「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 107 108 109 110 111 112 113 114 115 .... 128 129 次へ＞- Next, the NiFe magnetic layer 13 on the bottom surface of the connection hole 30 and the groove 31 for wiring, and on the surface of an interlayer insulating film 11 is selectively removed by varying the film-forming condition with the use of the identical NiFe chamber of the identical PVD device.
次に、同一のＰＶＤ装置の同一のＮｉＦｅチャンバを用いて、成膜条件を変更することにより、接続孔３０及び配線用溝３１の底面上及び層間絶縁膜１１の表面上におけるＮｉＦｅ磁性層１３を選択的に除去する。 - 特許庁 - To enable to easily realize low oxide concentration in the atmosphere of a processing chamber, and to adequately heat treat especially an organic material of a coating film in a low permittivity (Low-k) interlayer insulating film formed on a substrate, which has been conventionally impossible to perform.
半導体基板の熱処理装置及び熱処理方法において、処理室内雰囲気の低酸素濃度化を容易に実現し、従来では困難であった、基板上に形成する低誘電率（Low-k）層間絶縁膜で、特に塗布膜系の有機材料を適正に加熱処理することを可能とする。 - 特許庁 - To provide an image display device capable of improving a manufacturing yield and high reliability by preventing oxidation of a terminal part in a positive electrode oxidation process of a lower electrode (signal line) constituting a thin-film type electron source, and of increasing the thickness of an interlayer insulation layer formed at the same time.
薄膜型電子源を構成する下部電極（信号線）の陽極酸化処理における端子部の酸化を防止して、製造歩留まりと、高信頼性を向上し、同時に形成する層間絶縁層の厚膜化を実現した画像表示装置を提供する。 - 特許庁 - To provide the radiation sensitive resin composition for a material for forming a protective film and the like for use in electronic device parts or the interlayer insulating films, especially adapted to those for a liquid crystal display element and an integrated circuit element and a solid photographing element.
電子部品に用いられる保護膜などを形成するための材料、または層間絶縁膜、特に、液晶表示素子、集積回路素子、固体撮像素子などの層間絶縁膜を形成するための材料として好適な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a low dielectric constant resin composition excellent in pattern precision and adhesion to a substrate, developable with water or a dilute alkali solution and suitable for use in the formation of a soldering resist, an interlayer dielectric or the like for a printed wiring board and an IC package and to provide a sensitive film using the resin composition.
パターン精度、基板との密着性に優れ、水又は希アルカリ溶液で現像ができ、プリント配線基板やＩＣパッケージ用のソルダーレジストや層間絶縁層等の形成に適する低誘電率樹脂組成物及びこれを用いた感光性フイルムを提供する。 - 特許庁 - In an interlayer insulating film 4, between a control electrode 32 of the transistor 3 and a barrier film (hydrogen barrier film) 10 for covering the ferroelectric capacitor 8, a plug having a third plug 5(3) and a fourth plug 6(3) thereon is disposed on the control electrode 32.
トランジスタ３の制御電極３２と強誘電体キャパシタ８を被覆するバリア膜（水素バリア膜）１０との間の層間絶縁膜４において、制御電極３２上には第３のプラグ５（３）とそれに積層された第４のプラグ６（３）とを有するプラグが配設されている。 - 特許庁 - On a semiconductor substrate 100, where a memory cell transistor and impurity diffusion layer 111 are formed, a first interlayer insulating film 112, having a first plug 113 connected with the memory cell transistor and a second plug 114 connected with the impurity diffusion layer 111, is formed.
メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁 - To provide a new fluorine-containing hybrid material capable of lowering a refractive index and a dielectric constant while maintaining heat resistance and transparency of a polyimide-based polymeric material, and capable of being suitably used as materials for reflection-preventing films, an optical waveguides, and interlayer insulating films, etc.
ポリイミド系高分子材料の耐熱性と透明性を維持したままで、屈折率と誘電率を低下させることが可能で、反射防止膜、光導波路、層間絶縁膜等の材料として好適に用いることのできる、新規のフッ素含有ハイブリッド材料を提供する。 - 特許庁 - This wiring structure 40 is constituted by a lower wiring 44 formed on a base insulating film 42, an interlayer insulating film 46 formed on the wiring 44, a contact 48 which penetrates the layer 46, an upper wiring 50 connected with the wiring 44 via the contact 48.
本配線構造４０は、下地絶縁膜４２上に形成された下層配線４４と、下層配線４４上に成膜された層間絶縁膜４６と、層間絶縁膜４６を貫通するコンタクト４８と、コンタクト４８を介して下層配線４４と接続された上層配線５０とを備える。 - 特許庁 - To provide a multilayer circuit board (motherboard or semiconductor chip mounting board) capable of ensuring high bonding strength between an interlayer insulating layer and wiring without forming an unevenness having a thickness of almost exceeding 1 μm and efficiently transmitting a high-speed electric signal, and to provide a method of manufacturing a semiconductor package or the like.
配線の表面に１μｍを超す程度の凹凸を形成することなく層間絶縁層と配線の接着強度が確保でき、高速電気信号を効率よく伝送可能な多層回路基板（マザーボード、半導体チップ搭載基板）と半導体パッケージ等の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which forms a highly reliable wiring structure by solving the problem at the time of using xerogel or fluororesin for the interlayer insulating film between wirings for reducing the interwiring capacitance, the problem, when misalignment occurs, and others.
配線間容量を低減するために配線間の層間絶縁膜にキセロゲルもしくはフッ素樹脂を用いた際の問題点、ミスアライメントを生じた場合の問題点等を解決して信頼性の高い配線構造を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a reliable contact plug for preventing the short-circuiting between the contact plug and bit wiring by applying a material, where the ratio of etching speed to that of a silicon nitride film becomes at least 100, to an interlayer film for forming a self-alignment contact plug.
自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、窒化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供することにある。 - 特許庁 - When information, recorded at constant linear velocity in a multilayer disk, is reproduced, in accessing from an inner circumference toward an outer circumference, in S106, radius movement is performed first, and conversely, in accessing from the outer circumference toward the inner circumference, in S102, the interlayer movement is performed first.
多層ディスクに線速一定で記録された情報を再生する場合、内周から外周に向かってアクセスするときは、Ｓ１０６において半径移動を先に行い、逆に外周から内周に向かってアクセスするときは、Ｓ１０２において層間移動を先に行う。 - 特許庁 - Since an insulation film containing hydrogenation polysiloxane is employed as the interlayer insulation film 103 and etching is carried out using etching gas containing at least fluorocarbon gas and oxidation based gas, such a structure as the deterioration layer 105 of hydrogenation polysiloxane on the processing surface is thick at the upper part and thin at the lower part is obtained.
水素化ポリシロキサンを含む絶縁膜を層間絶縁膜１０３として用い、エッチングガスとしてフロロカーボンガスと酸化系ガスを少なくとも含むエッチングにより加工するため、水素化ポリシロキサンの加工面での変質層１０５が上部で厚く、下部で薄い構造が得られる。 - 特許庁 - In the multilayer printed-wiring board, a prepreg, having a via hole that is filled with a conductive substance, is inserted and laminated between a plurality of double-sided multilayer circuit boards for adhesion and interlayer connection, thus making connection to the conductor circuits in the upper/lower double-sided multilayer circuit board.
多層プリント配線板は、複数枚の積層用両面回路基板間に導電性物質で穴埋めされたビアホールを有するプリプレグを挿入、積層することにより接着、層間接続を行い、上下の積層用両面回路基板の導体回路に接続される。 - 特許庁 - To provide a negative photosensitive resin composition which enables to form a pattern by irradiation with active energy rays, can form a protective film against etching, an interlayer dielectric and a surface protective film, and is excellent in sensitivity, resolution, pattern shape and alkali developability.
活性エネルギー線の照射によりパターン形成が可能で、エッチングに対する保護膜、層間絶縁膜、表面保護膜を形成しうるネガ型感光性樹脂組成物であって、感度、解像性、パターン形状及びアルカリ現像性に優れるネガ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - The liquid crystal display device comprises a liquid crystal display panel having a configuration of holding a liquid crystal layer between an array substrate and a counter substrate, wherein the array substrate is provided with a pixel electrode EP connected to a switching element W and a counter electrode ET opposing the pixel electrode EP via an interlayer insulation film.
アレイ基板と対向基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、アレイ基板は、スイッチング素子Ｗに接続された画素電極ＥＰと、画素電極ＥＰと層間絶縁膜を介して対向する対向電極ＥＴと、を備えている。 - 特許庁 - After the reinforced seed layer is subjected to an electroless copper plating to fill the contact hole 14 and the inside of the wiring groove 15 with copper, a copper film exposed to the interlayer insulating film of the second layer is removed to form an embedded wiring having a dual-damascene structure.
補強されたシード層１７Ａの上に銅の電解めっきを行なって、コンタクトホール１４及び配線溝１５の内部に銅膜を充填した後、第２層の層間絶縁膜の上に露出している銅膜を除去してデュアルダマシン構造を有する埋め込み配線を形成する。 - 特許庁 - The number of contacts and the interlayer heat resistance are increased, the out-of-plane heat conduction leak (in the lamination direction) is reduced, and the heat insulation performance is maintained thereby.
さらに、ＭＬＩの最外層の金属フィルムを他の構成品よりも大きく裁断し、それを最内層の金属フィルムに折り込み、端部を２回折り曲げて包絡する事で、接触箇所を増やし層間の熱抵抗を増大させ、面外（積層方向）の熱伝導リークを低減させて断熱性能を維持する。 - 特許庁 - To provide a multilayered wiring board which is profitably manufactured at a lower cost through a simple manufacturing process by eliminating a process of filling through-holes with resin and carrying out a flattening operation and has the high reliability and durability of interlayer conductive connections, and to provide its manufacturing method.
予めスルーホールに樹脂を充填して平坦化する工程を省略できるため、簡易な製造工程でコスト的に有利に製造でき、好ましくは層間の導電接続の信頼性と耐久性が高い多層配線基板、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a surface reformed alumina ceramic and its manufacturing method which is excellent in inter layer surface strength, without interlayer stress, and elastic/plastic discrepancy by changing its surface shape of grain boundary by applying grain boundary moving phenomena using chemical driving force.
表面の粒界形状を変化させることで、層間界面強度に優れ、層間応力、弾性／塑性不一致のない表面層を化学駆動力による粒界移動現象を応用して形成する、表面改質されたアルミナセラミックスとその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a shrink film which has excellent shrink performance and compressive strength and high interlayer strength between film layers of a laminate, a shrink label which is manufactured from the shrink film at an excellent productivity and a container labeled with the label.
優れた収縮特性と圧縮強度を有するシュリンクフィルムであって、さらに積層体のフィルム層間の層間強度が高い優れたシュリンクフィルムと、該フィルムを用いた、優れた生産性を有するシュリンクラベル及び該ラベルを装着したラベル付き容器を提供することにある。 - 特許庁 - The synthetic resin molding has a three-layer structure composed of a front surface layer 5 formed of the first synthetic resin composition 2, a back surface layer 6 formed of the second synthetic resin composition 3 and the interlayer layer sheet 1 formed in an interface between the front surface layer 5 and the back surface layer 6 and integrated with the front surface layer 5 and the back surface layer 6.
第１の合成樹脂組成物２よりなる表面層５と、第２の合成樹脂組成物３よりなる裏面層６と、表面層５と裏面層６との界面に設けられて表面層５及び裏面層６と一体となった界面層シート１の３層構造となっている。 - 特許庁 - A gate electrode 105 is made on a substrate 101 and is covered with a spacer 107 and a thermal oxide film 109, and then a first interlayer insulating film 114 is made and flattened, and this is patterned and etched and it is filled with a embedding landing pad 117 of polysilicon thereby being flattened.
基板１０１上にゲート電極１０５を形成してスペーサ１０７、熱酸化膜１０９で覆いこの後に第１層間絶縁膜１１４を形成して平坦化し、これをパターニングしてエッチングし、ポリシリコンの埋め込みランデングパット１１７を充填して平坦化する。 - 特許庁 - In a conductive film forming step, a light-reflective conductive film 9 for forming a pixel electrode 9a on an upper-surface side of the interlayer dielectric 8 is formed and then the light-reflective conductive film 9 is polished from the upper surface in a polishing step to expose the projection streak portions 8f.
そして、導電膜形成工程において、層間絶縁膜８の表面側に画素電極９ａを形成するための光反射性導電膜９を形成した後、研磨工程において、光反射性導電膜９を表面から研磨して突条部８ｆを露出させる。 - 特許庁 - The interlayer insulating layer 7 on a conductor (winding conductor) 4a of each layer of the field winding 4 contains an inorganic compound selected from an oxide, a nitride and a carbide, as at least part of the constituent components, and is bonded on the winding conductor 4a adjacent on one side.
界磁巻線４の各層の導体（巻線導体）４ａに層間絶縁層７は、酸化物、窒化物および炭化物から選ばれる無機化合物を構成成分の少なくとも一部として含有しており、隣接する一方の巻線導体４ａに接着されている。 - 特許庁 - A multilayer insulating film consisting of a first insulating film 33, a first hydrogen barrier film 34, and a second insulating film 35 is formed on the first interlayer insulating film 20 on the periphery of the first plug electrode 21, and a second contact hole H2 is formed by etching the multilayer insulating film.
次に、この第１プラグ電極２１周辺の第１層間絶縁膜２０上に第１絶縁膜３３と第１水素バリア膜３４と第２絶縁膜３５とからなる積層構造の絶縁膜を形成し、この積層構造の絶縁膜をエッチングして、第２コンタクトホールＨ２を形成する。 - 特許庁 - In the liquid crystal device, an interlayer insulation layer 191 on the lower layer side of an active matrix substrate AM and a protective film 45 equivalent to a substrate for an alignment layer 46 and a protective film equivalent to a substrate for an alignment layer of a counter substrate OP are all insulation layers formed with a polysilazane coated film.
液晶装置１において、アクティブマトリクス基板ＡＭの下層側層間絶縁膜１９１、および配向膜４６の下地に相当する保護膜４５と、対向基板ＯＰの配向膜４７の下地に相当する保護膜４４は、いずれもポリシラザン塗布膜から形成した絶縁膜である。 - 特許庁 - To provide a porous film having excellent adhesion to a substrate, excellent characteristics of a dielectric constant, hardness and the like and reduced change of dielectric constant with passage of time and suitable for usage as an interlayer insulating film in a semiconductor element device and the like and to provide a composition for manufacturing the porous film.
基板との密着性に優れ、誘電率、硬度等の諸特性に優れ、誘電率の経時変化が小さく、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した多孔質膜、およびその多孔質膜を製造する組成物を提供する。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device, a second metal film 76b as an upper electrode of a TFD element 70 is overhung inward from a frame part of an aperture 230 along three sides 231, 232, 233 of the aperture 230 of an interlayer insulating film 23 in pixels 51 (R), 51(G) and 51(B).
液晶装置において、画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）では、ＴＦＤ素子７０の上電極としての第２金属膜７６ｂが層間絶縁膜２３の開口部２３０の３つの辺２３１、２３２、２３３に沿って、開口部２３０の縁部分より内側に張り出している。 - 特許庁 - A conductor pattern 4 is formed on one surface of a resin film 2 made of thermoplastic resin, and the IC chip 3 having an electrode 3b is mounted on a single-sided conductor pattern film 7 including a viahole 5 where an interlayer connecting material 6 is filled on a desired position of the conductor pattern 4 as a base.
熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルム２の片面上に導体パターン４と、当該導体パターン４を底部とし所望の位置に層間接続材料６が充填されたビアホール５とを備える片面導体パターンフィルム７上に、電極３ｂを有するＩＣチップ３を搭載した。 - 特許庁 - The interlayer film 4, interposed between a conductor film 3 for the floating gate and a conductor film 5 for the control gate, is constituted of a superposed film, having 4-layered structure consisting of a silicon nitride film 4a arranged at the lowermost layer, a silicon oxide film 4b, a silicon nitride film 4c and a silicon oxide film 4d.
浮遊ゲート用の導体膜３と制御ゲート用の導体膜５との間に介在する層間膜４を、最下層にシリコン窒化膜４ａを配置したシリコン窒化膜４ａ、シリコン酸化膜４ｂ、シリコン窒化膜４ｃおよびシリコン酸化膜４ｄからなる４層構造の重ね膜で構成する。 - 特許庁 - The electro-optical device is provided with: a substrate (10); a plurality of reflection type pixel electrodes (9a) arranged apart from each other with gap areas (D1, D2) on a display area (10a) on the substrate; and an interlayer insulating film (42) laminated on a layer side lower than these plurality of pixel electrodes.
電気光学装置は、基板（１０）と、該基板上の表示領域（１０ａ）に、相互に間隙領域（Ｄ１、Ｄ２）を隔てて配置された複数の反射型の画素電極（９ａ）と、この複数の画素電極よりも下層側に積層された層間絶縁膜（４２）とを備える。 - 特許庁 - A fourth interlayer insulation film 44 is formed so as to cover a third relay electrode 402 therewith and to have a film thickness larger than the height of a protrusion part 201 and, thereafter, is flattened such that an extension part 402c extended to the upper surface of the protrusion part 201 among the third relay electrode 402 is exposed.
第４層間絶縁膜４４は、第３中継電極４０２を覆い、且つ突部２０１の高さより厚い膜厚を有するように形成された後、第３中継電極４０２のうち突部２０１の上面に延びる延在部４０２ｃが露出するように平坦化処理が施されている。 - 特許庁 - A conductive material film 7 is formed on the interlayer insulating film 3 so as to bury the interior of the trench pattern 3a, and the conductive material film 7 is polished and removed from the surface side, thereby forming embedded wiring 7a in which the conductive material film 7 is left only in the trench pattern 3a.
溝パターン３ａ内が埋め込まれるように層間絶縁膜３上に導電性材料膜７を成膜し、導電性材料膜７を表面側から研磨除去することにより溝パターン３ａ内のみに導電性材料膜７を残した埋込配線７ａを形成する。 - 特許庁 - An interlayer perforated plate which is formed of a perforated plate with a slightly smaller diameter than a diameter of a hole of a barrier wall perforated plate is provided on a air discharge layer of a drying passage for constituting the drying part of the circulating grain dryer with a short distance in parallel with the barrier wall perforated plate for partitioning the air discharge layer and a drying layer.
循環穀物乾燥装置の乾燥部を構成する、乾燥通路の排風層に、排風層と乾燥層を仕切る隔壁多孔板と平行に若干の距離をもって、隔壁多孔板の孔の径より、若干小径の多孔板で構成される層内多孔板を設ける。 - 特許庁 - First, vapor-phase method carbon fibers having a mean fibrous diameter of 200 nm or less, an aspect ratio of 5 to 500, the interlayer distance of a crystalline structure of 0.340 nm or less, and a thermal conductivity at 25°C of 400 W/(m K) or more, are mixed with an easily graphitized carbide in 0.1 to 20 mass%.
一つは易黒鉛化性炭素化物に平均繊維径が２００ｎｍ以下、アスペクト比が５〜５００、結晶構造の層間距離が０．３４０ｎｍ以下、２５℃における熱伝導率が４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である気相法炭素繊維を０．１〜２０質量％混合する。 - 特許庁 - The multilayer wiring board is provided with a single wiring layer formed by using a thin film metal 11, the other wiring layer different from the single wiring layer and an interlayer insulating film which is installed between the single wiring layer and the other wiring layer and is formed of a prescribed insulating material.
多層配線基板は、少なくとも、薄膜金属１１を用いて形成される単独配線層と、この単独配線層とは異なる他の配線層と、単独配線層と他の配線層との間に介在する所定の絶縁材からなる層間絶縁膜とを備える。 - 特許庁 - CURABLE RESIN COMPOSITION, ITS CURED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS ATOM-CONTAINING PHENOL RESIN, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION MATERIAL FOR BUILDUP BOARD
硬化性樹脂組成物、その硬化物、リン原子含有フェノール樹脂の製造方法、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁 - To provide the method of manufacturing a multilayer circuit board, by which outer layer boards can be properly laminated without filling gaps such as inner via holes, etc., formed in inner layer circuit boards in order to have the interlayer electrical continuities between wiring patterns with resin.
層間の配線パタ−ン相互の導通を図る為に形成されるインナ−・ビアホ−ル等の空隙が内層回路基板に形成される場合でも、その空隙に対して樹脂埋めを行うことなく外層基板を好適に積層処理可能な多層回路基板の製造法を提供する。 - 特許庁 - The multilayer printed wiring board that can be bent easily and does not cause the cutting of a conductor and interlayer separation at a multilayer lamination regardless of repeated bending, by using double-sided roughened copper foil to a flexible insulating sheet, or performing the roughening treatment to a circuit surface.
可撓性絶縁シートに両面粗化銅箔を使用、あるいは回路表面を粗化処理することにより、容易に折り曲げることが可能で、さらに繰り返し折り曲げても導体の切断や多層積層部分における層間剥離の発生しない優れた多層プリント配線板を実現できる。 - 特許庁 - The active matrix substrate further has an auxiliary capacitance common wiring connected to the auxiliary capacitance common electrodes, an upper conductive layer electrically connected to the auxiliary capacitance common wiring and an interlayer insulating layer provided between the pixel electrodes and the auxiliary capacitances and between the upper conductive layer and the auxiliary capacitances.
アクティブマトリクス基板は、さらに、補助容量共通電極に接続された補助容量共通配線と、補助容量共通配線に電気的に接続された上層導電層と、画素電極および上層導電層と補助容量との間に設けられた層間絶縁層とを有する。 - 特許庁 - The proton conductor is provided with a plurality of proton conductive oxide layers laminated on one surface of a hydrogen-permeable metal layer, and a proton conducting interlayer of its crystal lattice constant from 0.86 to 1 time of a metal layer structuring material is arranged between the metal layer and the oxide layer.
水素透過性金属層の一方の面上に複数のプロトン伝導性酸化物層が積層され、この金属層と酸化物層との間に、その結晶格子定数が金属層構成材料のそれの０．８６倍以上１倍未満のプロトン伝導性中間層が配置されたプロトン伝導体。 - 特許庁 - To provide a thin film semiconductor device and a display unit with excellent properties in stability by covering a polycrystalline silicon film with an interlayer insulating film, which has a high-level blocking function against contaminants and can repair defects of the polycrystalline silicon film caused by hydrogen supply.
汚染物質に対するブロッキング作用が高く、かつ水素供給による多結晶シリコン膜の欠陥補修も可能な層間絶縁膜によって多結晶シリコン膜を覆うことにより、安定的に優れた特性を有する薄膜半導体装置および表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Thus, the second bump electrodes 24 surfaces are cleaned, the surface of the intermediate board 22 made of polyimide resin is chemically activated to obtain good electric characteristics of interlayer connections, and the adhesion of a sealing material is improved in resin sealing to the intermediate board.
これにより、第２突起電極２４の表面が清浄化されると共に、ポリイミド樹脂からなる中間基板２２の表面が化学的に活性化され、良好な層間接続部の電気特性が得られると共に、樹脂封止の際の封止材料と中間基板との密着性が向上する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a printed wiring board to form a flat and smooth substrate having through holes and conductive circuits and assuring excellent connection property and reliability by forming on the substrate an interlayer resin insulation layer and upper layer conductive circuit.
スルーホールおよび導体回路を有する平滑な基板を形成することができ、その結果、その上に層間樹脂絶縁層や上層導体回路を形成することにより、接続性及び信頼性に優れたプリント配線板とすることができるプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Then, after connection holes 32 and 34 respectively corresponding to the source and drain regions 24 and 26 are formed in the interlayer insulating film 28 by photolithography and dry etching, fluorine ions F^+ are injected into the source and drain regions 24 and 26 respectively through the connection holes 32 and 34.
ホトリソグラフィ及びドライエッチング処理によりソース領域２４及びドレイン領域２６にそれぞれ対応する接続孔３２及び３４を絶縁膜２８に形成した後、接続孔３２及び３４をそれぞれ介してソース領域２４及びドレイン領域２６にフッ素イオンＦ^＋を注入する。 - 特許庁 - As an etching stopper layer 25 being provided between interconnect line forming layers 24 (interlayer insulating film layers) or a hard mask layer 23 for protecting the surface of the interconnect line forming layers 24, a silica based coating being formed using coating liquid containing a hydrolysis product of trialkoxy silane is employed.
配線形成層２４（層間絶縁膜層）間に設けられるエッチングストッパー層２５、または配線形成層２４表面を保護するためのハードマスク層２３として、トリアルコキシシランの加水分解生成物を含む塗布液を用いて形成されるシリカ系被膜を用いる。 - 特許庁 - A connection wiring 25 for connecting an upper electrode 23 of the capacitor C to the layer 12 is formed by a first layer metal on an interlayer film 24 coating the capacitor C, and a shunt wiring 26 for short circuiting the word line is formed.
強誘電体キャパシタＣを覆う層間絶縁膜２４上に、第１層メタルにより、強誘電体キャパシタＣの上部電極２３とトランジスタ拡散層１２の間を接続する接続配線２５が形成され、またワード線を短絡するためのシャント配線２６が形成される。 - 特許庁 - Thus, it is possible to prevent the noise/interference by the inductor since the interlayer dielectric thickness is surely obtained depending upon the inductor characteristics and to prevent a current flowing through the inductor from flowing out to a substrate 51, so that it is possible to improve the inductor characteristics.
そのことにより、インダクタの特性に応じて確実に層間絶縁膜厚を確保することができるので、インダクタでのノイズ・干渉を防止することができ、また、インダクタを流れる電流が基板５１に抜けることを防止できるので前記インダクタの特性を向上することができる。 - 特許庁
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