「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 95 96 97 98 99 100 101 102 103 .... 128 129 次へ＞- To provide a metal surface treating agent which improves the interlayer adhesion between a metallic material and a film, and improves corrosion resistance and solvent resistance of a metal surface, or improves the adhesiveness of a coated product, and to provide a treatment method using the agent.
金属材料とフィルムとの層間密着性を向上させ、耐食性、耐溶剤性を向上させたり、塗装品の接着性を向上させる属表面処理薬剤及びこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a polishing agent in which even if a surface to be polished contains an interlayer dielectric of a low dielectric constant, the surface to be polished having a high flatness is obtained, and further polishing scratches after polished can be suppressed; and to provide a chemimechanical polishing method using the same.
被研磨面に低誘電率の層間絶縁膜が含まれていても平坦性が高い被研磨面が得られ、さらに研磨後の研磨キズを抑制できる研磨液、及びそれを用いて化学機械研磨する方法を提供する。 - 特許庁 - To enhance safety (security) such as forgery/alterationproofness and at the same time, minimize the dust deposition on a card, alleviate the negative factors such as workability due to device bugs, scratch strength, interlayer adhesion, lightfastness and solvent resistance, compared with a conventional ID card creation method.
偽造、変造防止等の安全性（セキュリティ）を高めると共に、従来方式に比べてカードゴミ付着、装置バグによる作業性、スクラッチ強度、層間密着性、耐光性、耐溶剤性を軽減することが可能である。 - 特許庁 - Many terminal metal elements 12 are connected in parallel on the side edge of a long band-like carrier 11 to form a chained terminal 10, and the chained terminal 10 is wound on or supplied from a reel 20 in the overlapped state with interlayer paper 21.
連鎖端子１０は、長尺帯状をなすキャリア１１の側縁に多数の端子金具素片１２を並列状に連結したものであり、層間紙２１と重ねた状態でリール２０に対して巻付け・繰出しが行われる。 - 特許庁 - A through-hole H extending in the stacking direction is formed in the laminate ML, and a part of the interlayer dielectric ILD facing the through-hole H through the through-hole H is etched to remove the portion to form a removed portion A.
そして、積層体ＭＬに積層方向に延びる貫通ホールＨを形成し、貫通ホールＨを介して層間絶縁膜ＩＬＤにおける貫通ホールＨに面した部分をエッチングして除去し、除去部分Ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a laminate laminated with one time of a coating process, which is unnecessary to add a gelling agent in large quantities, excellent in interlayer adhesion and capable of imparting various functions such as hard coat properties and transparency, and a method for manufacturing the same.
１回の塗布プロセスにより積層し、ゲル化剤を大量に添加する必要が無く、層間の密着性に優れ、ハードコート性や透明性等の各種機能を付与し得る積層体とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an interlayer dielectric material having a low dielectric constant and exhibiting excellent heat resistance, thermal conductivity and mechanical strength in which diffusion of the metal in a wiring material into an insulating film can be controlled, and to provide a semiconductor device.
誘電率が低く、さらに耐熱性、熱伝導性、機械強度に優れ、熱膨張係数と配線材料の金属の絶縁膜中への拡散を抑制することのできる層間絶縁膜材料および半導体装置の提供。 - 特許庁 - To provide a semiconductor capable of easing stress when connecting a conductive wiring member to the front surface of a pad, even if a buffer structure, such as an interlayer insulating film, is not formed directly under the pad.
パッドの直下に層間絶縁膜などの緩衝構造を形成しなくても、パッドの表面に導電性の配線部材を接続するときの応力を緩和することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electronic component module that enables the achievement of reliable electrode connections as well as simultaneous interlayer connection by through-holes without employing a thermally-melting type connection member, such as solder.
半田などの熱融解型接続部材を使用することなく、貫通スルーホールによる層間接続も同時に達成できる信頼性の高い電極接続を達成できる電子部品モジュールおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - In an interlayer insulating film 22, a contact plug 24b is formed so as to serve as the shared contact which connects to a silicide layer 20b on an n-type source/drain region 19b, and to the silicide layer 20d on the gate electrode wiring 14b.
そして、層間絶縁膜２２には、Ｎ型ソース・ドレイン領域１９ｂ上のシリサイド層２０ｂ及びゲート電極配線１４ｂ上のシリサイド層２０ｄに接続するシェアードコンタクトとなるコンタクトプラグ２４ｂが形成されている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of easily improving an adhesiveness between an organic insulating film and an inorganic insulating film without adding a film for adhesion to an interlayer insulating film.
本発明の目的は、層間絶縁膜に密着用の膜を追加することなく、簡易に有機絶縁膜と無機絶縁膜との密着性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a heat-curable silicone rubber composition for a rubber laminate comprising a heterogeneous rubber layer and a silicone rubber layer, which can form a silicone rubber layer maintaining good interlayer adhesivity with the heterogeneous rubber layer even after left to stand under high temperature environment.
異種ゴム層とシリコーンゴム層とからなるゴム積層体において、高温環境下に放置後も異種ゴム層との良好な層間接着性を維持するシリコーンゴム層を形成し得る加熱硬化性シリコーンゴム組成物を提供する。 - 特許庁 - After formation of a word-line and a select-line on a semiconductor substrate 100, a capping film 120 is formed for protecting such a word-line and the like against plasma damage arising at subsequent processes prior to formation of an interlayer insulating film 122.
半導体基板１００上にワードラインやセレクトラインを形成後、層間絶縁膜１２２を形成する前に後続工程で発生するプラズマダメージからそうしたワードラインなどを保護するためにキャッピング膜１２０を形成する。 - 特許庁 - To provide a resin composition which can provide a cured product excellent in flexibility, soldering-heat resistance, heat deterioration resistance, electroless gold plating resistance, and is developable by an organic solvent or a dilute alkali solution and suitable for a solder resist and an interlayer insulating layer.
硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - A method of manufacturing the multilayer wiring board has a process of forming an insulating layer 5 on a base on which bumps 4 for interlayer connection are formed, a process of sandwiching the base with stainless plates 22 and thermocompression-bonding the copper foil 3 onto the insulating layer 5, and a process of patterning the copper foil 3.
層間接続のためのバンプが形成された基材上に絶縁層を形成する工程と、ステンレス板で挟み込み絶縁層上に銅箔を熱圧着する工程と、銅箔をパターニングする工程とを有する。 - 特許庁 - The conductive layers 2 adjacent to a lamination direction are electrically connected and provide an interlayer connecting part 14 as well, disposed into a hole formed in the electrical insulating layer 3 or the adhesive layer 13 without touching the electrical insulating layer 3.
積層方向に隣り合う導電層２を電気的に接続するとともに、電気絶縁層３と接することなく電気絶縁層３ないし接着層１３に形成された穴に配設された層間接続部１４を有する。 - 特許庁 - In the semiconductor device, a first barrier layer 21 is provided in the state of covering the inner wall of a connection hole 15 provided on a first interlayer insulating film 13 on a substrate 11, and of a wiring groove 16 provided on a second inter-layer insulating film 14.
基板１１上の第１の層間絶縁膜１３に設けられた接続孔１５および、第２の層間絶縁膜１４に設けられた配線溝１６の内壁を覆う状態で第１のバリア層２１が設けられている。 - 特許庁 - A common diffusion layer 22b of the transistor 4 and the transistor 8 and a diffusion layer 22f of the transistor 6 which diffusion layers constitute a part of a storage node are connected by using a T-shaped trench wiring 28 buried in an interlayer insulating film.
記憶ノードの部分を構成する、トランジスタ４およびトランジスタ８に共通の拡散層２２ｂと、トランジスタ６の拡散層２２ｆとを層間絶縁膜に埋め込まれたＴ字形状の溝配線２８を用いて接続する。 - 特許庁 - This n-type layer 103 is a layer consisting of the n-type Si with an impurity concentration lower than the drain layer 101 and higher than the interlayer 102, and constitutes a drift layer which becomes a main course of a current at the time of operation.
このＮ型層１０３は、ドレイン層１０１よりも不純物濃度が低く、中間層１０２よりも不純物濃度が高いＮ型Ｓｉからなる層であり、動作時の電流の主経路となるドリフト層を構成している。 - 特許庁 - To avoid a resin base from being brought into a state likely to be exfoliated by relaxing stress exerted on an interlayer part of a mother board printed wiring board and an island-shaped circuit-equipped resin base when inflecting the mother board printed wiring board.
マザーボードプリント配線板を屈曲させる際に、マザーボープリント配線板と島状の回路付き樹脂基材との層間部にかかる応力を緩和し、樹脂基材が剥離し易い状態に置かれることを回避すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing semiconductor devices in which flattening (or polishing) can be performed in-situ, the number of times of forming an interlayer insulating film can be reduced, and time and expense required for the manufacturing process can be reduced.
埋め込み金属配線の形成時に、イン-サイチュウ(in-situ)で平坦化を行うことができ、層間絶縁膜形成の回数を減らし、製造工程にかかる時間及び費用を減らすことができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Next, a silicon oxide film 23 is formed by thermal oxidation in order to fill a stepped portion between a projected part 21N formed at the end of an aperture 21A of the interlayer insulating film 21 and a semiconductor layer 14 at the side wall of the second trench 22.
次に、層間絶縁膜２１の開口部２１Ａの端に形成された突起部２１Ｎと、第２のトレンチ２２の側壁の半導体層１４との段差を埋めるように、熱酸化処理によってシリコン酸化膜２３を形成する。 - 特許庁 - The wiring 111 applied with high frequency has such a wiring structure as electrically connected with the wiring 106 in parallel via a plurality of contact holes arranged along the longitudinal direction of the wiring 111 across an interlayer film 107.
高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of a defective shape of a via hole which can occur in the case of using an alumina mask for dry etching of an interlayer insulation film consisting of an SiOC film in a dual damascene process for forming the via hole in advance of forming a wiring groove.
配線溝の形成に先立ってビアホールを形成するデュアルダマシン工程において、ＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜のドライエッチングにアルミナマスクを使用する場合に生じ得るビアホールの形状不良を防止する。 - 特許庁 - In the process, a silicon oxide film having an organic group coupled with a silicon atom is preferably used as the low dielectric constant interlayer insulating film, and an organic matter having a thermal cracking temperature lower than that of the organic group is preferably used as the source of the hole.
ここで、低誘電率層間絶縁膜として、シリコン原子と結合した有機基を有するシリコン酸化膜を用い、空孔源として、この有機基よりも熱分解温度が低い有機物を用いるのが好ましい。 - 特許庁 - After a memory transistor and a selection transistor are formed in a memory cell array area and a transistor is formed in a peripheral area on a wafer 10, an interlayer dielectric is formed from BPSG films 27 and 40 so as to cover the whole.
半導体基板１０上のメモリセルアレイ領域に、メモリセルトランジスタ及び選択トランジスタを、周辺領域にトランジスタを形成した後、全面を覆うようにＢＰＳＧ膜２７、４０により層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - To form an organic polymer film used as an interlayer insulation film in a porous shape without cutting a cross-link member of an organic polymer, and to uniformly disperse voids which are formed in molecular level size with discontinuity.
層間絶縁膜となる有機高分子膜を有機高分子の架橋部位を切断することなく多孔質化すると共に、有機高分子膜に分子レベルのサイズを有し且つ連続していない空孔を均一に分散させる。 - 特許庁 - After the etch stopping film 5 exposed to the bottom of the groove by the additional etching is removed, the interlayer dielectric 4 exposed to the bottom of the groove by etching back is etched by a specified thickness to bury a wiring metal 10 in the hole and the groove.
追加のエッチングにより溝底部に露出したエッチング阻止膜５を除去した後、エッチバックにより溝底部に露出した層間絶縁膜４を所定の厚さだけエッチングし、ホールおよび溝に配線金属１０を埋め込む。 - 特許庁 - In response to a fact that recording on a certain recording layer reaches a maximum recording range or that data recording advances from a certain recording layer to a next recording layer, interlayer folding back position information is recorded on the recording medium.
そして或る記録層での記録が最大記録範囲に達した場合、又は或る記録層から次の記録層へとデータ記録の移行が行われたことに応じて、記録媒体に層間折り返し位置情報が記録される。 - 特許庁 - A first interlayer dielectric film 2 is deposited in a semiconductor device 1, and a first laminate 17a for a lower electrode which is composed of a Ti layer 3, a TiN layer 4, an AlCu layer 5 and a TiN layer 6 is formed on it by a sputtering method.
半導体基板１上に第１層間絶縁膜２を堆積し、その上に、スパッタ法により、Ｔｉ層３，ＴｉＮ層４，ＡｌＣｕ層５およびＴｉＮ層６からなる下部電極用の第１積層１７ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a deterioration diagnosing method for a handrail of an escalator capable of efficiently diagnosing without removing the handrail by diagnosing deterioration of the handrail on the basis of height of a swelled part caused by a interlayer distance inside the handrail or length of a floating part.
ハンドレールの劣化をハンドレールの内部に起こる層間距離による膨れの高さ、または、浮き上がりの長さから判定し、ハンドレールを取外すことなく効率良く実施するエスカレーターハンドレールの劣化診断方法を提供する。 - 特許庁 - After the insulating film 1 is formed to evenly cover the entire surfaces of the conductive patterns 2, interlayer connecting parts 5x are arranged as through-holes by filling a conductive material in the holes which are formed in the insulating film 1 between the upper and lower conductive patterns 2.
絶縁膜１は該当面にはその全面を均一に覆う状態に形成し、上下の導体パターン２に挟まれた絶縁膜１に、空孔に導体を充填した層間接続部５ｘを設けてスルーホールとする。 - 特許庁 - Consequently, recessed and projecting sections are also produced on a conductive film 11 formed on the second interlayer insulating film 84 by the step formed on the surface of the insulating film 84, and the surface area of the conductive film 11 becomes larger due to the recessed and projecting sections.
その結果、第２層間絶縁膜８４表面の段差により、第２層間絶縁膜８４上に形成された導電膜１１にも凹凸が生じ、その凹凸によって導電膜１１の表面積が大きくなる。 - 特許庁 - A top face of the first interlayer insulating film 16 is flat in a planarity of ±1/20 of a thickness of the upper electrode 42 within the range separated from the inner walls by at least the maximum size of a top face of the upper electrode 42.
第１の層間絶縁膜１６の上面は、内壁から少なくとも上部電極４２の上面の最大寸法分離れた範囲内において、上部電極４２の厚みの±１／２０の平坦度で平坦である。 - 特許庁 - To suppress deterioration of organic EL emission characteristics by preventing moisture contained in the inside of an edge cover and an interlayer insulating film from oozing out with the passage of time and giving damages to an organic EL layer and a second electrode.
エッジカバーや層間絶縁膜の内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出し、有機ＥＬ層や第２電極に損傷を与え、有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and water absorbency characteristics and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc., and being an uniform coating film, and also excellent in storage stability.
半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ塗膜が均一な低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a thermally curable resist composition which is suitable for a solder resist or an interlayer insulating film and is capable of forming a highly precise pattern by suppressing bleeding caused after screen printing and sagging occurred during heating, and to provide its curing method and use.
スクリーン印刷後に生じるブリードや加熱時に発生するダレを抑制して高精細なパターン形成の可能なソルダーレジストや層間絶縁膜に好適な熱硬化性のレジスト組成物、その硬化方法及び用途を提供する。 - 特許庁 - To provide a decorative material having a feel of metallic tone brightness which cannot be obtained only by printed expression and is free from the so-called glittering sensation, with an elegance and a solemnness of design and excellent interlayer strength and after-processability.
印刷表現だけでは得られない高度の金属調の輝度感であって、しかも輝度感に所謂ギラギラ感のない、上品で重厚な意匠感を有し、層間強度や後加工性にも優れた化粧材を提供する。 - 特許庁 - To provide a hole cleaning method of cleaning any hole bored in an interlayer insulating film capable of efficiently and surely removing deposits on the side wall or bottom of a processed part, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device which is simple and capable of reducing the manufacturing cost of the device.
加工部側壁や底部の付着物を効率よく、確実に除去できる層間絶縁膜の穴部清掃方法および、簡便で、コスト低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An interlayer insulating film composed of a plurality of laminated films of different materials is provided on a substrate, and at least one of the laminated films, preferably the lowest laminated film is composed of an aluminum opxide film 206 or of a boron nitride film.
基板上に、材質の異なる複数の積層膜から構成された層間絶縁膜を設け、積層膜の内の少なくとも一層、好ましくは最下層、をアルミニウム酸化膜２０６又はボロン窒化膜とした半導体装置。 - 特許庁 - To provide an aqueous surface preparation agent for particularly improving the interlayer adhesion between a metallic material and a resin coating layer such as a film and a coating film, and for improving the corrosion resistance and solvent resistance of a metallic material or the like.
特に金属材料とフィルムや塗膜などの樹脂被覆層との層間密着性を向上させ、さらに金属材料などの耐食性や耐溶剤性を向上させるための水性下地処理剤を提供すること。 - 特許庁 - The surface of the substrate 1 in the terminal region 52 and the surface of the substrate 1 in the element region 51 are formed in a planar form together, and the upper surface of the second interlayer dielectric 11 is formed flush with the substrate 1.
終端領域５２の基板１の表面、及び素子領域５１の基板１の表面は、平面状に揃って形成されており、且つ第２層間絶縁膜１１の上面が基板１に対して平坦に形成されている。 - 特許庁 - In a semiconductor device, electrodes 17a and 17b formed on an interlayer insulating film 14 integrally constitute a lower electrode 20 of a memory capacitor, in such a state that the electrodes 17a and 17b are electrically connected to each other through sidewalls 19 formed on the peripheries of the electrodes 17a and 17b.
層間絶縁膜１４上に形成された電極１７ａ及び１７ｂは周縁に形成されたサイドウォール１９によってそれぞれが電気的に接続され、一体となってメモリキャパシタの下部電極２０を構成する。 - 特許庁 - Above a heater 3 comprising a polysilicon resistance connected electrically with heater electrodes 4, a nano-granular thin-film resistance 1 made of Al_2O_3 and Co is provided via an interlayer film made of BPSG (Boron-doped Phospho-Silicate Glass) 7 and TEOS (tetra ethyl ortho silicate) 8.
ヒータ電極４が電気的に接続されたポリシリコン抵抗からなるヒータ３上にＢＰＳＧ７及びＴＥＯＳ８からなる層間膜を介してＡｌ_２Ｏ_３とＣｏからなるナノグラニュラー薄膜抵抗１を設ける。 - 特許庁 - To prevent an interlayer separation and the deformation of a concave portion, to prevent a bonding defect, etc. at the mounting of an electronic component, such as an LSI, and to prevent the deformation of a conductor section of a via conductor, etc. filled in a wiring pattern and through-holes.
層間剥離および凹部の変形を防止し、ＬＳＩ等の電子部品を搭載する際にボンディング不良等を防止し、また配線パターンやスルーホールに充填したビア導体等の導体部の変形を防止すること。 - 特許庁 - In this manufacturing method, first, interlayer insulating films 15 of place where are to be cut or contact is to be performed are removed (Figure 1 (a)-2, Figure 1 (b)-2) by irradiating laser irradiation places for cutting with a ultraviolet laser beam whose wavelength is 355 nm from the surface side of a TFT (thin film transistor) array substrate.
まず波長が３５５ｎｍである紫外光レーザを、ＴＦＴアレイ基板の表面側から照射することにより、カットおよびコンタクトさせる箇所の層間絶縁膜１５を除去する（図１(a)-2 、図１(b)-2 ）。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified negative resist composition that has a good sensitivity to i-line and that is capable of forming a surface protective film, an interlayer insulating film and a flattening film excellent in various characteristics such as resolution, electric insulating property and thermal shock property.
i線に対する感度が良好であり、且つ解像性、電気絶縁性、熱衝撃性等の諸特性に優れた表面保護膜、層間絶縁膜、平坦化膜を形成しうる化学増幅型ネガ型レジスト組成物の提供。 - 特許庁 - To provide a printed circuit board capable of reducing time required for processing a via hole, efficiently executing a plating process to the inside of the via hole, and thereby achieving interlayer conduction with high reliability; and to provide a method of manufacturing the same.
ビアホール加工の所要時間を短縮でき、ビアホールの内部に対するメッキ工程を効率的に行うことができるので、層間導通を信頼性よく実現できる印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In response to a fact that recording on a certain recording layer reaches a maximum recording range or that data recording advances from a certain recording layer to a next recording layer, interlayer folding back position information is recorded in the recording medium.
そして或る記録層での記録が最大記録範囲に達した場合、又は或る記録層から次の記録層へとデータ記録の移行が行われたことに応じて、記録媒体に層間折り返し位置情報が記録される。 - 特許庁 - A pair of magnetic tunnel junction structures composed of lower magnetic layers 9 and 9, barrier films 10 and 10, upper magnetic layers 11 and 11, and dummy films 16 and 16 are formed respectively on the antiferromagnetic films 8, while being insulated and separated with an interlayer insulation film 12.
各反強磁性膜８上に、下磁性層９，９、バリア膜１０，１０、上磁性層１１，１１及びダミー膜１６，１６からなる一対の磁気トンネル接合構造を、層間絶縁膜１２でそれぞれ絶縁分離して形成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
