「layer elements」を含む例文一覧(2250)
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 44 45 次へ＞- To provide a stack-type electronic component having a plurality of electronic components, such as semiconductor elements, mounted in a stacked construction, adapted to suppress creation of bubbles attributed to unfilled voids of resin below wires to prevent defective insulation and short circuit caused by a touch between an electronic component on the upper layer side and the bonding wire of the electronic component on the lower layer side.
複数の半導体素子等の電子部品を積層して搭載した積層型電子部品において、ワイヤ下部の樹脂未充填部に起因する気泡の発生を抑制した上で、下段側の電子部品のボンディングワイヤと上段側の電子部品との接触に基づく絶縁不良やショートを防止する。 - 特許庁 - The manufacturing method successively executes a process (A) for forming film of a seed layer 20 and a lower electrode 30 on a substrate 10 successively, a process (B) for diffusing elements contained in the seed layer 20 for depositing on the surface of the lower electrode 30 and a process (C) for film-forming the piezoelectric film 40 on the lower electrode 30.
基板１０上にシード層２０と下部電極３０とを順次成膜する工程（Ａ）と、シード層２０に含まれる元素を拡散させて、該元素を下部電極３０の表面に析出させる工程（Ｂ）と、下部電極３０上に圧電膜４０を成膜する工程（Ｃ）とを順次実施する。 - 特許庁 - An interconnection 53, connected to these protection elements, of lower layer than the ground wiring 7 and the power supply line 8 is connected to a conductor layer 51, in such a way that it is drawn out at a location between the nMISFET forming region 21 and the pMISFET forming region 27, and at a drawing region 24 between the ground wiring 7 and the power supply line 8.
これら保護素子に接続された、接地配線７および電源配線８よりも下層の配線５３は、ｎＭＩＳＦＥＴ形成領域２１とｐＭＩＳＦＥＴ形成領域２７の間でかつ接地配線７と電源配線８の間の引き出し領域２４で引き出されて導体層５１に接続されている。 - 特許庁 - To provide a compound semiconductor device including a FET in which a short-channel effect is suppressed and at the same time the gradation of pinch-off characteristics caused by the conduction of a p-type impurity in an area other than a channel is suppressed, and the leakage between adjacent elements is suppressed in the FET with a high-concentration and thin-layer active layer.
高濃度で薄層の能動層を有するＦＥＴにおいて、ショートチャネル効果を抑制しつつ、チャネル以外のｐ型不純物伝導に起因するピンチオフ特性劣化の抑制及び隣接素子間のリークの抑制を実現したＦＥＴを含む化合物半導体装置を提供すること - 特許庁 - To provide a tunnel-type magnetism detecting element, capable of maintaining soft magnetic characteristics of a free magnetic layer in a proper state and increasing the rate of change of resistance change (ΔR/R) as compared to conventional elements, especially relating to a tunnel-type magnetism detecting element having an insulating barrier layer formed of Mg-O, and to provide a manufacturing method therefor.
特に、絶縁障壁層をＭｇ−Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、フリー磁性層の軟磁気特性を良好な状態に維持し、且つ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高く出来るトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - Further, this has a structure that a hydrophilic material is formed adjacent to the transparent electrode layer 521, that a light-emitting element part formed by the electrode on the substrate and the light-emitting material layer are the EL elements, that the organic material is the light-emitting material, and that the thin film made of the organic material emits light by an applied current.
また、透明電極層５２１に隣接して吸水性の材料を形成すること、基体上の電極および発光材料層により形成される発光の素子部分が、ＥＬ素子であり、有機材料を発光材料とし、有機材料による薄膜が印加電流によって発光する構造を有している。 - 特許庁 - The catalyst for reducing the polychlorinated alkane is a catalyst comprising at least one catalytic metal selected from group VIII, IX, and X elements and deposited on a porous carrier particle and the catalyst is obtained by forming a deposition layer of the catalytic metal on the surface layer part of the porous carrier particle.
周期律表第８族元素、９族元素及び１０族元素から選ばれた少なくとも１種の触媒金属を多孔質担体粒子に担持せしめた触媒であって、上記多孔質担体粒子の表層部に前記触媒金属の担持層を形成した多塩素化アルカンの還元用触媒である。 - 特許庁 - To provide an organic transistor in which a channel region between a source electrode and a drain electrode in a conductor layer has a crystalline phase and which realizes electrical separation between semiconductor elements compared with one in which a second region other than the channel region in the semiconductor layer has a non-crystalline phase.
導体層におけるソース電極とドレイン電極との電極間のチャネル領域が結晶相であり、且つ該半導体層における該チャネル領域以外の第２の領域が非結晶相である構成ではない場合に比べて、半導体素子間の電気的な分離が実現された有機トランジスタを提供する。 - 特許庁 - To consistently perform heat seal of a gas barrier property hermetic container without exposing iron powder in an oxygen absorption layer when performing heat seal to a gas barrier molded container a deoxidizing lid having an oxygen absorption layer consisting of oxygen absorption resin elements with ferrous oxygen absorbent blended therein.
鉄系酸素吸収剤を配合した酸素吸収樹脂組成物からなる酸素吸収層を備えた脱酸素性蓋材をガスバリア成形容器にヒートシールする際に、酸素吸収層中の鉄粉を露出させることなく、安定的にガスバリア性密封容器のヒートシールを行なう方法を提供する。 - 特許庁 - A substrate 11, a nitride III-V compound semiconductor single-crystal layer 12 laminated on the substrate 11, and a layer 10 containing impurity elements of from 5x10^17 cm^-3 or more to 2x10^19 cm^-3 or less provided between the substrate 11 and the laer 12 are contained.
基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０^17ｃｍ^-3以上２ｘ１０^19ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 - 特許庁 - This radiation detector is equipped with a photoelectric transfer substrate 11 having a plurality of photoelectric transfer elements 13 in units of pixels arranged thereon, a scintillator layer 39 disposed on the transfer substrate 11, and a division part 38 for dividing the scintillator layer 39 formed on the transfer substrate 11 into units of pixels.
放射線検出器は、画素単位の光電変換素子１３が複数配列してなる光電変換基板１１と、光電変換基板１１上に配置されたシンチレータ層３９と、光電変換基板１１上に形成されシンチレータ層３９を画素単位に区画する区画部３８と、を備えている。 - 特許庁 - To provide a protection layer forming composition that does not adversely affect a semiconductor layer even if an acid is used to remove attachments generated when an isolation groove isolated in units of elements is formed, and excellent in resistance to the acid and cracking, and a method of manufacturing an optical semiconductor element using the composition.
素子単位に分離するための分離溝の形成時に生じる付着物を除去するために酸を用いた場合であっても、半導体層に悪影響を与えることのない、耐酸性及びクラック耐性に優れた保護層形成用組成物、及び、該組成物を用いた、光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In display pixel elements of a color filter substrate used in the semi-transmissive type color liquid display device, a color filter layer formed on a reflection part is thin and a color filter layer formed on a transmission part is thick, and a thickness of a metallic reflective film formed on the reflection part is set to 0.2μm or more.
半透過型のカラー液晶表示装置に用いられているカラーフィルタ基板の表示画素のうち、反射部の上に設けるカラーフィルタ層の膜厚を薄くし、透過部に設けられたカラーフィルタの膜厚を厚くする構成とし、反射部に形成される金属反射膜の膜厚を０．２μｍ以上とした。 - 特許庁 - At least one semiconductor element having an n- polysilicon layer 4 and an n+ type polysilicon layer 5 is formed within an interlayer insulating film 2 as electrically insulated therefrom, and surfaces of the semiconductor elements are mutually connected by means of their electrodes (upper electrode 6 or lower electrode 3).
層間絶縁膜２内にｎ^-型ポリシリコン層４およびｎ^+型ポリシリコン層５から成る少なくとも１つの半導体素子が電気的に絶縁されて形成されるとともに、各半導体素子のそれぞれの表面が、それぞれ電極（上部電極６または下部電極３）によって相互に接続されている。 - 特許庁 - The light source device 1 is provided with a mounting substrate 2 having a first metal layer 23 which is of a plate shape, is formed on its upper surface, and is composed of a metal material, and a plurality of light-emitting devices 4 which are mounted on an upper surface side of the mounting substrate 2 in contact with the metal layer 23 and have light-emitting diode elements.
光源装置１は、板状をなし、その上面に形成され、金属材料で構成された第１の金属層２３を有する搭載基板２と、搭載基板２の上面側に第１の金属層２３と接触するように搭載され、発光ダイオード素子を有する複数の発光装置４とを備えている。 - 特許庁 - Each organic EL element 11 has laminated structure formed by laminating an anode 29, a light emitting organic EL luminescent layer 30, and a transparent cathode 31 in order on the one surface 15a of the first substrate 15, and a common transparent electrode 33 of the cathode 31 is a common layer of all organic EL elements.
各有機ＥＬ素子１１は、第一基板１５の一方の面１５ａにアノード電極２９、発光する有機ＥＬ発光層３０、透明なカソード電極３１が順に積層された積層構造となっており、カソード電極３１の共通透明電極３３は全ての有機ＥＬ素子１１の共通層となっている。 - 特許庁 - This nitride layer is formed on an austenitic iron-based metal and, as precipitates, contains chromium carbonitride, the main phase of the nitride layer preferably has a face-centered cubic structure, and the nitride has a compositional ratio of Me4N (Me: metallic elements such as Fe, Cr, Ni and Mo).
オーステナイト系鉄基金属上に生じた窒化物層で、析出物として、炭窒化クロムを含有することを特徴とする窒化物層であり、好ましくはその窒化物層の主相が、面心立方構造であり、Ｍｅ_4Ｎ（Ｍｅ：Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏなどの金属元素）の組成比のものであることを特徴とする窒化物である。 - 特許庁 - (1)In the phase change type optical recording media recording information by generating phase change in a recording layer by irradiating a light beam, the recording layer includes Sb as a main component and elements whose atomic radius is smaller than that of Sb (hereinafter element M), the concentration of the element M is different in a direction within a face.
（１）光ビームを照射することにより記録層に相変化を生じさせて情報を記録する光記録媒体において、記録層が、主成分のＳｂと原子半径がＳｂよりも小さい元素（以下、元素Ｍという）を含み、元素Ｍの濃度が面内方向で異なることを特徴とする相変化型光記録媒体。 - 特許庁 - The preformer for the stranding device is provided with the preformer pin having a coating layer 4 obtained by coating a diamond-like carbon on the surface of a base layer 3 which contains at least one or more elements among Si, Cr, Ti and W and is formed on the surface of a cylindrical base material 2 composed of an ultra-hard material.
撚り線機のプレフォーマーとして、超硬材料から成る円柱状の基材２の表面に、Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗの少なくとも１種以上の元素を含む下地層３を形成し、この下地層３の表面にダイヤモンドライクカーボンをコーティングして成るコーティング層４を設けたプレフォーマー用ピン１を備えたプレフォーマーを用いるようにした。 - 特許庁 - The image forming apparatus is obtained by arranging a plurality of image forming elements comprising an electrostatic latent image forming means, a developing means and a transfer means, wherein the electrostatic latent image carrier has a photosensitive layer on a support, and wherein the photosensitive layer contains at least a charge transport material represented by formula (1).
静電潜像形成手段と、現像手段と、転写手段とを有する画像形成要素を複数配列してなり、静電潜像担持体が支持体上に感光層を有してなり、該感光層が少なくとも下記構造式（１）で表される電荷輸送物質を含有する画像形成装置である。 - 特許庁 - In respective light-emitting elements 3R, 3G, 3B, a blue light-emitting layer 70B is formed with an optimum film thickness where a luminous life becomes the longest, and a red light-emitting element 70R and a green luminous layer 70G are formed thinner than the optimum film thickness where the luminous lifetime becomes the largest.
各発光素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂのうち、青色発光層７０Ｂの膜厚が、発光寿命が最長となる最適膜厚に形成されるとともに、赤色発光素子７０Ｒ及び緑色発光層７０Ｇの膜厚が、発光寿命が最長となる最適膜厚より薄く形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light emitting element capable of emitting light with high efficiency by increasing the distance from an interface having lower crystallinity to an active layer by switching V group elements of As and P and suppressing decrease in the crystallinity of the active layer in an AlGaInP resonant cavity LED or a surface emitting laser.
AlGaInP系のレゾナントキャビティー型ＬＥＤまたは面発光レーザーにおいて、AsとPのＶ族元素の切り換えによる結晶性の低い界面から活性層までの距離を大きくして活性層の結晶性低下を抑制することにより、高効率な発光が可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - A bonding material accumulation part where the bonding material is accumulated among the thermoelectric conversion elements 3 is projected above the surface 10a of either of the first electrode layer 10 and the second electrode layer 20, and its height H is set to not more than 0.15 mm.
第１電極層１０及び第２電極層２０のうちの少なくとも一方側において、接合材料が熱電変換素子３間に溜まった接合材料溜まり部の高さＨが当該一方の電極層１０の表面１０ａよりも突出し、且つ、高さＨが０．１５ミリメートル未満に設定されている。 - 特許庁 - A ceramic material layer made of ceramic whose deflective strength is ≥147 N/mm^2 containing transition metal elements such as titanium oxide is formed on the external surface of an electronic component element assembly, and marking A with a laser is carried out on the external surface part constituted of the ceramic material layer to configure a piezoelectric resonance component 1.
電子部品素体の外表面に、酸化チタンなどの遷移金属元素を含有する抗折強度が１４７Ｎ／ｍｍ^2以上のセラミックスからなるセラミック材料層が形成されており、該セラミックス材料層からなる外表面部分にレーザーによるマーキングＡが施されている、圧電共振部品１。 - 特許庁 - This thin-film electronic component is constituted by forming electronic component elements on an insulating substrate 1, further forming a protective layer, and extracting external connection electrodes, wherein a thin-film metal layer is formed with Ti or Ni on the main surface which is opposite to another main surface on which the external connection electrodes are formed.
本発明は、絶縁基板１上に、電子部品素子を形成し、さらに保護層を形成し、外部接続用電極が導出されている薄膜電子部品であり、外部接続用電極が形成された主面と対向する主面にはＴｉやＮｉにより薄膜金属層が形成されている。 - 特許庁 - On one substrate 1, a plurality of pixel electrodes 5 distributed on the upper layer, a plurality of switching elements TFT distributed on the lower layer via intermediate insulating layers 6a, 6b, and contact parts 7 for electrically connecting each pixel electrode 5 and each switching element TFT through the insulating layers 6a, 6b are formed.
一方の基板１には、上層に配された複数の画素電極５と、中間の絶縁層６ａ，６ｂを介して下層に配された複数のスイッチング素子ＴＦＴと、絶縁層６ａ，６ｂを通して各画素電極５と各スイッチング素子ＴＦＴを互いに電気接続するコンタクト部７とが形成されている。 - 特許庁 - As for this lighting device, the organic EL element is constituted so that a transparent electrode, an organic layer including a light-emitting layer, and a reflecting electrode are laminated on a first side of the transparent substrate, and a semicylindrical lens is installed on the other side of the substrate and corresponding to the organic EL elements.
透明電極、発光層を含む有機層、および、反射電極を透明性の基板の第１の側に積層して有機ＥＬ素子を構成するとともに、当該基板の他方の側であって前記有機ＥＬ素子に対応して、半円柱形状のレンズを設けたことを特徴とする照明装置。 - 特許庁 - The semiconductor laser element is provided with a semiconductor laminate consisting of a compound semiconductor layer of AlGaIn base having a step-like structure on an n-type GaN substrate using a (0001) surface as a substrate surface, and having an active layer containing two kinds of group III elements including In and a group V element including N.
半導体レーザ素子は、（０００１）面を基板面とするｎ型ＧａＮ基板上にステップ状構造を備えると共に、ｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＮを含むＶ族元素を含む活性層を有するＡｌＧａＩｎＮ系の化合物半導体層からなる半導体積層体を備えている。 - 特許庁 - The first photoelectric conversion element and the second photoelectric conversion element are arranged in parallel, and the insulating layer preventing the flow of ions leaked from the electrolyte layer, when the number of the insulating layers is represented by n, the number of the first photoelectric conversion layers by l, the number of the second photoelectric conversion elements by m, is arranged so as to satisfy the following formulas (I), (II).
前記第１光電変換素子と第２光電変換素子が並列され、前記電解質層から漏出するイオンの流れを防止する絶縁層が、その数をｎ、前記第１光電変換素子数をｌ、前記第２光電変換素子数をｍとするとき、下記式（Ｉ）、式（II）を満たすように配置する。 - 特許庁 - In a portion between neighboring two dye-sensitized photoelectric conversion elements, the transparent conductive layer 2 of the one dye-sensitized photoelectric conversion element is electrically connected with the counter electrode 5 of the other dye-sensitized photoelectric conversion element each other.
隣接する２つの色素増感光電変換素子の間の部分において１つの色素増感光電変換素子の透明導電層２ともう１つの色素増感光電変換素子の対極５とを互いに電気的に接続する。 - 特許庁 - To provide an inorganic powdery material-containing resin composition capable of suitably molding the constituting elements (e.g. a partition, an electrode, a resistor, a dielectric material layer, a phosphor, a color filter and a black matrix) of a PDP excellent in surface smoothness.
表面平滑性に優れたＰＤＰの構成要素（例えば隔壁、電極、抵抗体、誘電体層、蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックス）を好適に形成することができる無機粉体含有樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - Elements 16 and 17 such as transistors and an embedded through hole 18 are formed on a semiconductor layer 12 integrally formed on the front surface of a base insulating film 11 and a through hole 19 for external connection through in the direction of the thickness is formed on the base insulating film 11.
下地絶縁膜11の表面上に一体に形成された半導体層12にトランジスタ等の素子16，17と埋め込みスルーホール18が形成され、また下地絶縁膜11に厚さ方向に貫通した外部接続用スルーホール19が形成される。 - 特許庁 - To provide a computer user with all files in the same layer in different folders as file storage information in a computer along with elements of grouping for lower layers in addition to grouping for higher layers without designating each folder.
同一階層の他フォルダ内の全ファイルを、フォルダ毎に指定することなく、上位の階層によるグループ化以外に、下位の階層によるグループ化の要素を加えて、コンピュータ内のファイル格納情報をコンピュータ使用者に提供する。 - 特許庁 - Erasure of the information is carried out by means of setting the magnetization direction of the magnetization free layer 12C to a first direction, according to the current-induced magnetic field from the word line WL, and also carried out to the plurality of magnetoresistive elements 12 collectively.
情報の消去は、ワード線ＷＬからの電流誘導磁場により磁化自由層１２Ｃの磁化の方向を第１の方向に設定することで行われ、かつ複数の磁気抵抗素子１２に対して一括して行われる。 - 特許庁 - A thermally conductive material layer 8 comprising a thermally conductive adhesive is interposed between the heater chip 4 and each temperature sensor chip 6a, 6b, and these elements constituting the measuring part are integrated by the thermally conductive adhesive.
ヒータチップ４と温度センサチップ６ａ，６ｂの間には熱伝導性接着剤からなる熱伝導性材料層８が介在しており、測定部を構成するこれらの素子は熱伝導性接着剤により一体化している。 - 特許庁 - This rod storage case 1 is obtained by additionally installing a sheetlike surface protective layer 17 formed of continuously connected and adjacent surface elements 21 into a three-dimensional continuous uneven polyhedral shape 20 on the outer wall surface of a case body 2.
本発明は連続して繋がれた隣接する面要素２１により三次元の連続凹凸多面形状２０を形成したシート状の表面保護層１７をケース本体２の外壁面に添設したロッド収納ケース１である。 - 特許庁 - To provide a soft magnetic powder material provided with a coated layer having high barrier properties to the diffusion of elements to iron powder grains, to provide its production method, to provide a soft magnetic compact using the soft magnetic powder material, and to provide its production method.
鉄粉粒子への元素拡散に対するバリヤ性が高い被覆層をもつ軟磁性粉末材料およびその製造方法、ならびにその軟磁性粉末材料を用いた軟磁性成形体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - According to the snow melting system, floating elements 3 each having a snow receiving portion 3a set on an upper portion thereof, are floated on a water surface of a water-storage and snow-melting tank 1 which can receive sunlight, and each snow receiving portion 3a has arranged thereon a solar heat absorbing layer made of a carbon graphite sheet 4 or the like.
太陽光を受けることが可能な貯水融雪槽１の水面に、上部を雪受け部３ａとする浮子３が浮かばされ、該雪受け部３ａにカーボングラファイトシート４等の太陽熱吸収層が設けられている。 - 特許庁 - The magnetic convergence plate 12 is arranged on the Hall elements 14a and 14b on the second metallic film 16b through the first metallic film 16a arranged on the protection layer 15.
磁気収束板１２は、保護層１５上に設けられた第１の金属膜１６ａを介して、さらにその上に設けられた第２の金属膜１６ｂ上で、かつホール素子１４ａ，１４ｂの上方に配置されるように設けられている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor package, in which an IC chip that is flip-chip mounted on lead portions is sealed by a resin, capable of reducing influence of external noise to elements and wiring constituting an analog circuit without forming a re-wiring layer.
再配線層を形成しなくても、アナログ回路を構成する素子や配線に対する外来ノイズの影響を低減できる、リード部上にフリップチップ実装されたＩＣチップが樹脂で封止されてなる半導体パッケージを提供する。 - 特許庁 - To realize an improvement of luminescence brightness without increasing manufacturing costs, and realize the suppression of power consumption and a longer-life of the elements in an AC-operated electroluminescent element provided with an insulating layer where high dielectric particles are dispersed.
高誘電体粒子が分散されてなる絶縁層を備えた交流動作エレクトロルミネッセンス素子において、製造コストを増大させることなく発光輝度の向上を図り、併せて消費電力の抑制や素子の高寿命化も図る。 - 特許庁 - The pixels 1 are arranged in a plurality of pieces in an X direction so as to have a wider spacing D2 than a spacing D1 between the adjoining organic light-emitting elements 10, and the auxiliary wiring layer 17 is installed between the adjoining pixels 1.
画素１は、隣り合う有機発光素子１０同士の間隔Ｄ１よりも広い間隔Ｄ２を有するようにＸ方向へ複数配列されており、補助配線層１７は、隣り合う画素１同士の間に設けられている。 - 特許庁 - To provide a display unit wherein an interlayer disposed between a light emitting layer and diffraction elements has a film thickness allowing to be uniformly and evenly manufactured while light extraction efficiency is high and luminance unevenness can be reduced.
発光層と回折素子の間に位置する中間層が、均一で平坦に作製することが可能な膜厚を有する一方、光の取り出し効率が高く、輝度ムラの低減化を図ることが可能となる表示装置を提供する。 - 特許庁 - The electrode active material layer is structured by using active material particles made by being directly coated with titanium nitride of at least a part of surfaces of core particles containing at least lithium and transition metal as metal elements.
少なくともリチウムと遷移金属とを金属元素として含むコア粒子の表面の少なくとも一部が窒化チタンで直接被覆されてなる、ことを特徴とする活物質粒子を用いて電極活物質層を構成する。 - 特許庁 - A plurality of inductors L1 and L2 are arranged in the chip peripheral region of an interposer in plan view as external elements of a semiconductor chip 30 on the interposer mounted on a mother board, and are formed utilizing a substrate wiring layer thereof.
複数のインダクタＬ１とＬ２が、マザーボードに搭載されたインターポーザ上の半導体チップ３０の外付け素子として、平面視でインターポーザのチップ周辺領域に配置され、その基板配線層を利用して形成されている。 - 特許庁 - A plurality of reflected light beams which go out of the body through a long optical path LR and a short optical path SR in the body are individually detected by light receiving elements PD1 and PD2, and a bilirubin level of an intracorporal layer of fat PI is calculated.
この光が体内の長光路ＬＲおよび短光路ＳＲを経由して体外へ出た複数の反射光を、受光素子ＰＤ１、ＰＤ２で個別に検出して、体内脂肪層ＰＩのビリルビン濃度を算出する。 - 特許庁 - Conductor members 103, having channels 106 in the inside, are connected to a base plate 101 via a resin insulating layer 102, and a power semiconductor elements 104 are soldered respectively to these members 103, as the conductors of a circuit pattern.
ベース板１０１に、樹脂絶縁層１０２を介して、内部に流通路１０６を有する導体部材１０３を接合させ、この導体部材１０３を回路パターンの導体として、これにパワー半導体素子１０４を半田接合する。 - 特許庁 - In this liquid crystal display device, a liquid crystal panel, which has a first substrate on which nonlinear elements and electrodes are provided and a second substrate on which electrodes are provided and which is disposed to face to the first substrate and liquid crystal layer which is held between both substrates, is used.
非線形素子および電極が設けられた第１の基板と、電極が設けられ、第１の基板と対向配置された第２の基板と、前記両電極間に挟持された液晶層とを有する液晶パネルを使用する。 - 特許庁 - The semiconductor DBR is formed on the GaAs substrate, where at least group III-V compound semiconductor including Al, In, As is used in at least a part of a low refractive index layer, and In composition:x_In in group III elements is made to be not more than 0.047.
ＧａＡｓ基板上に形成された半導体ＤＢＲであり、少なくとも低屈折率層の一部にＡｌ、Ｉｎ、Ａｓを含むIII−Ｖ族化合物半導体を用い、III族元素中のＩｎ組成：ｘ_Inを０．０４７以下とする。 - 特許庁 - A 2nd substrate 30 including a transparent substrate 32 is stuck on a 1st substrate 10 including a plurality of optical elements 50 each having an optical part 14 formed across a light-transmissive adhesion layer 36 and optical parts 14 are sealed.
光学的部分１４が形成された光素子５０を複数含む第１の基板１０に、光透過性の接着層３６を介して、透明基板３２を含む第２の基板３０を貼り付けて、光学的部分１４を封止する。 - 特許庁
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