「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 100 101 102 103 104 105 106 107 108 .... 128 129 次へ＞- To solve a problem in an optical detector using an SOG film as an interlayer insulating film that the bottom surface of an aperture does not become flat due to difference in film thickness generated at an upper structure layer of a light receiver, and thereby uniformity in the quantity of incident light is broken within the light receiver surface.
層間絶縁膜としてＳＯＧ膜を用いる光検出器において、受光部の上部構造層で生じる膜厚差に起因して、開口部の底面が平坦にならず、受光部面内での入射光量の不均一が生じる。 - 特許庁 - A metal wiring layer 39 is formed on the interlayer insulating film 37 to come into contact with the MOS transistor via a contact hole 38, and a bonding pad 40 is formed to come into contact with the outside by means of the metal wiring layer 39.
この層間絶縁膜３７上には、コンタクトホール３８を介してＭＯＳトランジスタとのコンタクトを取る金属配線層３９が形成され、この金属配線層３９を利用して、外部とのコンタクトを取るボンディングパッド４０も形成されている。 - 特許庁 - The top surface 10a which the conducting film 11 has is positioned at a part where distance from the main surface 1a of the silicon substrate 1 is greater than distance from the main surface 1a of the silicon substrate 1 to the top surface 6a of the interlayer insulating film 6.
導電膜１１が有する頂面１０ａは、シリコン基板１の主表面１ａからの距離がシリコン基板１の主表面１ａから層間絶縁膜６の頂面６ａまでの距離よりも大きい位置に設けられている。 - 特許庁 - On the semiconductor substrate 1 between N^+ layers 2, a gate insulating film 3, a floating gate electrode film 4, an interlayer gate insulating film 5, a control gate electrode film 6, and a metal silicide film 7 are laminated so as to overlap the N^+ layers 2.
Ｎ^＋層２の間の半導体基板１上には、Ｎ^＋層２とオーバーラップするようにゲート絶縁膜３、フローティングゲート電極膜４、層間ゲート絶縁膜５、コントロールゲート電極膜６、及び金属シリサイド膜７が積層形成される。 - 特許庁 - To provide an interlayer film for laminated glass, which can prevent abnormal enhancement of adhesive force between itself and the glass, caused by a dispersant or a surfactant, because the film can be easily produced without using the dispersant or the surfactant; and the laminated glass.
分散剤や界面活性剤を用いずに容易に作製できることから、分散剤や界面活性剤に起因するガラスとの接着力の異常亢進を防止することができる、合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁 - To enable manufacturing of a multilayer printed wiring board having high interlayer bond strength and an insulating resin layer having uniform film thickness, in a short time, with satisfactory productivity by using a copper foil laminated type build-up technique.
銅箔ラミネート方式ビルドアップ工法により、高い層間密着強度を有すると共に均一な膜厚の絶縁樹脂層を有する多層プリント配線板を短時間に生産性よく製造可能とする絶縁樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide laminated glass for a vestibule door improving design value and securing sufficient strength at a low cost by jointing and bonding a pair of glass sheets through an interlayer membrane having a design and a scatter preventing function for glass.
一対のガラスを意匠が付与されかつガラスの飛散防止機能を有する中間膜を介して接合接着することにより、意匠的価値の向上と十分な強度確保を安価に得られる玄関ドア用の合わせガラスを提供する。 - 特許庁 - To provide a nondestructive inspection apparatus of ceramic multilayer substrate capable of checking a direction of interlayer displacement and an amount of displacement in a short time without cutting a ceramic multilayer substrate, when characteristics of a high-frequency circuit constituted by the ceramic multilayer substrate are fluctuated.
セラミック多層基板で構成した高周波回路の特性が変動した場合、当該セラミック多層基板を切断せず短時間に層間ずれの方向とずれ量の確認が行えるセラミック多層基板の非破壊検査装置を得ること。 - 特許庁 - To provide a composition for forming an insulation film which is excellent in film properties such as permittivity and Young's modulus, capable of forming a film having a proper uniform thickness and suitable for using as an interlayer insulation film of semiconductor devices and the like.
半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an electrochromic sheet, a light control sheet using the electrochromic sheet, a light controller, an interlayer for a laminated glass, and a laminated glass, which allow production of a laminated glass which changes light transmittance by voltage application and has high safety.
電圧を印加することにより光の透過率が変化し、かつ、高い安全性を有する合わせガラスを製造できるエレクトロクロミックシート、該エレクトロクロミックシートを用いた調光シート、調光体、合わせガラス用中間膜、及び、合わせガラスを提供する。 - 特許庁 - To provide a heat ray-absorbing laminated glass having high visible light transmittance, transparency and high infrared absorbing power using inexpensive materials free from worry about resource depletion, and an interlayer for laminated glass suitable for use in the above laminated glass.
資源の枯渇の心配がない安価な材料を用いて、可視光の透過率が高く透明で、かつ赤外線吸収能力の高い熱線吸収性合わせガラス、及び、該合わせガラスに好適な合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁 - An interlayer insulation film 6 coating a ferroeelctric capacitor structure 1 formed by a platinum electrode layer 3, a PZT film 4, and an upper platinum electrode layer 5 is formed on a Si substrate 2 by a plasma CVD method to open a contact hole 6A.
Ｓｉ基板２上に白金電極層３、ＰＺＴ膜４、上部白金電極層５をもつて形成された強誘電体キャパシタ構造１を覆って層間絶縁膜６をプラズマＣＶＤ法により形成し、コンタクトホール６Ａを開口する。 - 特許庁 - To provide a positive photosensitive siloxane composition having high photosensitivity and having such properties as high heat resistance, high transparency and low dielectric constant, used to form a planarization film for a TFT substrate, an interlayer dielectrics or a core or cladding of an optical waveguide.
高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁 - A method for producing the intercalation compound material comprises the steps of: preparing a hexagonal oxide having a layered structure; bringing the prepared hexagonal oxide into contact with the carbon intercalant in the presence of an organic amine to enclose the carbon intercalant in an interlayer of the oxide.
層状構造を有する六方結晶の酸化物を準備し有機アミンの存在下、前記膨張化物と炭素系インターカラントを接触させて前記酸化物の層間に炭素系インターカラントを封入して、層間化合物材料を製造する。 - 特許庁 - The interlayer film for the glass laminate comprises 100 pts.wt. of a polyvinyl acetal resin and 25-100 pts.wt. of a plasticizer, and as the plasticizer contained is an oily saturated fatty acid ester formed by the esterification of a saturated fatty acid having a 16-20C branched structure.
ポリビニルアセタール樹脂１００重量部と、可塑剤２５〜１００重量部とからなり、可塑剤として、炭素数が１６〜２０の分岐構造を有する飽和脂肪酸をエステル化した油状の飽和脂肪酸エステルを含有する、合わせガラス用中間膜。 - 特許庁 - The silicon nano-sheet has a structure composed of a plurality of six-membered rings comprising silicon atoms and strung together as the basic skeleton, has sites to be bonded to a primary or secondary amine, and has an interlayer distance larger than that of the layered polysilane.
本発明のシリコンナノシートは、ケイ素原子で構成された六員環が複数連なった構造を基本骨格とするシリコンナノシートであって、１級又は２級アミンと結合する部位を有するものであり、層間距離が層状ポリシランよりも広い。 - 特許庁 - In addition, at least one of the first insulating film 16 and the passivation film 34 is a film mainly composed of SiON, a film mainly composed of Sin, or a laminated film of these, and the interlayer dielectrics 19, 23, 27 are films of low dielectric constant.
そして、前記第１の絶縁膜１６、パッシベーション膜３４の少なくとも一方はＳｉＯＮを主とする膜、若しくはＳｉＮを主とする膜、又はこれらの積層膜であり、前記層間絶縁膜１９、２３、２７は低誘電率膜である。 - 特許庁 - In the FOP liquid crystal display device, an upper layer insulating film 5 is provided on a transparent interdigital electrode 4 and the dielectric constant ε(2) of the upper layer insulating film 5 and the dielectric constant ε(1) of an interlayer insulating film 3 are specified to satisfy the relational formula ε(2)>ε(1).
ＦＯＰ液晶表示装置において、透明櫛歯電極４上に上層絶縁膜５を設け、該上層絶縁膜５の誘電率ε（２）と層間絶縁膜３の誘電率ε（１）の関係が（式１）を満足する構成とする。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistance effect element capable of reducing an interlayer coupling magnetic field (Hin) between a fixed magnetic layer and a free magnetic layer, without making the sheet resistivity (RA) increase, while keeping a magnetoresistance effect rate (MR ratio) to be not less than a predetermined value.
面積抵抗（ＲＡ）を増加させることなく、所定値以上の磁気抵抗効果率（ＭＲ比）を確保しつつ、固定磁化層と自由磁化層との間の層間結合磁界（Ｈｉｎ）の低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁 - Hence, since the vibration control element 10 maintains horizontal rigidity without changing axial rigidity, earthquake force is largely born, the effect of vibration control is exhibited to control an interlayer deformation of the structure 1, and the relative rotation in the joint section between the column 2 and the beam 4 is made smaller.
このため、制震要素１０が、軸剛性を変えずに水平剛性を保つので、地震力を大きく負担し、制震効果を発揮して、構造物１の層間変形を抑制し、柱２と梁４の接合部における回転変形を小さくする。 - 特許庁 - A semiconductor device is provided with a substrate 1, a metal wiring 3 formed on the substrate 1 and whose immediately upper part as well as the immediately lower part is covered by high melting point metal films 2, 4, and the interlayer insulating film 5 formed by the plasma CVD method so as to cover the metal wiring 3.
基板１と、この基板１上に形成され、直上直下が高融点金属膜２，４で覆われたメタル配線３と、このメタル配線３を覆うようにプラズマＣＶＤ法により形成された層間絶縁膜５とを有する。 - 特許庁 - Moreover, there are provided a gate insulating film 130, a gate electrode 140, a side wall insulating film 150, an interlayer insulating film pattern 160, and a metal wiring 170 formed on the exposed gate electrode 140 and the source/drain regions 120a/120b.
また、ゲート絶縁膜１３０、ゲート電極１４０、側壁絶縁膜１５０、層間絶縁膜パターン１６０、及び露出した前記ゲート電極１４０及び前記ソース／ドレイン電極１２０ａ／１２０ｂ上に形成された金属配線１７０を備える。 - 特許庁 - The interlayer dielectric is formed by using polymers including aromatic polycarbosilane, which is expressed by a general formula (1) (R^1 and R^2 are each a bivalent aromatic group that may have a substituent, and n is an integer 2-50000).
下記一般式（１） （式中、Ｒ^１及び^ Ｒ^２は、それぞれ置換基を有していても良い２価の芳香族基を示す。ｎ＝２〜５００００の整数である。）で表される芳香族ポリカルボシランを含む重合体を用いて形成された層間絶縁膜である。 - 特許庁 - To make it possible to suppress the occurrence of a contact failure between narrow gate electrodes and to suppress the occurrence of a padding failure of an interlayer insulating film, while being able to suppress an increase of a junction leak.
接合リークの増大を抑制できるとともに、狭いゲート電極間におけるコンタクトの不良の発生、および層間絶縁膜の埋め込み不良の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a reliable semiconductor device that is fine multilayer interconnection for composing an integrated circuit, suppresses an increase in wiring capacity, and has an interlayer insulating film, where hygroscopicity is low and strength is high, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.
集積回路を構成する微細な多層配線で、配線容量の増大を抑えると共に、より低吸湿で高い強度が得られる層間絶縁膜を有する高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The polishing liquid is used for CMP for a barrier layer and an interlayer insulating film of a semiconductor integrated circuit, and contains colloidal silica, anticorrosive, and compound containing 2,2'-bipyridyl group, and its pH is 2.0 to 5.0.
半導体集積回路のバリア層と層間絶縁膜との化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、コロイダルシリカ、防食剤、および２，２’−ビピリジル基を含有する化合物を含み、ｐＨが２．０〜５．０であることを特徴とする研磨液。 - 特許庁 - An insulation layer 25 including the glass fiber as a reinforcing material is further laminated on the insulation layer 12, and the interlayer connection of the insulation layer 25 is made by forcing in a group of nearly conical conductor bumps 22a, 22,... in the thickness direction of the insulation layer 25.
この絶縁層１２の上に更にガラス繊維を補強材として含む絶縁層２５を積層し、この絶縁層２５の層間接続は略円錐形の導体バンプ群２２，２２，…を絶縁層２５の厚さ方向に圧入することにより達成する。 - 特許庁 - In this wiring board 4, shield wiring films 10u and 10d are formed on the upside and underside of the bare RF-IC 8, and in addition, a plurality of shield interlayer connecting conductive films (shield via holes) 14s are formed so as to surround the RF-IC 8.
配線基板４内部のベアのＲＦ−ＩＣ８の上側及び下側にシールド配線膜１０ｕ、１０ｄを設け、更に、ＲＦ−ＩＣ８を取り囲むところの複数のシールド層間接続導電膜（シールドビアホール）１４ｓを設けてなる。 - 特許庁 - The silver paste 16 is vibrated under heating, thereby exhausting the air existing in a gap A at the bottom in the non-penetrated via hole 15 and the bubbles B inside the silver paste 16, and obtaining an interlayer connector in which a recess on the center of the surface is made flat.
この銀ペースト１６を加熱下に振動させることにより、非貫通ビアホール１５内底部の空隙Ａに存在する空気や銀ペースト内１６の気泡Ｂを脱泡し、表面中央部の凹みを平坦化した層間接続体を得る。 - 特許庁 - To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and CPM water absorption properties and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc., and having small-sized voids, and also excellent in storage stability.
半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ空隙サイズが小さい低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a negative photosensitive resin composition to be used as an interlayer insulating resin used for a silicon wafer or the like, the composition having favorable developing property to a tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution and causing no decrease in adhesion property under PCT conditions.
シリコンウエハー等に用いられる層間絶縁樹脂として用いられるネガ型感光性樹脂組成物において、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する良好な現像性を有し、かつＰＣＴ条件下において密着性を低減させないこと。 - 特許庁 - An MOS transistor is formed din an element region 57 on a silicon substrate 30, an element isolation region 58 for electrically isolating the element region 57 is formed in an STI region 36, and the entirety is coated by an interlayer insulating film 37.
シリコン基板３０上の素子領域５７にはＭＯＳトランジスタが形成され、この素子領域５７を電気的に分離する素子分離領域５８はＳＴＩ領域３６で形成されており、全体を層間絶縁膜３７が覆っている。 - 特許庁 - Thus, since the contact 8 is formed while avoiding the part just under the edge of the protecting film opening 4, the part just under the edge of the protecting film opening 4 becomes a flat interlayer insulating film 9 and the device can sufficiently be set up against the concentration of stress caused by bonding as well.
このように、保護膜開口４のエッジの真下を避けてコンタクト８を形成することにより、保護膜開口４のエッジの真下は平らな層間絶縁膜９となり、ボンディングによるストレス集中にも十分耐えることができる。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition not only excellent in performances such as sensitivity, insulating property and chemical resistance but in particular, significantly improved in transmittance and storage stability, and suitable for forming an interlayer insulating film in the process of manufacturing a LCD.
感度、絶縁性、耐化学性などの性能に優れているだけでなく、特に透過度および貯蔵安定性を顕著に向上させて、ＬＣＤ製造工程の層間絶縁膜を形成することに適合した感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - This terminal reel is provided with: a reel body 12; the terminal continuum 20 wound around the reel body 12; and an auxiliary interlayer sheet 16 for guiding the inner circumference-side end 20a of the terminal continuum 20 when the terminal continuum 20 is extracted from the reel body 12.
リール本体１２と、リール本体１２に巻回された端子連続体２０と、端子連続体２０がリール本体１２から引出される際に、端子連続体２０の内周側端部２０ａを案内する補助層間シート１６とを備える。 - 特許庁 - The arithmetic circuit 22 subtracts a K-fold magnified second detected signal and a L-fold magnified third detected signal from a first detected signal, using the constants K and L which are decided corresponding to the interlayer spacing between the reproducing information layer and the adjacent information layer.
演算回路２２は、再生情報層と隣接情報層との層間隔に応じて決定される定数Ｋ及びＬを用い、第１の検出信号からＫ倍された第２の検出信号及びＬ倍された第３の検出信号を差し引く。 - 特許庁 - To provide an optical disk recorder, an optical disk recording method, an optical disk player and an optical disk, in which the highly reliable information is recordable or reproducible by reducing the influence of the interlayer crosstalk.
この発明は、層間クロストークの影響を低減させ、信頼性の高い情報の記録再生を行なうことを可能とする光ディスク記録装置、光ディスク記録方法、光ディスク再生装置、光ディスクを提供することを目的としている。 - 特許庁 - Then, after a conductor film 23 and a metal film 24 covering the whole surface are formed, unnecessary portion on the interlayer insulating film 19 is polished and removed by CMP method to form the MISFET provided with the metal gate electrode of damascene structure.
そして、全面を被覆する導電体膜２３およびメタル膜２４を形成した後、ＣＭＰ法により層間絶縁膜１９上の不要部分を研磨除去しダマシン構造のメタルゲート電極を備えたＭＩＳ型ＦＥＴを形成する。 - 特許庁 - A first protection insulating film 12 is formed on the lines 11B for contact and the fourth interlayer insulating film 10, and a first opening 12a for exposing the respective lines 11B for contact is formed in the first protection insulating film 12.
各コンタクト用配線１１Ｂの上及び第４層間絶縁膜１０の上に第１保護絶縁膜１２が形成されており、第１保護絶縁膜１２には、各コンタクト用配線１１Ｂを露出させる第１開口部１２ａが形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element H has AlGaInP group compound semiconductor, a double heterolayer 10 as a light emitting layer and interlayer 9, and a window layer 8 including InGaP group compound semiconductor, at least part of which is comprised of In_(X)Ga_(1-X)P (0.02≤X≤0.04).
AlGaInP系化合物半導体よりなり、発光層としてのダブルヘテロ層１０および中間層９と、InGaP系化合物半導体よりなる窓層８とを備え、窓層の少なくとも一部が、その組成をIn_(X)Ga_(1-X)P（0.02≦X≦0.04）としてなる半導体発光素子H。 - 特許庁 - A first bit line pair BM, /BM for reading data from the desired memory cells of a memory cell array and a second bit line pair BS, /BS for writing data to the desired memory cells of another memory cell array are respectively formed in different layers via an interlayer insulation film 32.
メモリセル列の任意のメモリセルよりデータを読み出す第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭと、メモリセル列の他の任意のメモリセルにデータを書き込む第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳとは、層間絶縁膜３２を介して、それぞれ異なる層に形成される。 - 特許庁 - To provide a chip inductor, where a board is hardly warped, a coil conductor and interlayer insulating layers are hardly separated, cracking hardly occurs in the board, a production process can be simplified, and a manufacturing cost can be reduced even if the laminated layers are increased in number.
積層数を増大させた場合であっても、基板の反りが生じ難く、コイル導体や層間絶縁層の剥離や基板の割れが生じ難く、生産工程を簡略化することができ、かつ製造コストを低減し得るチップインダクタを提供する。 - 特許庁 - The first circuit 4P is provided with P-type regions 41-43, gate lines G1, G2, wiring patterns A1-A5 for the first metal layer, wiring patterns B1-B3 for a second metal layer and interlayer contacts C11-C13, C21-C23, C31, C33.
第１回路４Ｐは、Ｐ型領域４１〜４３と、ゲートラインＧ１及びＧ２と、メタル１層目の配線パターンＡ１〜Ａ５と、メタル２層目の配線パターンＢ１〜Ｂ３と、層間コンタクトＣ１１〜Ｃ１３、Ｃ２１〜Ｃ２３、Ｃ３１及びＣ３３とを備えている。 - 特許庁 - To provide a method for forming a multilayer coating and capable of providing a multilayer coating with high interlayer adhesion strength, excellent appearance, weathering resistance, chipping resistance, etc., even in the case where the multilayer coating is formed by using a powder coating material for an intermediate coating or undercoating material.
粉体塗料を中塗り又は下塗り塗料として使用し、複層塗膜を形成させた場合でも、層間密着性、外観、耐候性、耐チッピング性等に優れる複層塗膜が得られる複層塗膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁 - Interlayer connecting conductors 16 and 17 are provided on the surfaces of the end faces 12 and 13 of a package body 11 formed of an insulating resin, and they electrically connect the electrode conductors 14 and 15, intended to connect to circuits, to both end faces 12 and 13 of the package body 11.
絶縁性樹脂によるパッケージ体１１の端面部１２、１３の表面に回路接続用の電極導体部１４、１５と、パッケージ体１１の両端面部１２、１３を導通接続する層間導通用導体部１６、１７とを設ける。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device of high reliability, adapted to suppress deterioration of barrier metal etc. caused by residual gas remaining in an insulating film, when an interlayer insulating layer, particularly a low-k film is used, to provide a method of fabricating the semiconductor device, and to provide a method of generating a pattern.
層間絶縁膜、特にＬｏｗ−ｋ膜を用いた場合の絶縁膜中の残留ガスによるバリアメタル等の劣化を抑制し、信頼性の高い半導体装置、その製造方法、およびパターン生成方法を提供する。 - 特許庁 - In a structure for connecting a switching element to a pixel electrode via contact holes 43a, 43b, 43c and 43d formed in an interlayer insulation film on an active matrix substrate 13, the positions of respective contact holes 43a, 43b, 43c and 43d are irregularly arranged among a plurality of pixel regions 32a, 32b, 32c and 32d.
アクティブマトリクス基板１３上の層間絶縁膜に形成したコンタクトホール４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄを介して、スイッチング素子と画素電極とを接続する構造において、複数の画素領域３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ間でそれぞれのコンタクトホール４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄの位置を不規則に配置する。 - 特許庁 - To provide a curable resin which gives a curable resin composition which is curable at low temperatures, can be developed with an aqueous dilute alkali solution by a photo method, and is suitable as a solder resist for a printed circuit board or as an interlayer insulation film for a build-up substrate or a chip mounted substrate.
低温硬化性で、フォト法による希アルカリ水による現像が可能で、プリント配線板のソルダーレジストやビルドアップ基板やチップ実装基板用の層間絶縁膜として好適な硬化性樹脂及び組成物を提供する。 - 特許庁 - In this IGBT, in a region A covered with an interlayer insulating film 9, a base region 4 of a first conductivity type and an emitter region 7 of a second conductivity type are formed, and in a region B, the base region 4 is not formed.
本発明に係るＩＧＢＴでは、層間絶縁膜９に被覆された領域Ａでは、第１導電型のベース領域４及び第２導電型のエミッタ領域７が形成され、領域Ｂでは、ベース領域４が形成されない。 - 特許庁 - The interlayer insulating layer 20 is provided with a stress relieving insulating layer 22 arranged with a prescribed pattern on the base substance 10, and flattening layer 26 which covers the wiring layer 12 and the insulating layer 22 and is formed of fluidic insulator.
層間絶縁層２０は、基体１０上に所定のパターンで配置される応力緩和絶縁層２２と、配線層１２および応力緩和絶縁層２２を覆い、かつ、流動性絶縁体から形成される平坦化絶縁層２６と、を有する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
