「layer elements」を含む例文一覧(2250)
＜前へ 1 2 .... 34 35 36 37 38 39 40 41 42 .... 44 45 次へ＞- In the communication antenna, the each antenna element is formed of a conductive paint applied on an installation face, and the antenna elements are formed of the line structure coated with a protection layer made of nonconductive paint having an insulation resistance value higher than that of the conductive paint.
また、通信アンテナは、そのアンテナ素子が設置面に塗布される導電性塗料で形成され、そのアンテナ素子が導電性塗料より絶縁抵抗値の大きな非導電性塗料製の保護層により被覆されたライン構造体で形成されている。 - 特許庁 - To planarize the irregularity over elements by providing a planarized layer thinner than that in the prior art, and avoid such problems as the defocus deviation of microlenses to photo detectors or the shading, etc.
従来に比して薄い平坦化層を有することにより素子上の凹凸を平坦化することができ、光検出素子に対するマイクロレンズの焦点ズレ、或いは、シェーディングが発生する等の問題を回避できる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To attach a display panel and a protection plate with a projecting part formed in a predetermined portion of a surface to be attached to the display panel without generating a large stress in a portion to be superimposed on the projecting layer of a sheet-like bonding member for attaching these elements.
表示パネルと、前記表示パネルに対する貼付け面の所定部分に突出層が形成された保護板とを、これらを貼合せるためのシート状接合部材の前記突出層に重なった部分に大きな応力を生じさせることなく貼合わせる。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate (24) on which elements (30) are formed and a plug (19a) and a wiring layer (19b) which are formed on the semiconductor substrate (24) and are buried in a low-dielectric-constant insulating film (14) exhibiting relative permittivity of 3 or below.
素子（３０）が形成された半導体基板（２４）と、前記半導体基板上に形成され、３以下の比誘電率を有する低誘電率絶縁膜（１４）中に埋め込まれたプラグ（１９ａ）および配線層（１９ｂ）とを具備する半導体装置である。 - 特許庁 - To provide a transparent conducting substrate having a conductive layer large in adhesiveness, conductivity and transparency, which can be manufactured at a high speed, and on which washing required to manufacture organic electronic elements such as an organic EL element and an organic solar battery can be performed.
導電層の高い接着性、導電性および透明性を兼ね備えてかつ、高速生産可能であり、有機ＥＬ素子、有機太陽電池といった有機電子素子を製造するための洗浄が可能な透明導電性基板を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion semiconductor layer which has a main component of a compound semiconductor containing multiple metallic elements, can be manufactured at low cost without requiring a high temperature process, shows high adhesion to a substrate, and has less residual organic component.
複数の金属元素を含む化合物半導体を主成分とする系において、高温プロセスを必須とせず低コストに製造することができ、基板への密着性が高く、有機成分の残留が少ない光電変換半導体層の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An organic EL device 11 includes a substrate 12 with TFT elements or the like formed, an element substrate 13 with a light-emitting layer 26 made of a light-emitting material held between a pixel electrode 24 and a cathode 28, and a sealing substrate 14 having a function film 32.
有機ＥＬ装置１１は、ＴＦＴ素子などが形成された基板１２と、画素電極２４と陰極２８との間に発光材料からなる発光層２６が挟持された素子基板１３と、機能フィルム３２を有する封止基板１４とを有する。 - 特許庁 - On a surface of a semiconductor substrate, an epitaxial layer having a conductivity type opposite to the semiconductor substrate is formed, trenches are formed in parts other than parts used for resistance, and the resistive elements separated from one another are three-dimensionally formed by embedding an insulation film in the trenches.
半導体基板の表面に、半導体基板とは逆の導電型であるエピタキシャル層を形成し、抵抗となる部分以外にトレンチを形成し、前記トレンチに絶縁膜を埋め込むことで互いに分離された抵抗体を3次元的に形成する。 - 特許庁 - The pneumatic radial tire for the motorcycle comprises a spiral belt layer 23 composed of a rubber-steel cord complex formed by embedding a steel cord formed by bundling a plurality of steel linear elements spirally shaped substantially in the same pitch without twisting approximately in the same phase in rubber.
スパイラルベルト層２３が、実質的に同一ピッチで螺旋型付けされたスチール線状体の複数本を、略同位相で撚り合わせずに束ねたスチールコードがゴムに埋設されてなるゴム−スチールコード複合体からなる自動二輪車用空気入りラジアルタイヤである。 - 特許庁 - At connecting circuit elements A and B, a local distortion is formed on the surface of a semiconductor substrate S or a semiconductor material layer formed on the substrate S, and then a metallic element, such as bismuth, is deposited on the surface.
本発明の半導体装置は、回路素子Ａ、Ｂ相互の間で接続を行う際に、半導体基板Ｓ又は該基板Ｓ上に形成された半導体材料層の表面に局所的な歪みを形成し、その後該表面上にビスマス等の金属元素を蒸着する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a substrate provided with semiconductor elements, a first wire and a second wire formed on the substrate, a via connected to an undersurface beneath the first wire and on the side of the second wire, and a via layer insulation film including the via.
半導体素子が設けられた基板と、前記基板上に形成された第１および第２の配線と、前記第１の配線の下面の前記第２の配線側に接続されたビアと、前記ビアを含むビア層絶縁膜と、を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method for the electroluminescent element panel adheres an element substrate provided with a plurality of electroluminescent elements and a sealing substrate with a plurality of adhesive layer patterns formed on at least an electroluminescent element displaying region of a first substrate.
複数のエレクトロルミネッセンス素子を有する素子基板と、複数の接着剤層パターンが第一基材上の少なくとも前記エレクトロルミネッセンス素子表示領域に設けられている封止基板とを貼り合わせることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法 - 特許庁 - Regarding an organic EL element having an organic luminous layer containing an organic light emitter between an anode 12 and a cathode, at least one element selected from the elements of nitrogen, sulfur, selenium, tellurim, phosphorus and halogen is contained in the surface part 13 of the anode 12.
陽極12と陰極15の間に、有機発光体を含有する有機発光層14が設けられている有機ＥＬ表示素子において、前記陽極12の表面部13中に、窒素、イオウ、セレン、テルル、リン及びハロゲン元素より選ばれた少なくとも１種の元素が含まれている。 - 特許庁 - Matrix-like grooves are then formed in a direction where an upper portion of the spacer is excluded from an acoustic matching layer side of the block body, and in a direction where the piezoelectric material in a short strip shape is separated into a plurality of parts, and the piezoelectric material in the short strip shape is separated into individual elements corresponding to the lead wires.
その後、ブロック体の音響整合層側からスペーサーの上部を排除する方向と、短冊状の圧電材を複数に分離する方向にマトリックス状の溝を形成し、短冊状の圧電材を各引出線に対応した個別素子に分離する。 - 特許庁 - To solve the following problems with a conventional surface treatment method for an iron alloy material: the diffused amount of diffusing elements serving as a diffusing agent is not sufficient and also a treatment agent has a short life, and therefore a treatment bath may change with time to cause a variation in forming a hardened layer.
拡散剤である拡散元素の拡散量が十分でなく、かつ処理剤の寿命も短く、処理浴が経時変化して硬化層形成にバラツキを生じる等の従来の鉄合金材料の表面処理方法における問題点を解決すること。 - 特許庁 - The resistance elements 6, 7 are formed by spirally winding resistance wire on an insulating core material at the specified pitch, and mounted on one side of a narrow belt-shaped film substrate 4 along the length direction through an adhesive layer 5.
両抵抗体６、７は、細長状の絶縁性芯材に抵抗線材を所定ピッチで螺旋状に巻き付けてなると共に、両抵抗体６、７は細長帯状のフィルム基材４の一側面に接着層５を介してその長さ方向に沿って装着されている。 - 特許庁 - This is the all-solid battery constituted by connecting a plurality numbers of all-solid battery elements composed by interposing a solid electrolyte layer between a positive electrode and a negative electrode, and this is the all-solid battery for power storage or for the emergency power supply of which an operating potential is more than 1,000 V.
正極と負極の間に固体電解質層を介在させてなる全固体電池素子を複数個接続して構成した全固体電池であって、作動電位が１０００Ｖを超える蓄電用又は非常電源用全固体電池である。 - 特許庁 - At this time, an intersection 8, where both the elements 2 and 4 intersect is prevented from swelling upward and the flatness of the coil surface, is realized by forming the element in the lower layer, using a conductor 5 that is a conductive material filled in a groove formed in the substrate surface.
その際、両方のエレメント２、４の交差する部分８では、下層側のエレメントを、基板表面に形成した溝に導電性材料を充填した導体５とすることで、交差部８での盛り上がりを無くし、コイル表面の平坦性を実現する。 - 特許庁 - After that, the unwanted first substrate 1 is peeled, by mechanically destroying the easily peelable layer 2 between the first substrate 1 and the shaped article 3 (and an electrode 4) and the device, such as a piezoelectric film type elements, is manufactured by transferring the shaped article 3 on the second substrate 5.
その後に、第一の基板１と造形物３（および電極４）との間の易剥離層２を機械的に破壊することにより不要な第一の基板１を剥離し、第二の基板５上に造形物３を転写して、圧電膜型素子等のデバイスを作製する。 - 特許庁 - This electric heat surface heating unit is formed by stacking plural electric heat surface heating elements, having an electrode wire through an insulating layer on a metal substrate, and has fracture parts in the electric heat surface heating element, having a size which does not adversely affect uniform heating.
金属基体上に、絶縁層を介して、複数の電極線を有する電熱面発熱体を積層してなる電熱面発熱ユニットにおいて、均熱性に悪影響を及ぼさない大きさの電熱面発熱体の欠損部を有する電熱面発熱ユニット。 - 特許庁 - As a result, with tilt generated in which the recording layer of an optical disk fails to be perpendicular to the optical axis of the objective lens 2, the lens support 11 is inclined by applying a voltage to piezoelectric elements 7, 8, inclining the optical axis of the objective lens 2 in accordance with the tilt quantity.
これにより、対物レンズ２の光軸に対し光ディスクの記録層が垂直にならないチルトが発生したときに、圧電素子７，８に電圧を印加することによりレンズ支持部１１を傾け、チルト量に応じて対物レンズ２の光軸を傾斜させる。 - 特許庁 - Thus, a three- layer structure (triplate structure) can be formed of the ground plate 11, the strip conductor constituted of the power supplying strip line 13 and the radiating antenna elements 14a-14j, and the conductive plate 19 having the 10 pieces of slots 18a-18j with the first dielectric substrate 12 and the second dielectric substrate 17 interposed between them.
こうして、接地板11、給電ストリップ線路13と放射アンテナ素子14a〜14jとからなるストリップ導体、及び１０個のスロット18a〜18jを有する導体板19が、間に第１の誘電体基板12、第２の誘電体基板17を挟んで３層構造（トリプレート構造）を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device that forms a silicide layer only in a silicide region while reducing the number of processes and without narrowing a substantial opening of a non-silicide region in which sensor elements and the like are formed and to provide the semiconductor device.
工程数の削減を図りつつ、かつセンサ素子などが形成される非シリサイド領域の実質的な開口を狭めることなく、シリサイド領域のみにシリサイド層を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁 - Further, ≥1 kinds of the metal elements selected from Ni, Co and In are incorporated into the electroplating layer in a range of 50 to 700 ppm in the case of Ni and 0.5 to 50 ppm in the case of Co or In, by which the blackening resistance may be improved.
更に、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｉｎから選ばれる１種以上の金属元素を、Ｎｉの場合は５０〜７００ｐｐｍ，ＣｏまたはＩｎの場合は０．５〜５０ｐｐｍの範囲で前記電気めっき層中に含有させることにより耐黒変性を向上させることができる。 - 特許庁 - By forming the cutting section 7 B at a point where the section does not overlap the elements, such as the light emitting element 5 B, the lower layer wiring 2, and a transparent electrode 3 B, the accidental exertion of damage to the wiring etc., other than the juncture 6 B can be prevented when the wiring is irradiated with the laser beam.
切断部７Ｂを発光素子５Ｂ、下層配線２および透明電極３Ｂなどの要素と重ならない箇所に形成することで、レーザー光を照射した際に、接続部６Ｂ以外の配線などに誤ってダメージが加わることを防止する。 - 特許庁 - To provide an inexpensive outer bag having a display layer excellent in durability, capable of keeping the heating capacity of a heating element over a long period of time and reduced in problem from an environmental aspect, the heating element housed in the outer bag and a collective packaging bag for various heating elements.
耐久性に優れた表示層を有し、また、発熱体の発熱性能を長期間維持でき、しかも、環境上問題が少なく、安価な、外袋及びこの外袋に収納された発熱体並びに各種発熱体のまとめ包装袋を提供すること。 - 特許庁 - Since film thickness of an epitaxial layer is realized which is optimum for high performance of a vertical pnp transistor 3 and the photodiode 4, a structure for showing improvement of characteristics of respective elements to the maximum is realized and the characteristic can be improved as OEIC.
これにより、バーティカルＰＮＰトランジスタ３及びフォトダイオード４の高性能化に最適なエピタキシャル層の膜厚が実現できるため、各素子の特性向上を最大限に発揮するような構造が可能となり、ＯＥＩＣとして特性向上が図れる。 - 特許庁 - For these ferromagnetic tunnel magneto-resistive elements, the number of terminals is reduced by providing one electrode for conducting sense current in the direction of traversing a tunnel barrier layer by the first magnetic shield, and drawing it as one common terminal.
これら強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に対し、トンネルバリア層を横切る方向にセンス電流を通電する一方の電極を、第１の磁気シールドによって共通に構成し、共通の１端子として導出することによって端子数の減少化を図る。 - 特許庁 - When the growth temperature is selected, compatibility among the reduction of crystalline defect in the compound semiconductor layer 4, the maintenance or improvement of a dissociation efficiency of a source material such as group V and III elements, and the prevention of reduction of a growth rate can be attained.
成長温度の選定等により、化合物半導体層４における結晶欠陥の低減と、原料例えばＶ族及びＩＩＩ族元素の原料の分解効率の維持ないし向上と、成長速度の低下防止とを両立することが可能となる。 - 特許庁 - The method includes a creation of a finite element analysis model that includes structure, surrounding fluid, a blast source of the explosion and a single layer of boundary elements each having a segment representing a boundary of the fluid facing the blast source.
方法は、構造体と、周囲流体と、爆発の爆発源と、それぞれが爆発源に面する流体の境界を表わすセグメントを含んでいる複数の境界要素により構成された単一層と、を有する有限要素解析法モデルの生成を備える。 - 特許庁 - The manganese-containing layer lithium-transition metal compound oxide has a specific surface area of ≤1 m^2/g, a tap density of ≥1.6 g/cm^3, and a mean grain diameter of 5 to 50 μm, and in which the content of manganese is 10 to 60 mol.% to the total content of transition elements.
比表面積１ｍ^２／ｇ以下、タップ密度１.６ｇ／ｃｍ^３以上、平均粒径５〜５０μｍであり、マンガン含有量が全遷移元素に対して１０〜６０モル％であることを特徴とするマンガン含有層状リチウム−遷移金属複合酸化物。 - 特許庁 - Arranging a unique electrical connection means to insulating adhesive films (4, 8, 12) arranged between a substrate (2) and a lowest layer semiconductor element (6), and between semiconductor elements, together with each semiconductor element itself, avoids the necessity of the wire-bonding method.
各半導体素子自体と共に、基板（２）と最下層半導体素子（６）との間及び各半導体素子間に配設されている絶縁性接着フィルム（４、８、１２）に、独特な電気的接続手段を配設することによって、ワイヤーボンディング方式の必要性を回避する。 - 特許庁 - Holes are bored in the resin base material 8 through chemical processing, and electrodes 5 which are electrically connected to silicon substrates 2 of the respective photovoltaic cell elements 1 and electrodes 6 which are electrically connected to the diffusion layer 4 are formed and arrayed at respective hole positions while spaced from one another.
樹脂基材８に化学的処理により穴開け加工を施し、該穴位置に各光電池セル素子１のシリコン基板２に電気的に導通する電極５と、拡散層４に電気的に導通する電極６を形成して互いに間隔を介して配列する。 - 特許庁 - Each of the picture elements Px has a transmission area Tr for displaying in transmission mode, using light 41 incident from the lighting unit and the 1st substrate 10 has a transparent electrode area defining the transmission region Tr on the side of the display medium layer 23.
絵素Ｐｘのそれぞれは、照明装置から入射する光４１を用いて透過モードで表示を行う透過領域Ｔｒを有し、第１基板１０は表示媒体層２３側に、透過領域Ｔｒを規定する透明電極領域を有している。 - 特許庁 - To provide an ultrasonic probe capable of improving focusing characteristics and expanding a low-frequency bandwidth by forming a ceramic layer in a transducer element, of ceramic elements with different thicknesses; and to provide an ultrasonic system using the same.
変換素子内のセラミック素子の厚さを異にしてセラミック層を形成することによって、フォーカスの特性および低周波数帯域幅(ｂａｎｄｗｉｄｔｈ)を拡大させることができる超音波プローブおよびそれを用いた超音波システムを提供すること。 - 特許庁 - In the optical isolator 12 in which the optical elements 1 including a Faraday rotor 2 and polarizers 3 and 4 are joined to one another via joining members 5, each joining member 5 is such that the periphery of a resin core 6 is covered with a molten metal layer 7.
ファラデー回転子２及び偏光子３、４を含む光学素子１が互いに接合部材５を介して接合されている光アイソレータ１２において、接合部材５が樹脂コア６の外周に溶融金属層７で覆われなることを特徴とする。 - 特許庁 - The two lens elements 26a included in the beam expander 26 adjusts the focusing position of a spot formed inside an optical recording medium 28 by moving along an optical axis direction, while spherical aberration caused by depth difference of a recording layer is corrected.
ビームエクスパンダー２６に含まれる２枚のレンズ素子２６ａは、光軸方向に移動することによって、光記録媒体２８内部に形成されるスポットの合焦位置を調整すると共に、記録層の深さの相異に起因する球面収差を補正する。 - 特許庁 - In the sliding pairs, a sliding layer in which nickel particles 1 and poly-tetra-fluoroethylene particles 2 are uniformly mixed is formed on a sliding surface of one metal wall part 3 of two elements in the relationship of the sliding pairs to each other.
相互にすべり合うすべり対偶の関係にある２つの機素の一方の金属壁部３の滑動面の上に、ニッケル微粒子１とポリテトラフルオロエチレン微粒子２とを均一に混在させて成る滑動層を形成したことを特徴とするすべり対偶である。 - 特許庁 - Two lens elements 33a and 33b included in the beam expander 33 adjust the focusing position of a spot formed inside an optical recording medium 28 by moving in the optical axis direction, while spherical aberration caused by depth difference of a recording layer is corrected.
ビームエクスパンダー３３に含まれる２枚のレンズ素子３３ａ及び３３ｂは、光軸方向に移動することによって、光記録媒体２８内部に形成されるスポットの合焦位置を調整すると共に、記録層の深さの相異に起因する球面収差を補正する。 - 特許庁 - A cover coat layer 24 on the upstream side to which the recording material on which the unfixed image by toner is made to be a cover coat 241 with high thermal conductivity before hand and heat generated by heating elements 12 and 13 is promptly conducted to the recording material through a fixing film.
予めトナーによる未定着画像が形成された記録材が流れて来る上流側のカバーコート層２４を、高い熱伝導率のカバーコート２４１とし、発熱体１２，１３から発生した熱がいち早く定着フィルムを介して記録材に伝える。 - 特許庁 - The heater X1 equipped with a substrate 1 composed of a first face 10 and a second face 11 and with heating elements 2, 3 arranged at the side of the first face 10 of the substrate 1 is provided further with a high thermal conductive layer 6A with higher thermal conductivity than the substrate 1.
第１面１０および第２面１１を有する基板１と、この基板１の第１面１０側に設けられた発熱体２，３と、を備えた加熱ヒータＸ１において、基板１よりも熱伝導率の高い高熱伝導層６Ａをさらに設けた。 - 特許庁 - A metal composite layer having an inner region and a surface region is formed by actively providing reactive atoms of higher concentration (a 3B group, a 4B group, and rare earth elements or the like) to the surface region compared with the inner region and it is made to be the solder material.
表面領域によりも内部領域のほうに、より高濃度の反応性原子（３Ｂ族、４Ｂ族、希土類元素など）を能動的に提供することによって、内部領域および表面領域を有する金属複合層を形成しろう材とする。 - 特許庁 - In the optical recording medium, on a transparent substrate, a lower protection layer, a recording layer consisting of phase change material containing at least four elements, Ga, Sb, Sn, Ge, which transition linear velocity is 20-30 m/s, an upper protection layer and a reflective layer are laminated in this sequence.
透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有する転移線速が２０〜３０ｍ／ｓの相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層され、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で且つ記録線速が２０〜２８ｍ／ｓであるときの、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが下記の範囲にあり、２０〜２８ｍ／ｓの記録線速範囲で記録が可能であることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁 - The liquid crystal display device has: an array substrate 1 which has a substrate, a plurality of switching elements formed on the substrate, an interlayer insulating film 19 formed on those switching elements, and a plurality of pixel electrodes 27 formed on the interlayer insulating film; a counter substrate 2 arranged opposite the array substrate across a gap; and a liquid crystal layer 3 sandwiched between the array substrate and counter substrate.
液晶表示装置は、基板と、この基板上に形成された複数のスイッチング素子と、これらスイッチング素子上に成膜された層間絶縁膜１９と、この層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極２７とを有したアレイ基板１と、アレイ基板に隙間を置いて対向配置された対向基板２と、アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層３とを備えている。 - 特許庁 - This method for manufacturing a semiconductor composite device includes processes of: sticking the semiconductor thin film 120 of a thin film to the substrate 301 by intermolecular force between a sticking surface of the semiconductor thin film 120 and a surface of a conducting layer 302 formed on the substrate 301; and dividing the semiconductor thin film 120 into individual semiconductor elements (light emitting elements) 501 collectively on the substrate 301.
半導体複合装置の製造方法は、薄膜の半導体薄膜１２０を、該半導体薄膜１２０の貼り付け面と基板３０１上に設けた導通層３０２の表面との間の分子間力により、該基板３０１に貼り付ける工程と、上記半導体薄膜１２０を上記基板３０１上で一括して個別の半導体素子（発光素子）５０１に素子分離する工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a processing method for compensating or suppressing the defects left or created within an implantation layer by adding a process of irradiation of accelerated particles including elements belonging to a lower group of the periodic table out of the constituent elements of compound semiconductor material, when performing the valence electron control of the above compound semiconductor material by irradiation of particles including impurity atoms and anneal treatment for activation.
不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって化合物半導体材料の価電子制御を行なう際、注入層内に残留／生成される欠陥を前記化合物半導体材料の構成元素のうち小さな族に属する元素を含む粒子を加速して照射する工程を付加することで補償／生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁 - The occupying space of an optical element assembly 10 and the number of processes in the attaching work of the assembly 10 to information equipment are reduced by closely arranging LED elements 12a-12c, a light receiving circuit element 16, and a transmitting circuit element 17 to each other by integrally covering the elements 12a-12c, 16, and 17 with a molded layer 13.
複数のＬＥＤ素子１２ａ〜１２ｃと、受光回路素子１６と、送信回路素子１７とを、モールド層１３によって一体的に被覆することによって、各ＬＥＤ素子１２ａ〜１２ｃ、受光回路素子１６および送信回路素子１７を、近接させて設けることができ、組立体１０の占有空間を小さくすることができるとともに、情報機器への取付作業の工程数を少なくすることができる。 - 特許庁 - This radiation detector having a plurality of pixel electrodes 117 and common electrodes in the both side of a photoelectric conversion layer is disposed with intra-element guard ring electrodes 111 between the pixel electrodes 117 of radiation detecting elements, and changes over the intra-element guard ring electrodes 111 between an electrically released state and a state connected to grounding potential to change an area where the radiation detecting elements detect the radiation.
光電変換層を挟んで複数の画素電極117と共通電極とを設けた放射線検出器において、放射線検出素子の画素電極117間に素子間ガードリング電極111を隣接して配置し、素子間ガードリング電極111を電気的に解放した状態と接地電位と接続した状態との間で切り替えることで、放射線検出素子が放射線を検出する面積を変更する。 - 特許庁 - A reverse-surface electrode type photoelectric conversion element which is provided with a semiconductor laser and an electrode for collecting carries only on the reverse surface side of a semiconductor substrate is provided with a semiconductor thin film including elements given the same or different conductivity from the semiconductor substrate and the elements are diffused to form a diffusion layer on the top surface of the semiconductor substrate.
半導体基板の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層及び電極を設けた裏面電極型の光電変換素子において、半導体基板の受光面側に半導体基板よりもバンドギャップが大きく、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む半導体薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。 - 特許庁 - A plurality of conductive circuits 12 are formed of single conductive metal wires 1 parallel to each other on the surface of an insulating material 10 for transmitting transmission signals between outside electronic elements, and then, an insulation layer insulated from outside is formed in the conductive circuit, with both ends of each conductive circuit exposed as conductive ends of a conductive flat cable so that the electronic elements outside are electrically connected.
単一の導電金属線１によって、絶縁基材１０表面に互いに平行でありかつ外部の電子素子間の伝送信号を伝送するための導電回路１２を複数形成し、次に導電回路に外部から絶縁される絶縁層を形成し、外部の電子素子が電気的に接続されるように、導電回路の両端が導電フラットケーブルの導電端として露出している。 - 特許庁
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