「layer elements」を含む例文一覧(2250)
＜前へ 1 2 .... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 .... 44 45 次へ＞- On the selector laminated film, a heterogeneous component containing layer composed of 14-group elements having a larger atomic radius than that of silicon is formed in a part of the region except the ends of the word line side and the bit line side.
前記セレクタ積層膜には、前記ワード線側の端部及び前記ビット線側の端部を除く領域の一部に、第１４族元素であって原子半径がシリコンよりも大きい元素を含有する１ヶ所の異種成分含有層が形成されている。 - 特許庁 - In the sensor layer 1, the tungsten oxide WO3 is mixed with titanium oxide TiO2, whereto any one of the Group 5A or 5B elements of the periodic table is added as impurity for a reduction in resistance, in order to reduce the resistance value for the sensor.
このセンサ層１として酸化タングステンＷＯ_3 に、周期表５Ａまたは５Ｂ族元素のいずれか１つを不純物として添加して低抵抗化を図った酸化チタンＴｉＯ_2 を混合することにより、センサとしての抵抗値を低減させる。 - 特許庁 - A power supplying strip line 13 extended straight and 10 pieces of radiating antenna elements 14a-14j connected with the line 13 are formed on a first dielectric substrate 12 whose one face is provided with a ground conductive layer (ground plate) 11.
一方の面に接地導体層(接地板)１１が形成された第１の誘電体基板１２上に、直線状に延びた給電ストリップ線路１３と、その線路１３に接続された１０個の放射アンテナ素子14a〜14jとが形成されている。 - 特許庁 - A region overlapping with the pair of internal electrodes 13 in the varistor layer 11 has a region, made of a first element body that has rare earth metal for manifesting the varistor characteristics itself, and a plurality of additives containing Co, as the auxiliary elements.
バリスタ層１１における一対の内部電極１３に重なる領域は、バリスタ特性を発現させるための希土類金属及びＣｏを含む複数の添加物を副成分として含有する第１の素体からなる領域を有する。 - 特許庁 - By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.
さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁 - The electrode includes a plurality of electrode elements 320 each including a current collector 300 divided into a plurality of pieces and an active material layer 340 formed on each of the divided current collectors; and a conductive element 330 connecting the current collectors of the electrode element 320.
複数に分割された集電体３００と分割された集電体上にそれぞれ形成された活物質層３４０とを含む複数の電極要素３２０と、電極要素の集電体を連結する導電要素３３０と、を有する。 - 特許庁 - To provide a low-permittivity film which has a high mechanical strength, improves the CMP resistance by applying as a layer insulation film for semiconductor elements, can ensure a wide process margin, and attains a high performance, high reliability and high yield of LSI.
高い機械強度を有し、半導体素子の層間絶縁膜として適用することにより、ＣＭＰ耐性が向上し、広いプロセスマージンを確保でき、ＬＳＩの高性能化、高信頼性、高歩留りが達成される低誘電率膜を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 includes a plurality of divided elements (200a or 200b) formed on a substrate, each including a film in prescribed pattern having a long-axis direction and a short-axis direction, and dispersedly arranged in the same layer in an in-surface direction of the substrate.
半導体装置１００は、基板に形成され、それぞれ、長軸方向と短軸方向とを有する所定パターンの膜を含み、基板の面内方向の同一層に分散配置された複数の分割素子（２００ａまたは２００ｂ）を含む。 - 特許庁 - The laser layer 37, the waveguide 40 and the grating structure 39 are arranged in a configuration which results in weak coupling between the laser light and the grating structure 39, so that the laser light interacts with an increased number of grating elements.
前記レーザ層３７、導波路層４０及びグレーティング構造体３９は、前記光とグレーティング構造体３９の間に小さな結合のみが存在し、結果として光がより多くの数のグレーティング線と相互作用するように配置されている。 - 特許庁 - This liquid crystal display device is provided with an array substrate on which common electrodes, pixel electrodes, scanning signal lines, video signal lines and semiconductor switching elements are formed, a counter substrate and a liquid crystal layer which is held between the array substrate and the counter electrode.
液晶表示装置は、共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備える。 - 特許庁 - The second driving section drives the light emitting layers so that the grayscale of light emitting luminance by the first to the third light emitting elements may be expressed, by making the light emitting layer emit light in a state that weighting of the light emitting luminance is set for each of the plurality of light emitting layers.
第２の駆動部は、複数の発光層に対してそれぞれ発光輝度の重み付けを設定した状態で発光層を発光させることにより、第一から第三の発光素子による発光輝度の階調を表現するよう駆動する。 - 特許庁 - Related to a plurality of piezoelectric elements, where a piezoelectric material and a conductive material are laminated alternately, the electrode layer of one pole is applied with an electric potential equal to or higher than Vbe, which is the base/emitter potential difference of a switching transistor.
圧電材料と導電材料を交互に積層した複数の圧電素子において、一方の極の電極層に対し、スイッチングトランジスタのベース・エミッタ間電位差Ｖｂｅと等しい、もしくはＶｂｅよりも大きい電位を与える構成とした。 - 特許庁 - The optical device 1 has one or a plurality of self light-emitting elements 100, formed on a substrate 2 so as to interpose at least a light emitting layer between the lower electrode 3 and upper electrode 6, as one pixel 10.
光デバイス１は、基板２上に形成された、下部電極３と上部電極６間に少なくとも発光層を含む成膜層５を狭持した自発光素子１００を一画素１０として、当該自発光素子１００を一つ又は複数個備える。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording medium which has a recording layer divided into many recording elements by prescribed rugged patterns and has favorable recording and reproducing characteristics, and to provide a method of efficiently manufacturing the magnetic recording medium.
所定の凹凸パターンで多数の記録要素に分割された記録層を有し、記録／再生特性が良好な磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を効率良く製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for producing the nitride single crystal, the substance transport medium layer 12 contains at least one kind selected from the group of aluminum compounds, alkaline earth metal compounds, and transition metal compounds, and one compound of rare earth elements.
さらには、物質輸送媒体層１２として、アルミニウム化合物、アルカリ土類化合物および遷移金属化合物からなる群から選ばれる１以上の化合物と希土類元素の化合物を含有する窒化物単結晶の製造方法である。 - 特許庁 - This powder material is composed of a core material composed of Ni particles and a surface layer composed of the oxide of one or more kinds selected from Al, Zr, Ti, Si, Pb, Fe, W, Mn, Bi, Nb, Ta, Mo, alkaline-earths and rare earth elements and covering the outer surface of the core material.
この粉体材料は、Ni粒子から成る芯材と、Al、Zr、Ti、Si、Pb、Fe、W 、Mn、Bi、Nb、Ta、Mo、アルカリ土類および希土類元素から選ばれた一種以上の元素の酸化物から成り芯材の外表面を被覆する表面層とで構成されることを特徴とする。 - 特許庁 - The melt stop material layer contains a ceramic-based material such as TiO_2, and is selectively reacted with at least one element out of the constituent elements of the molten metal, and capable of raising the melting point of the molten metal in the reaction area.
溶融停止材料層は、例えばＴｉＯ_2等のセラミックス系材料を含み、溶融金属の構成元素の少なくとも１つの元素と選択的に反応し、反応領域において溶融金属の融点を上昇させることができる。 - 特許庁 - The laminated module board is equipped with insulating layers 113 and 115 and conductive layers 114 which are alternately stacked, and capacitor elements are each composed of the adjacent conductive layers and the insulating layer sandwiched between them.
本発明による積層モジュール基板は、交互に積層された複数の絶縁層１１３，１１５及び複数の導電層１１４を備え、隣り合う導電層とこれら導電層間に存在する絶縁層によって容量素子が構成される。 - 特許庁 - The wiring electrodes and the substrate electrodes are bonded through a bonding material such as solder, etc. Preferably the bonding material has a lower tensile strength than those of the substrate electrode and the wiring electrode and is a solder material or it has an insulation layer in the gap between the n-type and p-type rod-like elements.
望ましくは接合部材は基板電極と配線電極に比べ、引っ張り強度が低い、さらに接合部材はハンダ材料である、あるいはｎ型棒状素子とｐ型棒状素子との間隙には絶縁層を有する。 - 特許庁 - By applying a predetermined voltage to every piezoelectric elements 55 fixed to the basic end parts of the respective plate springs 54, the tip part of the plate spring 54 deflects, and the needle 57 mounted at the tip part perforates the thin film layer 47 of a stamp material 6A.
そして、各板バネ５４の基端部に固着される圧電素子５５に所定電圧印可することにより板バネ５４の先端部が撓み、先端部に取り付けられている注入針５７は印材６Ａの薄膜層４７を穿孔する。 - 特許庁 - To provide a method that directly utilizes the deterioration brought about by the implantation of a non-gaseous heavy species into a substrate formed of at least two elements, at least one of which can form a gaseous phase, to cause fracturing the substrate into a thin film layer and a residual substrate.
少なくとも一方の元素が気相を形成可能な、少なくとも２個の元素からなる基板に、ガス種でない重い種を注入してもたらされる劣化をまさに利用して、基板を薄膜層と残留基板とに破断する。 - 特許庁 - Blind holes of a predefined residual wall thickness and/or microperforation holes extend into the decorative layer along the predefined tear seam line in the region of the bridging elements and in the region of the slits so that the spacing between the holes in the slit regions is narrower than the spacing in the bridging element regions.
所定の残留壁厚を有するブラインドホール及び／又は微小穴が、架橋要素の領域及びスリットの領域において装飾層まで延在し、スリット領域における穴の間隔は架橋要素領域における間隔より狭い。 - 特許庁 - A sign of + or - of input sections of each of the elements 3a-3c depicts a coupling strength, the value received by each input section is multiplied with a value of the coupling strength and a result of the majority decision of the products after that is outputted to an element 2a of the output layer 2.
各素子３ａ〜３ｃの入力部の＋及び−は結合強度を表し、各入力部に入力される値はその結合強度の値と掛け算され、その後多数決がとられたものが出力層２の素子２ａに出力される。 - 特許庁 - In the MR magnetic sensor, first and second vertically surface energized magnetoresistive effect elements 1 and 2 respectively having magnetic flux sensing films are laminated upon another through a nonmagnetic intermediate gap layer 3 so that the magnetic flux sensing films may become closer to each other.
磁束感知膜を有する面垂直通電型の第１および第２の磁気抵抗効果素子１および２が、互いの磁束感知膜が近接する側に位置するように非磁性中間ギャップ層３を介して積層する構成とする。 - 特許庁 - In this self-light-emitting device, a display region is structured by arranging light emitting elements, which are respectively formed with a first electrode 6, an organic light emitting layer 9 and a second electrode 10 in this order on an insulating substrate 1, in two dimensions on the insulating substrate 1.
自発光装置は、絶縁性基板１上に、第１電極６と、有機発光層９と、第２電極１０とが、この順に形成された発光素子を、該絶縁性基板１上に２次元配置することにより、表示領域を構成する。 - 特許庁 - When a main power source switch 250 is turned off, the control part 211 does not connect the switch 225 to any part to cut off an electric double layer capacitor 233 which is a power storage element from other elements for charge or discharge.
そして、主電源スイッチ２５０がオフとされた場合、制御部２１１は、スイッチ２２５をいずれにも接続しないようにし、これにより蓄電素子である電気二重層コンデンサ２３３と充電や放電のための他の素子との間が遮断される。 - 特許庁 - To provide a field emission type image display device in which high illuminance can be realized without increasing anode voltage and high resolution can be realized by suppressing occurrence of cross talk between picture elements caused by excited light from the phosphor layer.
アノード電圧を高くすることなく高輝度化を図ることができると共に、蛍光体層からの励起光に起因する画素間クロストークの発生を抑えて高解像度化を図ることのできる電界放出型画像表示装置を提供する。 - 特許庁 - The illuminator 1 includes a device substrate (module substrate) 2, a plurality of LEDs (semiconductor light-emitting elements) 6 mounted on the substrate to emit blue light, and a phosphor layer 21 disposed so as to receive the light emitted by those LEDs 6.
照明装置１は、装置基板（モジュール基板）２と、この基板に実装されて青色の光を放射する複数のＬＥＤ（半導体発光素子）６と、これらＬＥＤ６が放射する光が入射するように配設された蛍光体層２１を具備する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by an atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas.
本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。 - 特許庁 - It can be the one on which one layer or more than one layers of carbide, nitride, oxide and boride of periodic table Nos 4a, 5a, 6a group transition metals and Nos 3b, 4b group elements and applied with 0.5 to 5 μm coating in a region of 2 to 5 mm from the knife edge head end part 2.
図１のものに代わり、刃先先端部２から２〜５mmの範囲に、周期律表第4a、5a、6a族遷移金属と第3b、4b族元素の炭化物、窒化物、酸化物および硼化物を１層または２層以上で0.5 〜5 μｍコーティングしたものでもよい。 - 特許庁 - Induction fields H1 and H2 in the mutually opposite direction are generated in the respective MTJ elements 21 of the MTJ sensors 41 and 42 by a conductor current Is, and the direction of the free layer 7 mutually becomes the inverse direction in the MTJ sensor 41 and the MTJ sensor 42.
ＭＴＪセンサ４１，４２の各ＭＴＪ素子２１には、導体電流Ｉs によって互いに反対方向の誘導磁界Ｈ１，Ｈ２が発生し、ＭＴＪセンサ４１とＭＴＪセンサ４２とではフリー層７の向きが互いに逆方向となる。 - 特許庁 - The corrosion-resistant member 3 consisting of a sintered body composed mainly of at least one kind selected from Group II or Group III elements of the periodic table, is joined to the surface of the ceramic base material 2 through a mutual diffusion layer 4 between the ceramic base material 2 and the corrosion-resistant member 3.
セラミック基材２表面に、周期律表第２族あるいは第３族元素の少なくとも１種を主成分とする焼結体から成る耐食材３を、前記セラミック基材２と耐食材３との相互拡散層４を介して接合する。 - 特許庁 - The particles 2 are constituted of main phase particles 6 which are constituted mainly of Fe, and a coating layer 8 that covers these main phase particles 6 and is constituted of an intermetallic compound, having a CaCu_5-type crystal structure that is made of at least rare-earth elements.
粒子２は、Ｆｅを主成分とする主相粒子６と、この主相粒子６を覆い、少なくとも希土類元素を含みＣａＣｕ_５型の結晶構造を有する金属間化合物からなる被覆層８とから構成される。 - 特許庁 - The solar cell module is provided with a photovoltaic layer wherein a plurality of photovoltaic elements that are formed by stacking a transparent conductive film 11, photoelectric conversion layers 12 and 13 and a back electrode 14 in sequence on a transparent substrate 10 are connected in series.
太陽電池モジュールは、透明基板１０上に、透明導電膜１１と光電変換層１２、１３と裏面電極１４とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層が配置される。 - 特許庁 - In an etching process K5 by etching the semiconductor substrate from the surface opposite from the circuit-formed one, the semiconductor substrate is divided into a plurality of semiconductor elements while removing a fractured layer generated on the ground and cut surfaces and also removing the parts left untouched.
エッチング工程Ｋ５では、反対側表面から半導体基板をエッチングすることによって、研削面および切削面に生じた破砕層を除去するとともに、切り残し部を除去して半導体基板を複数の半導体素子に分割する。 - 特許庁 - A heat generated by a matrix electron source element 10b in which electron source elements 10a formed of the lower electrodes 12, the drift parts 6a, and surface electrodes 7 are arranged in matrix form is radiated to the outside through the heat radiation layer 13 and a heat sink 40.
下部電極１２とドリフト部６ａと表面電極７とで構成される電子源素子１０ａがマトリクス状に配置されたマトリクス電子源素子１０ｂで発生した熱は放熱層１３およびヒートシンク４０を通して外部へ放熱される。 - 特許庁 - In an organic electroluminescent element having at least a light-emitting layer sandwiched between an anode and a cathode, a group 8-10 transition metal complex of the periodic table of elements having 2-phenylimidazole ligands is contained.
陽極と陰極により挟まれた少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、２−フェニルイミダゾール配位子を有する元素周期表８〜１０族の遷移金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁 - The contactless data carrier label 10 includes a base material film 1, the contactless data carrier elements 2 which is disposed on its one surface and a pressure sensitive adhesive layer 4 which is formed by curing a photosetting resin composition and has a glass transition temperature below 10°C.
非接触データキャリアラベル１０は、基材フィルム１と、その一方の表面上に設けた非接触データキャリア要素２と、光硬化性樹脂組成物を硬化させて形成され、ガラス転移温度が１０℃以下である感圧性接着剤層４とを含む。 - 特許庁 - A fibrous base material 11 is coated or impregnated with a synthetic resin composition including powdery ores free from rare earth elements and a tourmaline powder and the resin composition is solidified to prepare a synthetic resin layer 13.
繊維基材１１に、希土類元素を含まない鉱石の粉末とトルマリン粉末とを含有する合成樹脂組成物が塗布若しくは含浸され、該合成樹脂組成物が固化されてなる合成樹脂層１３を少なくとも１層有してなる。 - 特許庁 - Under a state where the elements 3, 4 are bonded to the metal electrodes 5 formed on the substrate through a bonding layer, pairs of PN junction are formed through the metal electrodes 5 and connected in series.
各エレメント３、４は基板に形成された金属電極５に接合層を介して固着された状態において該金属電極５を介してＰＮ接合対が形成されるとともにこれらＰＮ接合対が直列につながれるようになっている。 - 特許庁 - On a substrate where amorphous silicon etc., are formed, an alloy layer consisting essentially of copper containing metal elements and nitrogen is formed in a nitrogen plus argon atmosphere by using a copper-metal alloy target to which metal having negative generation free energy for nitride is added.
アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅−金属合金ターゲットを用いて窒素＋アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。 - 特許庁 - In the resistance elements formed by electrodes and resistors mounted on a semiconductor device, the resistors are formed on a semiconductor layer having a first sheet resistance region 1 and a second sheet resistance region 2 which have different sheet resistances.
半導体装置に搭載された抵抗用電極と抵抗体とで構成される抵抗素子において、上記の抵抗体がシート抵抗の異なる第１のシート抵抗領域１と第２のシート抵抗領域２を有する半導体層に形成される。 - 特許庁 - Subsequently a light shield is formed by depositing a light absorbing antireflective coating material in the gaps so as to reduce the transmission of incident light through the gaps toward active elements in the lower layer.
本実施形態は、次に、ギャップ領域内に光吸収性の反射防止コーティング材料を析出させて、ギャップ領域を通って下層の能動素子へ向かう入射光の透過が低減するように、光シールドを形成することを詳述する。 - 特許庁 - A thin-film wiring conductor layer is formed on the surface of an insulating substrate containing Si, Al, Mg, B and O as constitutive elements, containing at least cordierite crystal phase as the crystal phase, and having porosity of sintered body which is not higher than 0.3%.
Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂ、Ｏを構成元素として含有し、結晶相として少なくともコーディエライト結晶相を含有し、かつ該焼結体の開気孔率が０．３％以下である該絶縁基板の表面に薄膜配線導体層を形成する。 - 特許庁 - To improve workability for arranging an element substrate on an attaching face of a wiring member, and to enhance magnetic field detection precision, by providing a plurality of vector detecting type magneto-resistance effect elements with the substantially same pin layer magnetization direction on the same element substrate.
ピン層磁化方向が略同一のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を複数個同一素子基板上に設けることにより、素子基板を配線部材の取付面上に配置するための作業性を改善し、磁界検知精度の向上を図る。 - 特許庁 - The metal layer 16 is a metal selected from a group consisting of Cu, Ni, Ag, Au, Pt, Rh, Ru, Pd and V or an alloy containing at least two elements selected among Cu, Ni, Ag, Au, Pt, Rh, Ru, Pd and V.
また、金属層１６は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｖからなる群から選択される金属、またはＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｖから選択される少なくとも２種の元素を含む合金とされている。 - 特許庁 - Resistive circuits 120, 130, and 140 comprise resistive elements 121, 131, and 141, in other words low-concentration impurity regions, and wirings 112, 122,132, and 142 for resistor, in other words high-concentration impurity regions, formed in a SOI layer 103.
抵抗回路１２０，１３０，１４０は、ＳＯＩ層１０３内に形成された、低濃度不純物領域すなわち抵抗素子１２１，１３１，１４１および高濃度不純物領域すなわち抵抗用配線１１２，１２２，１３２，１４２を有する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal-alignment material which can develop good coating film formability and liquid crystal-alignment characteristics and can form a liquid crystal-alignment layer capable of deleting afterimages in a short time after the stop of the application of a voltage in liquid crystal display elements.
良好な塗膜性、液晶配向特性を発現できるとともに、液晶表示素子において電圧の印加を解除してから残像が消去されるまでの時間の短い液晶配向膜を形成できる液晶配向剤を提供する。 - 特許庁 - Consequently, the conduction distance of a resistor layer can be lengthened without requiring a large area for forming the heating elements on the substrate, and the heating value of the heating element 23 can be increased without enlarging the head size.
これにより、基板上における発熱抵抗体の形成面積を大きくすることなく、抵抗層の通電距離を長くとることが可能となり、ヘッドサイズを大きくすることなく発熱抵抗体２３の発熱量を増加させることができる。 - 特許庁 - The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer.
本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁
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