「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 92 93 94 95 96 97 98 99 100 .... 128 129 次へ＞- An angle θ2 of inclination which a side face 17c forms with a flat face of a third interlayer insulating film 43 is 17°, and an angle δ2 of deposition which an inorganic material deposited forms with the side face 17c is 62° (45°+17°).
側面１７ｃが第３層間絶縁膜４３の平坦な面となす傾斜角θ２の角度は１７度であり、側面１７ｃに対して無機材料が蒸着される蒸着角度δ２は、６２度（４５度＋１７度）である。 - 特許庁 - Apertures in a reverse circular truncated cone shape substantially of the same size are formed in the respective interlayer oxide films 5d, 5e so that a contact hole 51 having a shape of two vertically continuous reverse circular truncated cones as a whole is formed.
この層間酸化膜５ｄ，５ｅそれぞれには、略同じ大きさの逆円錐台状の開口が形成され、全体として２つの逆円錐台が上下に連続するような形状のコンタクトホール５１を形作っている。 - 特許庁 - Semiconductor chips (105, 115, 205, 216, 303 and 313) respectively loaded on the substrates (101, 111, 201, 211, 301 and 311) of plural stages are connected in interlayer by using a connection means for connecting them within the size of the substrate.
複数段の基板（１０１、１１１、２０１、２１１、３０１、３１１）上にそれぞれ搭載された半導体チップ（１０５、１１５、２０５、２１６、３０３、３１３）を基板の大きさ内で接続する接続手段を用いて層間接続する。 - 特許庁 - To provide a polishing agent in which even if a polishing surface contains an interlayer dielectric of a low dielectric constant, the polishing surface having a high flatness is obtained, and further polishing scratches after polished can be suppressed; and a chemimechanical polishing method using the same.
被研磨面に低誘電率の層間絶縁膜が含まれていても平坦性が高い被研磨面が得られ、さらに研磨後の研磨キズを抑制できる研磨液、及びそれを用いて化学機械研磨する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electronic part packaging structure including electronic parts embedded in an interlayer dielectric on a wiring board therein, which eliminates bumps due to thickness of the electronic parts to flatten it.
電子部品が配線基板上の層間絶縁膜に埋設された構造を有する電子部品実装構造の製造方法において、電子部品の厚みに起因する段差を容易に解消して平坦化できる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a water-based dispersing substance for chemical machinery polishing which has a high polishing speed and high flattening characteristics for a wiring material, a barrier metal film, and an interlayer insulating film, and a chemical machinery polishing method using the same.
配線材料、バリアメタル膜および層間絶縁膜に対する高研磨速度と高平坦化特性を同時に備えた化学機械研磨用水系分散体、およびこれを用いた化学機械研磨方法を提供することにある。 - 特許庁 - Owing to the silicides 32a, 32b formed at the connecting portions of the contact plugs 5a, 5b, etching is barely effected onto the resistor 31 in forming contact holes, by etching, for the contact plugs 5a, 5b in a first interlayer insulating film 4a.
また、コンタクトプラグ５ａ，５ｂの接続部にシリサイド３２ａ，３２ｂが形成されているので、コンタクトプラグ５ａ，５ｂのためのコンタクトホールをエッチングにて第１層間絶縁膜４ａに形成する際に、抵抗３１へのエッチングが生じにくい。 - 特許庁 - A method is characterized by that a maximum height Ry of a convexoconcave of a surface of a substrate 20 on which the carbon coating 22 is formed is T or less at a standard length of 100 times of T, when a thickness of an interlayer 21 is defined as T.
中間層２１の厚さをＴとしたとき、炭素被膜２２が形成される基体２０表面の凹凸の最大高さＲｙが、Ｔの１００倍の基準長さにおいてＴ以下であることを特徴としている。 - 特許庁 - To provide a resin composition which can furnish a cured product with excellent flexibility, soldering heat resistance, heat deterioration resistance and electroless gold deposition resistance, can be developed by an organic solvent or a dilute alkaline solution, and is suitable for a solder resist and an interlayer dielectric layer.
硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To solve the following problem: when an opening is formed at an interlayer insulating film for a light-receiving section of a photodetector, fluctuation in characteristics of circuit elements around the light-receiving section or deterioration in wiring occurs due to humidity absorption or the invasion of light through the wall surface of the opening.
光検出器の受光部に対応して層間絶縁膜に開口部を設けると、開口部壁面からの吸湿や光の侵入により、受光部の周囲の回路素子の特性変動や配線劣化を生じる。 - 特許庁 - Then an interlayer insulating film is formed by using an organic insulator.
ソース線とＴＦＴを電気的に接続する配線およびＴＦＴと画素電極とを電気的に接続する配線と同一の面上に遮光膜を形成し、該遮光膜上に絶縁膜を形成した後、有機絶縁膜を用いて層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - When the thickness of the reflection preventing film 5 in a via hole provided in an interlayer insulating film 11 is shown by (y) and a distance from the bottom of a wiring groove to the upper surface of a lower layer wiring layer 1 (the upper surface of the lower layer wiring) is shown by (x), the relation of x>y is specified.
層間絶縁膜１１に設けたビアホール内の反射防止膜５の膜厚をｙ、配線溝底部から下層配線層１上面（下層配線上面）までの距離をｘとしたときに、ｘ＞ｙとする。 - 特許庁 - To provide a negative photosensitive resin composition to be used for a printed wiring board or the like, the composition having preferable developing property to a tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution and having thermal shock resistance required as an interlayer insulating resin.
プリント配線板等に用いられるネガ型感光性樹脂組成物において、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する良好な現像性を有し、かつ層間絶縁樹脂として要求される耐熱衝撃性を有すること。 - 特許庁 - Also, if a BD is a multilayer optical disk, the spherical aberration also increases when an interlayer jump is made from one of a plurality of information recording layers to another layer, and therefore, in response to this, the collimating lens CL is moved in the optical axis direction.
又、ＢＤが多層光ディスクの場合、複数の情報記録面の１層から他層へ層間ジャンプを行う際にも球面収差が増大するので、それに応じて、コリメートレンズＣＬを光軸方向へ移動させている。 - 特許庁 - The method for manufacturing the electronic part includes steps of: providing a plurality of wiring patterns and an insulating layer interposed between these wiring patterns; and electrically connecting between the wiring patterns by an interlayer connector passing through the insulating layer.
複数の配線パターンと、これら配線パターンの間に介在する絶縁層とを備えるとともに、前記絶縁層を貫通する層間接続部にて前記配線パターン間の電気的接続を行う電子部品の製造方法である。 - 特許庁 - A resist film to from a contact hole in a gate insulating layer and an interlayer insulating film is exposed not only through the front side of an insulating substrate 10 but through both of the front side and the rear side.
従来のように、ゲート絶縁層及び層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するためのレジスト膜に対して、絶縁基板１０の表面側のみから露光するのでなく、表面側と裏面側とから露光処理を行う。 - 特許庁 - To provide a vibration control bearing wall panel having sufficiently high deforming performance in response to interlayer deformation and no problem that bending occurs in the vertical frame member of the panel, and achieving the smaller cross sections of braces by suppressing axial force on the braces.
層間変形に対して十分に高い変形性能が得られ、パネルの縦枠材に曲げが生じる問題がなく、かつブレースにかかる軸力を抑えてブレースの断面を小さくできる制振耐力壁パネルを提供する。 - 特許庁 - To enhance mechanical strength by not forming an oxide at the joint of the bump on a wiring circuit board having the bump as an interlayer connection means and a metal layer being connected therewith thereby reducing the electric resistance at that joint.
バンプを層間接続手段とする配線回路基板のバンプとそれに接続される金属層との接合部に酸化物が介在しないようにし、その接合部における電気的抵抗を小さくし、機械的強度を強くする。 - 特許庁 - Since resin of the same series is employed in resin layers 328a and 328b composing the surface layer of a photosolder resist layer 328, interlayer adhesion is stable between the resin layers 328a and 328b.
さらに、フォトソルダーレジスト層３２８の表層を構成する樹脂層３２８ａと樹脂層３２８ｂには同じ系列の樹脂が用いられているため、樹脂層３２８ａと樹脂層３２８ｂとの間の層間密着性は安定している。 - 特許庁 - To improve reliability in the interlayer insulation and insulation to the ground of an electromagnetic coil that is composed of a strand conductor to energize an AC and is used under environment exposed by radiation, and to provide a method for reducing the manufacturing cost.
交流を通電するためにストランド導体で構成され、放射線に曝される環境で用いられる電磁コイルの、層間絶縁と対地絶縁の信頼性を向上し、製造コストを低減する方法を提供すること。 - 特許庁 - A semiconductor substrate SB having an interlayer insulating film 3 formed thereon is accommodated in a chamber, and a large quantity of a nitrogen gas is introduced into the chamber to purge air or the like in the chamber and to replace an atmospheric gas in the chamber with a nitrogen gas.
層間絶縁膜３を形成した状態の半導体基板ＳＢをチャンバー内に収容し、大量の窒素ガスをチャンバー内に導入してチャンバー内の空気等をパージし、チャンバー内の雰囲気ガスを窒素ガスに置換する。 - 特許庁 - Furthermore, an EQR contact 10a where at least the sidewall is covered with the interlayer insulating film 7 is formed in contact with the curve part 8b of the EQR electrode and the semiconductor substrate 30 on the outside thereof.
さらに、ＥＱＲ電極の曲線部８ｂとＥＱＲ電極の曲線部８ｂの外側の半導体基板３０とに接し、少なくとも側壁が層間絶縁膜７に覆われたＥＱＲコンタクト１０ａが形成されている。 - 特許庁 - On the polycrystal silicon film 25 corresponding to the gate electrode 22, a stopper 26 is arranged, and a silicon oxide film 27, a silicon nitride film 28 and a silicon oxide film 29 are laminated as an interlayer insulating film so as to cover this stopper 26.
ゲート電極２２に対応する多結晶シリコン膜２５上に、ストッパ２６が配置され、このストッパ２６を被うように、酸化シリコン膜２７、窒化シリコン膜２８及び酸化シリコン膜２９が層間絶縁膜として積層される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a higher degree of wiring integration and capable of ensuring reliability even if a film having a low mechanical strength such as a low permittivity film is used as an interlayer insulating film, and to provide a manufacturing method thereof.
層間絶縁膜として低誘電率膜のように機械的強度が低い膜を用いた場合であっても配線の集積度が高く且つ信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since there is an interlayer film 44 provided between the aluminum wiring 48 and the field oxide film 38, an inversion is hardly caused in the surface of the semiconductor substrate 36 located under the field oxide film 38 by the voltage of the aluminum wiring 48.
また、アルミ配線４８とフィールド酸化膜３８との間には層間膜４４があるので、アルミ配線４８の電圧によってフィールド酸化膜３８の下にある半導体基板３６の表面が反転することもほとんどない。 - 特許庁 - To provide a multi-layer film including a resin composition layer having an alicyclic structure-containing polymer which has high interlayer adhesive property, and a polypropylene resin composition layer having transparency and capable of being used as a film for a package body.
層間接着強度及び透明性が高く、包装体用フィルムとして用いることのできる、脂環式構造含有重合体を含有してなる樹脂組成物層と、ポリプロピレン樹脂組成物層との多層フィルムを提供すること。 - 特許庁 - Then, the interlayer insulting film 11 in a region where the both end parts of the pair of repairing wirings 2 is destroyed, and the one end part of the pair of repairing wirings 2 and the bypass wiring 20a are welded and the other end part and the drain wiring 5 are welded.
次に、１対のリペア配線２の両端部が配置されている領域の層間絶縁膜１１が破壊され、１対のリペア配線２の一方の端部とバイパス配線２０ａとを、他方の端部とドレイン配線５とを溶接する。 - 特許庁 - To mutually connect wiring, electrodes, devices, etc., which form a layered structure on a substrate and which are separated from each other by interlayer insulation in a way no ruggedness is created on the upper layer of the layered structure above connecting spots and around its circumference.
基板上で積層構造をなし且つ相互に層間絶縁される配線、電極、素子等間を、接続個所及びその周辺における当該積層構造の上層に凹凸が殆ど生じないように相互に接続する。 - 特許庁 - The interlayer connection bonding sheet (100a) for multilayer substrate is configured so that adhesive layers (20a) consisting of a mixture of an alkenylphenol compound and maleimides are laminated at least on one surface of an insulated substrate (10) made of a resin composite.
樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）の少なくとも片面にアルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物からなる接着層（２０ａ）が積層されている、多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ａ）。 - 特許庁 - In a manufacturing process of a semiconductor device having a multilayered wiring structure by the dual damascene method, an opening 260A is formed by removing a second interlayer insulating film 260 with an essential first hard mask layer 270 as a mask.
デュアルダマシン法を利用した多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、実質的には第一のハードマスク膜２７０をマスクとして、第二の層間絶縁膜２６０を除去し、開口部２６０Ａを形成する。 - 特許庁 - This light transmitting window material 1 having electromagnetic wave shielding property is constituted by integrating a transparent substrate 2, an antireflection film 8, an electrically conductive mesh 3 and a near infrared light cutting film 5 with interlayer films 4A, 4B for adhesion and an adhesive agent 4C.
１枚の透明基板２と、反射防止フィルム８と、導電性メッシュ３と、近赤外線カットフィルム５を接着用中間膜４Ａ，４Ｂ及び粘着剤４Ｃで一体化した電磁波シールド性光透過窓材１。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a multilayer-coated metallic sheet, in which uncured multilayer coating films can be prevented from being mixed with one another and the interlayer movement of a reactive substance such as a monomer of a resin can also be prevented when uncured multilayer coating films are dried simultaneously.
未硬化の多層皮膜を同時に乾燥させる際に，混層を防止することに加えて，樹脂モノマーなどの反応物質の層間移動をも防止することが可能な多層被覆金属板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a single crystal substrate which can improve the surface state of an interlayer 3a and which can be preferably used in the film formation of a nitride semiconductor single crystal 2, and the method of manufacturing the nitride semiconductor single crystal 2 using the same.
中間層３ａの表面状態を改善させ、窒化物半導体単結晶２の成膜に好ましく用いることの出来る単結晶基板と、それを用いた窒化物半導体単結晶２の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A common electrode 23t, a pixel electrode 24t, laminated on the common electrode 23t with an interlayer insulating layer 33 interposed in between, and a TFT element 22t, are formed on a transmissive display section 4t on the glass substrate 21.
ガラス基板２１上のうち透過表示部４ｔには、共通電極２３ｔと、共通電極２３ｔ上に層間絶縁層３３を挟んで積層された画素電極２４ｔと、ＴＦＴ素子２２ｔとが形成されている。 - 特許庁 - A first wiring film 10 is formed on a glass substrate, an interlayer insulating film 20 is formed on the first wiring layer film 10, and a second wiring film 30 composed of a gate wire 32 and an attached capacitive wire 34 is formed thereon.
ガラス基板上に第１配線膜１０が形成され、第１配線膜１０の上に層間絶縁膜２０が形成され、その上に第２配線膜３０としてのゲート線３２及び付加容量線３４が形成されている。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 14 is formed on a semiconductor substrate 10 to cover a field-effect transistor, and a contact plug 15 is formed in the insulating film 14 so that the plug 15 may be connected to the drain region 12.
半導体基板１０上には電界効果型トランジスタを覆うように層間絶縁膜１４が形成されており、該層間絶縁膜１４にはドレイン領域１２と接続されるようにコンタクトプラグ１５が形成されている。 - 特許庁 - Such gradual cutting allows even tensile stress to exert on portions along respective lines 5a to 5d, as a result an interlayer insulating film on the lines 5a to 5d is accurately cut together with the substrate 4.
このような段階的な切断は、各切断予定ライン５ａ〜５ｄに沿った部分に均等な引張応力を作用させ、その結果、基板４と共に切断予定ライン５ａ〜５ｄ上の層間絶縁膜が精度良く切断されることになる。 - 特許庁 - The structure minimizes variations caused in the manufacturing processes of the circuit board, dimension changes of the insulation base material or the insulation base material for the interlayer connection, and the like and improves the positioning accuracy of the lamination of the circuit board having the multilayer structure.
これにより、回路基板の製造過程でのバラツキや、絶縁基材あるいは層間接続用絶縁基材の寸法変化等を最小にし、多層構造の回路基板の位置決め積層精度を向上させることができる。 - 特許庁 - To provide an aqueous dispersion composition that can form a primer layer that has excellent interlayer adhesion to the topcoat layer including fluorine plastic resin and can improve the hardness and the abrasion resistance as a whole, and provide a coating film structure by using the same.
フッ素樹脂を含むトップコート層との層間密着性に優れ、塗膜全体としての硬度と耐磨耗性を向上させることができるプライマー層を形成し得る水性分散組成物とそれを用いた塗膜構造を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, lead-out electrodes T13 and T15 are led out, as the capacitor element C1, by an overlying metallization metal 16 through next interlayer insulation film 122 via each VIA of W plug, for example.
さらに、次の層間絶縁膜１２２を介し、上層の配線層メタル１６により、容量素子Ｃ１としての引き出し電極Ｔ13、Ｔ15がそれぞれ、例えばＷプラグによる各ビアＶＩＡを介して導出され構成されている。 - 特許庁 - An etching stopper layer for a contact hole bored in an interlayer insulating film is formed of a laminated film 16 composed of a silicon nitride film 16a deposited through a thermal CVD method, and a silicon nitride film 16b deposited through a plasma CVD method.
層間絶縁膜に形成されるコンタクトホールのエッチングストッパ層を、熱ＣＶＤ法で堆積されるシリコン窒化膜１６ａとプラズマＣＶＤ法で堆積されるシリコン窒化膜１６ｂとからなる積層膜１６で構成する。 - 特許庁 - Next, a contact hole 109a is formed on the interlayer insulation film to expose two regions composed of silicon 106, 107, polysilicon 104A, 104B, or metal silicide 108A, 108B in the semiconductor device (second process).
次いで、半導体装置内のシリコン１０６、１０７、ポリシリコン１０４Ａ、１０４Ｂ、又は金属シリサイド１０８Ａ，１０８Ｂからなる２つの領域が露出するように層間絶縁膜にコンタクトホール１０９ａを形成する（第２工程）。 - 特許庁 - A plurality of radiation shielding films 21a to 23a are formed in two or more interlayer portions of the dielectric layers 130c to 130f, the radiation shielding films being integrally formed with respective penetrating conductors 20 and having spaces therebetween.
複数の貫通導体２０それぞれと一体に形成されると共に互いに離間された複数の放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａが、誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆにおける二以上の層間部分に設けられている。 - 特許庁 - A wiring groove 114 and a hole 115 are formed after a conductive film pattern 112 made of TaN or the like and having an opening corresponding to a connecting plug is formed between interlayer insulating films 111 and 113 made of SiOC or the like.
ＴａＮなどからなり、接続プラグに対応する開口を有する導電性膜パターン１１２をＳｉＯＣなどからなる層間絶縁膜１１１と１１３との間に設けた後、配線溝１１４、ホール１１５を形成する。 - 特許庁 - To provide a display unit wherein an interlayer disposed between a light emitting layer and diffraction elements has a film thickness allowing to be uniformly and evenly manufactured while light extraction efficiency is high and luminance unevenness can be reduced.
発光層と回折素子の間に位置する中間層が、均一で平坦に作製することが可能な膜厚を有する一方、光の取り出し効率が高く、輝度ムラの低減化を図ることが可能となる表示装置を提供する。 - 特許庁 - An interface layer which has both functions of an adhesive layer and a high resistance layer (thermal resistance layer) and comprises extremely thin insulator or a semiconductor is inserted between a chalcogenide material layer and an interlayer insulating film, and between the chalcogenide material layer and a plug.
接着層と高抵抗層（熱抵抗層）の機能を兼ね備えた、極薄の絶縁体または半導体からなる界面層をカルコゲナイド材料層／層間絶縁膜間、及びカルコゲナイド材料層／プラグ間に挿入する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the semiconductor device, a first Ti film, a TiN film, a second Ti film, a first Al film and a second Al film are formed in a contact hole provided in a second interlayer dielectric film on a Cu wiring in this order.
半導体装置の製造方法では、Ｃｕ配線上の第２層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のＴｉ膜、ＴｉＮ膜、第２のＴｉ膜、第1のＡｌ膜、及び第２のＡｌ膜をこの順に形成する。 - 特許庁 - To provide an interlayer for laminated glass which, when used for constituting laminated glass enhances the impenetrability and the sound insulation of the laminated glass obtained and reduces the lowering of the impenetrability over time.
合わせガラスを構成するのに用いられた場合に、得られた合わせガラスの耐貫通性及び遮音性を高めることができ、かつ経時による耐貫通性の低下を抑えることができる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a cleaning composition for sufficiently removing plasma etching residue on a semiconductor substrate without damaging a wiring structure and interlayer insulation structure, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the cleaning composition.
配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for forming an insulating film, by which a film suitable for use as an interlayer dielectric in a semiconductor element device or the like and excellent in characteristics, such as a dielectric constant, can be efficiently manufactured.
本発明は半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、誘電率などの特性に優れた膜を効率よく製造することができる絶縁膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
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