「interlayer」を含む例文一覧(6425)
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画面のコントラスト向上のための充分な黒さを損なうことなく白黒二層バス電極の黒層においては充分な層間導電性を有し、かつブラックパターン層においては表示電極間の充分な絶縁性を確保しうる光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁 - Electric powers 20 W/cm2 at 27.12 MHz and 10 W/cm2 at 400 kHz are respectively applied to upper electrodes 116 and the electrode 108 to produce a plasma and an interlayer insulating film consisting of a F-containing SiOB film is formed on the wafer W.
上部電極１１６と下部電極１０８に各々２７．１２ＭＨｚで２０Ｗ／ｃｍ^2と４００ｋＨｚで１０Ｗ／ｃｍ^2の電力を印加してプラズマを生成し，ウェハＷ上にＦ含有ＳｉＯＢ膜から成る層間絶縁膜２０４を形成する。 - 特許庁 - To provide a multilayer printed wiring board having a resin interlayer dielectric layer excellent in reliability of connection of conductor circuits with each other, because dielectric constant and dielectric loss tangent are small, a signal delay and a signal error scarcely occur, and mechanical characteristics are excellent.
誘電率や誘電正接が小さく、高周波信号を用いた場合にも、信号遅延や信号エラーが発生しにくく、また、機械的特性にも優れるために導体回路同士の接続の信頼性が高い層間樹脂絶縁層を有する多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁 - To provide a metal surface treatment agent for roughening a surface of copper or copper alloy to a desired degree with a small amount of etching (amount of etching of 0.5 μm or less), so as to enhance adhesiveness between fine wires of copper or copper alloy and a resin such as a resist and an interlayer insulation material, and to provide a surface treatment method therefor.
微細な銅または銅合金配線とレジストや層間絶縁材等の樹脂との密着性に優れる該銅または銅合金表面を低エッチング量（エッチング量０．５μｍ以下）で所望の程度に粗化するための金属表面処理剤および表面処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a transfer body without causing adhesion failure between a transfer film and a base body and interlayer separation of the transfer film, that is, the manufacturing method of the transfer body without breaking a transfer membrane when separating a separation film from the transfer film and without damaging the base body when separating a sticking roller and a separation roller.
転写フィルムと基体の接着不良、転写フィルムの層間剥離のない転写体製造方法、転写フィルムから剥離フィルムを剥離させる際、転写膜の破壊がなく、貼付ローラー、剥離ローラーを離間の際、基体に損傷がない、転写体の製造方法。 - 特許庁 - To provide a negative type radiation-sensitive composition that forms an interlayer insulating film of low relative dielectric constant and forms a good pattern of a few standing waves even on a ground substrate of high reflexibility of a reflectance of 1.0% or higher, and to provide a curing pattern and a forming method of the pattern.
比誘電率の低い層間絶縁膜の形成が可能であり、反射率１．０％以上の高反射性の下地基板上においても、定在波の少ない良好なパターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、硬化パターン及びその形成方法を提供する。 - 特許庁 - The electrooptic apparatus includes: a transistor (30) having a semiconductor layer (1a) and a gate electrode (31) on a substrate (10); a colored insulating film (14) formed on the upper layer side of the transistor; and a lower light shielding film (11) formed on the lower layer side of the transistor through an interlayer dielectric (12).
電気光学装置は、基板（１０）上に、半導体層（１ａ）及びゲート電極（３１）を有するトランジスター（３０）と、該トランジスターより上層側に形成された有色絶縁膜（１４）と、トランジスターより層間絶縁膜（１２）を介して下層側に形成された下側遮光膜（１１）を備える。 - 特許庁 - In the ion implanting step, when θ is the angle defined by the obliquely ion implanting direction and a normal of a surface of a semiconductor substrate 1 and D is the sum of the thickness of the mask layer 17 and the thickness of the interlayer insulating film 8, L1/D ≥tanθ>S1/D is satisfied.
このイオン注入の工程において、斜めイオン注入の注入方向と半導体基板１表面の法線とがなす角度をθとし、マスク層１７の厚みと層間絶縁膜８の厚みとの和をＤとした場合に、Ｌ１／Ｄ≧ｔａｎθ＞Ｓ１／Ｄが満たされる。 - 特許庁 - The MEMS device 100 includes: a substrate 10; interlayer insulating layers 30a, 30b, 30c formed above the substrate 10 and having a cavity 32; a functional element 20 contained in the cavity 32; and the fuse element 40 contained in the cavity 32 and electrically connected with the functional element 20.
ＭＥＭＳ装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２に収容され、機能素子２０と電気的に接続されたヒューズ素子４０と、を含む。 - 特許庁 - The semiconductor device is equipped with: a plurality of oxygen barrier films 16; and a capacitor 21 formed of a lower electrode 17, the capacitive insulating film 19 and an upper electrode 20; and an interlayer insulating film 22 formed to cover the plurality of capacitors 21 on the plurality of oxygen barrier films 16.
半導体装置は、複数の酸素バリア膜１６と、複数の酸素バリア膜１６の各々の上に、下部電極１７、容量絶縁膜１９及び上部電極２０からなるキャパシタ２１と、複数のキャパシタ２１を覆うように形成された層間絶縁膜２２とを備えている。 - 特許庁 - To stabilize electrical properties and improve reliability of a resin circuit board manufactured through each step of creating a laminate by laminating a plurality of thermoplastic resin sheets provided with an in-plane conductor pattern and an interlayer conductor pattern, and performing a heat treatment and a pressure treatment on the laminate.
面内導体パターンおよび層間導体パターンが設けられた、複数の熱可塑性樹脂シートを積み重ねることによって、積層体を作製し、この積層体を熱処理・加圧処理する、各工程を経て製造される、樹脂回路基板の電気特性の安定化および信頼性の向上を図る。 - 特許庁 - To provide a interlayer insulating layer for display elements which has a high radiation sensitivity and high flatness (film thickness uniformity) without coating irregularities and to provide a positive radiation sensitive composition for a injection nozzle coating method which allows high-speed coating.
本発明は、高い放射線感度を有し、また塗布ムラのない高度な平坦性（膜厚均一性）を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができ、さらに高速塗布が可能な吐出ノズル式塗布法用ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The positive photosensitive resin composition is applied onto the interlayer insulating film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, dried, irradiated with light through a mask patterned to form windows 6c in predetermined parts, and developed with an aqueous alkali solution to form a pattern.
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 30 includes first insulation parts 31 having a plurality of first via holes 35, second insulation parts 32 having a plurality of second via holes 36, and third insulation parts 33 interposed between the first insulation parts 31 and second insulation parts 32 and having flat upper surfaces.
層間絶縁膜３０は、複数の第１ビアホール３５を有する第１絶縁部３１と、複数の第２ビアホール３６を有する第２絶縁部３２と、第１絶縁部３１と第２絶縁部３２との間に位置し、上面が平らな第３絶縁部３３とを備える。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition which can be suitably used for forming a spacer, protection film and interlayer dielectric, etc. of a flexible display which are capable of rapid and low-temperature heating and calcination, and have a high radiation sensitivity and a low linear thermal expansion coefficient.
低温かつ短時間での加熱・焼成が可能であると共に、高い放射線感度を有し、低線熱膨張係数を示す、フレキシブルディスプレイのスペーサー、保護膜、層間絶縁膜等の形成に好適に用いられる感放射線性樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging element that improves the efficiency of light condensing on a semiconductor region functioning as a photoelectric conversion portion by reducing a thickness of an interlayer insulating film on the photoelectric conversion portion of the pixel by an easy method, a method of manufacturing the same, and an imaging device.
簡便な方法で画素の光電変換部の上にある層間絶縁膜の厚さを低減することで、光電変換部として機能する半導体領域への集光効率を向上する固体撮像素子及びその製造方法と撮像装置を提供する。 - 特許庁 - The substrate for interlayer insulation is composed of a polyester film specified by the followings: a centerline average roughness Ra at either surface of the film is in the range of 20-60 nm; the maximum height Rt is at most 500 nm; the thickness of the film is in the range of 20-100 μm.
一方のフィルム表面の中心線平均粗さＲａが２０〜６０ｎｍの範囲であり、かつ最大高さＲｔが５００ｎｍ以下であり、フィルムの厚さが２０〜１００μｍの範囲であるポリエステルフィルムからなることを特徴とする層間絶縁用支持体。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for coating a viscous body, in which in a composite film laminated through the viscous body, the coating uniformity and the coating amount of the viscous body can be secured; the interlayer adhesivity and the design of printed patterns, and the coating appearance quality are maintained; and the productivity can be improved.
粘性体を介して積層される複合フィルムおいて、該粘性体の塗工均一性、塗工量を確保し、層間接着性や印刷絵柄の意匠、塗工外観品質を維持し、且つ生産性を向上させることができる粘性体の塗工方法および塗工装置を提供する。 - 特許庁 - A capacitor C is composed by a lower electrode L1a formed of a first wiring layer L1, an upper electrode L2a formed of a second wiring layer L2, and an interlayer insulating film 12a interposed thereby, and is formed between a substrate 10 and a pad 5 on a pad arrangement region 4.
パッド配置領域４上で基板１０とパッド５との間には、第１の配線層Ｌ１に形成された下部電極Ｌ１ａと、第２の配線層Ｌ２に形成された上部電極Ｌ２ａと、それらに挟まれた層間絶縁膜１２ａとから構成されるキャパシタＣが形成されている。 - 特許庁 - To provide a photosensitive siloxane composition having high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, capable of forming a cured film with a pattern having high chemical resistance and good resolution, and being used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide.
高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を併せ持ち、かつ耐薬品性が高く、良好な解像度のパターンを有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁 - Since the setting of the new other through hole can be realized without changing a wiring pattern once determined, the resistance of interlayer connection can be made low, the electromigration resistance can be improved, and the yield of the circuit can be improved, while not deteriorating the characteristics of a semiconductor integrated circuit.
一度決定した配線のパターンを変化させることなく新たに他のスルーホールの設定を行うことで、半導体集積回路の特性を損なうことなく層間接続の低抵抗化、エレクトロマイグレーション耐性の向上、半導体集積回路の歩留まりの向上を実現できる。 - 特許庁 - In this carbon material, an average particle diameter (D50) is 6-20 μm, a specific surface area measured with a BET method is 3 m^2/g or below, an interlayer distance d value (002) in X-ray diffraction is 0.3360-0.3395 nm, and a thickness La of a crystallite in an α-axis direction is 60-300 nm.
この炭素材は、平均粒径（Ｄ５０）が６〜２０μｍ、ＢＥＴ法により測定される比表面積が３ｍ^２／ｇ以下、Ｘ線回折における層間距離ｄ値（００２）が０．３３６０〜０．３３９５ｎｍ、ａ軸方向の結晶子の厚みＬａが６０〜３００ｎｍである。 - 特許庁 - To provide a gas barrier thermoplastic polyester-based resin laminated body capable of preventing interlayer peeling and suppressing opacification, a preform for stretch blow molding having the polyester-based resin laminated body, and a packaging container formed by molding the preform for stretch blow molding.
層間剥離の防止と不透明化の抑制を可能としたガスバリア熱可塑性ポリエステル系樹脂積層体、加えてこのポリエステル系樹脂積層体を有する延伸ブロー成形用プリフォーム、さらには延伸ブロー成形用プリフォームを成形してなる包装用容器を提供する。 - 特許庁 - Then, the interlayer short-circuit is prevented by annealing, so that the laminated body can be formed in a heat-resistant way without breakage.
アルミナまたはシリカを主成分とする無機系接着剤を、積層する電磁鋼板の層間に塗布もしくは電磁鋼板の打ち抜き側面に塗布し、加熱硬化により締結させ、その後、焼鈍を施すことにより、層間短絡を防止し、熱にも耐えて崩壊することのない積層体を形成させることができる。 - 特許庁 - The gate-drain capacity can be reduced by forming a Low-k film 12 as a low dielectric constant interlayer insulating film is formed between a gate electrode 10 formed on side walls of trenches 6 and 7 and a drain plug 15 in the trenches 6 and 7, thereby improving the switching characteristics.
トレンチ６、７側壁に形成したゲート電極１０とトレンチ６、７内のドレインプラグ１５間に、低誘電率層間絶縁膜であるＬｏｗ−ｋ膜１２を形成することで、ゲート−ドレイン間容量を低減してスイッチング特性を向上させることができる。 - 特許庁 - In a region S where the light-receiving surface of a photodiode is located, respective layers are removed when first wiring 15 and second wiring 17 are patterned and respective layers are also removed after a second interlayer insulation film 13 and a cover insulation film 18 are formed, respectively.
フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓでは、第１の配線１５および第２の配線１７をパターニングする際にそれぞれの層が除去され、第２の層間絶縁膜１３およびカバー絶縁膜１８をそれぞれ形成した後にもそれぞれの層が除去される。 - 特許庁 - Recessed parts g are formed at the drain parts 31f and 31h disposed in the reflection display region and various kinds of layers of the capacitance line 35, an interlayer insulating film 15 and the like are formed on the drain parts 31f and 31h to form recessed and projecting surfaces corresponding to the recessed parts g of the drain parts at these layers.
また、反射表示領域に配置されたドレイン部３１ｆ，３１ｈに凹部ｇを形成し、このドレイン部３１ｆ，３１ｈの上に容量線３５や層間絶縁膜１５等の各種の層を形成することで、これらの層にドレイン部の凹部ｇに対応した凹凸面を形成する。 - 特許庁 - To provide a curable resin composition for coating capable of forming a low dielectric interlayer insulating film in which even signals in high frequency circuit are hardly attenuated, a multilayer printed circuit board and a printed circuit board having a cured coating of the same, and a dry film having a semi-cured coating of the same.
回路の高周波数化に伴う信号の減衰し難い低誘電性の層間絶縁膜を形成できる塗工用硬化性樹脂組成物、その硬化塗膜を有する多層プリント配線板、プリント配線板及びその半硬化状態の塗膜を有するドライフィルムを提供すること。 - 特許庁 - Also, a contact hole 10 is formed in an interlayer insulating film 9, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out, without etching-back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.
また、層間絶縁膜９にコンタクト孔１０を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１２を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁 - This mica composite is obtained by ion exchange of 10-95 eq.% of exchangeable cations among the interlayer ions of a swellable synthetic mica with at least one kind of ions selected from the group consisting of K, Ba, Cu, Ag, Te, Bi, Pb, Ce, Fe, Mo, Nb, W, Sb, Sn, V, Mn, Ni, Co, Zn, Zr and Ti ions.
膨潤性合成雲母の層間イオンのうち、交換性陽イオンの１０〜９５当量％を、Ｋ，Ｂａ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｃｅ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，ＺｒおよびＴｉからなる群から選ばれる１種または２種以上のイオンとイオン交換させて得られる合成雲母複合体により課題を解決できる。 - 特許庁 - Furthermore, a process is provided, where an oxide film 301 as an interlayer insulating film is formed on an insulating film 102 and the gate electrode 201, so as to form a space with the undercuts of the gate electrode 201 through a CVD(chemical vapor deposition) method, which is carried out in an atmosphere of substantially one atmospheric pressure.
さらに、実質的に１気圧の雰囲気下のＣＶＤ法により、ゲート電極２０１のアンダーカット部との間に空間を形成するように、１０２絶縁膜およびゲート電極上２０１に層間絶縁膜としての酸化膜３０２を形成する工程を有している。 - 特許庁 - The PVA-based fiber is composed of a PVA-based polymer and a phyllosilicate finely dispersed in the polymer and has ≥20Å average interlayer distance of the phyllosilicate measured by a wide angle x-ray diffraction and has ≥40% crystallinity and ≥60% degree of orientation.
ＰＶＡ系ポリマーと、ポリマー中に微細に分散した層状ケイ酸塩からなり、広角Ｘ線回折で測定した層状ケイ酸塩の平均層間距離が２０Å以上であり、かつ結晶化度が４０％以上、配向度が６０％以上であることを特徴とするＰＶＡ系繊維。 - 特許庁 - NEW PHOSPHORUS ATOM-CONTAINING PHENOL RESIN AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, CURABLE RESIN COMPOSITION AND CURED PRODUCT THEREOF, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATING MATERIAL FOR BUILDUP SUBSTRATE
新規リン原子含有フェノール樹脂、その製造方法、硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁 - To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.
コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The interlayer conducting means formed on the insulating base material with the use of the copper foil with the silver coating layer uses the copper clad laminate as the conductor using the copper powder or the silver coated copper powder, or the mixed powder of the copper powder and the silver coated copper powder.
そして、当該銀系被覆層付銅箔を用いて、絶縁基材に形成される層間導通手段は、銅粉又は銀コート銅粉若しくは銅粉と銀コート銅粉との混合粉を用いた導電体であることを特徴とする銅張積層板を用いるのである。 - 特許庁 - Light shielding layers LS are arranged corresponding to pixel electrodes PE between a transparent substrate SUB 1 of an array substrate AS and an interlayer insulation film ILI, and apertures are partially opened at least at the areas facing both sides of the signal lines SL and that right in front of them.
アレイ基板ＡＳの透明基板ＳＵＢ１と層間絶縁膜ＩＬＩとの間に、画素電極ＰＥに対応して配列すると共に、それぞれ信号線ＳＬの両脇の領域と向き合い且つその信号線ＳＬの正面の位置で少なくとも部分的に開口した遮光層ＬＳを設ける。 - 特許庁 - More specifically, a contact hole CH1 is formed in an interlayer dielectric 107 on the gate electrode 104 extending on a glass substrate 100 on the outside of a polysilicon layer 102, and the auxiliary gate electrode 108 is electrically connected with the gate electrode 104 through the contact hole CH1.
即ち、ポリシリコン層１０２の外のガラス基板１００上に延びたゲート電極１０４上の層間絶縁膜１０７にコンタクトホールＣＨ１が形成され、このコンタクトホールＣＨ１を通して、補助ゲート電極１０８がゲート電極１０４に電気的に接続されている。 - 特許庁 - In a multilayer printed wiring board in which the interlayer insulating layer is formed on a conductor circuit of a wiring substrate, the conductor circuit consists of an electroless plated film and an electrolytic plated film, and a coarse layer is provided in at least a part of the surface.
配線基板の導体回路上に層間絶縁層が形成された多層プリント配線板において、前記導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜からなり、その表面の少なくとも一部に粗化層を設けてなることを特徴とする多層プリント配線板である。 - 特許庁 - In the semiconductor device 1, an emitter electrode 31 is arranged on an emitter region 26 of a heterojunction bipolar transistor 20 of a compound semiconductor element 2, and an emitter main electrode terminal 42A is connected to the emitter electrode 31 through an opening 41A of an interlayer dielectric 40.
半導体装置１において、化合物半導体素子２のヘテロ接合バイポーラトランジスタ２０のエミッタ領域２６上にエミッタ電極３１が配設され、エミッタ電極３１には層間絶縁膜４０の開口部４１Ａを通してエミッタ主電極端子４２Ａが接続されている。 - 特許庁 - To provide a method for producing a material resin composition usable for an interlayer film producing functional laminated glass sufficiently applicable not only to building window applications but also to car window applications and aircraft window applications and especially to windshields, and so most suitable for recent demands.
建築用窓材はもちろん自動車用窓材、飛行機用窓材、ことに風防用ガラスにも充分適用でき、最近のニーズに最適なものとなる有用な機能的な合せガラスを製造することのできる中間膜として用いられる原料樹脂組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor chip laminated body extremely easily providing a semiconductor chip with an interlayer adhesive adhering thereto, and manufacturing a high lamination type semiconductor chip laminated body high in connection reliability even by semiconductor chips each having a projecting electrode.
極めて簡便に層間接着剤が付着した半導体チップを得ることができ、凸状電極を有する半導体チップであっても接続信頼性の高い高積層型の半導体チップ積層体を製造することができる半導体チップ積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To form an electroless plating film having scheduled thickness, high uniformity within the surface and high uniformity among surfaces in electroless plating treatment, for instance, for the surface of a wired material buried in an interlayer insulation film, which is one of processes for manufacturing a semiconductor device.
半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成すること。 - 特許庁 - In a wiring process of a semiconductor element comprising a low dielectricity interlayer insulating film, a substrate is cleaned in amine such as alkylamine, alkylene amine, cyclic amine, amine containing hydrokil group, amine containing nitril, and N-alkinated amine, and then, it is subjected to a resist peeling process.
低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の配線工程において、アルキルアミン類、アルキレンアミン類、環状アミン類、水酸基含有アミン類、ニトリル含有アミン類、及びこれらのアミンのＮ−アルキル化体等のアミンで基板を洗浄した後、レジスト剥離処理を行う。 - 特許庁 - The fabrication method comprises a step for forming a metallization containing Cu by filling the trench of the interlayer insulation film with a metal containing Cu, and a step for forming an insulation film of an insulation material containing no oxygen selectively on the metallization containing Cu.
また、層間絶縁膜の溝部にＣｕを含む金属を埋め込んでＣｕを含む金属配線を形成する配線形成工程と、上記Ｃｕを含む金属配線に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を選択的に形成する絶縁膜形成工程とを有する。 - 特許庁 - The inner peripheral surfaces of a wiring groove 12 and a connection hole 13, which are formed in interlayer insulating films 8 and 11 are covered with oxidation preventing films, such as SiN films 14 and 19, and thereafter, a Cu film is buried in the groove 12 and the hole 13 to form a Cu dual-damascene wiring.
層間絶縁膜８、１１に形成される配線溝１２および接続孔１３の内周面を酸化防止膜、例えばＳｉＮ膜１４、９により覆った後、配線溝１２および接続孔１３にＣｕを埋め込んでＣｕデュアルダマシン配線を形成する。 - 特許庁 - At this point, a pixel pitch is denoted as P, a total of overlapped capacity of the Sig line and the Vg line per one pixel as Ca, the overlapped area of the Sig line and the optoelectric converter per one pixel as S, the film width of the interlayer dielectric as d, a specific permittivity as ε, and a vacuum permittivity as ε_0.
その際、画素ピッチをＰ、１画素におけるＳｉｇ線とＶｇ線の重なり容量の総和をＣａ、１画素におけるＳｉｇ線と光電変換素子の重なり面積をＳ、層間絶縁層の膜厚をｄ、比誘電率をε、真空誘電率をε０とする。 - 特許庁 - To provide a transfer material installed with a transferring layer consisting of a layer formed on a surface having generally a low wetting property such as a releasing base film and a different layer formed thereon, and realizing a good interlayer close adhesion so as not to produce "cissing" or "pin hole" on the different layer.
離型性ベースフィルム等の一般に低濡れ性の表面に形成される層と、その上に形成される別の層とからなる転写層が設けられた転写材において、良好な層間密着性を実現し、しかもその別の層に「はじき」や「ピンホール」等を生じさせないようにする。 - 特許庁 - A MOSFET 1 includes an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p body 21, an n^+source region 22, a p^+region 23, a gate oxide film 30, a gate electrode 40, an interlayer insulating film 50, a contact electrode 80, a source electrode 60, and a drain electrode 70.
ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐボディ２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、ｐ^＋領域２３と、ゲート酸化膜３０と、ゲート電極４０と、層間絶縁膜５０と、コンタクト電極８０と、ソース電極６０と、ドレイン電極７０とを備えている。 - 特許庁 - The first light shielding film 11a for shielding reflected light is disposed on the lower side of the semiconductor film 1a of the TFTs 30 and the second light shielding film 24 consisting of the same material as the material of the first light shielding film 11a is disposed via a first interlayer insulating film above the scanning lines 3a.
ＴＦＴ（３０）の半導体膜（１ａ）の下側には、反射光を遮光する第１遮光膜１１ａが配設され、走査線３ａの上方には第１層間絶縁膜を介して第１遮光膜１１ａと同一材料からなる第２遮光膜（２４）が配設されている。 - 特許庁 - To provide a positive dry film for solder resist capable of forming an interlayer insulation film, a planarizing film, a surface protective film, and an insulating film for a high-density mounting board excellent in resolution, adhesion and electric insulation, a cured product thereof, and a circuit board and electronic components with the cured product.
解像性、密着性及び電気絶縁性に優れた層間絶縁膜、平坦化膜、表面保護膜、高密度実装基板用絶縁膜を形成しうるソルダーレジスト用ポジ型ドライフィルム及びその硬化物並びにそれを備える回路基板及び電子部品を提供する。 - 特許庁
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