「inter- layer」を含む例文一覧(1109)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23- After a first metal film and a first silicone oxide film are successively deposited on an insulating film 101 on a semiconductor substrate 100, a first inter-layer insulating film 103A composed of the first silicon oxide film and having an opening part and first metal wiring 102A composed of the first metal film, are formed by etching with a first resist pattern 104 as a mask.
半導体基板１００上の絶縁膜１０１の上に、第１の金属膜及び第１のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第１のレジストパターン１０４をマスクとしてエッチングを行なって、第１のシリコン酸化膜からなり開口部を有する第１の層間絶縁膜１０３Ａ及び第１の金属膜からなる第１の金属配線１０２Ａを形成する。 - 特許庁 - A first electrode 20a and a second electrode 21 having a three-dimensional structure and being formed in a projecting shape are formed on a substrate 1 as lower layers, an inter-layer insulating film 18 is deposited on the substrate 1, the insulating film 18 is etched and a trench 26 exposing the top face of the second electrode 21 and a side face in at least one direction is formed.
基板１上に３次元構造で凸形状をなす第１電極２０ａと第２電極２１とを第１電極２０ａを下層として形成した後、基板１上に層間絶縁膜１８を堆積し、この層間絶縁膜１８をエッチングして、第２電極２１の上面および少なくとも一方向の側面を露出させる溝２６を形成する。 - 特許庁 - Further, the electrooptical device has storage capacitors which are arranged above the data lines and each constituted by laminating a pixel-potential-side electrode, a dielectric film, and a fixed-potential-side electrode in order from below, pixel electrodes which are arranged by pixels and electrically connected to the pixel-potential-side electrodes and thin film transistors, and an inter-layer insulating film laminated above the dielectric films.
更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。 - 特許庁 - To provide an excellent optical recording method capable of efficiently controlling the position of light irradiation for focusing, tracking or the like in recording or reproducing, and effectively adjusting the variation of inter-layer distances of recording layers in the recording medium and the error of optical recording and optical reproducing devices, and to provide an optical recording apparatus and an optical recording medium.
本発明は、ホログラフィを利用して記録する光記録媒体に対して、記録又は再生時のフォーカスやトラッキングなどの光照射の位置制御を効率よく行い、該光記録媒体内の記録層などの層間距離のばらつきや光記録及び光再生装置の誤差などに対して、効果的に調整することができる優れた光記録方法、光記録装置及び光記録媒体の提供。 - 特許庁 - An inter-layer insulating film structure which includes at least a copper contact or copper wire line connected to the lower contact and a copper diffusion preventive film for preventing copper diffusion of the copper contact or copper wiring and having an optical element opening part for collecting light from the surface of its top part of the optical element through the copper diffusion preventive film above the optical element is formed inside on the lower insulating film.
下部絶縁膜上の内部に下部コンタクトと接続する少なくとも一つの銅コンタクトまたは銅配線ラインと銅コンタクトまたは銅配線の銅拡散を防止するための銅拡散防止膜を含み、光素子上部にその最上部表面から銅拡散防止膜を通過するように光を収集するための光素子開口部を有する層間絶縁膜構造物を形成する。 - 特許庁 - The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.
本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁 - One box mark from among the pair of box marks is constituted of an opening groove 9-a formed on an inter-layer insulating film 7 and a rectangular slit 9-b having almost the same center as the opening groove 9-a, and the other box mark among the pair of box marks is a positioning mark 11-a formed on the opening groove.
１対のボックスマークのうち１方のボックスマークが、層間絶縁膜７上に形成されてなる開口溝９−ａと、開口溝９−ａとほぼ同一中心を有する矩形状のスリット９−ｂとで構成され、１対のボックスマークのうち他方のボックスマークが、開口溝上に形成された位置合わせマーク１１−ａであることにより、層間絶縁膜７に再度リフローが起きた場合に、開口溝９−ａのエッジ部分の形状変化を最小限に抑えることができる。 - 特許庁 - This semiconductor device is constituted by stacking semiconductor chips formed by integrating elements on semiconductor substrates in layers across inter-layer insulating films so that those semiconductor chips are mutually connected by connection plugs buried in through holes bored in the semiconductor substrates and bumps provided on the connection plugs; and the connection plugs and bumps are formed integrally of the same metal having a fusion point of ≥400°C.
半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、４００℃以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - The metal silicide layer is so formed as to enable the upper end of the inter-electrode insulating film to protrude.
、電極間絶縁膜で囲まれ、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、前記電極間絶縁膜の上端よりも下方に上端が位置するように絶縁分離される多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を加熱し、シリサイド化を行う工程と、シリサイド化されずに残った金属膜を選択的に除去する工程とを含み、前記電極間絶縁膜の上端が突出するように金属シリサイド層を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁
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