「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 98 99 100 101 102 103 104 105 106 .... 128 129 次へ＞- After a gate insulation film 12a is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, a gate electrode layer 14a and an interlayer insulation film 16a are formed by deposition of a polysilicon layer, an oxidation of the surface, etching in a shoulder part of an oxide film and patterning of a gate.
半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、表面酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display with a high aperture ratio, having proper display characteristics at a high yield, by being formed on TFT and wiring and suppressing the film decrease of an interlayer insulating film comprising a transparent resin used for surface planarity.
ＴＦＴおよび配線上に形成され、表面平坦化のために用いられる透明樹脂からなる層間絶縁膜の膜減りを抑制して、良好な表示特性を有する高開口率の液晶表示装置を高歩留りで得る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device wherein a capacity among wiring portions is reduced and the dispersion of wiring metal to a low dielectric-constant film is prevented in a wiring structure having a combination of copper wiring and a low dielectric-constant interlayer insulating film, and to provide its manufacturing method.
銅配線と低誘電率層間絶縁膜とを組み合わせた配線構造において、配線間容量を低減すると共に、配線金属の低誘電率膜への拡散を防止する半導体装置及びその製造方法を提供。 - 特許庁 - Crystals contained in the barrier metal film 26 are grown large in grain diameter to prevent the barrier metal film 26 from being formed at the constricted part of the first interlayer insulating film 17, the residues are prevented from occurring after dry etching, and the array substrate can be prevented from the reduction in yield due to a short circuit caused by the residues.
バリアメタル膜26の結晶粒径を大きくして第１層間絶縁膜17の括れ部分にバリアメタル膜26を形成することを防止し、ドライエッチング後の残渣の発生を防止して、残渣によるショートなどでの歩留まりの低下を防止できる。 - 特許庁 - The invention relates to the sound absorbing felt which is monolayer felt, having an air flow resistance value of 50 to 300N x sec/m^3 on one side surface, an air flow resistance value of 500 to 4000N x sec/m^3 on the other side surface, having a continuously varying interlayer air flow resistance value.
単層フェルトであって、片側表層の空気流れ抵抗値が５０〜３００Ｎ・sec／ｍ^3であり、反対側表層の空気流れ抵抗値が５００〜４０００Ｎ・sec／ｍ^3であり、層間の空気流れ抵抗値が連続的に変化している吸音フェルト。 - 特許庁 - Then, at the crossing parts of the gate lines 1 and the screen end common lines 5a, a two-layer structured interlayer insulating film consisting of a gate insulating film 10 and a protective insulating film 11 is formed between the gate lines 1 and the screen end common lines 5a.
そして、ゲート線１と画面端共通線５ａとの交差部において、ゲート線１と画面端共通線５ａとの間に、ゲート絶縁膜１０と保護絶縁膜１１とからなる２層構造の層間絶縁膜が形成されている。 - 特許庁 - To provide means capable of preventing deterioration of a light emitting element caused by difference between temperature characteristics of an interlayer insulation film and a positive electrode, in a light emitting device having a light emitting element including a positive electrode, an organic compound layer and a negative electrode.
陽極、有機化合物層及び陰極からなる発光素子を有する発光装置において、層間絶縁膜と陽極との温度特性の違いにより生じる発光素子の劣化を防ぐ手段を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a coating material composition having good mixing stability and sufficient pot life, ensuring excellent finishing property, excellent in interlayer adhesion, and capable of preventing blister and crack and forming a coating film excellent in stain resistance.
混合安定性が良好で、十分な可使時間を有し、優れた仕上り性を確保できるとともに、層間密着性に優れ、塗膜の剥離、ふくれ及び割れを防止することができ、さらには、耐汚染性に優れた塗膜を形成できる塗料を得る。 - 特許庁 - After a gate part 2, an insulation film 3 on the gate, source and drain 4 and 5, an interlayer insulation film 6, and a plug 8 are formed on the Si substrate 1, a sacrificial insulation film is deposited on the entire surface and trenches for burying the capacitor electrodes 12_1 and 12_2 are made therein.
その製法は、Ｓｉ基板１上にゲート部２、ゲート上絶縁膜３、ソース・ドレイン４，５、層間絶縁膜６、プラグ８を形成後、全面に犠牲絶縁膜を堆積し、これにキャパシタ電極１２_１，１２_２を埋め込む溝を形成する。 - 特許庁 - To provide: a magnetoresistive film in which the influence of roughness of an anti-ferromagnetic layer is reduced, an interlayer coupling magnetic field Hin is small, and variations in characteristics are small; a magnetic head; a magnetic disc device; a magnetic memory device; and a method for manufacturing the magnetoresistive film.
反強磁性層のラフネスの影響を低減し、層間結合磁界Ｈｉｎの小さく、特性のバラツキの少ない磁気抵抗効果膜、磁気ヘッド、磁気ディスク装置、磁気メモリ装置、及び磁気抵抗効果膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The method for detecting the moisture content in the soil comprises thrusting a soil water sensor, more preferably a soil water sensor detecting the average value of the moisture content of the soil contacting a rod-like sensing part in the nearly horizontal direction in the interlayer part of pot culture soil and detecting the moisture content in the soil.
土壌水センサ、より好ましくは棒状センシング部分に接触する土壌の水分量平均値を検出する土壌水センサを鉢培養土の中層部に略水平方向に穿刺して、土壌水分量を検出する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition having a sufficient process margin and good storage stability and giving a cured product having heat and solvent resistances, transparency and adhesion to a substrate required as an interlayer insulation film or a microlens.
十分なプロセスマージンと良好な保存安定性を有し、かつ、層間絶縁膜、マイクロレンズとして必要な耐熱性、耐溶剤性、透明性、下地との密着性を備えた硬化物を与えうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display with a high aperture ratio, having proper display characteristics at a high yield, by being formed on TFT and wiring and suppressing the film reduction of an interlayer insulating film comprising a transparent resin used for surface planarization.
ＴＦＴおよび配線上に形成され、表面平坦化のために用いられる透明樹脂からなる層間絶縁膜の膜減りを抑制して、良好な表示特性を有する高開口率の液晶表示装置を高歩留りで得る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a high reliability that can improve a step coverage property of an upper conductive layer (metal wiring) by performing an etchback or an Ar sputter etch on the entire surface of the interlayer insulating film again after a W plug is formed in a contact hole.
コンタクトホールへのＷプラグ形成後に、再度、層間絶縁膜全面エッチバック又は、Ａｒスパッタエッチを施すことにより、上層導電層（メタル配線）の段差被覆性の向上を図り得る、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a multilayer wiring board in which through holes enabling a component to be mounted with a pin while communication reliability is secured through simple stages can be formed when the multilayer wiring board where interlayer connections are made through inter-statial via holes (IVH) is manufactured.
ＩＶＨにより層間接続をなす多層配線板を製造するにあたり、簡便な工程により導通信頼性を確保しつつ部品のピン実装が可能なスルーホールを形成することができる多層配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming an alignment key of a semiconductor device, which can easily perform overlay measurement using the alignment key by forming the alignment key having a required step even after depositing a capping film on an interlayer dielectric and flattening the deposited film.
層間絶縁膜上にキャッピング膜を蒸着して平坦化後にも所望の段差を有するアライメントキーを形成することで、アライメントキーを用いたオーバーレイの測定を容易に行える半導体素子のアライメントキー形成方法を提供する。 - 特許庁 - The via holes 19 are formed to surround an organic interlayer insulating film 13c formed in the area corresponding to the exposed portion of the wiring layer 14d between the wiring layers 14d and 18.
配線層１４ｄ，１８間を接続するビア１９は、これらの配線層１４ｄ，１８間の領域であって配線層１４ｄの表面露出部分に対応した領域にある有機系層間絶縁膜１３ｃを囲うように形成する。 - 特許庁 - To provide an interlayer for a laminated glass which has high heat shieldability and visible-light transmittance, and can maintain high visible-light transmittance over a long period because having excellent weather resistance; and to provide a laminated glass using the same.
遮熱性及び可視光線透過率が高く、更に耐候性に優れているので高い可視光線透過率を長期間に渡り維持できる合わせガラス用中間膜、並びに該合わせガラス用中間膜を用いた合わせガラスを提供する。 - 特許庁 - To enable simulations to be improved in accuracy taking the fact that a part of an interlayer insulating film near a viahole is deteriorated in a resist separating process and becomes larger in permittivity than the other part into consideration in a logic cell library generating process.
ビアホール近傍の層間絶縁膜がレジスト剥離工程において劣化しその付近の比誘電率が他の部分のそれより大きくなることを、論理セルライブラリ生成過程において考慮に入れるようにしてシミュレーション精度を向上させる。 - 特許庁 - The thin film transistor array comprises a substrate, a gate electrode, gate wiring, a gate insulating film, a source electrode, source wiring, a drain electrode, a pixel electrode, a semiconductor, an interlayer dielectric having an opening, a capacitor electrode, capacitor wiring, and an upper pixel electrode.
薄膜トランジスタアレイは、基板、ゲート電極、ゲート配線、ゲート絶縁膜、ソース電極、ソース配線、ドレイン電極、画素電極、半導体、開口部を有する層間絶縁膜、キャパシタ電極、キャパシタ配線及び上部画素電極を備えている。 - 特許庁 - To provide a laminated structure of calcined alumina substrates and unfired green sheets, adapted to obviate the occurrence of delamination (interlayer exfoliation) between the calcined alumina substrate and a stacked ceramic green sheet, even when stacking materials having different thermal expansion coefficients.
焼成されたアルミナ基板と未焼成のグリーンシートの積層体において、熱膨張係数の異なる材料同士を集積させても、焼成済みアルミナ基板と積層したセラミックグリーンシートの間のデラミネーション(層間剥がれ)の発生を防止する。 - 特許庁 - To increase the number of signal pins without changing the shape of a substrate or a device in the multilayer substrate and the semiconductor device which comprise a ground layer, a power supply layer, a signal layer, and vias for interlayer connection of these layers.
本発明はグランド層，電源層，及び信号層と、これら各層を層間接続するビアが設けられた多層基板及び半導体装置に関し、基板或いは装置の形状を変えることなく信号ピン数の増大を図ることを課題とする。 - 特許庁 - On the substrate, a first interlayer insulating layer is formed having an opening which exposes the two adjoining second conductive type drain regions and the device separation structure between the two adjoining second conductive type drain regions.
基板の上に、開口を有する第１の層間絶縁層が形成され、その開口は、２つの隣接する第２の導電型のドレイン領域と、２つの隣接する第２の導電型のドレイン領域の間のデバイス分離構造とを露出させる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a frequency selecting plate-laminated fiber-reinforced plastic panel effectively prevented from interlayer delamination without forming an air trap between a frequency selecting plate and a core material by a vacuum resin transfer molding method.
バキューム樹脂トランスファー成形法により、周波数選択板とコア材との間にエアートラップを発生させることなく層間剥離を有効に防止して、周波数選択板を積層させた繊維強化プラスチックパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - One wiring width of upper and lower wiring paths formed facing each other sandwiching an interlayer insulating film is large, and another wiring width is small; and the wiring widths of mutually adjacent wiring paths are formed to be large and small in alternating fashion on the same wiring layer.
層間絶縁膜を挟んで互いに対向して形成された上下の配線路の一方の配線幅を大、他方の配線幅を小とし、且つ、同一の配線層において互いに隣接する配線路の配線幅を大小交互に形成する。 - 特許庁 - To provide a resin composition which has excellent photosensitivity, gives cured products having excellent flexibility, solder resistance, thermal deterioration resistance, and electroless gold plating resistance, can be developed with an organic solvent or a diluted alkali solution, and is especially suitable for solder resists and interlayer insulated layers.
感光性に優れ、硬化物は可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に特に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To realize a reliable semiconductor device which secures high capacitor characteristics by suppressing sufficiently H_2 attack without spoiling the function of the interlayer insulating film which covers wiring and the like, in the semiconductor device which has ferroelectric capacitor structure.
強誘電体キャパシタ構造を有する半導体装置において、配線等を覆う層間絶縁膜の機能を損なうことなく、Ｈ_2アタックを十分に抑制して高いキャパシタ特性を確保して、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁 - To obtain a resin composition having excellent photosensitivity, providing a cured product excellent in flexibility, solder heat resistance, heat deterioration resistance and electroless gold plating resistance, allowing developing with an organic solvent or a dilute alkaline solution and suitable for a solder resist and an interlayer insulation layer.
感光性に優れ、硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a porous film forming material which can form a coating film having a proper uniform thickness as an interlayer dielectric in a semiconductor element, etc. which has excellent heat resistance, which hardly brings about a crack, and which further has excellent permittivity characteristics.
半導体素子などにおける層間絶縁膜として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、更に誘電率特性に優れた多孔質膜形成用材料を提供する。 - 特許庁 - On the substrate of a multilayer printed wiring board, a lattice- shaped conductor layer having a roughening layer 5 formed on its flank is formed to suppress cracking due to the difference in coefficients of thermal expansion between the conductor layer and interlayer resin insulating layer at their border.
多層プリント配線板の基板上に、その側面に粗化層５が形成された格子状の導体層を形成することにより、導体層と層間樹脂絶縁層の境界で両者の熱膨張率差に起因して発生するクラックを抑制する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the laminated glass is carried out by inserting the interlayer film for the laminated glass comprising a thermoplastic resin sheet between the glass plates, heating under reduced pressure to seal the end part of the laminated glass and heating again without reducing the pressure.
熱可塑性樹脂シートからなる合わせガラス用中間膜をガラス板の間にはさみ減圧下で加熱を行い、合わせガラス端部がシールされた合わせガラスとした後、該合わせガラスを減圧を行わずに再加熱する合わせガラスの製造方法。 - 特許庁 - To obtain a liquid crystal display panel having a structure in which an interlayer insulating film above a common electrode is selectively patterned to form a through hole without damaging an ITO film to be formed into the common electrode, and the common electrode and a common lead electrode are directly connected.
コモン電極となるＩＴＯ膜を損傷することなく、コモン電極上部の層間絶縁膜を選択的にパターニングしてスルーホールを形成し、コモン電極とコモン引き出し電極とを直接接続した構造を備えた液晶表示パネル。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, performing interconnect line using copper interconnect line, which can suppress a spread of copper to interlayer insulating film by removing a barrier metal layer in upper layer interconnect line groove when removing the barrier metal layer of a connection hole.
銅配線を用いて配線を行う半導体装置において、接続孔のバリアメタル層の除去の際に、上層配線溝におけるバリアメタル層の除去による層間絶縁膜への銅の拡散を抑えることができる半導体装置を得ること。 - 特許庁 - To provide a technology for surely connecting a plug and wiring in a process for forming a connecting hole reaching an interlayer dielectric film formed on the upper layer of the wiring having Al as a principal component, and forming a plug in the connecting hole.
Ａｌを主成分とする配線の上層に形成された層間絶縁膜に、その配線に達する接続孔を形成し、その接続孔内にプラグを形成する工程において、プラグと配線とを確実に接続できる技術を提供する。 - 特許庁 - A protrusion 16 is provided, which can be interfolded toward interior from its perimeter, when a semiconductor wafer 13 is superimposed on an interlayer paper 14.
層間紙１４に半導体ウェーハ１３を重ねた際にその外周部から内側に向かって折り込める凸部１６を設け、半導体ウェーハ１３を層間紙１４を介して重ねる際に、層間紙の凸部１６を半導体ウェーハ１３の外周部に合わせて折り曲げる。 - 特許庁 - A holding capacitance element is formed by holding a dielectric film for the holding capacitance formed of the bottom part of the recessed part 3a of the interlayer insulating film 3 between the extended part of the thin film semiconductor layer 4 from the drain area of the TFT.
ＴＦＴのドレイン領域を延長させた薄膜半導体層４の部分と保持容量配線２との間に、層間絶縁膜３の凹部３ａの底部からなる保持容量用誘電膜を挟んで、保持容量素子を構成する。 - 特許庁 - A dielectric layer 161 is provided between a conductor circuit 58 on the lower surface of an interlayer resin insulating layer 150 and a conductor circuit 159 on the upper surface thereof wherein the conductor circuits 58 and 159 function as counter electrodes thus constituting a capacitor.
層間樹脂絶縁層１５０の下面の導体回路５８と上面の導体回路１５９との間に誘電体層１６１が設けられ、導体回路５８，１５９が対向電極として機能することでコンデンサが構成されている。 - 特許庁 - Since, the conductor film of a low thermal conductivity has a reduced thermal diffusivity in the laser machining process, the conductor film can effectively absorb the laser energy, and it is possible to efficiently melt and evaporate the conductor film partly to easily form a via hole for interlayer connection.
熱伝導率が小さい導体膜は、レーザ加工時の熱拡散率が低下しておりレーザエネルギを効果的に吸収することができるため、導体膜を効率よく部分的に溶融蒸発させ、層間接続用ビアホールを容易に形成できる。 - 特許庁 - This semiconductor board includes an underlayer wire 13 on a base film 11, and a position detecting channels 15 indicating a reference position of the processing pattern as well as a contact hole 14 is pattern-formed on an interlayer insulation film 12 formed on the upper surface.
この半導体基板は、下地膜１１上に下層配線１３を有し、その上面に形成された層間絶縁膜１２には、コンタクトホール１４とともにその加工パターンの基準位置を示す位置検出溝１５がパターン形成されている。 - 特許庁 - To provide a method of polishing substrate that exhibits both high polishing speed and planarity of a polished surface in polishing of a metal layer 30 of the substrate provided with the metal layer 30 on an interlayer insulating film 10 through a barrier layer 20.
層間絶縁膜１０上にバリア層２０を介して金属層３０が設けられた基板の金属層３０を研磨するに際し、高い研磨速度と被研磨面の平坦性とを両立することが可能な基板の研磨方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition which has high radiation sensitivity and can be baked by heating at a low temperature in a short period of time so that it is suitably used in the formation of an interlayer insulating film of a flexible display.
フレキシブルディスプレイの層間絶縁膜の形成に好適に用いられるような低温かつ短時間での加熱による焼成が可能であると共に、高い放射線感度を有する感放射線性樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁 - To prevent an information reproducing signal or a servo signal from being affected by so-called interlayer crosstalk where disturbance is caused by reflected light from a second layer when recording or reproducing data on a first layer of a two layer disk.
２層ディスクの第１の層を記録または再生している時に、他層である第２の層からの反射光が外乱となるいわゆる層間クロストークが発生して、情報再生信号またはサーボ信号に影響を与えることを防止する。 - 特許庁 - The process of forming the plurality of capacity parts 12 includes a process of forming the common upper electrodes 12A, 13 so that upper surfaces of the first interlayer layers 43, 53 become substantially flush with upper surfaces of the common upper electrodes 12A, 13.
複数の容量部１２を形成する工程は、第１層間層４３、５３の上面と共通上部電極１２Ａ、１３の上面とが略同一平面上になるように共通上部電極１２Ａ、１３を形成する工程を備える。 - 特許庁 - To provide a polishing agent and a polishing method allowing efficient and uniform polishing at high speed without scratch and also allowing easy process management in the CMP technology of smoothening an interlayer dielectric film, BPSG film, and insulation film for shallow trench isolation.
層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を研磨傷なく、効率的、高速、均一にかつ研磨プロセス管理も容易に、行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a polysiloxane-based positive radiation-sensitive composition capable of forming an interlayer dielectric excellent especially in low dielectric property, in addition to heat resistance, transparency and solvent resistance, and having sufficient radiation sensitivity and storage stability.
耐熱性、透明性及び耐溶剤性に加えて、特に低誘電性が優れた層間絶縁膜を形成可能であり、かつ十分な放射線感度及び保存安定性を有するポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a gas barrier film and the gas barrier film by the manufacturing method improving interlayer adhesiveness without depending on oxygen-bonding while preventing amidating or nitriding of a functional group positioned on a surface of a base material.
基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。 - 特許庁 - To provide a positive radiation-sensitive composition which can form an interlayer insulation film having excellent surface hardness and solvent resistance as well as adequate permeability and voltage retention, excels in storage stability and has adequate radiation sensitivity.
表面硬度及び耐溶剤性に優れ、充分な透過率及び電圧保持率も有する層間絶縁膜を形成可能であり、かつ保存安定性に優れ、充分な放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁 - This electric characteristics measuring substrate 1 formed by laminating a plurality of dielectric layers has: coplanar lines 14A-14D disposed on a front main surface; coplanar electrodes 24A-24D disposed on a back main surface; and interlayer earth electrodes 3A, 3B disposed between dielectric layers.
電気特性測定基板１は複数の誘電体層を積層してなり、表主面にコプレーナライン１４Ａ〜１４Ｄを備え、裏主面にコプレーナライン２４Ａ〜２４Ｄを備え、誘電体層間に層間アース電極３Ａ，３Ｂを備える。 - 特許庁 - A contact hole is formed in an interlayer film 80, a heat treatment is performed in a vacuum, at 1,000°C for one minute by using the RTA apparatus, the exposed surface of an n^+ type source region 40 is cleaned, and a source electrode 90 is formed inside the contact hole.
層間膜８０にコンタクトホールを形成し、ＲＴＡ装置を用いて、１０００℃、１分間の熱処理を真空中で行い、ｎ^+型ソース領域４０の露出された表面を清浄化し、コンタクトホール内にソース電極９０を形成する。 - 特許庁 - A source wiring 32 formed of AlSiCu is formed on the interlayer insulating film 28 via the barrier metal film 30, and the source wiring 32 is electrically connected to the source region 27 via the conductor plug 31 and the barrier metal film 30.
そして、層間絶縁膜２８上にバリアメタル膜３０を介してＡｌＳｉＣｕからなるソース配線３２が形成され、ソース配線３２は導電体プラグ３１とバリアメタル膜３０とを介してソース領域２７に電気的に接続されている。 - 特許庁
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