the side of an MISFET(metal insulator semiconductor field-effect transistor).
    そしてｎチャネルＭＩＳＦＥＴ側のゲート電極７ａにリンをイオン注入する。 - 特許庁
  • Then n-type dopants are implanted only into the n-type diffused layer 13 via the contact hole.
    そして、コンタクトホールを介して、ｎ型拡散層１３にのみｎ型ドーパントを注入する。 - 特許庁
  • Its manufacturing method includes a process which forms the hole implanted layer 60; and a process which locates a metal on the hole implanted layer 60 to form a metal film 50, and diffuses the metal film 50 into the hole implanted 60 layer by an electrochemical reaction.
    正孔注入層６０を形成する工程と、正孔注入層６０上に金属を配置して金属膜５０を形成し、この金属膜６０を電気化学的反応によって正孔注入層６０中に拡散させる工程と、を備えている。 - 特許庁
  • On the eyebrow section 23, an artificial eyebrow A where untrimmed eyebrow 23a is implanted is provided.
    眉部２３には、未整形の眉毛２３ａを植毛した人工眉Ａが設けられている。 - 特許庁
  • A plurality of fans 5 are implanted around a rotor hub 4 fixed to a shaft 15.
    シャフト１５に固定されたロータハブ４の周囲に複数のファン５が植設されている。 - 特許庁
  • To provide a low-frequency transcutaneous energy transfer means to an implanted medical device.
    移植した医療装置に対する低周波数の経皮エネルギー伝達手段を提供する。 - 特許庁
  • Furthermore, the continuous administration of the factor is performed via an implanted osmotic mini-pump.
    さらに該因子の連続的な投与は埋め込まれた浸透圧ミニポンプを介して行われる。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING IMPLANTED REGION AND PROTECTIVE LAYER, AND METHOD OF FORMING THE SAME
    注入領域および保護層を含む半導体デバイスおよびそれを形成する方法 - 特許庁
  • SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING IMPLANTED DEVICE POSITIONING AND OBTAINING PRESSURE DATA
    植え込まれた装置の位置決定および圧力データ取得のためのシステムおよび方法 - 特許庁
  • N_2 atoms are ion-implanted over the sidewall spacers 16 at a prescribed angle.
    その後、サイドウォールスペーサ１６越しに所定角度でもってＮ_2原子をイオン注入する。 - 特許庁
  • In addition, a magnetic member 13 is implanted at the flange 2f side of the caulking punch 2.
    さらに、かしめパンチ２におけるフランジ部２ｆ側には、磁石部材１３を植設する。 - 特許庁
  • To enable a patient implanted with an AIMD to safely use an MRI system.
    ＡＩＭＤを埋め込まれた患者がＭＲＩシステムを安全に利用できるようにする。 - 特許庁
  • LONG CARRIER SHEET HAVING IMPLANTED CONNECTOR PIN PARTS, AND METHOD OF MANUFACTURING CONNECTOR TERMINAL PRODUCTS
    コネクタピン部品を移植した長尺のキャリアシート及びコネクタ端子製品の製造方法 - 特許庁
  • The filament F is implanted in the adhesive layer 204b by an action of an electrostatic force.
    フィラメントＦは、接着層２０４ｂに対して静電気力の働きにより植設される。 - 特許庁
  • ULTRASONIC FLAW DETECTOR FOR TURBINE ROTOR BLADE IMPLANTED PART AND FLAW DETECTION METHOD USING THE SAME
    タービンロータ翼植込部超音波探傷装置及び該装置を用いた探傷方法 - 特許庁
  • The toothbrush 1 includes a brush part 11 in which a plurality of bristles 2 are implanted.
    本発明の歯ブラシ１は、ブリッスル２が複数植毛されたブラシ部１１を備える。 - 特許庁
  • To provide an ion implantation method suitable for forming shallow impurity implanted regions.
    浅い不純物注入領域の形成に適したイオン注入方法を提供する。 - 特許庁
  • Then, first impurities are implanted with a first impurity concentration into the region.
    その後本領域には、第一の不純物濃度で第一の不純物が打ち込まれる。 - 特許庁
  • A contact with the wire harness 24 is attempted in a state of having the bristle implanted parts 36, 39 interposed.
    植毛部３６、３９を介在させた状態でワイヤハーネス２４との接触を図る。 - 特許庁
  • HOUSING FOR CIRCUIT THAT IS TO BE IMPLANTED IN-VIVO, AND PROCESS OF MAKING THE SAME
    生体内に移植される回路のためのハウジング及び当該ハウジングを製造する方法 - 特許庁
  • In the ion implantation process (S14), ion is implanted to the flat surface of a piezoelectric substrate 1.
    イオン注入工程（Ｓ１４）は圧電基板１の平坦面にイオンを注入する。 - 特許庁
  • Hydrogen ions are implanted from the 10_N side to form an altered layer (an altered region) 19.
    １０_N側から水素イオンを注入して変質層（変質領域）１９を形成した。 - 特許庁
  • The damage layer 35 is a part where a lattice failure, etc., takes place dug to implanted ion.
    ダメージ層３５とは、注入イオンによる格子欠損などが生じた部分である。 - 特許庁
  • In ion implantation, argon ions of a dose amount of 5E+14 atoms/cm^2 and 5E+17 atoms/cm^2 are implanted.
    イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 - 特許庁
  • In high energy ion activation 24, the implanted ion is bubbled minutely and a crack is filled with it.
    高エネルギーイオン活性化２４により注入イオンが微泡化され亀裂を充填する。 - 特許庁
  • P-type impurity ions are then implanted at a part for forming an LOCOS film 2, using a resist mask.
    そして、レジストマスクを用いてLOCOS膜２形成箇所に、ｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁
  • Subsequently, the impurity ions implanted in the semiconductor layer 12 are activated by annealing the semiconductor layer 12 including an ion-implanted region 12a, to which impurity ions are implanted under the non-oxidizing atmosphere at about 700°C or higher.
    続いて、不純物イオンを注入されたイオン注入領域１２ａを有する半導体層１２に対して、温度が約７００℃以上の非酸化性雰囲気でアニールを行なうことにより、半導体層１２に注入された不純物イオンを活性化する。 - 特許庁
  • The brush bristles 6 are implanted with the bristles formed by kneading powered apatite in plastic.
    ブラシの毛６はプラスチックの中に微粉末のアパタイトを練り込んだ毛で植毛されている。 - 特許庁
  • (b) The groove pattern 28 is ion-implanted to form an impurity diffused region 30.
    （ｂ）溝パターン２８にイオン注入を行ない、不純物拡散領域３０を形成する。 - 特許庁
  • Ions are obliquely implanted into the side face of each trench 23 crossing the X-direction.
    各トレンチ２３のＸ方向に交差する側面に対して斜めイオン注入をおこなう。 - 特許庁
  • A part to the P-type substrate 2 may be implanted with ions to form the insulation region 3.
    Ｐ型基板２の一部にイオンを注入して絶縁領域３を形成してもよい。 - 特許庁
  • P-type impurity ions are then implanted via the silicon oxide film using a resist mask.
    そして、レジストマスクを用いてシリコン酸化膜を介してｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁
  • An impurity is implanted in a region on which the epilayer is provided by an ion implanting method.
    イオン注入法によりエピ層が設けられた領域に不純物が注入される。 - 特許庁
  • N-type impurities 208 are ion implanted for forming extension source-drain areas 209.
    ｎ型不純物２０８をイオン注入し、エクステンション・ソース・ドレイン領域２０９を形成する。 - 特許庁
  • After P is selectively ion-implanted into the silicon germanium layer and properties of resistance to etching are given to the ion-implanted part of the silicon germanium layer, the part of the silicon germanium layer that is not ion-implanted is selectively removed by isotropic etching.
    シリコンゲルマニウム層にＰを選択的にイオン注入してイオン注入されていないシリコンゲルマニウム層部分に対してエッチング抵抗性を付与した後、シリコンゲルマニウム層のイオン注入されていない部分を選択的に等方性エッチング除去するパターニング方法。 - 特許庁
  • We've seen no side effects in the 40 or so patients in whom it's been implanted
    装置を埋め込んだ40人ぐらいの患者さんの中で 副作用はありませんでした - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 39 40 次へ＞

例文データの著作権について