「interlayer」を含む例文一覧(6425)
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層間密着性が良く、延伸を伴う多様な成形法への適用が可能な延伸成形用シート（ガスバリア性シート前駆体）を得、これを延伸成形することにより、良好な生産性でガスバリア性延伸成形体を製造する。 - 特許庁 - To provide electronic components capable of coping with the mounting of a lead free solder, and of securing workability and joint reliability, and to provide a component containing board, capable of interlayer electrical connection with higher reliability and of coping with making the pitch of a wiring pattern finer.
無鉛はんだ実装に対応でき、作業性および接合信頼性を確保できる電子部品、および、層間の電気的接続を信頼性高く行うことができ、配線パターンのファインピッチ化にも対応する部品内蔵基板を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a display device, which enables a display panel in which a protective film is formed on an electrode layer of a light-emitting element, to have an improved passivation based on the protective film while suppressing the occurrence of interlayer peeling and cracks of the electrode layer.
発光素子の電極層上に保護膜が形成された表示パネルにおいて、保護膜によるパッシベーション性を向上させつつ、電極層の層間剥離やクラックの発生を抑制することができる表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Drain - gate connection layers 41a and 41b are formed on a second-layer interlayer insulation layer 71, and each connects the drain - drain connection layer 31a and the gate-gate connection layer 21b, and the drain - drain connection layer 31b and the gate - gate connection layer 21a.
ドレイン−ゲート接続層４１ａ，４１ｂは、第２層目の層間絶縁層７１上に形成され、其々がドレイン−ドレイン接続層３１ａとゲート−ゲート接続層２１ｂ、ドレイン−ドレイン接続層３１ｂとゲート−ゲート接続層２１ａを接続する。 - 特許庁 - A DRAM 100 has a source/drain region 3; interlayer insulation films 20, 30 having a contact hole 30h reaching the surface of the source/drain region 3; and a bit line 110 covered with the insulation films 20, 30.
ＤＲＡＭ１００は、ソースおよびドレイン領域３と、ソースおよびドレイン領域３の表面に達するコンタクトホール３０ｈを有する層間絶縁膜２０および３０と、層間絶縁膜２０および３０によって被覆されたビット線１１０とを備える。 - 特許庁 - To provide an optical disk device capable of stably detecting a preformatted signal preset in the recording track of an optical disk while reducing an influence of interlayer stray light, and to provide an optical pickup, a preformatted signal generation method and a program.
層間迷光による影響を低減しつつ、光ディスク上の記録トラックに予め設定されているプリフォーマット信号を安定して検出することができる光ディスク装置、光ピックアップ、プリフォーマット信号生成方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁 - To provide an insulating film-forming material which comprises a component capable of constituting a polybenzazole compound having a high crosslinking degree and, in particular, can easily realize a film thickness necessary for use as an interlayer insulating film, and an insulating film formed from the material.
高い架橋度を有するポリベンズアゾール類を構成しうる成分からなり、特に層間絶縁膜用途として必要とされる膜厚を容易に形成しうる絶縁膜形成材料及び該材料から形成される絶縁膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a fiber-reinforced composite material simultaneously achieving excellent CAI (compression strength after impact), ILSS (interlayer shear strength) and bending fracture toughness at high levels, and keeping a high glass transition temperature of the resin material; and a prepreg and a benzoxazine resin composition to be used therein.
優れたＣＡＩ、ＩＬＳＳ及び曲げ破壊靱性を高次元で同時に達成でき、且つ樹脂材料のガラス転移温度も高く維持しうる繊維強化複合材料、それに用いるプリプレグ及びベンゾオキサジン樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a silicon oxide film which is superior in characteristics aspects such as dielectric strength and step-coverage, etc., for improved yield of TFT, causes no problem in handling or in cost, and is used for both a gate oxide film and interlayer insulating film.
絶縁耐圧やステップカバレッジ等の特性面に優れ、ＴＦＴの歩留まりの向上が図れるとともに、取り扱いやコストの面でも問題なく、ゲート酸化膜にも層間絶縁膜にも使用できるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁 - Hereby, a lower corner of the floating gate 120 is thermally oxidized to provide a round profile, Thus, a difference between the thickness at an edge of the film and that at the center of the same becomes larger in the gate oxide film 110 than the gate interlayer insulating film pattern 130.
これによって、浮遊ゲート１２０の下部角が熱酸化されてラウンドされたプロフィールを有し、結果的に、膜のエッジでの厚さと中央での厚さとの差はゲート層間絶縁膜パターン１３０よりゲート酸化膜１１０の方が大きくなる。 - 特許庁 - A water absorption-resistant ring AHR is constituted of a polysilicon layer 152 patterned to surround at least the fuse 151, and a first-layer metal 182 connected to the polysilicon layer 152 through the opening area 172 of an interlayer insulating layer 16.
防湿リングＡＨＲは少なくともヒューズ１５１周辺を取り囲むようにパターニングされたポリシリコン層１５２、及びこのポリシリコン層１５２に層間絶縁層１６の開口領域１７２を介して接続された第１層金属１８２で構成される。 - 特許庁 - To provide an organic EL display device capable of suppressing degradation of organic EL luminous characteristics caused by deterioration of an organic EL layer or an electrode due to oozing-out with aging of water contained inside an interlayer insulating film or an edge cover.
層間絶縁膜やエッジカバーの内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出し、有機ＥＬ層や電極に劣化を与え、有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制可能な有機ＥＬ表示装置を提供することである。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can secure a breakdown voltage between first and second wiring layers in an SAC part, can reduce the contact resistance, and can improve the flatness of an interlayer insulating film.
本発明は、ＳＡＣ部分における第１配線層と第２配線層間の絶縁耐圧を確保するとともにコンタクト抵抗を低下させ、さらに層間絶縁膜の平坦性が向上されている半導体装置を提供することを目的としている。 - 特許庁 - A method comprises a process for applying high frequency voltage into a vacuum chamber 5 through a dielectric plate 4 to generate a plasma, and plasma-processing the interlayer insulating film formed in the semiconductor substrate 8 disposed in the vacuum chamber 5 by using the plasma.
真空室内５に誘電体板４を介して高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、真空室５内に設置された半導体基板８に形成された層間絶縁膜をプラズマ処理する工程を含む。 - 特許庁 - Disconnection of the pixel electrode 24 provided on the interlayer insulating film 22 and connected to the TFT element 31 after flowing into the contact hole 25 at the wall part of the contact hole 25 can be prevented by the function of the step part 27A.
層間絶縁膜２２上に設けられると共にコンタクトホール２５に流れ込んだ後にＴＦＴ素子３１に接続する画素電極２４が、そのコンタクトホール２５の壁の所で断線することを、段部２７Ａの働きによって防止できる。 - 特許庁 - To suppress current leakage between wiring due to diffusion of copper into an interlayer insulation film and to improve electromigration resistance by fully obtaining the step coverage of barrier and copper seed layers corresponding to the tendency toward the high aspect ratio of a groove and a connection hole.
溝や接続孔の高アスペクト比化に対応し、バリア層や銅シード層のステップカバリッジを十分に得ることで層間絶縁膜中への銅の拡散による配線間での電流リークを抑制し、かつエレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。 - 特許庁 - This interlayer for laminated glass comprises an ethylene-vinyl acetate copolymer resin composition including 0.1-30 pts.wt. of organized layered clay and 0.02-3 pts.wt. of a silane-coupling agent to 100 pts.wt. of an ethylene-vinyl acetate copolymer.
エチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部に対し、有機化層状粘土０．１〜３０重量部、シランカップリング剤０．０２〜３重量部からなるエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂組成物からなる合わせガラス用中間膜を用いる。 - 特許庁 - A plurality of capacitance libraries are prepared according to variations, for instance, wiring width, wiring film thickness, interlayer film thickness, in the manufacturing process for the semiconductor integrated circuit, and one among these capacitance libraries is appropriately selected according to object layout.
例えば配線幅、配線膜厚や層間膜厚などの半導体集積回路の製造プロセスばらつきに応じて複数の容量ライブラリを準備し、これらの容量ライブラリの中から１つを対象レイアウトに応じて適切に選択する。 - 特許庁 - A part of a first platinum film 15 comprising the first lower layer platinum film 15a and the second lower layer platinum film 15b existing on the second interlayer insulation film 14 is removed to form a lower electrode 15A comprising the first platinum film 15.
第１の下層白金膜１５ａ及び第２の下層白金膜１５ｂからなる第１の白金膜１５における第２の層間絶縁膜１４の上に存在する部分を除去して、第１の白金膜１５からなる下部電極１５Ａを形成する。 - 特許庁 - A drain electrode 10 is formed in a position corresponding to the drain 6, and at the same time a second gate electrode 11 connected to a gate signal line G through a contact hole is formed on the interlayer dielectric 9 above the channel 7.
そして、ドレイン６に対応した位置にドレイン電極１０を形成すると同時にチャネル７の上方であって層間絶縁膜９上に、コンタクトホール１４を介してゲート信号配線Ｇと接続された第２のゲート電極１１を形成する。 - 特許庁 - The color image sensor includes a color filter 20 capable of controlling wavelengths of transmission light, a plurality of photodiode areas 5 which respectively receive transmission light transmitted by the color filter 20, an interlayer insulation film 4 and a plurality of microlenses 2.
カラーイメージセンサーは、透過光の波長を制御可能なカラーフィルター２０と、カラーフィルター２０を透過した透過光をそれぞれが受光して電気信号を出力する複数のフォトダイオード領域５と、層間絶縁膜４と、複数のマイクロレンズ２と、を有する。 - 特許庁 - The article 10 contains a component which protects a porous film 11 and/or the first selective-permeability coating 12 supported by the porous film 11 from interlayer peeling from the porous film 11 and/or another coating arranged there.
物品１０は、多孔質膜１１、この膜に支持された第１の選択的透過性コーティング１２及び多孔質膜１１及び／又はそこに設けられた他のコーティングからの選択的透過性コーティング１２の層間剥離から保護する成分である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a flexible printed wiring board by performing an interlayer conduction, in which manufacturing efficiency can be improved, manufacturing cost can be reduced, and the flexible printed wiring board can be thinned.
層間導通させてなるフレキシブルプリント配線板の製造方法において、製造効率の高効率化と製造コストの低コスト化とを図ることができると共に、薄肉化が可能なフレキシブルプリント配線板の製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 15 and a silicon nitride film 16 are laminated on a predetermined region of a semiconductor substrate 11 in which an element isolation insulating film 12 is selectively removed, and a lower electrode 17 is formed in a stripe shape on this silicon nitride film 16.
素子分離絶縁膜１２を選択的に除去した半導体基板１１の所定領域上に層間絶縁膜１５及びシリコン窒化膜１６が積層され、このシリコン窒化膜１６上に下部電極１７がストライプ状に形成されている。 - 特許庁 - A hydrogenated silicon nitride film 11 is formed on an interlayer insulating film 8, thereby enabling to keep the hydrogen concentration of an active element region including a thin film transistor 7 for switching high, and the Si-H coupling is stabilized.
そして、層間絶縁膜８上に水素化窒化シリコン膜１１が形成されており、これにより、スイッチング用薄膜トランジスタ７を含む能動素子領域の水素濃度を高く保つことができ、シリコン薄膜におけるＳｉ−Ｈ結合が安定する。 - 特許庁 - A capacitor (C) has the MIM structure consisting of a lower electrode 33 formed in an electrode recess 29 of an interlayer insulating film 28, a dielectric film 35 formed on the lower electrode 33, and an upper electrode 36 formed on the dielectric film 35.
キャパシタ（Ｃ）は、層間絶縁膜２８の電極溝２９内に形成された下部電極３３と、下部電極３３上に形成された誘電膜３５と、誘電膜３５上に形成された上部電極３６とからなるＭＩＭ構造を有している。 - 特許庁 - To provide a damage recovery method of an insulating film, which is superior in mass productivity, capable of preventing restorative from remaining on wiring materials such as a copper wiring layer, and capable of carrying out treatment based on a dry process, when carrying out the damage recovery treatment of an interlayer dielectric.
層間絶縁膜のダメージ回復処理の際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによる処理が可能な、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resin composition capable of forming an interlayer insulating film or a surface protection film without occurrence of melt at the final heating step and with smaller sublimation of the cross-linking component and the like, and with smaller generation of gas component at the heating after the final heating step.
最終加熱時においてメルトを起こすことなく、また、最終加熱以降の加熱においても架橋成分等の昇華及びガス成分の発生が少ない層間絶縁膜又は表面保護膜を成膜可能な樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a transfer sheet which is resistant to interlayer-adhesion and paint curing contraction, and hardly cause a phenomenon, so-called blocking phenomenon in which ink peels off a base sheet when taking up the transfer sheet upon printing, and to provide a decorative material using the transfer sheet.
層間密着、塗料の硬化収縮に耐え、かつ印刷時に転写シートを巻き取ったときにインキが基材シートから剥離する通称ブロッキングという現象が起きにくい転写シート及びこれを用いた化粧材を提供すること。 - 特許庁 - In the interlayer insulating film 16, the diameters of the holes included in a lower surface region and in an upper surface region are smaller than those of the holes included in the center region between the upper region and lower region.
層間絶縁膜１６における、下面領域に含まれる空孔の空孔径及び上面領域に含まれる空孔の空孔径は、上面領域と下面領域との間に介在する中央領域に含まれる空孔の空孔径よりも小さい。 - 特許庁 - The optical information recording medium 1 includes on a substrate 50: the ROM layer 20 and the RE layer 40; an interlayer 30 separating the ROM layer 20 and RE layer 40; and a transparent layer 10 provided farthest from the substrate 50.
光情報記録媒体１は、基板５０上に、ＲＯＭ層２０及びＲＥ層４０と、ＲＯＭ層２０及びＲＥ層４０を分離する中間層３０と、基板５０より最も遠い位置に設けられた透光層１０と、を有する。 - 特許庁 - Accordingly, when the surfaces of the interlayer insulating films 72 and 73 are polished, a polishing rate in the display area 10a and the polishing rate in the surrounding area 10b are equivalent so that no step is formed between the display area 10a and the surrounding area 10b.
このため、層間絶縁膜７２、７３の表面を研磨する際、表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとでは研磨速度が同等であるため、表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの間に段差が発生しない。 - 特許庁 - To provide a cleaning solution for lithography, the liquid having excellent corrosion suppression function in relation to an ILD (interlayer dielectric) material and excellent removal performance in relation to a resist film and a bottom antireflection coating film, and to provide a method for forming a wiring line by using the cleaning solution for lithography.
ＩＬＤ材料に対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜及び下層反射防止膜の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。 - 特許庁 - Because of the projections and recesses on the surface of the organic passivation film 109, an adhesive force is enhanced by the increase in an adhesion area between the organic passivation film 109 and the interlayer dielectric 111, whereby the reliability of a liquid crystal display panel is improved.
有機パッシベーション膜１０９表面の凹凸によって有機パッシベーション膜１０９と層間絶縁膜１０９との接着面積が増加することによって接着力が向上し、液晶表示パネルの信頼性が向上する。 - 特許庁 - The second contact plug 10 is formed penetrating the second interlayer dielectric 9 in the thickness direction thereof, is electrically-connected with the top face of the first contact plug 8 at the bottom face thereof, and has a second electric resistivity lower than the first electric resistivity.
第二のコンタクトプラグ１０は、第二の層間絶縁膜９の膜厚方向に貫通して形成され、下面において第一のコンタクトプラグ８の上面と電気的に接続され、第一の電気抵抗率より低い第二の電気抵抗率を有する。 - 特許庁 - To obtain a film-forming composition and an insulating film-forming material useful as interlayer insulating film materials for semiconductor elements, etc., each of which yields a coated film showing excellent mechanical properties, crack resistance and adhesion to SiN and shows a low relative dielectric constant.
、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の機械的特性やクラック耐性やＳｉＮとの密着性に優れ、かつ低い比誘電率を示す膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料を得る。 - 特許庁 - To provide an easily tearing stretched film having excellent linear cutting property and not causing interlayer exfoliation in a stretched film layer; and to provide an easily tearing laminate film and an easily tearing bag using the same, and a method for manufacturing an easily tearing stretched film.
優れた直線カット性を有すると共に、延伸フィルム層において層内剥離を引き起こすことのない易裂性延伸フィルム、これを用いた易裂性ラミネートフィルム、易裂性袋、及び易裂性延伸フィルムの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To improve reliability of an optical disk device at the recording operation to the multi-layer disk by attaining a direct evaluation of an influence of interlayer interference on a tracking error signal in a multi-layer optical disk, by a small scaled circuit constitution without depending on a tracking system.
多層光ディスクにおけるトラッキング誤差信号への層間干渉の影響を小規模な回路構成でトラッキング方式によらず直接的に評価可能とし、以って光ディスク装置が多層ディスクに記録する際の信頼性を向上すること。 - 特許庁 - Each layer of a layered compound is coarse-grained as a rigid sheet being a dynamic unit to determine internal action caused by the interlayer interaction with a rigid sheet of an adjacent layer and internal oscillation (S1-S3) with respect to the rigid sheet of each coarse-grained layer.
層状化合物について各層を力学的単位となる剛体シートとして粗視化し、粗視化した各層の剛体シートについて、隣接層の剛体シートとの層間相互作用、内部振動に起因する内部作用を決定する（Ｓ１〜Ｓ３）。 - 特許庁 - Each cell region 24 has an n+ semiconductor layer 14 and a p-type semiconductor layer 12 connected with the emitter electrode 26, a gate electrode 20, and an interlayer insulating film 22 which covers the gate electrode 20 and insulates the gate electrode 20 for the emitter electrode 26.
各セル領域２４は、エミッタ電極２６に接続されたｎ＋半導体層１４及びｐ型半導体層１２と、ゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆ってエミッタ電極２６に対して絶縁する層間絶縁膜２２とを有する。 - 特許庁 - To provide a positive radiation-sensitive composition for forming an interlayer insulating film having excellent heat resistance and transparency as well as high flatness without uneven application (film thickness uniformity) and applying at high speed, and having high radiation sensitivity.
優れた耐熱性及び透明性に加え、塗布ムラのない高度な平坦性（膜厚均一性）を有する層間絶縁膜を形成することができ、かつ高速での塗布が可能で、高い放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物の提供。 - 特許庁 - A semiconductor substrate 10 is manufactured by forming a light receiving part 2, a transfer electrode 3, an interlayer insulation film 4 and a light shielding film 5 on a silicon substrate 1 by a well known method and a first intermediate layer 11 having a film thickness of d_1 is formed on the semiconductor substrate 10.
シリコン基板１に、公知の方法で受光部２、転送電極３、層間絶縁膜４及び遮光膜５を形成した半導体基板１０を作製し、半導体基板１０上に膜厚ｄ_1の第一中間層１１を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for forming insulating film of semiconductor device which can be manufactured by preventing the occurrence of pinch-off in formation of a wire-to-wire insulating film, and reducing undulation over the interlayer insulating film even when ultra-fine wires are laid.
微細化された配線であっても、配線間絶縁膜形成におけるピンチオフの発生を防止し、層間絶縁膜上部の起伏を小さくして製造できる半導体装置の絶縁膜形成方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The potential of the resistance layer 121 is reduced to ground, therefore the resistance of the substrate is reduced, thermal noise in the substrate is reduced, and noise entering the amplification stage via an interlayer film capacity can also be reduced, reducing the noise of the entire semiconductor device.
この低抵抗層はその電位をグランドに落しているので、基板抵抗が減少し、基板の熱雑音が低減し、層間膜容量を介して増幅段に入る雑音を減少でき、半導体装置全体としての低雑音化を達成できる。 - 特許庁 - The PVA-based fiber comprises a PVA-based polymer, a halogen-containing vinyl polymer, a phyllosilicate, and copper sulfate microparticles having an average particle diameter of ≤500 nm, wherein average interlayer distance of the phyllosilicate in fiber is ≥20 angstrom.
ＰＶＡ系ポリマー、及び含ハロゲンビニルポリマー、層状ケイ酸塩と、平均粒子径が５００ｎｍ以下の硫化銅微粒子からなり、且つ繊維中の層状ケイ酸塩の平均層間距離が２０Å以上であることを特徴とする、ＰＶＡ系繊維。 - 特許庁 - The protective film 21 of the dry film resist 18 introduced near to a glass substrate 1 is stripped just before transfer and the photosensitive resin 20 is heated and press-fixed to the glass substrate 1 by a transferring roller 25 to form the interlayer insulating film 3.
ガラス基板１付近まで誘導されたドライフィルムレジスト１８は、転写直前に保護フィルム２１が剥離され、転写ローラ２５により上記ガラス基板１に感光性樹脂２０が加熱・圧着されて、層間絶縁膜３が形成される。 - 特許庁 - To prevent an information reproducing signal or a servo signal from being affected by the occurrence of so-called interlayer crosstalk wherein disturbance is caused by reflected light from a second layer being another layer when recording or reproducing a first layer of a two layer disk.
２層ディスクの第１の層を記録または再生している時に、他層である第２の層からの反射光が外乱となるいわゆる層間クロストークが発生して、情報再生信号またはサーボ信号に影響を与えることを防止する。 - 特許庁 - The wirings 105, 106, and 107 are anodized by applying a current to the wirings 105, 106, and 107 to form a surface oxide film 109 on them, and a metal film is formed thereon, making the surface oxide film 109 serve as an interlayer insulator and patterned into a drain wiring 110 and a source wiring 111.
金属配線１０５，１０６，１０７に電流を流して陽極酸化させて表面酸化膜１０９とし、これを層間絶縁物として更に金属被膜してパターニングしてドレイン配線１１０及びソース配線１１１とする。 - 特許庁 - Furthermore, light shielding films (71 and 300) are formed at a portion located on the scanning line in the interlayer insulation film and within the groove in a recessed shape looking from the thin film transistor side and cover a channel region and the scanning line from a top side.
更に、層間絶縁膜における走査線上に位置する部分上及び溝内に形成されることにより、薄膜トランジスタ側から見て凹状に形成されて、チャネル領域及び走査線を上側から覆う遮光膜（７１、３００）を備える。 - 特許庁 - A primary etching step forms contact holes (symbol 200 in Figure 4) on the interlayer insulating film 105 as well as removes the spacer film 109, followed by a secondary etching step for removing the hard mask film pattern 106a.
第１のエッチング工程で層間絶縁膜１０５にコンタクトホール（図４中の符号２００）を形成し、スペーサ膜１０９も第１のエッチング工程にて除去し、ハードマスク膜パターン１０６ａを除去するための第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁
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