「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 134 135 136 137 138 139 140 141 142 .... 287 288 次へ＞- Moreover, the thickness of the 1st layer is desirably controlled to 5 to 500 nm, and it is recommended that the total thickness of the 1st layer and the 2nd layer is controlled to 0.8 to 20 μm.
尚、前記第１層の厚さは、５〜５００ｎｍであることが望ましく、また前記第１層及び第２層の合計の厚さは、０．８〜２０μｍとすることが推奨される。 - 特許庁 - A mean grain sizes of crystal grains of a lower site layer (preferably an antiferromagnetic layer 42) of the MTJ 40 is 30 nm or smaller, and a crystal array of the lower site layer is oriented randomly (not oriented).
前記ＭＴＪ４０の下位層（好ましくは反強磁性層４２）の結晶粒の平均粒径を３０ｎｍ以下とし、且つ、その下位層の結晶配列をランダム配向（無配向）とする。 - 特許庁 - The electrically conductive resin composition is obtained by melt blending a molten matrix resin with a carbon fiber produced by vapor-phase method with a fiber diameter of 5-500 nm and a bulk density of 0.04-0.1 g/cm^3.
繊維径が５〜５００ｎｍ、かさ密度が０．０４〜０．１ｇ／ｃｍ^3である気相法炭素繊維を溶融マトリックス樹脂に溶融混合してなる導電性樹脂組成物。 - 特許庁 - When applying the exchange-coupling film to a magnetic recording medium, for example, the thickness of the non-magnetic layer 31 is set to 0.4-0.6 nm and the Rh content is set to 5-70 at%.
また、本発明の交換結合膜を磁気記録媒体に適用する場合、例えば非磁性層３１の厚さを０．４〜０．６ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜７０ａｔ％とする。 - 特許庁 - In a vapor deposition film having a total light transmittance of 20-50%, a copper vapor deposition layer (which is) 0.02-1.0 nm in average thickness and an aluminum vapor deposition layer are formed on the surface of a polyester film.
ポリエステルフィルム表面に平均厚み０．０２〜１．０ｎｍの銅蒸着層、およびアルミ蒸着層を形成し、全光線透過率２０〜５０％である蒸着フィルムとする。 - 特許庁 - When applying the exchange-coupling film to an MRAM, the thickness of the non-magnetic layer 31 is set, for example, to 0.3-0.7 nm and the Rh content is set to 5-40 at%.
更に、本発明の交換結合膜をＭＲＡＭに適用する場合、非磁性層３１の厚さを例えば０．３〜０．７ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜４０ａｔ％とする。 - 特許庁 - Next, by using the same as the cathode, voltage is applied for 60 sec, and a copper seed layer having a thickness of about 5 to 100 nm is deposited on an obstruction.
次いで、これをカソードにし、電圧を６０秒間かけ所定の電流密度にて、銅シード層を障害物質上に約５ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する銅シード層を堆積させる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method, by which a gate electrode structure provided with an ultra-thin gate oxide film of 3 nm or less can be processed accurately for silicide formation.
３ｎｍ以下の極薄ゲート酸化膜を有するゲート電極構造を高精度に加工し、サリサイド形成を可能にする半導体装置ならびにその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The laminate comprises forming an adhesive layer on the surface of the adherent which is composed of Cu, V, a Cu alloy or a V alloy and in which deposits with a height of 500 nm or below are scattered.
Ｃｕ、Ｖ、Ｃｕ合金またはＶ合金からなり、かつ、５００ｎｍ以下の高さの析出物が点在する被接着体表面に、接着剤層を形成してなる積層体。 - 特許庁 - Further, the printed board K is irradiated with red light having a peak wavelength of 610-680 nm at an incident angle, which is smaller than that of the light from the lower ring light 13, from an upper ring light 12.
また、下部リングライト１３よりも小さな入射角で、上部リングライト１２により、６１０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の範囲にピーク波長をもつ赤色光が照射される。 - 特許庁 - In the ferroelectric element, at least one of two electrodes, holding a lead-base ferroelectric layer made of PZT, PLZT, or the like, is constituted of a CaRuO3 layer using a thickness of 50 nm or smaller.
ＰＺＴまたはＰＬＺＴなどの鉛基強誘電体層を挟持する電極の少なくとも一方として、厚さ５０ｎｍ以下のＣａＲｕＯ_3 層を用いた強誘電体素子。 - 特許庁 - The Acanthopanax senticosus Harms subjected to the embryo culture is preferably obtained by irradiating the Acanthopanax senticosus Harms with a light having 250-760 nm wavelength and ≥40 μmol/m^2/s photon flux density.
このとき、胚培養したエゾウコギが、培養時に波長２５０〜７６０ｎｍで光量子束密度４０μｍｏｌ／ｍ^２／ｓ以上の光を照射して得られうるものであることが好ましい。 - 特許庁 - This preparation features that absorbances at 420 nm when stored in a shading state at room temperature for about 6, 9 and 12 months after its production are ≤0.045,
製造後約６ヶ月，９カ月，１２カ月室温で遮光保存した製剤の４２０ｎｍの吸光度が、それぞれ０．０４５以下，０．０５５以下，０．０７５以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.
例えば、ＳｉＧｅは、Ｓｉの基板界面において２０％の濃度のＧｅ、ＳｉＧｅ膜の上端面において３０％の濃度のＧｅ、および、４００ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁 - To provide a photomask having practical resolution which can be applied for a 65-nm node, has no defect, and is inspected for defects, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
本発明は、６５ｎｍノードにも適応できる実用解像度を有し、無欠陥かつ欠陥検査可能なホトマスクおよび半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - To further reduce the size of a pattern by utilizing physical, chemical, and mechanical etching after making the pattern 202 of large size and line thickness (for example, 50 nm or larger) in a conventional method.
既存の方法で先ず線幅やサイズの大きい（例えば、５０ｎｍ以上）パターン２０２などを製作した後、物理的、化学的、機械的蝕刻を利用してパターンのサイズを更に縮める。 - 特許庁 - The surface-protecting film has a base layer 1 and a pressure-sensitive adhesive layer 2, wherein the deformation index of the surface layer of 80 nm of the pressure-sensitive adhesive layer is 0.01-0.4 μN.
基材層１と粘着剤層２を有する表面保護フィルムであって、該粘着剤層の表層８０ｎｍの変形指数が０．０１〜０．４μＮである表面保護フィルム。 - 特許庁 - To efficiently obtain diamond microparticles having ≤30 nm average particle diameter D50, and to produce a diamond microparticle dispersion in which the diamond microparticles are stably dispersed.
平均粒径Ｄ５０が３０ｎｍ以下の微小ダイヤモンド粒子を効率よく得て、この微小ダイヤモンド粒子を安定的に分散させた微小ダイヤモンド粒子分散液を製造する。 - 特許庁 - The optical recording medium is provided as an optical response material with the recording layer, containing metallic chalcogenide nano-grain of average grain size of 1-20 nm and whose surface is modified by an adsorbing compound.
光応答材料として表面が吸着性化合物で修飾された平均粒径１〜２０ｎｍの金属カルコゲナイドナノ粒子を含む記録層を有する光記録媒体。 - 特許庁 - Further, the cellulose acylate film has the Rth not more than 0 nm.
（Ｉ） ２．８７≦ＳＡ＋ＳＰ≦３ （II） ０≦ＳＡ≦１．７ （III) １．３≦ＳＰ≦２．９（ＳＡはセルロースの水酸基に置換されているアセチル基の置換度、ＳＰはセルロースの水酸基に置換されているプロピオニル基の置換度を表す。） - 特許庁 - The optical film comprises a biaxially oriented optical film, and it has a haze value of ≤5%, an absorption of 0.15-0.35 with beams of light having wave lengths of 400-750 nm.
二軸配向光学用フィルムであって、該フィルムのヘーズ値が５％以下、波長４００〜７５０ｎｍの光線の吸光度が０．１５〜０．３５であることを特徴とする光学用フィルム。 - 特許庁 - The portion of the magnetic tape sliding surface 68 of a magnetoresistive type magnetic head 6 where the magnetoresistive element 64 is formed between a pair of the shielding materials 61 and 62 is formed as the recessed part of 4 to 30 nm in depth t1.
磁気抵抗効果型磁気ヘッド６の磁気テープ摺動面６８のうち、磁気抵抗効果素子６４が形成されている部分を、深さｔ１が４〜３０ｎｍの凹部とする。 - 特許庁 - This polyester film for the releasing type film of the polarizing plate is characterized by having an L-value of 65 to 77 measured by a reflection method, and 11 to 25 nm surface roughness (Ra) of the film.
反射法で測定したフィルムのＬ値が６５〜７７であり、フィルムの表面粗さ（Ｒａ）が１１〜２５ｎｍであることを特徴とする偏光板離型フィルム用ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - To provide an optical information recording medium by which high density recording can be performed by a laser light with a wave length in the range of 390-440 nm and a new method for optical recording of information.
３９０〜４４０ｎｍの範囲の波長のレーザ光によって高密度な記録が可能な光情報記録媒体及び新規な光情報記録方法を提供すること。 - 特許庁 - The DC motor 93 is fed with a DC voltage V2 and operates the pump 92 around the revolving speed Nm continuously when the device 5 operates normally.
直流電動機９３は直流電圧Ｖ_2 を入力し、主潤滑油供給装置５の健全な運転時に回転油ポンプ９２を回転数Ｎ_m 付近で連続運転する。 - 特許庁 - The laminate member 1 comprises a porous film 3 composed of an inorganic material as a film for adhesion formed on a base material, the porous film 3 having a most frequent pore diameter of 0.5-10 nm, and a porosity of not less than 15%.
接着用膜として、無機材料からなる、最頻空孔径が０．５〜１０ｎｍで、空孔率が１５％以上の多孔質膜３が形成されたラミネート部材１。 - 特許庁 - In a ferromagnetic tunnel junction element having a laminated structure constituted of ferromagnetic layer/insulating layer/ferromagnetic layer, surface roughness Ra in the insulating layer is set as 1,0 [nm] or less.
強磁性層／絶縁層／強磁性層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、絶縁層に於ける表面粗さＲａが１．０〔ｎｍ〕以下となるようにする。 - 特許庁 - As the light-fixing solid-phase carrier 2, a light responsive layer 4 of which the surface has an arithmetic average roughness Ra of 2 nm or smaller and which contains a light responsive component is provided.
光固定化用固相担体２として、表面の算術平均粗さＲａが２ｎｍ以下であり光応答性成分を含有する光応答性層４を備えるようにする。 - 特許庁 - Typically, the composition formula is represented by Gd3-sEusSCtGa5-tO12 (with the proviso that s and t satisfy the equations 0<s<3 and 1.8<t<2.2), and the lattice constant can be freely adjusted by changing the composition within the range of 1.256-1.262 nm.
典型的には、組成式はＧｄ_3-s Ｅｕ_s Ｓｃ_t Ｇａ_5-t Ｏ_12（但し、０＜ｓ＜３，１．８＜ｔ＜２．２）で示され、組成を変えることで格子定数を１．２５６nm〜１．２６２nmの範囲で自由に調整可能である。 - 特許庁 - The protective layer has a mean thickness from not less than 5 nm to not more than a radius of the fluorescent material, and the fluorescent material has a discontinuous exposure region exposed from the first protective film.
保護層の平均暑さが，５ｎｍ以上、かつ蛍光体の半径以下であり、前記第１保護膜によって、蛍光体が露出する露出領域が非連続であることを特徴とする。 - 特許庁 - To obtain a single transversal-mode, direct modulation laser of a 1,300 nm wavelength band which simultaneously achieves a chip optical output of several mW and low current operation, and also a laser light source which is excellent even in economy by obtaining output characteristics of a vertical cavity surface emitting laser.
数ｍＷのチップ光出力と低電流動作を同時に実現する波長１３００ｎｍ帯のシングル横モードの直接変調レーザを実現すること。 - 特許庁 - For the purpose of enhancing the uniformity of the film thickness of the alignment layer 107, the thickness of coated films P1-P5 for every one coating is suppressed to be ≤20 nm and the coated films are pre-baked after coating.
配向膜１０７の膜厚の均一性を向上させるために、１回当たりの塗布による塗布膜Ｐ１〜Ｐ５を２０ｎｍ以下に抑え、かつ塗布後にプリベイクを行う。 - 特許庁 - In addition, when the magnetic dot bodies to be inverted are formed in a disk shape having a diameter of about 50 nm or lower, the magnetic dot bodies can be inverted by a much smaller external magnetic field because their coercive force is small.
さらに、反転させる磁性ドット体を直径５０〈ｎｍ〉程度以下の円盤状にすれば、保磁力が小さいため、さらに小さな外部磁場で磁性ドット体を反転できる。 - 特許庁 - The epoxy resin composition essentially comprises (A) an epoxy resin, (B) an epoxy resin curing agent, (C) globular nanoparticles having a particle size of 1,000 nm or less, and at least one block copolymer (D) selected from the group consisting of S-B-M, B-M, and M-B-M.
下記［Ａ］〜［Ｄ］を必須とするエポキシ樹脂組成物、それを繊維基材に含浸して得られるプリプレグ、およびそのプリプレグを硬化してなる繊維強化複合材料。 - 特許庁 - The hexagonal ferrite particle 105 is 10 to 80 nm in hexagonal diameter, the ratio of diameter to thickness of the particle 105 is 1 to 10, and the particle 105 has a specific surface area of 20 to 150 m2/g.
また、六方晶系フェライト粒子１０５の粒子サイズは六角板径で１０〜８０ｎｍであり、板厚に対する板径が１〜１０であり、比表面積が２０〜１５０ｍ^2／ｇである。 - 特許庁 - To provide a novel coloring matter suitable for an optical information recording medium, which enables record regeneration by a laser light of the wavelength of at most 450 nm and shows excellent recording characteristics.
特に波長４５０ｎｍ以下のレーザ光によって記録再生が可能であって、かつ優れた記録特性を示す光情報記録媒体に好適な新規な色素を提供する。 - 特許庁 - This calcium oxide powder has a BET specific surface area of ≥60 m^2/g and a total pore volume of pores of a diameter range within 2-100 nm of ≥0.35 mL/g.
ＢＥＴ比表面積が６０ｍ^2／ｇ以上であって、かつ直径２〜１００ｎｍの範囲にある細孔の全細孔容積が０．３５ｍＬ／ｇ以上の酸化カルシウム粉末。 - 特許庁 - The ferromagnetic powder of the magnetic layer is hexagonal ferrite, and the magnetic layer contains nonmagnetic granular powder having a specific gravity of 5 g/m^3 or higher, and an average particle size of 5 to 100 nm.
前記磁性層の強磁性粉末は六方晶フェライトであり、かつ該磁性層は比重5g/cm^3以上及び平均粒径５〜１００ｎｍの非磁性粒状粉末を含有する。 - 特許庁 - In one embodiment, the glass has a luminous transmittance of at least 55% and a color characterized by a dominant wavelength of 485 to 489 nm and excitation purity of about 3 to 18%.
１つの態様において、ガラスは、少なくとも５５％の視感透過率と４８５〜４８９ｎｍの主波長及び約３〜１８％の刺激純度によって特徴付けられる色を有する。 - 特許庁 - The AlN composition y of the undoped Al_xGa_1-xN third barrier layer 5A is preferably in a range of 0.7≤y≤1, and its film thickness ranges from 0.3 to 5 nm.
さらに、好ましくは、アンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ第三障壁層５ＡのＡｌＮ組成ｙは、０．７≦ｙ≦１の範囲であり、その膜厚は、０．３ｎｍから５ｎｍまでの範囲とする。 - 特許庁 - A TiN film is formed to about 8 nm on the surface where the pattern of the product substrate 2 is formed, an AL-CVD film is formed thereupon to 0.12 μm, and a groove is completely filled.
製品基板２のパターンが形成された表面上にＴｉＮ膜を８ｎｍ程度成膜し、その上にＡＬ−ＣＶＤ膜を０．１２μｍ成膜して、溝は完全に埋める。 - 特許庁 - Then, a metal film 7 comprising MgAg having 10 nm or less of film thickness is formed on the electron transport layer 5, and followed by bleach using O2, O3 to be converted into an insulating film 7A.
その後、電子輸送層５の上に、１０ｎｍ以下の膜厚のＭｇＡｇでなる金属膜７を形成し、この金属膜７をＯ_2、Ｏ_3に晒すことで絶縁膜７Ａに変化させる。 - 特許庁 - When the wavelength of light incident on an LiCaAlF6 single crystal is adjusted to 152 nm, refractive indexes with respect to ordinary and extraordinary rays are made equal to each other and the objective optical component for vacuum UV whose index of double refraction is made zero is obtained.
LiCaAlF_6単結晶への入射光波長を152nmとすることで、常光線と異常光線の屈折率が等しくなり、複屈折率がゼロとなる真空紫外線用光学部品を得る。 - 特許庁 - When a rotating speed Nm of the motor 5 is smaller than a predetermined rotating speed at idle stop, a rotating speed control gain switching part 4c selects a control gain larger than a normal control gain.
回転速度制御ゲイン切換部４ｃは、アイドルストップ時に、モータ５の回転速度Ｎｍが所定回転速度より小さくなると、通常の制御ゲインより大きい制御ゲインを選択する。 - 特許庁 - Focused ion beam is irradiated at the distal end of a cone type near field probe material without small pores from lateral of the distal end to open a small pore with aperture diameter less than 5000 nm ϕ.
小孔の空いていない錐体型の近接場プローブ用材料の先端に、先端の側方から集束イオンビームを照射し、開口径5000nmφ以下の小孔をあける。 - 特許庁 - The fabric for abrasive cloth is made by using knitted fiber which includes polyester multifilament yarn (A) having single fiber diameter of 50-1,500 nm and has an elongation degree of 200% or less in both longitudinal and lateral directions.
単繊維径５０〜１５００ｎｍのポリエステルマルチフィラメント糸Ａを含み、伸度がタテ方向およびヨコ方向ともに２００％以下である編物を用いて研磨布用布帛とする。 - 特許庁 - A protective film 14 made of silicon nitride having a film thickness of 100 nm is formed in an outer circumference portion of a substrate body 11 for growing a semiconductor crystal, the substrate made of Si having (111) plane direction of crystal.
面方位が（１１１）であるＳｉからなる半導体結晶成長用基板本体１１の外周部に膜厚が１００ｎｍの窒化シリコンからなる保護膜１４を形成する。 - 特許庁 - To provide a heat-developable image recording material capable of recording an image in a short wavelength region of ≤500 nm and capable of forming a high contrast image suitable for printing plate making.
５００ｎｍ以下の短波長領域で画像記録でき、印刷製版用に適した硬調画像を形成することができる熱現像画像記録材料を提供すること。 - 特許庁 - This ink composition is provided by containing fine particle dispersion obtained by dispersing colored fine particles containing at least an oil soluble dyestuff and a polymer, in an aqueous medium, and having ≤85 nm volume-average particle diameter.
少なくとも油溶性染料及びポリマーを含む着色微粒子が水性媒体に分散された微粒子分散物を含み、体積平均粒子径を８５ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - The conductive filler includes metal powders of an average particle size of 2-30 μm as a main component and includes metal ultra-fine particles of an average particle size of 100 nm or less.
そして、導電性フィラーが、平均粒径が２μｍ〜３０μｍの金属粉末を主成分とするとともに、平均粒径が１００ｎｍ以下の金属超微粒子を含有する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
