「layer elements」を含む例文一覧(2250)
＜前へ 1 2 .... 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45- The thin film semiconductor device has an active layer 207 of a crystalline semiconductor film formed on an insulation film 202 containing oxygen, argon, halogen elements or phosphorus wherein the concentration of a metallic element accelerating crystallization of silicon contained in the crystalline semiconductor film is lower than that of a metallic element in the insulation film.
絶縁膜２０２上の結晶性半導体膜からなる活性層２０７を有した薄膜半導体デバイスであって、前記絶縁膜中に酸素、アルゴン、ハロゲン元素もしくはリンを含み、前記結晶性半導体膜中に含まれる珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記絶縁膜中の当該金属元素の濃度よりも低いことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor wafer laminate manufacturing method, which can sufficiently reduce voids at a bump part, sufficiently minimize warp after grinding and achieve thinning of a semiconductor device having a structure of laminated plurality of semiconductor elements when the semiconductor device is manufactured from a semiconductor wafer with an adhesive layer.
接着剤層付き半導体ウェハから半導体装置を製造する場合に、バンプ部分のボイドを十分に低減できるとともに、研削後の反りを十分小さくすることができて、複数の半導体素子を積層した構造を有する半導体装置の薄型化を可能とする半導体装置の製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A laminating structure 40 comprises a GaAs substrate 42, whose substrate surface is a main surface comprising (001) plane and a slope in a (111)-A plane direction or a (111)-B plane direction provided continuously with the (001) plane, and an epitaxial growth layer 46 which comprises, provided along a substrate surface in one epitaxial growth process, a compound semiconductor containing specific elements.
本積層構造４０は、（００１）面からなる主面と、（００１）面に連続して設けられた（１１１）Ａ面方向、又は（１１１）Ｂ面方向の傾斜面とを基板面とするＧａＡｓ基板４２と、一つのエピタキシャル成長工程で基板面に沿って設けられた、特定元素を含む化合物半導体からなるエピタキシャル成長層４６とを備えている。 - 特許庁 - When thin film transistors such as a switch transistor 5 and a drive transistor 6 used as driving elements in an EL panel 1 are manufactured, semiconductor films 5b and 6b which are enhanced in crystallinity are formed by subjecting a base film 16 to plasma processing as preprocessing for forming a semiconductor layer 9b of crystalline silicon to serve as semiconductor films 5b and 6b where channels are formed.
ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜５ｂ、６ｂとなる結晶性シリコンの半導体層９ｂを成膜する前処理として下地膜１６にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜５ｂ、６ｂを形成することができる。 - 特許庁 - The semiconductor integrated circuit device comprises a connection target including at least one of an electrostatic protection element and an input/output circuit element, two or more elements selected from one or more power supply wire and one or more pad, a plurality of wires formed on the same layer, a first contact for electrically connecting at least one wire among the plurality of wires with the connection target.
半導体集積回路装置は、静電気保護素子及び入出力回路素子のうちの少なくとも１つを含む接続対象と、１以上の電源配線及びパッドから選択される２以上の要素と、同一層に形成された複数の配線と、複数の配線のうちのいずれか１つの配線と、接続対象とを電気的に接続する第１コンタクトと、を備える。 - 特許庁 - To provide a color solid-state imaging element that has a pixel portion where a plurality of photoelectric conversion elements are arranged on a plane in a recess region on a semiconductor substrate, the color solid-state imaging element being characterized in securing a wide normal film formation region free of a quality defect such as frame color unevenness, peeling, etc., of a color filter colored layer, having excellent color characteristics, and being made fine.
半導体基板上の凹部領域に複数の光電変換素子を平面配置した画素部を有するカラー固体撮像素子において、カラーフィルタ着色層の枠色ムラや剥がれ等の品質不良の生じない正常な膜形成領域を広く確保するとともに、良好な色特性を有する微細化したカラー固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁 - The display panel 2 is formed by joining a transparent panel 12 in which reflecting structure 30 having a first surface 31 reflecting the light emitted from a light emitting element 14 to the emission side D1 and a second surface 32 reflecting the emitted light to the light emitting element 14 side to a substrate 15 on which a luminescent layer 11 containing a plurality of light emitting elements 14 is formed.
複数の発光素子１４を含む発光層１１が形成された基板１５に対し、発光素子１４からの出力光を射出側Ｄ１に反射する第１の面３１および出力光を発光素子１４の側に反射する第２の面３２を備えた反射構造３０が形成された透明パネル１２を接合した表示パネル２を提供する。 - 特許庁 - To provide a treatment method in which defects remaining/generated inside an injection layer are compensated/generated-suppressed by a method wherein, when valence electrons in a compound semiconductor are controlled by irradiating particles containing an impurity element and by activation annealing treatment, a process in which particles containing an element belonging to a larger group from among elements constituting the compound semiconductor are accelerated and irradiated is added.
不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって化合物半導体の価電子制御を行なう際、前記化合物半導体を構成する元素のうち大きな族に属する元素を含む粒子を加速して照射する工程を付加することで、注入層内に残留／生成される欠陥を補償／生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁 - A magnetic random access memory comprises: a memory cell that includes a first magnetoresistive element capable of writing data in a magnetization direction of a free ferromagnetic layer which is changed by spin transfer; and a reference cell that includes multiple second magnetoresistive elements for storing data for reference in a magnetization direction of free ferromagnetic layers which are changed by spin transfer, and that is used when the memory cell conducts reading operation.
磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第２磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。 - 特許庁 - Surface layers 2 each comprising a thin metal sheet are applied and laminated to both surfaces of the base material layer 1 comprising a thermoplastic resin and having numberless closed or open gaps 1b, the surfaces layers are linearly pressed by pressure elements 4 while heated, and the base material is softened and melted at the heated and pressed parts to depress the surface layers to form engaging recessed grooves.
熱可塑性樹脂を含み独立または連続した無数の空隙１ｂを有する基材層１の表面に薄い金属板からなる表面層２が被覆積層され、加圧子４で表面層の上から線状に加熱しつつ加圧した時に当該加熱・加圧した部分の基材層の一部が軟化ないし融解して表面層が凹溝状にへこむように形成されている。 - 特許庁 - This method for manufacturing the novolac type phenol resin comprises reacting phenols with aldehydes using smectite as a catalyst, wherein the smectite contains one or more cations composed of elements selected from aluminum, scandium, tin, chromium, iron, copper, titanium, magnesium, sodium, calcium, an organic ammonium and hydrogen in an interlayer of its layer structure.
スメクタイトを触媒として、フェノール類とアルデヒド類を反応させるノボラック型フェノール樹脂を製造する方法であって、前記スメクタイトは、その層状構造中の層間に、アルミニウム、スカンジウム、錫、クロム、鉄、銅、チタン、マグネシウム、ナトリウム、カルシウム、有機アンモニウムおよび水素から選ばれる元素より構成カチオンを１種以上有するものであることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂の製造方法。 - 特許庁 - In the EGR cooler, in which part of flue gas is cooled to a desired temperature in order to recycle the exhaust gas, at least a part of constitutional elements is formed of a member having a surface layer composed of a metal easily reactive with oxygen and sulfuric acid contained in the flue gas on the steel product (base material).
ディーゼルエンジンの排気ガスの一部を循環再使用するために、前記排気ガスの一部を所望温度に冷却するＥＧＲクーラにおいて、前記ＥＧＲクーラーの少なくとも一部の構成要素が、鋼材（基材）表面に排気ガス中の酸素分及び硫酸分と反応しやすい金属からなる表面層を設けた部材により構成されたこと、を特徴とするＥＧＲクーラ。 - 特許庁 - The near-IR absorbing film has, as structural elements, a transparent substrate and a near-IR absorbing layer containing a near-IR absorption dye, a resin and a surfactant, wherein the maximum color difference Δ in the film width direction (TD direction) calculated from tones measured at predetermined measuring points is ≤1.0.
近赤外線吸収色素、樹脂、および界面活性剤を含有する近赤外線吸収層と、透明基材を構成要素に含む近赤外線吸収フィルムであって、所定の測定箇所毎に測定した色調から算出されるフィルム幅方向（ＴＤ方向）の色差Δの最大値が１．０以下であることを特徴とする近赤外線吸収フィルムである。 - 特許庁 - A liquid crystal display device is provided with an array substrate having a plurality of source lines, a plurality of gate lines, a plurality of pixel electrodes 10, a plurality of switching elements and a plurality of common wirings 2, a counter substrate opposed to the array substrate and having a counter electrode and a liquid crystal layer packed between the array substrate and the counter substrate and comprising an OCB mode liquid crystal.
液晶表示装置は、複数本のソース線および複数本のゲート線と、複数の画素電極１０と、複数のスイッチング素子と、複数の共通配線２とを有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向する対向電極を有する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に充填されているＯＣＢモード液晶からなる液晶層とを具備している。 - 特許庁 - Inside a fuel assembly for a fast reactor, a core fuel region 10 consisting of a core fuel element charged with high Pu enrichment U-Pu mixed fuel is arranged and the outside of the core fuel region is surrounded with a blanket fuel region consisting of a layer of or a plurality of layers of blanket fuel elements 2 charged with depleted uranium fuel to make a heterogeneous fuel assembly.
高速炉用の燃料集合体内部に、高Ｐｕ冨化度Ｕ−Ｐｕ混合燃料を充填した炉心燃料要素１からなる炉心燃料領域１０を配設し、劣化ウラン燃料を充填したブランケット燃料要素２の１層または複数層からなるブランケット燃料領域２０で炉心燃料領域の外周を取り囲んだ非均質燃料集合体とする。 - 特許庁 - In a nonaqueous electrolyte secondary battery including a positive electrode containing a lithium-containing transition metal oxide having layer structure as a positive active material, a negative electrode, and a nonaqueous electrolyte, the negative electrode contains a compound containing Si and O as constituent elements (0.5≤Si/O≤1.5)
層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物を正極活物質として含有する正極、負極および非水電解質を備えた非水電解質二次電池において、前記負極に、ＳｉとＯを構成元素に含む化合物（ただし、０．５≦Ｓｉ／Ｏ≦１．５）と導電性材料とを含有させ、前記非水電解質に、下記一般式（１）で表されるシロキサン誘導体を含有させる。 - 特許庁 - A thermal type air flow rate sensor is configured to carry out ion implanting by using at least any one atom or molecule from among inactive elements such as silicon, oxygen, argon, or nitrogen to a silicon oxide film 4 formed most closely to the surface (in the uppermost layer), and to make the density of the atom contained in the silicon oxide film 4 higher than that before carrying out ion implanting.
上記目的を達成するために、本発明の熱式空気流量センサは、表面の最も近く（最上層）に形成されるシリコン酸化膜４に、シリコン，酸素又はアルゴンや窒素等の不活性元素の中から少なくともいずれか一つの原子又は分子を用いてイオン打ち込みを行い、シリコン酸化膜４に含まれる原子の濃度をイオン打ち込みを行う前よりも高める。 - 特許庁 - Thereby, the influence of the curved surface or of a crown-shaped protrusion of the epitaxial layer generated in a peripheral part of the wafer is suppressed, and since adequate strength for the backside grinding is assured after forming the device elements, this method can contribute to thinning of the wafer.
本発明は入荷後のウエファをグラインディング研削し、その後ミラーポリッシュを施して面取り量を１０〜５０μｍまで縮小し、且つエピタキシャル層を３０μｍ以下に形成するもので、これによりウエファ周端部のエピタキシャル層によるダレやクラウン突起の影響を抑制でき、素子形成後にＢ／Ｇ研削する場合に十分な強度があるのでウエファの薄膜化に寄与できる。 - 特許庁 - At least in a display region 20 where a plurality of display pixels PIX (respective color pixels PXr, PXg, PXb) are two-dimensionally arranged, a partition wall layer 17 is formed to include boundary regions among the display pixels PIX, and cover regions other than EL element formation regions Rel (corresponding to application regions of an organic compound-containing liquid) of the respective display elements PIX.
少なくとも、複数の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）が２次元配列された表示領域２０において、隔壁層１７は、表示画素ＰＩＸ相互の境界領域を含み、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒel（有機化合物含有液の塗布領域に相当する）以外の領域を被覆するように設けられている。 - 特許庁 - To provide an alloy film which has excellent heat resistance and high-temperature oxidation resistance and can maintain diffusion barrier characteristics under an ultrahigh temperature environment over a long period of time by controlling the elements, composition, phase, structure and construction of an Re-containing alloy constituting a diffusion barrier layer, its manufacturing method and a heat resistant metallic member using the alloy film.
拡散バリア層を構成するＲｅ含有合金の元素、組成、相、組織および構造を制御することによって、拡散バリア特性を超高温環境下で長時間に亘って維持することができ、かつ、優れた耐熱性および耐高温酸化性を有する合金皮膜、その製造方法およびこの合金皮膜を用いた耐熱性金属部材を提供する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the semiconductor device in which the gate insulation film is formed on a silicon single crystal substrate for the gate insulation film, an oxide layer is formed by an organic metal chemical vapor deposition method using a gaseous mixture having an oxidizing gas and an organic metal gas composed of the cyclopentadienyl complex of elements composed of one or more kinds of Ln (Ln is rare earth element).
本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を、Ｌｎ（Ｌｎは希土類元素）の１種類以上からなる元素のシクロペンタジエニル錯体からなる有機金属ガスと酸化性ガスとを有する混合ガスを用いた有機金属化学気相成長法によって酸化物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - A recording thin film 3 is formed between a first electrode 1 and a second electrode 4, and a memory element 10 contains any one from among elements Cu, Ag and Zn with its size as 70 nm or less, at a layer 2 containing at least oxygen and rare earth in the recording thin film 3 that is within or adjacent to the recording thin film 3.
第１の電極１と第２の電極４との間に記憶用薄膜３が挟まれて構成され、この記憶用薄膜３に少なくとも酸素と希土類元素とを有して成り、記憶用薄膜３内もしくは記憶用薄膜３と接している層２に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれ、素子サイズが７０ｎｍ以下である記憶素子１０を構成する。 - 特許庁 - In the molded ceiling material for a car having at least three elements of a skin material 43, a paper honeycomb core 20, and semi-rigid or rigid polyurethane foam 42, the paper honeycomb core 20 is incorporated as a ceiling material substrate 41 in a polyurethane foam layer by integral foaming, and a curved surface part molded by hot press is provided.
少なくとも表皮材４３、ペーパーハニカムコア２０、半硬質もしくは硬質ポリウレタンフォーム４２の３要素を有する自動車用成形天井材であって、天井材基材４１として前記ポリウレタンフォーム層の中に前記ペーパーハニカムコア２０が一体発泡成形によって含有されており、かつ熱プレス成形してなる曲面部を有することを特徴とする自動車用成形天井材。 - 特許庁 - The package includes: a thermoelectric module 10a, wherein a plurality of thermoelectric elements 17 are serially connected by a pair of electrode plates 14 and 15; a metal bottom plate 11 to which one electrode plate 14 of this thermoelectric module 10a is joined through an insulating resin layer 13; and a metal frame 12 joined to the periphery of this metal bottom plate 11 with a solder 18.
本発明は、複数の熱電素子１７が一対の電極板１４，１５で直列接続された熱電モジュール１０ａと、この熱電モジュール１０ａの一方の電極板１４が絶縁樹脂層１３を介して接合された金属製底板１１と、この金属製底板１１の外周囲部にハンダ１８により接合された金属製枠体１２とからなる。 - 特許庁 - Then a layer change part 5 changes the hierarchical structure of the logic circuit is changed into a structure composed of logic elements passed through and a flip-flop reached by tracing the logic circuit from an external output terminal or the input of the extracted flip-flop reversely to a flow of a signal until the external input terminal of the logic circuit or the flip-flop is reached.
次に、階層変更部５で、外部出力端子または抽出されたフリップフロップの入力から、信号の流れと逆方向に論理回路の外部入力端子または他のフリップフロップに到達するまで論理回路をたどり、経由した論理素子および到達したフリップフロップで構成される階層回路からなる構造に論理回路の階層構造を変更する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a liquid crystal display element which improves the quality and reliability by preventing generation of retardation non-uniformity, cracks on a surface hardened layer, and releasing in the liquid crystal display element, saves labor and time in removing chip refuse after cutting, makes dividing operation into the individual liquid crystal display elements efficient and drastically improves productivity.
液晶表示素子にリターデーションむらや表面硬化層のクラック、剥離が生じるのを防止して品質および信頼性を向上し、切断後のチップかすの除去に手間取ることもなく、しかも個々の液晶表示素子への分断作業効率をあげて生産性を著しく向上させることができる液晶表示素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The nitride semiconductor element is manufactured through a process of forming a plurality of light emitting elements composed of at least one layer of nitride semiconductor element layers 2, 3 on a growth substrate, a process of joining a supporting substrate 6 on the nitride semiconductor element layers 2, 3, and a process of removing the growth substrate from the joined nitride semiconductor element layers 2, 3 and the supporting substrate 6.
窒化物系半導体素子は、成長基板上に少なくとも１層以上の窒化物系半導体素子層２、３からなる複数の発光素子を形成する工程と、窒化物系半導体素子層２、３上に支持基板６を接合する工程と、接合された窒化物系半導体素子層２、３及び支持基板６から成長基板を除去する工程とによって製造される。 - 特許庁 - The flexible display using the resin substrate is made by carrying out the processes of forming a resin substrate on a fixed substrate with an interposed amorphous silicon film as a peel layer; forming at least TFT elements on the resin substrate; and irradiating the amorphous silicon film with laser light to peel the resin substrate off the fixed substrate along the amorphous silicon film.
固定基板上に、剥離層となる非晶質シリコン膜を介して樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜にレーザー光を照射することにより、前記非晶質シリコン膜において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 - 特許庁 - This method determines a bottom surface and damps electromechanical ribbon elements on a channel having a bottom conductive layer formed under this bottom surface and is provided with a stage, where at least one fixed-amplitude voltage pulse is given to at least one ribbon element, and a stage where damping pulses obtained by dividing the fixed- amplitude voltage pulse by a narrow temporary gap are given to at least one ribbon element.
底表面を定め、この底表面の下に形成された底導電層を有するチャネル上の電気機械リボン素子を減衰する方法であって、少なくとも一つのリボン素子に少なくとも一つの定振幅電圧パルスを提供する工程と、前記定振幅電圧パルスから狭い一時的なギャップによって分けられた制動パルスを少なくとも一つ前記リボン素子に提供する工程とを有する方法。 - 特許庁 - A print driver 40 when installed in a user PC 30 converts function information described in XML into function information 44 in the form of binary data in which elements of the same layer are sorted, converts prohibition information described in XML into prohibition information 45 in the form of binary data in a multidimensional array, and saves the function information 44 and prohibition information 45 after the conversion in a setting file 43.
印刷ドライバー４０は、ユーザーＰＣ３０へのインストール時において、ＸＭＬで記述されている機能情報から同一階層の要素をソートしたバイナリデータである機能情報４４へ変換したり、ＸＭＬで記述されている禁則情報から多次元配列したバイナリデータである禁則情報４５へ変換したりし、変換後の機能情報４４及び禁則情報４５を設定ファイル４３に保存する。 - 特許庁 - The image forming method having a photoconductive layer composed of a non-single crystalline material consisting of silicon atoms as its parent body comprises using toners containing at least a binder resin, coloring agents and particulates containing at least a zinc oxide at 0.5 to 30 mol% in terms of a zinc element and metallic elements exclusive of the zinc element at 0.1 to 30 mol% of the zinc element in the zinc oxide.
シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層を有する画像形成方法において、結着樹脂と、着色剤と、少なくとも酸化亜鉛を亜鉛元素換算で０．５〜３０ｍｏｌ％含有し且つ亜鉛元素以外の金属元素を前記酸化亜鉛中の亜鉛元素に対して０．１〜３０ｍｏｌ％含有する微粒子とを少なくとも含有するトナーを用いることを特徴とする。 - 特許庁 - The cathode used in the lithium secondary battery contains 5 to 75 parts by mass each of a first and a second cathode active materials as complex oxides of two kinds of spinel structure with different kinds of constituent elements with lithium and manganese as essential ingredients, and 15 to 45 parts by mass of a third cathode active material as an oxide of a layer structure containing lithium and nickel.
リチウムとマンガンを必須成分とし、構成する元素の種類が異なる二種類のスピネル構造の複合酸化物である第一の正極活物質、第二の正極活物質のそれぞれを、５質量部から７５質量部と、リチウムとニッケルを含有し層状構造の酸化物である第三の正極活物質を１５質量部から４５質量部とを含む正極およびそれを用いたリチウム二次電池。 - 特許庁 - The 1st objective method for vacuum deposition polymerization comprises producing organic thin film by polymerization of an aromatic compound or polycyclic aliphatic compound having at least one acetylene group under a vacuum by heat treatment or ultraviolet irradiation either simultaneously with a vapor deposition or following the vapor deposition, to provide the thin film produced by the above method, and to provide electroluminescent elements each with at least one layer of the above thin film.
１つ以上のアセチレン基を含む芳香族化合物、又は多環式脂肪族化合物を真空条件下で蒸着と同時に、あるいは蒸着後に熱処理又は紫外線照射により重合させて有機薄膜を製造する蒸着重合法、その方法に従って製造された蒸着重合薄膜及びその薄膜を１層以上に使用した電気発光素子に関する。 - 特許庁 - To effectively use the light irradiated to a light receiving surface to increase an output per element, reducing an amount used of element material, which cuts down the cost of a low light condensing type spherical solar cell including a supporting body which individually separates to support a plurality of spherical photoelectric conversion elements having a second semiconductor layer outside a first semiconductor and has a reflecting mirror surrounding the side surface of each element.
第１半導体の外側に第２半導体層を有する複数の球状光電変換素子を個々に分離して支持する支持体を具備し、この支持体が各素子の側面を囲む反射鏡を有する低集光型球状太陽電池において、受光面に照射される光を有効に活用して素子当たりの出力を高め、素子の素材の使用量を低減することにより、低コスト化を計る。 - 特許庁 - In the ultrasonic vibrator 1 having a plurality of piezoelectric elements arranged one-dimensionally or two-dimensionally, when an individual signal wire 11 is formed penetrating a backing layer 9, a micro drill 22 used for perforation is left inside the perforated hole 21 by being separated from a chuck 23 which drives the micro drill 22 upon perforation, and the remaining micro drill 22 is used as the signal wire 11 as it is.
１次元または２次元配列された多数の圧電素子を有する超音波振動子１において、バッキング層９を貫通して個別の信号線１１を形成するにあたって、穿孔に使用した微細ドリル２２を、穿孔の際に微細ドリル２２を駆動したチャック２３から切離すことで穿孔した孔２１内に残留させ、その残留させた微細ドリル２２をそのまま信号線１１として使用する。 - 特許庁 - The nonaqueous electrolyte secondary battery is equipped with a positive electrode containing the lithium transition metal composite oxide having layer structure, a negative electrode containing a negative active material capable of storing or releasing lithium, and a nonaqueous electrolyte having lithium ion conductivity, and boron and at least one kind of group IVa elements are added to the lithium transition metal composite oxide.
層状構造を有するリチウム遷移金属複合酸化物を正極活物質として含む正極と、リチウムの吸蔵・放出が可能な負極活物質を含む負極と、リチウムイオン伝導性を有する非水電解質とを備えた非水電解質二次電池であって、リチウム遷移金属複合酸化物に、ホウ素と、周期律表のIVａ属元素の少なくとも１種とが添加されていることを特徴としている。 - 特許庁 - In the belt-shaped inner lead 10 for connecting the solar cell element produced by coating a metal foil 11 with a solder layer 7 and connecting the light receiving surface side electrode of one of two adjacent solar cell elements with the rear surface side electrode of the other solar cell element by soldering, the surface part of the metal foil 11 opposing the electrode has a substantially concave shape.
隣接する２つの太陽電池素子の一方の太陽電池素子の受光面側電極と他方の太陽電池素子の裏面側電極を半田付けにて接続するために設けられた、金属箔１１に半田層７を被覆して成る帯状の太陽電池素子接続用インナーリード１０であって、前記金属箔１１の前記電極と対向する面部が略凹形状を成したことを特徴とする。 - 特許庁 - In the organic EL display panel wherein an organic electroluminescent element is formed on each pixel of a TFT substrate, at least one layer among organic layers constituting the organic EL elements is formed at a stripe shape by adjusting to a position of each pixel train by using a letterpress printing method, and a partition is not formed in the vicinity of each pixel on the TFT substrate.
ＴＦＴ基板の各画素上に有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、前記有機ＥＬ素子を構成する有機層の内、少なくとも一層が凸版印刷法を用いて各画素列の位置に合わせてストライプ状に形成され、前記ＴＦＴ基板は、各画素周辺に隔壁が形成されていないことを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル及びその製造方法。 - 特許庁 - This organic electroluminescent display panel is composed of a board containing a display panel region comprising a plurality of organic electroluminescent elements comprising a plurality of display electrodes and an organic substance layer laminated each other, and a conductive connection line electrically connected to electrodes formed in a region surrounding the display panel region on the board, and the connection line is given a lower resistance compared with the electrodes formed on the display panel region.
有機エレクトロルミネセンス表示パネルは、各々が積層された複数の表示電極及び有機材料層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の複数からなる表示パネル領域を含む基板と、基板上の表示パネル領域を囲む領域に形成された電極に電気的に接続された導電性の接続ラインと、からなり、接続ラインは表示パネル領域上に形成された電極に比して低抵抗とした。 - 特許庁 - A first roll 102 is constituted by winding a base material tape 101 of a laminated structure comprising a base film 101b including a plurality of radio tag circuit elements To having an IC circuit part 151 storing information and an antenna 152 connected to the IC circuit part 151 to transmit and receive information, and an electromagnetic wave shield layer 101e having shield function for reducing the intensity of radio communication signal.
情報を記憶するＩＣ回路部１５１及びこのＩＣ回路部１５１に接続され情報の送受信を行うアンテナ１５２を備えた無線タグ回路素子Ｔoを複数個有するベースフィルム１０１ｂと、無線通信信号の強度を低減するシールド機能を備えた電磁波シールド層１０１ｅとを含む積層構造の基材テープ１０１を、巻回して第１ロール１０２を構成する。 - 特許庁 - The sheet-like circuit device has a filmy base 11, a circuit pattern including circuit elements 12, 13 formed on the base 11, first outside connecting electrode terminals 14, 15 and second electrode terminals 16 connected to the circuit pattern, and an adhesive layer 17 adhesive at room temperature formed on at least either the circuit pattern forming surface or the filmy base 11 surface.
フィルム状基材１１と、フィルム状基材１１に形成された回路素子１２、１３を含む回路パターンと、回路パターンに接続された外部接続用の一方の電極端子１４、１５、他方の電極端子１６と、回路パターン形成面およびフィルム状基材１１表面の少なくとも一方の面上に形成された常温で粘着性を有する粘着層１７とを有する構成からなる。 - 特許庁 - Junction between a conductive thin film and a ferroelectric thin film is formed without substantially forming an electro-chemical different layer between these thin films, by individually supplying precursors of respective constitutional elements of the ferroelectric thin film under an MOCVD reaction environment, and providing the supply start time of these precursors with suitable time differences to hold fixed crystal azimuth relation between the conductive thin film and the ferroelectric thin film.
強誘電体薄膜の各構成元素の前駆体をＭＯＣＶＤ反応環境下に個別に供給し、前駆体の供給開始時間に適正な時間差を与えることにより、実質的に電気化学的な異層を介すことなく導電性薄膜と強誘電体薄膜の接合を形成し、導電性薄膜と強誘電体薄膜に一定の結晶方位関係を持たせる。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 11 containing oxygen and carbon is formed on a semiconductor substrate, a groove part 13 is formed on the interlayer insulating film 11, an auxiliary film 14 containing predetermined first and second metallic elements is formed on the bottom and sidewall of the groove part 13, and heat processing is performed to form a wiring body layer 19 containing copper as a main component while being buried in the groove part 13.
半導体基板の上に酸素及び炭素を含む層間絶縁膜１１を形成し、該層間絶縁膜１１に溝部１３を形成し、溝部１３の底面上及び側壁上に所定の第１の金属元素及び第２の金属元素を含む補助膜１４を形成し、熱処理を行い、銅を主成分とする配線本体層１９を、溝部１３の内部を埋め込むように形成する。 - 特許庁 - The nonaqueous secondary battery includes a positive electrode, a negative electrode and a nonaqueous electrolyte where the negative electrode includes a negative electrode mix layer containing a material containing Li, Si and O as constituent elements as an active substance, the atom ratio x of O to Si in the material is 0.5≤x≤1.5 in the entire material and is 2.5≤x≤4.5 on a surface part of the material.
正極、負極および非水電解質を備えた非水二次電池であって、前記負極は、Ｌｉ、ＳｉおよびＯを構成元素に含む材料を活物質として含む負極合剤層を有しており、前記材料におけるＳｉに対するＯの原子比ｘが、前記材料全体では０．５≦ｘ≦１．５であり、かつ前記材料の表面部では２．５≦ｘ≦４．５であることを特徴とする非水二次電池により、前記課題を解決する。 - 特許庁 - In the magnetic recording medium having a magnetic layer containing magnetic power and a binder on a nonmagnetic support, the magnetic powder contain at least one selected from a rare earth element and/or silicon, aluminum, and iron and nitrogen as constituting elements and an Fe_16N_2 phase an average particle size is 5 to 50nm and the particle is substantially spherical or elliptic.
非磁性支持体上に磁性粉末と結合剤を含有する磁性層を有する磁気記録媒体において、上記の磁性粉末として、希土類元素および／またはシリコン、アルミニウムの中から選ばれる少なくともひとつの元素と、鉄および窒素を少なくとも構成元素とし、かつＦｅ_16Ｎ_2 相を少なくとも含む、平均粒子サイズが５〜５０ｎｍの本質的に球状ないし楕円状の磁性粉末を含有することを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device including a liquid crystal layer placed between a pair of substrates opposed to each other and pixel electrodes connected to plural data signal lines and scan lines arranged in matrix on at least one of the substrates with switching elements, one of the data signal lines or scan lines are curved in one direction to make the treatment solution for washing or etching gush out to the same direction.
対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、少なくとも一方の基板上にマトリックス状に並設された複数のデータ信号線と走査信号線とに、スイッチ素子を介して接続された画素電極を有する液晶表示装置の該データ信号線または走査信号線の何れかが一方向に屈曲した構成になっており、その製造方法では洗浄やエッチングなどの処理液を該一方向の同じ方向に噴出する。 - 特許庁 - This semiconductor device is constituted by stacking semiconductor chips formed by integrating elements on semiconductor substrates in layers across inter-layer insulating films so that those semiconductor chips are mutually connected by connection plugs buried in through holes bored in the semiconductor substrates and bumps provided on the connection plugs; and the connection plugs and bumps are formed integrally of the same metal having a fusion point of ≥400°C.
半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、４００℃以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - For manufacturing a semiconductor device, the electrode formed side of which is encapsulated with resin, a semiconductor wafer 1 is kept attached to a resin sheet 2, and is cut along the boundaries of semiconductor elements, after the resin layer forming process.
半導体素子の電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ１を予め樹脂シート２に貼着して保持させておき、樹脂層形成工程後に半導体ウェハ１を半導体素子の境界線に沿って切断する際に、切断部位の樹脂層４のみをレーザ加工などの非接触加工によって除去して除去溝４ｂを形成した後に、湿式エッチングによって除去溝４ｂに位置する半導体ウェハ１ａをエッチング液の化学作用により溶解させて、半導体ウェハ１を個片の半導体素子１’に分離する。 - 特許庁 - The electrophotographic photoreceptive member has a cylindrical electrically conductive substrate and a photoconductive layer comprising a silicon-base non-single crystalline material containing hydrogen, halogen and at least one of the group IIIb elements of the Periodic Table on the surface of the substrate.
円筒状導電性支持体と、支持体の表面上に水素原子、ハロゲン原子及び周期律表第IIIｂ族元素からなる群より選択された少なくとも一つの元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる光導電層とを有し、光導電層の表面側で実質的に光を吸収する領域の膜厚Ａ（ｍｍ）、光受容部材の直径Ｄ（ｍｍ）、光受容部材の回転速度Ｂ（ｍｍ／ｓｅｃ）及び帯電前露光と帯電器の間の角度Ｃ（ｒａｄ）が、下記式（１）で示される関係にある電子写真用光受容部材。 - 特許庁 - Heat resistance is enhanced by making each member of the light-emitting device 1 of an inorganic material, white light having good color rendering properties is obtained by combining the broad luminescence of the SiC fluorescent substrate 10 and the luminescence of the LED elements of ultraviolet, blue, green and red, and smooth transmission of heat is achieved by the AuSn based alloy layer.
紫外、青色、緑色及び赤色の各ＬＥＤ素子が柱状結晶を有するＡｕＳｎ系合金層を介して搭載され、ＢとＡｌの少なくとも一方及びＮがドープされたＳｉＣ蛍光基板１０を備え、発光装置１の各部材を無機材料とすることにより耐熱性を向上させるとともに、ＳｉＣ蛍光基板１０のブロードな発光と青色、緑色及び赤色の各ＬＥＤ素子の発光の組合せにより良好な演色性の白色光を得ることができ、ＡｕＳｎ系合金層によりスムースな熱伝達が実現された。 - 特許庁
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