「insulation process」を含む例文一覧(677)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 13 14 次へ＞- To prevent the peeling-off of a low dielectric constant insulation film when etching gas and moisture, etc., fetched in the low dielectric constant insulation film are eliminated in a heating process in process even at realizing the structure, for which a diffusion preventing insulation film is directly formed on the low dielectric constant insulation film.
低誘電率絶縁膜上に直接に拡散防止絶縁膜を成膜した構造を実現しても、低誘電率絶縁膜中に取り込まれたエッチングガスや水分等がプロセス中の熱工程で脱離した際に低誘電率絶縁膜の剥離を防止する。 - 特許庁 - Further, in the manufacturing method, a process that the lower hole 3 is filled with an insulation material 4 and a process where multiple through holes 5 are formed in the lower hole 3 filled with the insulation material 4 are conducted.
更に、製造方法は、下孔３に絶縁材４を充填する工程と、絶縁材４が充填された下孔３内に複数のスルーホール５を形成する工程と実行する。 - 特許庁 - To provide a thermal insulation panel capable of rationalizing a manufacturing process, and capable of reducing cost, by omitting these processes, due to conventionally requiring a process of applying an adhesive and an adhering process, since the thermal insulation panel is manufactured by adhesion using the adhesive for integrating a metallic plate and a thermal insulation layer.
従来、金属板と断熱層との一体化は、接着剤を用いた接着により製造されているため接着剤を塗布する工程、接着する工程等が必要であり、それらを省略する事による、製造過程の合理化、コストダウン等が出来る断熱パネルを提供すること。 - 特許庁 - In the process of forming the insulation film 30, processing condition is different between the vicinity of interfaces 32, 35 in the insulation film 30 and the inside 36 thereof.
絶縁膜３０の形成工程では、絶縁膜３０における界面付近３２，３５と内部３６との間で処理条件が異なる。 - 特許庁 - In a flattening treatment process, the soft magnetic powder covered with the inorganic insulation powder is subjected to flattening treatment.
平坦化処理工程では、無機絶縁粉末で覆った軟磁性粉末に、平坦化処理を行う。 - 特許庁 - PROCESS FOR PRODUCING RIGID POLYURETHANE FOAM BY FROTH METHOD AND METHOD FOR APPLYING RIGID POLYURETHANE FOAM THERMAL INSULATION LAYER
フロス法硬質ポリウレタンフォームの製造方法、及び硬質ポリウレタンフォーム断熱層の施工方法 - 特許庁 - SUBSTRATE FOR SOLAR CELL WITH INSULATION LAYER AND ITS PRODUCTION PROCESS, SOLAR CELL EMPLOYING IT AND ITS PRODUCTION PROCESS
絶縁層が形成された太陽電池用基板およびその製造方法、ならびにそれを用いた太陽電池およびその製造方法 - 特許庁 - Corresponding to a process fluctuation amount generated in film thickness or a dielectric constant of the insulation film during the deposition of the insulation film, a mask dimension of the mask pattern is changed.
絶縁膜の成膜時に該絶縁膜の膜厚又は誘電率に生じるプロセス変動量に応じて、マスクパターンのマスク寸法を変更する。 - 特許庁 - The main body part sets a conductive terminal of an electric connector nearly parallel to a side wall of the insulation housing of the socket electric connector in an assembling process to the insulation housing.
前記主本体部は電気コネクタの導電端子を絶縁ハウジングに組立過程にソケット電気コネクタの絶縁ハウジングの側壁に概略平行している。 - 特許庁 - To provide a method and a device for bending a shape of a vacuum insulation panel in a process that starts from feeding of a preliminarily manufactured vacuum insulation panel.
事前に製造された真空絶縁パネルの供給から始まるプロセスにおいて、真空絶縁パネルの形状を折り曲げる方法及び装置の提供。 - 特許庁 - To provide an insulation blanket used for an aircraft engine and a process of manufacturing the insulation blanket with a low thermal conductivity and high temperature-performance.
航空機エンジンのための断熱ブランケットおよび熱伝導率が低く、温度性能が高い断熱ブランケットを製造するためのプロセスを提供する。 - 特許庁 - A high-permittivity insulation film, which is realized by the same process flow as that of the logic FET, is formed as a charge-trap layer on the insulation film.
この絶縁膜の上に、ロジックＦＥＴの高誘電率絶縁膜と同じプロセスフローで実現される高誘電率絶縁膜をチャージトラップ層として形成する。 - 特許庁 - In a manufacturing process of a semiconductor device 1, a gate insulation film 8 is formed on a silicon substrate 2, and the dummy gate 32 is formed on the gate insulation film 8.
半導体装置１の製造工程において、シリコン基板２上にゲート絶縁膜８を形成し、このゲート絶縁膜８上にダミーゲート３２を形成する。 - 特許庁 - A process of depositing a coating type insulation material film and a process of removing the insulation material film in a region for forming the heating element by etching are repeated two or more times.
本発明は、塗布型の絶縁材料膜を堆積する処理と、エッチングにより発熱素子の作成領域における絶縁材料膜をほぼ除去する処理とを少なくとも複数回繰り返す。 - 特許庁 - The control device obtains a crank angle θ_1 of an insulation process before start of combustion and a crank angle θ_2 of an insulation process after finish of combustion for sensing the cylinder internal pressures P_1 and P_2 of each crank angle (S100).
燃焼開始前の断熱過程のクランク角θ_１と、燃焼終了後の断熱過程のクランク角θ_２とを取得し、各クランク角における筒内圧Ｐ_１およびＰ_２を検出する(ステップ１００)。 - 特許庁 - The method comprises a process for performing heating treatment for a semiconductor device with a layer insulation film containing impurities, a process for executing a treatment for making impurity concentration distribution of an upper layer part of the layer insulation film 2 uniform after the heating treatment process and a process for polishing a layer insulation film by CMP after the uniformization treatment of impurity concentration distribution.
不純物を含む層間絶縁膜を有する半導体装置を加熱処理する工程と、その加熱処理工程の後、層間絶縁膜２の上層部の不純物濃度分布を均一にするための処理を行う工程と、不純物濃度分布の均一化処理の後に、層間絶縁膜をＣＭＰにより研磨する工程とを備える。 - 特許庁 - The manufacturing method of the insulation wire in which an insulation coating film is formed by applying resin coating on a conductor includes an electrolytic cleaning process for performing electrolytic cleaning on the surface of the conductor, and an insulation coating film forming process for applying resin coating on the electrolytic-cleaned surface of the conductor to form the insulation coating film.
導体上に、樹脂塗料を塗布して絶縁皮膜を形成する絶縁電線の製造方法において、前記導体の表面に電解洗浄を施す電解洗浄工程と、電解洗浄した前記導体の表面に、前記樹脂塗料を塗布して絶縁皮膜を形成する絶縁皮膜形成工程とを備える。 - 特許庁 - In a process S105, an insulation film mask is used for performing plasma etching to the epitaxial substrate to process a plurality of III-V compound semiconductor films.
工程Ｓ１０５では、絶縁膜マスクを用いてエピタキシャル基板のプラズマエッチングを行って、複数のIII−Ｖ化合物半導体膜を加工する。 - 特許庁 - This manufacturing method of the wire for a wire harness has: a process for forming the insulation layer 30 in the outside of a conductor 10 by extrusion; and a process for forming the external semiconductor layer 40 outside the insulation layer 30 by extrusion independent of the extrusion for the insulation layer 30.
本発明ワイヤハーネス用電線の製造方法は、導体10の外側に押出にて絶縁層30を形成する工程と、絶縁層30の外側に前記絶縁層30の押出とは独立した押出にて外部半導電層40を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - In a second mixing process, a mixture coated with a binding insulation resin is mixed with a lubricant.
第２の混合工程では、結着性絶縁樹脂を被覆した混合物と潤滑剤とを混合する。 - 特許庁 - To simplify actual operation of an insulation and pressure resistance testing process carried out in factories.
工場等で行われる絶縁耐圧試験工程の実作業を簡略化することを目的とする。 - 特許庁 - METHOD FOR TESTING INSULATION IN MANUFACTURING PROCESS OF COIL FOR ROTARY ELECTRICAL MACHINE, AND METHOD OF MANUFACTURING COIL FOR ROTARY ELECTRICAL MACHINE
回転電機巻線の製造工程内絶縁試験方法及び回転電機巻線の製造方法 - 特許庁 - Thereafter, a groove structure is formed, thereafter an embedding insulation film 6 is formed, and a flattening process is executed.
その後、溝構造を形成した後、埋め込み用絶縁膜６を成膜し、平坦化処理を行う。 - 特許庁 - An additional function layer depositing process (b2) deposits an additional function layer 4 on the insulation film 2 of the wafer 1.
付加機能層堆積工程（ｂ２）で、ボンドウェーハ１の絶縁膜２上に付加機能層４を堆積する。 - 特許庁 - An insulation layer mold frame has a negative differential bevel angle dBA by employing a two-mask process.
２マスクプロセスを採用することにより、負のベベル角差分ｄＢＡを有する絶縁層型枠を作製する。 - 特許庁 - To enable to improve waterproof and insulation performance improve without complicating the manufacturing process.
製造工程を複雑にすることなく、防水性能及び絶縁性能を向上させることを可能にする。 - 特許庁 - To solve a problem to simplify a process for manufacturing a precast concrete panel having an outside heat insulation structure.
外断熱構造を備えたプレキャストコンクリートパネルの製造工程を簡素化することを解決課題とする。 - 特許庁 - To provide an inexpensive choke coil for dispensing with coil winding process, and for improving inter-line insulation reliability.
コイル巻線の工程を不要とし、線間の絶縁信頼性を向上させた、低価格のチョークコイルを得る。 - 特許庁 - And a process where the metal layer 2 is processed by a photoetching method, a process where a wiring part 8 is formed by a semi-additive method on the insulation layer 5 and a process where a resist image for processing the insulation layer 5 is formed and the insulation layer 5 is processed by wet etching according to the resist image are included in the method.
そして、金属層５をフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層５上にセミアディティブ法により配線部８を形成する工程と、絶縁層５を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層５を加工する工程を含む。 - 特許庁 - The method of forming periodically polarization-inverted structure includes: an insulation film forming process; a -Z surface side electrode forming process; a +Z surface side electrode forming process and a polarization-inverted structure forming process.
絶縁膜形成工程と、-Z面側電極形成工程と、+Z面側電極形成工程と、分極反転構造形成工程とを含んで構成される周期的分極反転構造の形成方法である。 - 特許庁 - After a coil winding process (S101) for winding the coil of each phase to a stator core, an insulation test process between in-phase parallel conductors is performed (S104) via a coil-end forming process (S102) and a first lacing process (S103).
固定子鉄心に各相のコイルを巻装するコイル巻装工程（Ｓ１０１）の後に、コイルエンド成形工程（Ｓ１０２）、第１レーシング工程（Ｓ１０３）を経て、同相並列導線間絶縁試験工程を行う（Ｓ１０４）。 - 特許庁 - Since the heat insulation material feeding process S9 and the gas force feed process S11 are alternately repeatedly performed until the pearlite P is filled in the heat insulation space S, not only the pearlite P of an upper layer of the heat insulation space S but also the pearlite P of a lower layer of the heat insulation space S can be sufficiently compacted, and the pearlite P can be efficiently filled in the heat insulation space S.
また、断熱空間ＳにパーライトＰが充填されるまでの間に、断熱材給送工程Ｓ９と気体圧送工程Ｓ１１とを交互に繰り返して行うので、断熱空間Ｓの上層のパーライトＰのみでなく、断熱空間Ｓの下層のパーライトＰまでも十分に圧密することができ、断熱空間ＳにパーライトＰを効率良く充填することができる。 - 特許庁 - To provide a method of forming an interlayer insulation film of semiconductor device which allows easily embedding of an insulation material between metal wirings having narrow spacing without generating a void in a process of embedding an insulation material between metal wirings for electrical insulation.
金属配線同士の間に絶縁物質を埋め込んで電気的に絶縁させる過程において、間隔の狭い金属配線同士の間にもボイドなく容易に絶縁物質を埋め込むことが可能な半導体素子の層間絶縁膜形成方法を提供すること。 - 特許庁 - Next, after the first inter-layer insulation film is partially removed with the isotropic etching process, the second inter-layer insulation film is evaporated on the first inter-layer insulation film to perfectly embed the gap between the gates 120.
次に、第１層間絶縁膜を等方性エッチング法により部分的に除去した後、ゲート１２０間のギャップを完全に埋め込むように第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を蒸着する。 - 特許庁 - To provide a bobbin-less type reactor that can easily mount an insulation cover, attain working ability and insulation property for the process to provide a lead wire of coil, and form the insulation cover with a low price material.
ボビンレスタイプのものにおいて、簡単に絶縁カバーを取付けることができ、コイルの引出線の処理の作業性、絶縁性を図り得るとともに、絶縁カバーは安価な材料で形成できるリアクターを提供することにある。 - 特許庁 - The inner edge of each control opening is retreated as compared with the inner edge of the insulation layer opening of the insulation layer 401 to prevent sag of silver paste for the gate electrodes into the insulation layer opening in a formation process of the gate electrodes 201.
この制御開口の内縁は絶縁層４０１の絶縁層開口の内縁よりも後退させ、ゲート電極２０１の形成工程で、当該ゲート電極用の銀ペーストの絶縁層開口への垂れを防止する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device enabling the forming of a gate insulation layer different in thickness of the gate insulation layer and in density of a high dielectric constant material, in the gate insulation layer for a shorter manufacturing process than the conventional one.
ゲート絶縁膜の膜厚およびゲート絶縁膜中の高誘電率材料の濃度が異なるゲート絶縁膜を、従来よりも短い製造工程で形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - After the first heat treatment process, a heat treatment (a second heat treatment process) is carried out at a temperature in which the insulation membrane 2 and the conductive membrane 3 are welded in a nitrogen atmosphere.
第１熱処理工程の後、窒素雰囲気において、絶縁膜２と導電膜３とが溶着する温度で熱処理する（第２熱処理工程）。 - 特許庁 - Further, it is possible to provide a high-performance vacuum insulation material 1 without performing a core material 2 drying process before vacuum packaging, which is an ordinary manufacturing process.
また、通常の製造工程である真空包装前に芯材２乾燥工程を行わなくても、高性能の真空断熱材１を提供できる。 - 特許庁 - To provide a simpler fabrication process of a semiconductor device having a gate insulation layer formed in normal pressure, low temperature process in a short time.
ゲート絶縁層を常圧、低温プロセス、短時間で形成し、ゲート絶縁層を有する半導体デバイスのより簡易な製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - This method of manufacturing an element substrate has a process of forming the first conductive film 20 on a base 10; a process of forming the insulation film 30 on the first conductive film 20; and a process of forming the second conductive film 40 on the insulation film 30.
本発明の素子基板製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０を形成する工程と、第１導電膜２０上に絶縁膜３０を形成する工程と、絶縁膜３０上に第２導電膜４０を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a composite material for an electrical and electronic component, which keeps high adhesiveness between a metal substrate and an insulation film even when a portion including an interface between the metal substrate and the insulation film has been subjected to a working process such as a stamping process and then to a bending process.
金属基材と絶縁皮膜との界面を含めた箇所で打ち抜き加工等の加工を施した後に折り曲げ加工を施しても、金属基材と絶縁皮膜との密着性が高い状態を保つ電気電子部品用複合材料を提供する。 - 特許庁 - The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.
また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたＣｕを含む金属配線上に、Ｃｕ拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - Then insulation layers 24a2, 24b2 (f) formed by a heat insulation forming process repeating predetermined times a basic process made of series of processes: application of the polyimide resin 24 → exposure → development →curing are made to be the heat insulation layers 4a, 4b.
その後、「ポリイミド樹脂２４の塗布→露光→現像→キュア」の一連の工程からなる基本工程を規定回数（図示例では２回だが複数回であればよい）繰り返す熱絶縁部形成工程により形成された絶縁層２４ａ_2，２４ｂ_2（図１（ｆ）参照）を熱絶縁部４ａ，４ｂとする。 - 特許庁 - Then, the first conductive film and the first insulation film are etched to form a selection gate containing a first gate electrode and a first gate insulation film (process S50).
続いて、第１導電膜および第１絶縁膜をエッチングし、第１ゲート電極および第１ゲート絶縁膜を有する選択ゲートを形成する（工程Ｓ５０）。 - 特許庁 - To increase the flatness of an insulation layer after being polished in a process of polishing the insulation layer in a method of manufacturing a semiconductor device including a memory region and a logic circuit region.
メモリ領域とロジック回路領域とを含む半導体装置の製造方法の絶縁層を研磨する工程において、研磨後の絶縁層をより平坦化する。 - 特許庁 - To obtain a thin film magnetic head capable of preventing insulation deterioration and dielectric breakdown and measuring insulation characteristics in its process and its treating method.
工程中において、絶縁劣化、絶縁破壊を防止できると共に、絶縁特性測定の可能な薄膜磁気ヘッド集合体、及び、その処理方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent the destruction of an insulation layer, even if an insulation layer is made of porous substance which has low dielectric anstayt and small mechanical strength in a damascene process.
ダマシン・プロセスにおいて、機械的強度の小さい多孔質の低誘電率材料を用いて絶縁層１１を構成した場合にも、絶縁層１１の破壊を防止する。 - 特許庁 - To provide a method capable of providing a silsesquioxane-based insulation film obtainable in a low-temperature process, high in electrical insulation quality, having an excellent surface texture.
低温プロセスで得ることができ、電気的絶縁性が高く、表面性状が良好なシルセスキオキサン系絶縁膜を得ることを可能とする方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, it becomes possible to perform the insulation check process for checking insulation failure in advance before resin molding.
したがって、樹脂モールドの前の段階で絶縁不良の検査である絶縁検査工程を行うことができる半導体モジュールの製造方法とすることが可能となる。 - 特許庁
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