There is provided a thin film transistor including an oxide, as an active material layer, comprising elements In, Ga and Zn in the ranges of atomic ratios of the following regions 1, 2 or 3, and has an electron field-effect mobility of 25 cm^2/Vs or greater. 元素In,Ga及びZnを下記領域1、2又は3の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が25cm^2/Vs以上である薄膜トランジスタ。 - 特許庁
The protective layer 4 has inorganic particles 14, and an inter-particle phase 24 including a compound of a metallic element that is equivalent to at least one type of a metallic element among metallic elements contained in the magnet body 2. この保護層4は、無機粒子14、及び、磁石素体に含まれる金属元素のうちの少なくとも1種と同じ金属元素の化合物を含む粒子間相24を有している。 - 特許庁
In the semiconductor device 1000, the first and second switching elements 1000A and 1000B are formed in the first and second element forming regions 16a and 16b in an SOI layer 10a, respectively. 半導体装置1000は、SOI層10aの、第1および第2の素子形成領域16a,bにおいて、それぞれ第1および第2のスイッチング素子1000A,Bが形成されている。 - 特許庁
An intermetallic compound composed of Al and the other two kinds or more of elements, that is, an intermetallic compound having a particle size smaller than 0.5 μm is included by 8 pieces/μm^2 or larger in the Al group bearing alloy layer 4. Al基軸受合金層4に、Alと他の2種類以上の元素とから成る金属間化合物であって粒径が0.5μm未満の金属間化合物を、8個/μm^2以上含ませる。 - 特許庁
The organic EL display device to be provided has a plurality of green organic EL elements, each of which has a delayed fluorescent material, has a resonant cavity structure, and has a hole transport layer whose thickness is the same as that of a blue organic EL element. 緑色有機EL素子が遅延蛍光材料を有し、共振器構造を有し、正孔輸送層が青色有機EL素子とおなじ厚みである有機EL表示装置を提供する。 - 特許庁
A semi-transmissive reflecting film 6 is formed on the inside surface of a rear glass substrate 2, and a color filter layer 7, consisting of color elements 7r, 7g, and 7b of red, green and blue, is laminated on a flat surface of the film 6. 後側ガラス基板2の内面に半透過反射膜6を形成し、その平坦な表面上に赤、緑、青の各色要素7r、7g、7bからなるカラーフィルタ層7を積層する。 - 特許庁
As the alkaline-earth elements, Ca is most desirable, the compositional ranges are desirably controlled to 3 to 9% Mg, 0.5 to 5% Si and 0.01 to 0.5% Ca, and the thickness of the alloy layer is desirably controlled to ≤5 μm. アルカリ土類元素としては、Caが最も望ましく、組成範囲はMg:3〜9%、Si:0.5〜5%、Ca:0.01〜0.5%、合金層厚みは5μm以下であることが望ましい。 - 特許庁
This display device can be made thinner and lighter by making the display panel 10 composed only of the substrate 11 for driving and sealing the organic light emitting elements 10R, 10G and 10B with the touch panel 20 and the adhesive layer 30. 表示パネル10を駆動用基板11のみで構成し、タッチパネル20および接着層30で有機発光素子10R,10G,10Bを封止し、さらに薄型化・軽量化してもよい。 - 特許庁
After a due time, an anode segment 7, to which Ni, Cu, and Ag plating is done in turn onto its Cu base metal, is welded by ultrasonic welding onto anodic portions sectioned by the resist layer, thus making aluminum solid electrolytic capacitor elements. しかる後にレジスト層で区切られた陽極部にCu母材にNi、Cu、Agメッキを順次メッキ処理した陽極片7を超音波溶接にて溶接し、アルミ固体電解コンデンサ素子とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a light-emitting device, by which the deterioration of a liquid-repellent of barriers can be suppressed in the case of forming an organic EL layer on an entire display area commonly to all of organic EL elements. 全ての有機EL素子に共通する構成の有機EL層を全面に形成する場合に、隔壁の撥液性の低下を抑制することが可能な発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Thereby, the number of elements 29, 38 arrangeable per predetermined area can be increased as compared to the case where the device has only one capacity detector circuit layer, and the surface shape of the object 60 can be detected with higher resolution. これにより、容量検出回路層が一層の場合よりも一定面積当たりに配置できる素子29、38を増加させ、被測定体60の表面形状を高解像度で検出する。 - 特許庁
And in (4), the compound semiconductor used for the light emitting element described in (1), (2), or (3) in which each concentration of Si, Ge, Mg, Zn, and Cd elements contained in the light emitting layer is below 1×10^19/cm^-3 is provided. 〔4〕発光層に含まれるSi、Ge、Mg、Zn及びCdの各元素の濃度がいずれも1×10^19cm^-3以下である〔1〕、〔2〕又は〔3〕記載の発光素子用化合物半導体。 - 特許庁
To realize a lighting system which is less prone to warpage of a substrate due to temperature change even when a heat radiation layer is formed on the back side of an insulative long substrate on which light emitting elements are mounted. 発光素子が実装された絶縁性の長尺基板の裏面側に放熱層が形成された場合でも温度変化に伴う基板の反りが発生しにくい照明装置を実現する。 - 特許庁
The filter element assembly 1 has a pair of filter elements 5 constituted with a frame body 2, a supporting layer 3 consisting of woven fabric of an inorganic fiber and/or a metallic fiber and the filter material 4 consisting of a nonwoven fabric. フィルタ素子アッセンブリ1は、枠体2、無機繊維及び/又は金属繊維の織布よりなる支持層3及び不織布よりなる濾材4にて構成されたフィルタ素子5を1対有している。 - 特許庁
In this EL display type display 100 of the present invention, each of the plurality of EL elements 10 is arranged in each picture element to lead out emitted light from a luminescent layer 2 via an positive electrode 5 and a negative electrode 3. 本発明に係るELディスプレイ表示装置100は、陽極5と陰極3とを介して発光層2から発光を取り出す複数のEL素子10のそれぞれが各画素に配置されている。 - 特許庁
To provide a light emitting device capable of stably displaying a desired color by suppressing variation in brightness of light emitting elements even when an organic light emitting layer is deteriorated to some extent, and an ambient temperature changes. 有機発光層が多少劣化したり、環境温度が変わったりしても、発光素子の輝度の変化を抑え、安定して所望のカラー表示を行うことが可能な発光装置の提供を課題とする。 - 特許庁
The strain gage circuits 201, 202 measure a strain amount in an area near the power semiconductor elements 151, 152 generated by a thermal stress of a junction part solder layer of the power semiconductor element 151, 152. このひずみゲージ回路201,202は、パワー半導体素子151,152の接合部半田層の熱応力などによって発生したパワー半導体素子151,152の近傍のひずみ量を測定する。 - 特許庁
The light-emitting device includes: a plurality of EL elements 8 formed on a substrate 7; and a barrier layer 340 formed on the substrate to form a plurality of openings 341 in plan view. 発光装置は、基板7上に形成される複数のEL素子8と、平面視して複数の開口部341を形作るように、前記基板上に形成される隔壁層340と、を備える。 - 特許庁
The electrode protecting film 80 is overlapped with a light-emitting element step-flattening film 82, which the gas barrier layer 84 covers to further shut off each of the OLED elements 70 from the atmosphere. 電極保護膜80には発光素子段差平坦化膜82が重ねられ、ガスバリア層84が発光素子段差平坦化膜82を覆っており、OLED素子70の各々をさらに外気から遮断する。 - 特許庁
The long ink jet head 20 has a substrate 21 of Al alloy plate coated entirely with an insulation layer 33 on which heating elements 31 of 25 μm×25 μm are arranged at a pitch of 84.7 μm. 長尺インクジェットヘッド20の基板21はAl合金の平板からなり、全面に絶縁層33が覆設され、その上に25μm×25μmの発熱素子31がピッチ84.7μmで配設される。 - 特許庁
An apparatus for joining the flat additional product 2 having a viscous layer to the printed product 9 has n pieces of holding elements 201, 202...20n to be driven on a first passage B1 circulating around a first axis x. 粘着層を有する平らな補充製品2を印刷物9に接合させる装置は、第1軸x回りに循環する第1経路B1上で駆動されるn個の保持要素20_1,20_2・・・20_nを有する。 - 特許庁
In the laminate wire grid polarizer, wire grid polarizing elements each having the dielectric layer between the base material and the metallic wire are laminated so that their linear recessed and projecting parts are approximately parallel and face each other. 積層ワイヤグリッド偏光板は、基材と金属ワイヤとの間に誘電体層を有したワイヤグリッド偏光素子を、その直線状凹凸部がほぼ平行で、且つ互いに向き合って積層されている。 - 特許庁
To take an effective countermeasure for leak current by a buffer layer without having conduction of a first electrode and a second electrode in an organic EL panel arranging a plurality of organic EL elements on a substrate. 基板上に複数の有機EL素子を配列させる有機ELパネルにおいて、第1電極と第2電極との導通が生じることなく、緩衝層による有効なリーク電流対策を講じる。 - 特許庁
A sacrifice oxide layer is caused to grow on the surface of a semiconductor, a first subset of line elements is exposed to ion injection beams including dopant seeds, the first subset it doped, and its etching rate is varied. 半導体表面上で犠牲酸化物層を成長させ、ライン要素の第1サブセットを、ドーパント種を含むイオン注入ビームに露出させて、この第1サブセットをドープし、そのエッチング速度を変化させる。 - 特許庁
The divided second semiconductor elements 8 are picked up from the dicing film 21, and the adhesive films 22 stuck on the rear surface thereof are bonded as an adhesive layer on the first semiconductor element. 分割した第2の半導体素子8をダイシングフィルム21からピックアップすると共に、その裏面に貼り付けられた接着剤フィルム22を接着剤層として第1の半導体素子上に接着する。 - 特許庁
A wiring pattern is formed by the electroless copper plating method on a polyimide layer 3 forming an insulation film of semiconductor elements 1, and solder balls 11 are formed as external connection terminals for wiring patterns. 半導体素子1の絶縁皮膜であるポリイミド層3上に、無電解銅めっき法により配線パターンを形成し、配線パターンに対して外部接続端子としてはんだボール11を形成する。 - 特許庁
To facilitate connection between a semiconductor element and a wiring board after applying a conductive layer to connection between electrode pads, when laminating a plurality of semiconductor elements over a wiring board in multiple steps. 複数の半導体素子を配線基板上に多段に積層するにあたって、電極パッド間の接続に導電層を適用した上で、半導体素子と配線基板との間の接続を容易化する。 - 特許庁
A side molding 11 is constituted of a base material 12, which is equipped with a long part 16 and an extension part 17, and the coating layer 13 containing brilliant elements 19 formed on the surface of the base material 12. サイドモール11は、長尺部16及び延設部17を備えた基材12と、その基材12の表面に形成された光輝体19を含有する被覆層13とから構成されている。 - 特許庁
The liquid crystal elements each have two input terminals (T1, T2) and a liquid crystal layer which changes in refractive index along a Z axis in accordance with the difference between the voltages applied to the input terminals. 各液晶素子は、2つの入力端子(T1、T2)、及び該2つの入力端子に印加される電圧の差に応じて、Z軸方向に関して屈折率変化を生じる液晶層を有している。 - 特許庁
An insulating layer 15 covering the organic light emitting elements 10R, 10G and 10B is provided with a first aperture 15A and a second aperture 15B per organic light emitting element. 有機発光素子10R,10G,10Bを覆う絶縁層15には、有機発光素子10R,10G,10Bの各々ごとに、第1の開口部15Aおよび第2の開口部15Bが設けられている。 - 特許庁
The heat collection layer 28 is heated by using the temperature of a human body, so as to generate power in the thermoelectric conversion module 26 in response to a temperature difference which occurs between both the end parts of the thermoelectric elements 33. そして、収熱層28を人体の体温を利用して加熱し、熱電素子33の両端部間に生じる温度差に応じて熱電変換モジュール26に電力を発生させるようにした。 - 特許庁
Finally, the liquid crystal layer 12 which is hardened is heated and baked at a fixed temperature using a hot plate 25 (Fig.(c)), by which a final original pattern for optical elements 10 is manufactured (Fig.(d)). 最後に、ホットプレート25により硬化状態の液晶層12を所定の温度で加熱して焼成し(図1(c))、これにより、最終的な光学素子用原版10を製造する(図1(d))。 - 特許庁
In the semiconductor device cut into individual pieces along a scribe line from a wafer, TEG elements 12 for monitoring are arranged in an empty region in the lower layer of an assembly pad 11 provided in each individual piece. ウェハからスクライブ線に沿って個片に切り出される半導体装置において、各個片に設けた組み立てパッド11の下層の空いた領域に、モニタ用のTEG素子12を配置した。 - 特許庁
The method of manufacturing a semiconductor device including the plurality of semiconductor elements on the substrate including a heating and controlling layer forming step to form, on the substrate, a heating and controlling layer having a plurality of regions with different amounts of heat radiation and heat conductivity and a heating step to heat the substrate forming the heating and controlling layer. 基板上に複数の半導体素子を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板に熱輻射量または熱伝導量が互いに異なる複数の領域を有する加熱制御層を形成する加熱制御層形成工程と、前記加熱制御層を形成した基板を加熱する加熱工程と、を含む。 - 特許庁
The insulation coating has a first insulation layer made of a first element-group comprising at least P and O, and made of second elements capable of generating cations having two or more valences whose six-coordination ion radiuses defined by Shannon are not smaller than 0.073 nm, and has a second insulation layer made of a silicone resin wherewith the first insulation layer is coated. 本発明の絶縁被膜は、少なくともPおよびOからなる第1元素群とシャノンにより定義された6配位のイオン半径が0.073nm以上である2価以上の陽イオンを生じ得る第2元素とからなる第1絶縁層と、この第1絶縁層を被覆するシリコーン樹脂からなる第2絶縁層とを有することを特徴とする。 - 特許庁
In this radiation detection device, constituted of the scintillator 11 wherein the phosphor layer 7 for converting a radiation into light is supported on a support substrate 9, and the photodetector 5, comprising a plurality of photoelectric conversion elements 2 for converting light into an electrical signal, the surface in contact with the phosphor layer 7 of the substrate 9 for supporting the phosphor layer 7 is a recessed surface. 放射線を光に変換する蛍光体層7を支持基板9上に支持したシンチレータ11、及び光を電気信号に変換する複数の光電変換素子2からなる光検出器5とから構成されている放射線検出装置において、前記蛍光体層7を支持する基板9の蛍光体層7と接する面が凹面である。 - 特許庁
This image fixing device with which the image formed on recording medium of coloring micro-particles and the image liquid is heated/ fixed while a heating member comes in contact with the image surface, is characterized by that the surface layer on the heating member is the porous layer, and the liquid containing at least one of elements of the above image liquid is impregnated in the said porous layer. 記録媒体上に着色微粒子と画像液体とで形成された画像を画像面に加熱部材が接触して加熱定着する画像定着装置において、該加熱部材の表層が多孔質層であり、該多孔質層に該画像液体の成分が少なくとも一つ含まれた液体が含浸されていることを特徴とする画像定着装置。 - 特許庁
In this manufacturing method for a display panel, plural EL elements are individually isolated by an insulating barrier rib, at an isolating layer having an isolated part in its component layer, the barrier rib having a slender groove and an irregular surface like a cauliflower is formed, and the isolated part is formed in the isolating layer by forming the barrier plate from plural member having different coefficients of linear expansion. 複数のEL素子が、絶縁性の隔壁により、構成層に隔離部をもつ隔離層でそれぞれ隔離されている表示パネルの製造方法において、細溝やカリフラワー状の凹凸表面を有した隔壁を形成したり、隔壁を線膨張率の異なる複数の部材から形成して隔離層に隔離部を形成する。 - 特許庁
A solar cell module X is formed by laminating a substrate 1, a first optical transparent resin layer 2 disposed on the substrate, a photoelectric conversion portion composed of a solar cell array which is formed by connecting a plurality of solar cell elements 3 on the first resin layer, a second resin layer 4 disposed on the photo conversion part, and a rear sheet 5. 太陽電池モジュールXは、基板1と、該基板上に配置された透光性の第1樹脂層2と、該第1樹脂層上に配置された複数の太陽電池素子3を接続してなる太陽電池素子列で構成された光電変換部と、該光電変換部上に配置された第2樹脂層4と、裏面シート5とを積層してなる。 - 特許庁
The organic electroluminescent device is provided with light-emitting elements each consisting of a functional layer 15 containing a first electrode 11 and an organic light-emitting layer 17 and a second electrode 18 in a region superposing in plane view an opening 14a of a barrier rib formed with the opening, with at least one layer out of the functional layers 15 formed by a droplet discharge method. 開口部を形成した隔壁の開口部14aと平面視で重なる領域内に、第1電極11と有機発光層17を含む機能層15と第2電極18とからなる発光素子を有し、機能層15のうちの少なくとも一層が液滴吐出法で形成された有機エレクトロルミネッセンス装置である。 - 特許庁
A manufacturing method of electron-emitting elements comprises the processes of: preparing a plurality of conductive particles each of which is coated at least on a part of the surface with an insulation layer having a thickness of not more than 10 nm; and forming a dipole layer on the surface of the insulation layer that covers each of the plurality of conductive particles. 各々の表面の少なくとも一部が10nm以下の膜厚の絶縁層で覆われた複数の導電性粒子を用意する工程と、前記複数の導電性粒子の各々を被覆する前記絶縁層の表面にダイポール層を形成する工程とを、有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 特許庁
This is a gas barrier type film-like base material used to seal organic electroluminescent elements and equipped with a glass substrate of which thickness is ≥30 μm and ≤300 μm, a conductive film layer formed at least on one face of the basic material, and a resin layer formed on the conductive film layer. 本発明に係るガスバリア性フィルム状基材は、有機エレクトロルミネッセンス素子の封止に用いられるガスバリア性フィルム状基材であって、厚さが30μm以上300μm以下のガラス基材と、前記基材の少なくとも一方の面に形成された導電膜層と、前記導電膜層上に形成された樹脂層とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
The intermediate layer made of 5 to 50 weight% chrome oxide and remaining carbide, nitride and oxide compounds of periodic table 4a, 5a group elements, aluminum, silicon and a mixture and/or a reciprocal solid solution of at least one kind of these reciprocal solid solution is inserted between the oxide compound layer with the α-alumina as its main compound and the titanium compound layer. α-アルミナを主成分とする酸化物層とチタン化合物層との間に5〜50重量%の酸化クロムと、残りが周期律表4a,5a族元素,アルミニウム,シリコンの炭化物,窒化物,酸化物およびこれらの相互固溶体の中から選ばれた少なくとも1種との混合物および/または相互固溶体からなる中間層を挿入する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor element wherein, when dividing a substrate product into multiple semiconductor elements, the substrate product being a nitride semiconductor layer formed on a GaN based compound substrate, a damage at a side face of the nitride semiconductor layer can be controlled and the shape of the nitride semiconductor layer and the side face of the GaN based compound substrate can be well controlled. GaN系化合物基板上に窒化物半導体層が形成された基板生産物を複数の半導体素子に分割する際に、窒化物半導体層の側面の損傷を抑えるとともに窒化物半導体層及びGaN系化合物基板の側面形状を良好に制御可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
An organic resin coated steel comprises a chemical conversion layer and an organic resin layer successively laminated on a steel, wherein the chemical conversion layer contains one or more compositions selected from a group consisting of hydroxides or oxyhydroxide of Al, Ga, In and Tl, and the deposition of the metal elements is 0.01-10 g/m^2 in total. 鋼材に、化成処理層、有機樹脂層を順次積層して成る有機樹脂被覆鋼材において、化成処理層が、Al、Ga、In、Tlの水酸化物あるいはオキシ水酸化物から成る群から1つ以上選ばれた組成物を含み、その金属元素の付着量が合計で0.01〜10g/m^2であることを特徴とする被覆鋼材である。 - 特許庁
This organic LED display device having a plurality of organic LED elements each consisting of a thin film transistor, a pixel electrode, at least an organic LED layer and the counter electrode laminated on a substrate comprises a polymer protecting layer formed between the counter electrode and the organic LED layer, the counter electrode being deposited by DC magnetron sputtering. 基板上に、薄膜トランジスタと、画素電極と、少なくとも有機LED層と、対向電極とを積層した複数の有機LED素子を有する有機LED表示装置において、対向電極と有機LED層との間に形成された高分子保護層を備え、対向電極がDCマグネトロンスパッタリング法により成膜されていること。 - 特許庁
The nitride semiconductor device containing a nitride semiconductor layer, an electrode, and a dielectric film has an InGaNX contact layer containing one or more elements X selected from among As, P, and Sb in contact with an area between the nitride semiconductor layer and the dielectric film, thus preventing the dielectric film from being exfoliated. 本発明は、窒化物半導体層、電極および誘電体膜を含む窒化物半導体素子において、前記窒化物半導体層と前記誘電体膜との間に接して、As、PまたはSbから選ばれる1種類以上の元素Xを含む、InGaNXコンタクト層を具備することによって誘電体膜の剥離を防止することが可能である。 - 特許庁
In a display medium enabling display of information by controlling orientation of a plurality of or a multitude of rotatable display elements that are contained in a display forming layer, each display element is constituted so that a coloring section having a single layer is partially provided on the surface of a transparent element substrate, and the back of the display forming layer is colored in white or a specific color. 表示形成層中に含ませた回転可能な複数もしくは多数の表示素子の向きを制御することによって情報の表示が可能な表示媒体において、各表示素子を、透明な素子基材の表面に部分的に単層の着色部を設けた構成とし、表示形成層の背面を白または特定の色に着色する。 - 特許庁
Specially in the case where the heat-resistant alloy is a niobium-based alloy, the first layer alloy film is made to contain Re and at least two kinds of elements forming a stable phase with Re, and the second layer film is made to be a film, in which oxide fibers and oxide particles are scattered in an alloy layer containing at least Al and at least one kind of Cr and Ni. とくに耐熱合金が二オブ基合金の場合に、第一層の合金皮膜はRe及びReと安定な相を形成する元素を2種以上含むものとし、第二層皮膜は、少なくともAlを含みCrとNiのうちの1種以上を含む合金層中に、酸化物繊維および酸化物粒子が分散されたものとする。 - 特許庁
A radiation image sensor includes: a scintillator plate that is provided with a scintillator layer on a substrate; and a photoelectric conversion element array unit that is provided with a photoelectric conversion element layer formed with plural photoelectric conversion elements constituting a photoelectric conversion element array and a spacer layer formed with plural spacers respectively in contact with the scintillator plate in order to maintain a uniform distance between the scintillator plate and the photoelectric conversion element layer. 基板にシンチレータ層が設けられたシンチレータプレートと、光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層と、前記シンチレータプレートと前記光電変換素子層との間の距離を均一に保つべく前記シンチレータプレートにそれぞれ当接する複数のスペーサが形成されたスペーサ層と、が設けられた光電変換素子アレイユニットと、を備える。 - 特許庁