「insulation process」を含む例文一覧(677)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 13 14 次へ＞- To provide an electronic component comprising a heating resistor element operating well even with low energy in which high thermal insulation is attained without requiring an intricate fabrication process.
複雑な製造工程を必要とすることもなく、高い断熱性が得られ、低エネルギでも良好に動作する発熱抵抗素子から成る電子部品を提供する。 - 特許庁 - By executing the former process, depletion of oxygen contained in the insulation film which is the TaO_X film is filled and the oxygen depletion is removed.
前者の工程を実行することにより、ＴａＯ_Ｘ膜たる絶縁膜中に含まれる酸素空乏を埋めることができ、酸素空乏を除去することができる。 - 特許庁 - To provide the formation method of an interlayer insulation film, especially for shortening chemical mechanical polishing process time in the manufacturing method of a semiconductor element.
半導体素子の製造方法に関し、特に化学的機械研磨工程時間を短縮させるための半導体素子の層間絶縁膜の形成方法に関するものである。 - 特許庁 - To attain the stabilization of an initial ball by freely controlling a discharge current after insulation breakdown between the front edge of a wire and a discharge electrode in concert with the forming process of a ball.
ワイヤの先端と放電電極間の絶縁破壊後の放電電流をボールの形成過程にあわせて自在に制御することにより、イニシャルボールの安定化を図ること。 - 特許庁 - To provide a terminal strip with high efficiency capable of eliminating a process for erecting a test pin which is an additional component in a printed board in tinuiry/insulation test on the printed board.
プリント基板上での導電性／絶縁性試験において、別部品であるテストピンをプリント基板に立てる工程が不要な、作業性の良い端子台を提供する。 - 特許庁 - Thereafter, a package process for shielding the sensor chip 8, the sensor island 7, a part of each lead 5, the bias magnet 14 and the magnet island 13 with insulation molding material is carried out.
その後、センサチップ８、センサアイランド７、各リード５の一部、バイアスマグネット１４、マグネットアイランド１３を絶縁モールド材料によって封止するパッケージ工程を行う。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a rubber sheet that can manufacture a rubber sheet with high work efficiency by facilitating inserter passing of insulation processing during a rubber sheet manufacturing process.
ゴムシート製造工程中のインシュレーション処理のインサータ通線を容易にし、作業性良くゴムシートを製造することができるゴムシートの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a process for coating an electric wire, which provides an insulation wire having superior breakdown voltage through immersing an article to be coated into an electrodeposition tank for a comparatively short period of time.
被塗物を電着槽に比較的短時間浸漬することにより、絶縁破壊電圧に優れる絶縁電線を得ることができる電線の塗装方法を提供する。 - 特許庁 - A first ion implanting process (a1) implants a bond wafer 1 with ions below a critical dose at the side facing an insulation film 2 to form a peel-expected ion implanted layer 3.
第１のイオン注入工程（ａ１）で、ボンドウェーハ１の絶縁膜２側から臨界ドーズ量未満のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を形成する。 - 特許庁 - To provide a coil component, wherein simplification of a process and cost reduction are attained by securing an insulation distance from another component without employing coating with an insulating tape.
絶縁テープによる被覆を伴わずに他の部品との絶縁距離を確保可能とし、工程の簡略化とコスト低減を図ることが可能なコイル部品を提供する。 - 特許庁 - Since an inner structure and both electrode terminals for insulation are not required, the structure of a molten salt battery is simplified and the manufacturing process thereof is also simplified.
絶縁させるための内部構造及び両極端子が不必要であるので、溶融塩電池の構造が簡素化され、また溶融塩電池の製造工程が簡略化される。 - 特許庁 - In other words, a lithography process for forming the irregularity shape of the surface of the organic insulation film 1 need not be carried out, and a manufacture cost can be reduced.
すなわち、有機絶縁膜１の表面凹凸形状を形成するためのフォトリソグラフィー工程を実施する必要がなくなり、製造工程コストを低減することができる。 - 特許庁 - When the removal of the barrier metal film 7 on the outside of a recessed part 5 is finished and a surface 4a of an insulation film 4 on the outside of the recessed part 5 is exposed, the CMP process is finished.
そして、凹部５外のバリアメタル膜７の除去が完了して、絶縁膜４の凹部５外の表面４ａが露出すると、ＣＭＰ処理を終了する。 - 特許庁 - A manufacturing method of a wiring board formed by laminating at least one conductor layer and one resin insulation layer includes a groove formation process in which a groove is formed on at least one resin insulation layer and a Cu paste filling process in which the groove is filled with Cu paste forming the conductor layer with an ink jet device.
導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる配線基板の製造方法であって、前記少なくとも１層の樹脂絶縁層に溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に対してインクジェット装置を用いて前記導体層となるＣｕペーストを充填するＣｕペースト充填工程と、を備える。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.
半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition which is excellent in performances, such as transmissivity, insulation, flatness, and chemical resistance, and also made suitable to use as an interlayer insulation film in a LCD manufacturing process securing the reliability in the following processes by minimizing the gas leakage especially through the high heat resistant interlayer insulation films.
透過率、絶縁性、平坦性、耐化学性などの性能に優れるだけでなく、特に高耐熱特性を通した層間絶縁膜で発生されるガス抜けを最少化させて、後工程の信頼性を確保することによってＬＣＤ製造工程の層間絶縁膜として使用するのに適した感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a chemical mechanical polishing method in a manufacturing process of a semiconductor device which can polish an object to be polished, having a low relative permittivity insulation film, a barrier metal layer, and a conductor film at a polishing selectivity appropriate for the conductor film, the barrier metal layer, and the insulation film, while suppressing the damages to the low relative permittivity insulation film.
半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨方法であって、低比誘電率の絶縁膜とバリアメタル層と導体膜とを有する被研磨体を、該低比誘電率の絶縁膜の損傷を抑制しつつ、導体膜、バリアメタル層、絶縁膜を適切な研磨選択比で研磨できる研磨方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, since each semiconductor chip 2 has already prepared an insulating layer 2d differently from a case wherein an insulation film is arranged each time a heat sink 2c stuck on an element portion 2a is fixed to a case 4, the process of forming the insulation film arranged to maintain insulation between the heat sink 2c and case 4 is simplified.
これにより、素子部２ａに貼り合わせたヒートシンク２ｃを筐体４に固定するたびに絶縁性フィルムを配置する場合と異なり、既に半導体チップ２に絶縁層２ｄが備えられた状態となっているため、ヒートシンク２ｃと筐体４との間の絶縁性を保つために配置される絶縁膜の形成工程の簡略化を図ることが可能となる。 - 特許庁 - To provide an ultraviolet-curable ink for inkjet recording excellent in leveling properties for both synthetic resin substrates and electrodes, which produces a cured film excellent in smoothness and insulation properties; an insulation film obtained therefrom; and an electronic element and a process for production thereof.
合成樹脂基板及び電極の両方に対するレベリング性に優れ、平滑性及び絶縁性に優れた硬化膜が得られる紫外線硬化型インクジェット記録用インク、それから得られた絶縁膜、電子素子及び電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a wiring board in which the occurrence of a cracking and voids in a resin insulation layer is suppressed by rounding the acute part of a through hole in order to improve the filling properties of insulation resin, and to provide a process for producing a wiring board in a high yield by suppressing lowering of the production efficiency.
スルーホールの先鋭部に丸みを持たせて絶縁樹脂の充填性をよくし、樹脂絶縁層でのクラックやボイドの発生を抑制し得る配線基板と、生産効率の低下を抑制し、製品歩留まりのよい配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To solve the problem that the life becomes short for a chip that is most heavily stressed by the electric field in a nonvolatile memory cell and the memory reliability deteriorates because the electric field stress changes on the capacitor insulation film or the tunneling insulation film due to the variations in the process even if the power source voltage is kept constant.
不揮発性メモリセルにおける電源電圧が一定であっても、プロセスばらつきのために、容量絶縁膜あるいはトンネル絶縁膜にかかる電界ストレスがばらつき、最大の電界ストレスがかかるチップは寿命が短く、信頼性低下を招く。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the light emission element equipped with a substrate 1, luminescence layers 5R, 5G, and 5B formed on the substrate 1, and the insulation layer 3 which divides each of the luminescence layers 5R, 5G, and 6B, the process which forms the insulation layer 4 by electronic photograph method is included.
基板１と、基板１上に形成された発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂと、発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを互いに区画する絶縁層３と、を備える発光素子の製造方法において、絶縁層３を電子写真法により形成する工程を含む。 - 特許庁 - The manufacturing method of the insulation wire comprises a first process of coating the conductor part with a first insulating material with a cross-linking agent added to the ethylene system polymer, and a second process of coating the first insulating material coating the conductor part with polylactic acid.
絶縁電線の製造方法は、エチレン系ポリマに架橋剤を加えた第１の絶縁材料により導体部を被覆する第１の工程と、導体部を被覆する第１の絶縁材料をポリ乳酸により被覆する第２の工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a printed wiring board, which can be made lightweight and small in dielectric constant and has not only superior heat resistance and electric insulation by moisture absorption, but also superior process passableness end resin impregnability of a resin impregnating process.
プリント配線板の軽量化、低誘電率化が可能となり、吸湿化での耐熱性や電気絶縁性に優れているのみならず、樹脂含浸工程の工程通過性と樹脂含浸性に優れたプリント配線板およびその製法を提供する。 - 特許庁 - The film deposition method for depositing a film on a substrate to be treated includes a first process wherein a first film is deposited by ALD method on an insulation layer formed on the substrate to be treated, and a second process wherein a second film is deposited by CVD method uninterruptedly after the first process.
被処理基板上に成膜を行う成膜方法であって、前記被処理基板上に形成された絶縁層上にＡＬＤ法で第１の成膜を行う第１の工程と、当該第１の工程と連続して、ＣＶＤ法で第２の成膜を行う第２の工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 - 特許庁 - The method of manufacturing semiconductor device comprises a first film forming process to form a barrier film and a copper film to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the copper film, and a copper film heat treatment process to execute heat treatment of the copper film.
半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、バリア膜と銅膜を成膜する第１の成膜工程と、銅膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、銅膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を有する。 - 特許庁 - This method for forming an insulation film on surface of an electrode for an ozone-generating electrode is characterized by comprising a mixing process for mixing a barium titanate whisker into an inorganic metal oxide sol, a coating process for coating the sol mixed with the whisker on the electrode made of aluminum or its alloy, and a heat treatment process for heat treating the coated sol to form the insulation film.
オゾン発生電極の電極板上に絶縁皮膜を形成する方法において、チタン酸バリウムウィスカーを無機質金属酸化物ゾルに混入させる、混入工程と、混入工程後の無機質金属酸化物ゾルを、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる電極板上に塗布する、塗布工程と、塗布工程後の無機質金属酸化物ゾルを熱処理して絶縁皮膜を形成する、熱処理工程と、を有することを特徴としている。 - 特許庁 - The thin-film transistor forming method includes a first process of forming a source electrode and a drain electrode on an element-side substrate, a second process of forming a semiconductor layer for covering the source electrode and the drain electrode, a third process of forming a gate insulation layer overlapping the semiconductor layer, and a fourth process of forming a gate electrode on the semiconductor layer.
薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極を覆う半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁 - In this laminated plate for flexible printed wiring board where copper foil is laminated via an adhesive agent layer at least on the single surface of a flexible insulation film, haze (cloudiness) value of the flexible insulation film, after the copper foil is removed with the etching process, is 50% or smaller.
可撓性絶縁フィルムの少なくとも片面に接着剤層を介して銅箔が積層されたフレキシブルプリント基板用積層板であって、その銅箔をエッチングにより除去した後の可撓性絶縁フィルムのヘーズ（曇価）が５０％以下であることを特徴とするフレキシブルプリント基板用積層板。 - 特許庁 - In a process for making contact holes 23 in an insulation film 22 and depositing a barrier conductor film 24 on the surface of the insulation film 22 including the inside of the contact holes 23 by sputtering, means for reducing inflow of plasma electrons to a semiconductor substrate 1 is employed for depositing the barrier conductor film 24.
絶縁膜２２に接続孔２３が形成され、接続孔２３の内部を含む絶縁膜２２の表面にスパッタリング法にてバリア導体膜２４を堆積する工程において、バリア導体膜２４の堆積にはプラズマ電子の半導体基板１への流入を低減する手法を用いる。 - 特許庁 - After the process of flattening the uppermost surface ISF, the uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 in the pixel region PDR is flat, and a step HP2 is formed on the uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 in the peripheral region PCR.
最上面ＩＳＦを平坦化する工程の後において、画素領域ＰＤＲにおける第１の層間絶縁膜ＩＩ４の最上面ＩＳＦは平坦であり、周辺領域ＰＣＲにおける第１の層間絶縁膜ＩＩ４の最上面ＩＳＦには段差ＨＰ２が形成されている。 - 特許庁 - The resist pattern is removed, and plating process for a conductive film is performed for the surface of the insulation layer to form a second conductive pattern, and further the via hole in which a conductive plating film is formed in the thickness direction of the insulation layer is formed as a feed via in the porous region.
レジストパターンを除去し、絶縁層の表面に対し導電膜のめっき処理を行なうことで第２の導電パターンを形成するとともに、多孔質領域に絶縁層の厚さ方向に導導めっき膜を形成したバイアホールをフィードビアとして形成する。 - 特許庁 - This piezoelectric porcelain composition of high stability with enhanced insulation resistance and no lowering of insulation resistance when left at high temperature and high humidity can be obtained by carrying out heat treatment before the polarization process in manufacturing the low temperature-sintered piezoelectric porcelain composition added with excessive lead.
鉛過剰添加の低温焼成圧電磁器組成物において、分極工程の実施前に熱処理を実施することにより、絶縁抵抗の向上や高温、高湿での放置により絶縁抵抗が低下することのない高い安定性を有する圧電磁器組成物を得ることができる。 - 特許庁 - The average diameter of holes 10 and holes 11 inside an interlayer insulation film IL2 in a second fine layer 2 composed of porous Low-k film is adjusted to 1.0 nm or more but less than 1.45 nm in order to prevent an altered layer CL from being formed on the surface of the interlayer insulation film IL2 by process damage.
ポーラスＬｏｗ−ｋ膜からなる第２ファイン層の層間絶縁膜ＩＬ２内の空孔１０および空孔１１の平均径を１．０ｎｍ以上１．４５ｎｍ未満とすることで、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。 - 特許庁 - To provide a technology for controlling erosion or thinning occurring in a process for removing an unnecessary tungsten film formed on an interlayer insulation film when a plug or buried wiring is formed by filling a trench formed on the interlayer insulation film with a tungsten film.
層間絶縁膜に形成された溝にタングステン膜を埋め込むことによりプラグあるいは埋め込み配線を形成する際、層間絶縁膜上に形成された不要なタングステン膜を除去する工程で生ずるエロージョンあるいはシニングを抑制できる技術を提供する。 - 特許庁 - After appropriately forming a lower layer 2 of a multilayer wiring structure on a semiconductor substrate 1, an edge insulation film 14 is formed so as to cover a beveled portion 1a of the semiconductor substrate 1 and to have a thickness substantially equal to that of the lower layer 2, and then the surface of the upper insulation film 11a is planarized through a CMP process.
半導体基板１上に、多層配線構造の下層部分２を適宜形成した後、半導体基板１のベベル部１ａを覆うように、下層部分２と略同等の膜厚に縁部絶縁膜１４を形成し、上部絶縁膜１１ａをＣＭＰで表面研磨して平坦化する。 - 特許庁 - To reduce the peeling-off of plating by the fact that a contact of a connector of one side slidingly contacts with an insulation housing of the counter connector in a process of slide connection, as for a slide connection type connector in which contacts are contacted with each other by letting contact arrangement faces of insulation housing mutually slide.
絶縁ハウジングのコンタクト配列面どうしをスライドさせてコンタクトどうしを接触させるスライド接続式のコネクタについて、スライド接続の過程で、一方のコネクタのコンタクトが相手方コネクタの絶縁ハウジングと摺動接触することによるメッキの剥離を低減する。 - 特許庁 - To improve the yield of a wiring board by making repair of a short- circuit failure point between upper and lower wirings generated through a pin-hole of an insulation layer easy by a conducting process, when a wiring board of a matrix structure comprising the lower wiring and the upper wiring separated by the insulation layer is used.
絶縁層によって隔てられた下部配線と上部配線を有するマトリックス構造の配線基板を用いる場合において、絶縁層のピンホールを介して生ずる上下配線間ショート不良箇所を通電処理によって修復（リペア）し易くして、配線基板の歩留向上を図る。 - 特許庁 - Under the condition that a thin film forming surface 12 of substrate is provided opposed to an insulation film 21 formed at the surface of a quartz plate 2, the insulation film 21 is closely stuck to the thin film forming surface 12 through mutual approximate movement to the substrate 1 and quartz plate 2 (step S3: close sticking process).
石英板２の表面に形成された絶縁膜２１に対して基板１の薄膜形成面１２を対向配置させた状態のまま、基板１および石英板２に相互に近接移動させて絶縁膜２１を薄膜形成面１２に密着させる（ステップＳ３：密着処理）。 - 特許庁 - Under the condition that a thin film forming surface 12 of a substrate 1 is provided facing an insulation film 21 formed on the surface of a quartz plate 2, the insulation film 21 is closely brought into contact with the thin film forming surface 12 by approximating the substrate 1 and quartz plate 2 to each other (step S3: close contact process).
石英板２の表面に形成された絶縁膜２１に対して基板１の薄膜形成面１２を対向配置させた状態のまま、基板１および石英板２に相互に近接移動させて絶縁膜２１を薄膜形成面１２に密着させる（ステップＳ３：密着処理）。 - 特許庁 - To provide a process for producing a coating type interlaminar insulation film-forming composition which has sufficient mechanical strength, excels in the leak current and the breakdown voltage of an insulation film, by extreme reduction of the amount of a metallic impurity component, and simultaneously excels in stability with time.
金属不純物成分が極めて低減されることにより、充分な機械強度とともに、絶縁膜のリーク電流やブレークダウン電圧に優れており、なおかつその経時安定性に優れた塗布型層間絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a stator of a rotary machine capable of reducing a leakage current without dropping a partial discharge starting voltage in slot insulation and without reducing process deterioration withstanding performance.
スロット絶縁における部分放電開始電圧を低下させることなく、耐加工劣化性も低下させることなく、漏洩電流を低減することができる回転機の固定子を提供する。 - 特許庁 - To prevent warp and damage of a substrate due to internal stress of an insulation layer caused by annealing without increasing an additional step in a manufacturing process of a MEMS transducer.
ＭＥＭＳトランスデューサの製造工程において、アニール処理によって生じる絶縁層の内部応力による基板の反りや破損を、新たに工程を増やすことなく防止する。 - 特許庁 - To provide a mat for sound insulation produced by subjecting a remainder after recovering a reclaimed rubber from a rubber waste or a waste discarded during a process of producing a variety of rubber products, as a base material, to molding.
再生ゴムを採取した残りの廃棄物や各種ゴム製品の製造工程中に排出される廃棄物を用い、これを成形して得る防音用マットを提供する。 - 特許庁 - Structure is simplified because an insulation film coating an outer circumference of the core 22 in the prior art is not required, and a manufacturing process is simplified because coating work is omitted.
また、従来コア２２外周に被覆していた絶縁性フィルムが不要となるので、構造が簡単になるとともに、被覆作業を省略できるから、製造工程を簡略化できる。 - 特許庁 - A hole forming process for through holes 13 is executed from a portion above the protection layer 28 at the front surface side of the insulation substrate 25 by using a punch 50 having a diameter d2 not less than the inner diameter d0 of the control electrode 14.
絶縁性基板25の表面側の保護層28の上から、制御電極14の内径ｄ０以上の径ｄ２のパンチ50を用いて、通過孔13の穴開け加工を行う。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a build-up multilayer board by a simple process more efficiently while securing a favorable adhesion property between a wiring layer and an insulation layer.
有機高分子絶縁層と配線層との密着性を高めるために必須であった特殊なエッチング工程を省くことができ、高価なエッチング装置を使う必要がなく、経済的である。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a surface acoustic wave filter having an etching method for an insulation protection film where the process is completed in a short time without eroding a terminal electrode.
端子電極が侵食される危険性がなく、短時間での工程完了が可能な絶縁保護膜のエッチング方法を有する弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - On a substrate provided with a capacitor lower part interlayer insulation film 1 and a plug 3, a line pattern by an electrode forming material 6 which reaches the plug 3 is formed by using a damascene process.
まずキャパシタ下部層間絶縁膜１およびプラグ３を備える基板上に、ダマシンプロセスを用いてプラグ３まで達する電極形成材料６によるラインパターンを形成する。 - 特許庁 - To provide an insulation treatment method for a coil that can use electric heating in a hardening process, and can achieve the shortening of a manufacturing time of the coil.
硬化工程において通電加熱を用いることができ、コイルの製造時間短縮を達成することができるコイルの絶縁処理方法及び絶縁処理装置を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
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