「memory process」を含む例文一覧(2040)

<前へ 1 2 .... 24 25 26 27 28 29 30 31 32 .... 40 41 次へ>
  • The ID number and film information are read out of the IC memory and are recorded to a photographic film strip and the photographic film strip is wound into the cartridge case in a winding process step.
    巻き込み工程でICメモリからID番号及びフイルム情報を読み出して、写真フイルムストリップに記録し、フイルム巻き込み機により写真フイルムストリップをカートリッジケースに巻き込む。 - 特許庁
  • In a control program 40, an authority memory 408 stores the authority of an operator (user authority information) for each attribute value set in the editing type (attribute) of a process recipe (file).
    制御プログラム40において、権限記憶部408は、プロセスレシピ(ファイル)の編集タイプ(属性)に設定される各属性値に対する作業者の権限(ユーザ権限情報)を記憶する。 - 特許庁
  • In a manufacturing process for a memory cell, a polycrystalline silicon as a lower electrode is washed with an etchant containing hydrofluoric acid and an oxidizing agent, and the surface of the polycrystalline silicon is roughened and a surface area is increased.
    メモリセルの製造工程において、下部電極となる多結晶シリコンをフッ酸と酸化剤とを含むエッチング液で洗浄して、その表面を粗面化されて表面積を増大する。 - 特許庁
  • The memory management unit converts the virtual address to a modified virtual address using a process identifier and then performs a page table walk, by using the modified virtual address and generating the physical address.
    メモリ管理ユニットは、プロセス識別子を使用して、仮想アドレスを修正仮想アドレスに変換し、次に、その修正仮想アドレスを使用して、ページ・テーブル・ウォークを行ない、物理アドレスを生成する。 - 特許庁
  • To provide a process for fabricating a semiconductor memory in which the leak current source of a capacitor being generated by a gap caused by attack can be removed at the time of etching an etching stop insulating film.
    エッチング停止絶縁膜のエッチング時のアタックによる隙間が原因で生じるキャパシタの漏れ電流ソースを除去できる半導体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • A memory card 2 has: a storage part 22 for storing coupon data 221 and expiration date data 222 as information related to a content; and a processing part 21 for executing a process related to the content.
    メモリカード2は、コンテンツに関する情報としてクーポンデータ221及び有効期限データ222を記憶する記憶部22と、このコンテンツに関する処理を行う処理部21とを有する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.
    素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • In other words, if the memory state is writable, it is judged that it is in a state allowing rewriting of the execution code by a debugger, and the unauthorized utilization preventing process is carried out to prevent it.
    つまり、メモリ状態が書き込み可能な場合には、デバッガによる実行コードの書き換えが行われ得る状態であると判断し、それを阻止する不正利用阻止処理を実行する。 - 特許庁
  • Upon the installation of the device, a desired process such as executing a program described in scripts is automatically executed without the need to preinstall a memory-resident program for detecting installation in the computer.
    装着検出用の常駐プログラムをコンピュータ側に予めインストールしておかなくても、デバイス装着時に、スクリプトに記述されたプログラム実行など所望の処理が自動実行される。 - 特許庁
  • So, the digital multifunction machine 2 performs authentication process by reading the ticket granting ticket (TGT61) from the USB memory 5, without requiring inputting of user ID and password.
    これにより、デジタル複合機2は、ユーザIDとパスワードの入力要求を行うことなく、USBメモリ5からチケット交付チケット(TGT61)等を読み出し、認証処理を実行する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device which can realize stable write-in operation, even when a manufacturing process is made scaled down and operation voltage is lowered.
    本発明の目的は、製造プロセスが微細化、動作電圧が低電圧化された場合においても、安定した書き込み動作を実現できる半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁
  • Since the photoimageable switchable material can be patterned directly by the actinic irradiation, the resistance memory cell can be manufactured through a simple process.
    本発明の写真現像型スイッチング可能物質は光化学線照射によって直接的にパターニングされるから、単純な工程を通じて抵抗メモリセルを製造することができる。 - 特許庁
  • This method and system are for managing stored software state information such as cache memory contents and address conversion information which are not important for executing a process inside a processor.
    プロセッサ内のプロセスを実行するために重要でないキャッシュメモリ内容およびアドレス変換情報等、ストアされたソフト状態情報を管理するための方法およびシステムを開示する。 - 特許庁
  • To obtain a memory element having high affinity with a converntional semiconductor process, having a switching function for completely mechanically disconnecting an electric conduction path and enabling non-volatile information recording.
    従来の半導体プロセスとの親和性が高く、機械的に電気的導通路を完全遮断するスイッチング機能を有し、かつ不揮発性の情報記録を可能とするメモリ素子を実現する。 - 特許庁
  • An image-processing part 4A generates image process data for restricting unnecessary signals of the radar video by video data of one previous radar scan or the like, and writes in an image- processing frame memory 4.
    画像処理部4Aは1レーダースキャン過去のビデオデータ等により、レーダービデオの不要信号を抑圧するための画像処理データを生成し画像処理用フレームメモリ4へ書き込む。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device containing a ferroelectric capacitor having such a structure as to prevent the diffusion of hydrogen into a ferroelectric film without needing an additional process.
    追加の工程を必要とすることなく強誘電体膜への水素拡散を防止することができる構造の強誘電体キャパシタを備える半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory which can perform efficiently the write-in of respective redundant cell address data and can reduce the product cost by shortening the process as a whole.
    それぞれの冗長セルアドレスデータの書き込みを効率よく実行することができ、全体として工程を短縮して製品コストを低減することができる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • A CPU 11 sets, through a strobe-area setting process, strobe area information indicating combinations of the strobe areas to which strobe signals are applied at the same time, and stores this information in a flash memory 14.
    CPU11は、ストローブエリア設定処理によって、同じタイミングでストローブ信号を印加するストローブエリアの組み合わせを示すストローブエリア情報を設定してフラッシュメモリ14に記憶させる。 - 特許庁
  • In one embodiment, one initiating logical processor initiates a process by halting execution of the other logical processors and by loading initialization software and secure virtual machine monitor software into a memory.
    一実施形態において、一の起動する論理プロセッサは、他の論理プロセッサの実行を停止し、メモリに初期化およびセキュアバーチャルマシンモニターソフトウェアをロードすることによりプロセスを起動する。 - 特許庁
  • The optical disk drive is provided with a read-write control means performing a writing process of information concerning the content transmitted from the high order CPU part 2 in the optical disk 24 and a nonvolatile memory 23.
    上位CPU部2から送信されるコンテンツに関する情報を光ディスク24に書き込む処理を行うリードライト制御手段と、不揮発性メモリ23を備えている。 - 特許庁
  • To achieve both the reduction of memory usage and the improvement in a process speed when processing a structured document by reducing resources required for operations of the structured document.
    構造化文書に対する操作に必要となるリソースを軽減し、構造化文書を処理する際におけるメモリ使用量削減と処理速度の高速化との両方を実現する。 - 特許庁
  • Therefore, as an external signal is received after a terminal state is changed to an optimum state in accordance with process, voltage, and temperature, input/output characteristics of the memory device can be improved.
    よって、工程、電圧及び温度の変化に応じて端子状態を最適状態に変更した後で外部信号を受信するので、メモリ装置の入出力特性が向上されうる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device in which increase in contact resistance of source-drain is suppressed and the difference in amount of signal for discriminating between data "0" and data "1" is increased, and to provide its fabrication process.
    ソース・ドレインの接触抵抗の増大を抑制し、データ“0”とデータ“1”とを区別する信号量の差が大きい半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To shorten the time of execution per a process of allocating a new storage area in a memory and copying data from a filled storage area to the new storage area.
    メモリにおいて新しい記憶領域が確保され、空き領域のなくなった記憶領域から新しい記憶領域にデータがコピーされる処理の1回当たりの実行時間を短縮化する。 - 特許庁
  • A ball dispenser unit obtains the remaining amount for management from a management device and stores the obtained amount in a memory, and executes the ball dispensing process with the stored remaining amount when the ball dispenser unit is off-line (S533 and S534).
    玉貸ユニットは、管理装置から管理残額を取得してメモリに記憶し、オフライン状態になったときには、記憶残額で玉貸処理を行う(S533,S534)。 - 特許庁
  • In this process, it is controlled to forbid the execution of the processing of determining the performance for successive advance notices during the period from the reception of a varying pattern command to the reception of the reservation memory count subtraction designation command.
    ただし、変動パターンコマンドを受信してから保留記憶数減算指定コマンドを受信するまでの期間、連続予告演出の決定処理の実行を禁止するように制御する。 - 特許庁
  • A CPU 40 measures the environmental temperature by a temperature measuring part 50 in association with the computing process of the blood pressure, and stores the blood pressure in association with the environmental temperature in a memory part 41.
    CPU40は、血圧値の算出処理に関連して、温度測定部50により環境温度を測定して、血圧値と環境温度とを関連づけて、メモリ部41に格納する。 - 特許庁
  • In a decoding process in each hierarchy, operation by reference to the DCT factor of the hierarchy is performed, and the result of the operation is written in the memory part 206 as the DCT factor of the other identical hierarchy.
    各階層のデコード処理では、当該階層のDCT係数を参照した演算を行い、演算結果を他の同一階層のDCT係数としてメモリ部206に書き込む。 - 特許庁
  • To provide a magnetic memory device in which regions for regulating movement of a magnetic domain wall can be formed surely at predetermined intervals even when the width of a recording layer is narrowed, and to provide its fabrication process.
    記録層の幅を狭くする場合であっても磁壁の移動を規制する規制領域を所定の間隔で確実に形成しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To reduce the defective read rate of a trimming parameter in an inspection process in a nonvolatile memory requiring trimming of word line voltage and read reference voltage at the time of read operation.
    読出し動作時にワード線電圧や読出し参照電圧のトリミングが必要である不揮発性メモリにおいて、検査工程におけるトリミングパラメータの読出し不良率を低減する。 - 特許庁
  • To provide a process cartridge capable of providing a stable picture quality by absorbing the individual difference of the cartridge by storing timing information for changing various process conditions while using a memory medium and by changing the process conditions together with use information accumulated with the use of the cartridge, a device, to and from which the process cartridge is freely attachable an detachable, and a system for forming electrophotographic image.
    メモリー媒体を用いて種々のプロセス条件を変化させるためのタイミング情報を記憶させ、カートリッジが使用されることに伴って累積された使用量情報と合わせてプロセス条件を変更することにより、カートリッジの個体差を吸収し安定した画質を提供することのできるプロセスカートリッジ、プロセスカートリッジが着脱自在とされる画像形成装置及び画像形成システムを提供する。 - 特許庁
  • This device is provided with an operation information signal generating means for generating an operation information signal which indicates validity/invalidity of operation of the process treatment device, an operation information signal memory means and a device control means which continues the operation, by using another normal process treatment device, without using a process treatment device which becomes invalid based, on the operation information signal.
    プロセス処理装置の運転有効/無効であることを示す運転情報信号を発生する運転情報信号発生手段と、運転情報信号記憶手段とを設け、運転情報信号を元にして運転無効となった該プロセス処理装置を使用せず、他の正常なプロセス処理装置を使って運転続行する装置制御手段を設けた。 - 特許庁
  • To form multiple layers by increasing the number of laminated layers to increase a capacity while an optical memory element production process (especially, a process for laminating a core layer and a clad layer) is made efficient and simple when the optical memory element is produced easily and inexpensively by forming the core layer and the clad layer from a resin and forming an uneven pattern easily.
    コア層及びクラッド層を樹脂製にし、上記の凹凸パターンを簡易に形成できるようにして、光メモリ素子を容易かつ安価に実現できるようにする場合に、光メモリ素子の製造工程(特に、コア層及びクラッド層を積層する工程)の効率化,簡略化を図りながら、大容量化を実現すべく積層数を増やして多層化できるようにする。 - 特許庁
  • To provide an element isolation film forming method of a semiconductor memory element capable of minimizing the depth of a moat formed on an element isolation film by shortening a cleaning process time using a DHF solution in which processes from trench formation to element isolation film formation take place during the process of forming the element isolation film of the semiconductor memory element.
    本発明は、半導体メモリ素子の素子分離膜形成工程時にトレンチ形成工程から素子分離膜形成工程まで行われる、DHF溶液を用いた洗浄工程時間を短縮させて、素子分離膜に形成されるモウトの深さを最小化することが可能な半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the shape memory alloy tube having a metallic coated film layer on the internal periphery surface includes a process of forming a cladding material by covering an Au tube material 2 with the shape memory alloy tube material 1 serving as the metallic coated film layer and a process of cold or warm working for a roll adhesion between the cladding materials and a shape adjustment.
    内周面に金属の被覆層を有する形状記憶合金チューブの製造方法であって、前記金属の被覆層となる、Auチューブ素材2に、形状記憶合金チューブ素材1を被せてクラッド材を形成する工程と、前記クラッド材の材質間の圧着を行うとともに形状を整えるための冷間加工又は温間加工を施す工程とを有する。 - 特許庁
  • When the computing part 49 of a control device 7 determines the conveying positions and directions of products by use of process data stored in a process program memory 45, the conveying positions and directions of all of the products are determined in sequence as the conveying positions and directions of the leading products are sequentially stored in a product position memory 47, so that the minimum area is occupied.
    制御装置7の演算部49が加工プログラムメモリ45に記憶されている加工データを用いて製品Pの搬出位置および向きを決定する際に、先の製品Pに関する搬出位置および向きを順次製品位置メモリ47に記憶しながら最小の占有面積となるように全ての製品Pについて搬出位置および向きを次々に決定していく。 - 特許庁
  • To provide a method of fabricating a flash memory device capable of improving the operation performance of a memory cell in which a nitride film is first deposited on a semiconductor substrate or a polysilicon film and then an oxide film is formed under the nitride film by an oxidization process using an anneal process, so that a tunnel oxide film or an ONO1 oxide film having a thin thickness and a good film quality can be formed.
    半導体基板またはポリシリコン膜の上に窒化膜をまず蒸着した後、アニール工程を用いた酸化工程によって窒化膜の下方に酸化膜を形成することにより、さらに薄くて優れた膜質を有するトンネル酸化膜またはONO1酸化膜を形成してメモリセルの動作性能を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁
  • The measuring instrument with the function of recording the acquisition data comprises: a display process part for storing the data processed signal to be measured and converting the stored data into the data for display; a recording memory for making the output of the display process part input and for storing the data for recording; and a recording part for reading and recording the data of the recorded memory.
    取り込んだデータを記録する機能を有する記録機能付き測定器において、データ処理された被測定対象の信号を格納し、格納されたデータを表示用データに変換する表示処理部と、前記表示処理部の出力を入力とし、記録用データを格納する記録メモリと、前記記録メモリのデータを読み込み記録する記録部とを備える。 - 特許庁
  • On receiving the broadcast memory access request, the system controller of another node outputs the cache state included in the tag information corresponding to the space x to the system bus, gives a request to its follower processor or memory for a necessary process based on the state of the cache existing on the system bus and returns a response to the system controller of a master after the requested process is over.
    ブロードキャストされたメモリ・アクセス要求を受け取った他のノードのシステム・コントローラは、メモリ空間xに対応するタグ情報が持つキャッシュ状態をシステム・バス上に出力し、次いでシステム・バス上のキャッシュの状態を参照して配下のプロセッサ又はメモリに対して必要な処理を要求し、要求した処理が終了した後にマスタのシステム・コントローラに対して応答を返す。 - 特許庁
  • To prevent a heat history of the manufacture process of a memory circuit from affecting a well region of a logic circuit, and to prevent introduction of contaminants to a substrate at the time of ion implantation for well region formation in a semiconductor device for which the memory circuit and the logic circuit are consolidated.
    記憶回路部と論理回路部とを混載する半導体装置において、記憶回路部の製造工程の熱履歴が論理回路部のウエル領域に影響を与えないようにし、また、ウエル領域形成のイオン注入時に基板への汚染物質の導入を防止できるようにする。 - 特許庁
  • A process cartridge B has a memory member 44 having a storage element which stores information and a memory antenna for communicating the information of the storage element to the main body communication means 47 provided to the electrophotographic image forming apparatus main body 14 without any direct electric contacting.
    プロセスカートリッジBは、情報を記憶する記憶素子と、電子写真画像形成装置本体14に設けられた本体通信手段47と直接の電気的接触なしに前記記憶素子の情報の通信を行うメモリーアンテナと、を有するメモリー部材44を有する。 - 特許庁
  • When the data having the same ID or name are already stored in the large- capacity memory device 3 (S102; Y), the data having the same ID and the received data are correlated with each other (S103), and the received data are stored in the large-capacity memory device 3 (S104) to complete a process.
    同一IDのデータまたは同一の名前のデータがすでに大容量記憶装置3に蓄積されている場合(S102;Y)、該当する同一IDのデータと受信したデータを関連付け(S103)、受信したデータを大容量記憶装置3に蓄積し(S104)、処理を終了する。 - 特許庁
  • The method comprises the steps of forming a surface layer of Si dope without affecting a device characteristic even though VI element such as Se attaches on the surface of an epitaxial by memory effect, or removing the surface in a very high Se concentration caused by the memory effect before proceeding to a device forming process.
    エピタキシャル表面にメモリー効果でSe等のVI族元素が付着しても、デバイス特性に影響を与えないSiドープの表面層を形成するか、メモリー効果によって表面のSe濃度が非常に高くなっていても、その部分をデバイス作成プロセスに入る前に予め除去する。 - 特許庁
  • If incoming reaches from another station line during busy of the terminal equipment 17, the call setting is notified by using an blank B channel, the incoming destination information is read from a terminal busy time incoming destination information memory of the memory 19, and the incoming process similar to the above description is executed.
    また、端末17が話中の場合に他の局線から着信があった場合は、空きBチャネルを使用して呼設定が通知され、メモリ19の端末話中時着信先指定情報メモリから着信先情報を読み出し、前述同様の着信処理を実行する。 - 特許庁
  • When a menu is selected on a GUI screen, a top part of the data related to the selected menu is immediately read out from the disk-like recording medium even though the definitive operation with respect to the selecting process is not carried out, and it is stored in a buffer memory (shock-proof memory) for the preceding reproduction.
    GUI画面上でメニューが選択された際、その選択処理に対する確定操作がなされなくても直ちに当該選択されたメニューに係るデータの先頭部分をディスク状記録媒体から読み出して先行再生用のバッファメモリ(ショックプルーフメモリ)に格納する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory device which can suppress an increase in resistance between a contact plug and a lower electrode, and can favorably control the crystal orientation of each layer constituting a ferroelectric capacitor, and to provide a ferroelectric memory device obtained by that process.
    コンタクトプラグと下部電極との間の抵抗上昇を抑えるとともに、強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向を良好に制御することができる強誘電体メモリ装置の製造方法と、これによって得られる強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • At the time, the memory connected to the output in the previous process is connected to the first input of the processor, the memories are successively switched and connected to the second to (n-2)th input, and the memory connected to the (n-1)th input is switched and connected to the output of the processor.
    そのとき、1プロセス前に出力と接続していたメモリをプロセッサの第1番目の入力に接続し、順次メモリを第2〜(n−2)番目の入力に順次切替接続して、第(n−1)番目の入力に接続していたメモリをプロセッサの出力に切替接続するようにした。 - 特許庁
  • To process an e-frame addressed to a plurality of ports without using a frame memory by transmitting ports and without increasing a write/read rate of one summarized frame memory in a system for transmitting a frame to the plurality of ports in a receiving part of a frame containing destination information in its header.
    本発明はヘッダに宛先情報を含むフレームの受信部における複数ポートへのフレーム送信方式に関し,送信ポート別のフレームメモリを使用せず,1つに集約したフレームメモリの書込み/読出しレートを上げることなく複数ポート宛のイーフレームを処理できることを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a digital still camera that has only to use an internal RAM (not a memory for temporary storage only but a memory used for image processing process) to attain image pickup and storage without the need for addition to hardware (H/W) unit to the camera compatible with an external RAM, and to provide its image data storage method.
    外部RAM対応カメラにハードウェア(H/W)を追加することなく内部RAM(一時保存専用のメモリではなく、画像処理プロセスで使用するメモリ)だけでの撮影・保存も可能にするデジタルスチルカメラおよびその画像データ保存方法を提供する。 - 特許庁
  • After executing the initialization process by the CPU, the code is in an active state, any other CPU (after resetting) can access the memory, and other bus master (capable of receiving any controls by the started code) can access the memory 110.
    初期化プロセスがそのCPUによって実行された後、コードは動作状態であり、他のいかなるCPUも(リセットされた後に)メモリにアクセスすることができ、(開始されたコードによって課せられたいかなる制御も受ける)他のいかなるバスマスタもメモリ110にアクセスすることができる。 - 特許庁
<前へ 1 2 .... 24 25 26 27 28 29 30 31 32 .... 40 41 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.