「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 136 137 138 139 140 141 142 143 144 .... 287 288 次へ＞- To provide a storage medium using an organic dyestuff material capable of recording/reproducing with a light having a wavelength of 620 nm or less and a recording method and a recording device using the same.
本発明は６２０ｎｍ以下の波長の光で記録／再生できる有機色素材料を用いた記憶媒体、及びそれを用いる記録方法，記録装置を提供することである。 - 特許庁 - The rubber composition for coating the tire cord includes a rubber component containing ≥60 mass% of isoprene-based rubber, zinc oxide having an average primary particle diameter of ≤200 nm, and carbon black.
イソプレン系ゴムを６０質量％以上含むゴム成分と、平均一次粒子径が２００ｎｍ以下の酸化亜鉛と、カーボンブラックとを含むタイヤコード被覆用ゴム組成物に関する。 - 特許庁 - The epoxy resin composition comprises an epoxy resin, a silicone rubber fine particle of 1 to 10 μm in average particle diameter, and a silica nano-particle of 10 to 150 nm in average particle diameter.
エポキシ樹脂と、平均粒子径１μｍ〜１０μｍのシリコーンゴム微粒子と、平均粒子径１０ｎｍ〜１５０ｎｍのシリカナノ粒子と、を含有することを特徴とする、エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁 - The stable nanoparticulate meloxicam composition includes meloxicam particles or salts of the same and at least one surface stabilizer, wherein the meloxicam particles have effective average particle sizes of less than about 2,000 nm.
メロキシカムまたはそれらの塩の粒子と、少なくとも1つの表面安定剤を含み、該メロキシカム粒子が、有効平均粒径約2000nm未満を有する、安定したメロキシカムナノ粒子組成物。 - 特許庁 - In the zirconia sol, the amount of the monosaccharide or disaccharide added is 50% or less of zirconia in a weight ratio, and the particle size of the zirconia particles is 20 nm or less.
また、前記単糖類又は二糖類の添加量が重量比でジルコニアの５０％以下であり、前記ジルコニア粒子の粒径が２０nm以下であることを特徴とするジルコニアゾル。 - 特許庁 - The glass lining composition contains nanoporous ceramic particles having bubbles of nm order in an amount of 1-50 pts.mass relative to 100 pts.mass of frit for glass lining.
本発明のグラスライニング組成物は、グラスライニング用フリット１００質量部に対してナノメートルオーダーの気泡を有するナノ多孔質（nanoporous）セラミック粒子を１〜５０質量部を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The coating composition comprises: hydrophilic metal oxide particles having an average particle diameter of 10-300 nm; a binder component; a surface tension regulator; and a solvent component.
平均粒子径１０〜３００ｎｍの親水性を有する金属酸化物微粒子、バインダー成分、表面張力調整剤、および溶媒成分を含有することを特徴とする。 - 特許庁 - The coating composition includes a matrix-forming material; and mesoporous silica particles containing a shell part having a mesoporous structure containing silica, and having an average primary particle diameter of 10-200 nm.
本発明の塗料組成物は、マトリックス形成材と、シリカを含むメソ細孔構造を有する外殻部を含み平均一次粒子径が１０〜２００ｎｍのメソポーラスシリカ粒子とを含む。 - 特許庁 - The ultraviolet rays from this metal halide lamp are irradiated onto an ultraviolet curing resin composition containing a photoinitiator of high absorbance at the wavelengths of 320 to 380 nm to have a curing rate improved.
このメタルハライドランプからの紫外線を、３２０〜３８０ｎｍに吸光度が高い光開始剤を含有した紫外線硬化性樹脂組成物に照射させることで硬化率の向上を図る。 - 特許庁 - As a result of this, film formation liquid containing iron(II) ion, formic acid and hydrazine of pH7.0 and 75°C and ferrite particles whose particle size is equal to or less than 70 nm is supplied to the recirculation system pipe.
この結果、ｐＨ７．０及び７５℃の、鉄（II）イオン、ギ酸、ヒドラジン及び粒径が７０ｎｍ以下のフェライト粒子を含む皮膜形成液が、再循環系配管に供給される。 - 特許庁 - The polyvinyl alcohol film has light transmittance of 90% or more over the whole range of visual light having wavelength of 360-700 nm, and a YI value of 0.5 or less.
波長３６０〜７００ｎｍの可視光全域における光線透過率が９０％以上であり、かつＹＩ値が０．５以下であることを特徴とするポリビニルアルコール系フィルムである。 - 特許庁 - To provide an ultraviolet semiconductor light emitting element, capable of improving the efficiency of luminescence of an ultraviolet light having a luminescent wavelength of 200 to 300 nm, and capable of improving reliability thereof.
発光波長が２００ｎｍ〜３００ｎｍの紫外光の発光効率の向上を図れ、且つ、信頼性の向上を図れる紫外半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - A pattern surface is irradiated with light using an eximer UV lamp having ≤240 nm wavelength in an atmosphere having oxygen for removing a resist residue remaining after pattern transfer.
パターン転写後に残存するレジスト残渣を除去するために酸素含有雰囲気中において、波長２４０ｎｍ以下の波長を有するエキシマＵＶランプを用いてパターン面を光照射する。 - 特許庁 - When irradiating ultraviolet rays of this mercury lamp to a curing agent, containing photoinitiator that has absorption wavelength range between 220-300 nm, the curing speed of the curing agent can be increased.
この水銀ランプを、２２０〜３００ｎｍの間に吸収波長域をもつ光開始剤が含有された硬化剤に照射させた場合に、硬化剤の硬化速度を早めることが可能となる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a substrate with a multilayer reflection film and a reflective mask blank by which no high-oxide defect with a size smaller than 150 nm is detected in the multilayer reflection film.
多層反射膜中の１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥が検出されない多層反射膜付基板および反射型マスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for raising seedling of flowering plants includes irradiating young seedlings after all of true leaves come out after germination with light having a peak wavelength of 400-550 nm at a low temperature of not more than 15°C for 100-600 hours.
発芽後本葉が出揃った後の幼苗に、温度１５℃以下の低温下で、ピーク波長４００〜５５０nmの光を１００時間以上、６００時間以下の期間照射する。 - 特許庁 - In an analysis by high-frequency glow discharge emission spectrometric analysis, the maximum value of Si concentration on a surface layer part up to 20 nm from the surface of the tube is 0.3-30 atom%.
高周波グロー放電発光分光分析法により分析したときの管の表面から２０ｎｍまでの表層部におけるＳｉ濃度の最大値が０．３乃至３０原子％である。 - 特許庁 - To provide a polishing liquid composition which can effectively reduce an LPD having a size of 50 nm or smaller, which is formed on a surface of a wafer, in a polishing process of the semiconductor wafer.
本願発明は、半導体ウェーハの研磨において、ウェーハ表面の５０ｎｍ以下の大きさのＬＰＤを効果的に低減可能な研磨液組成物の提供を課題とする。 - 特許庁 - Each of the first quarter-wave plate and the second quarter-wave plate preferably shows a frontal retardation of 90 to 180 nm and satisfies the relationship of nx>nz>ny in the refractive indices thereof.
第１の１／４波長板および第２の１／４波長板は、正面レターデーションが９０〜１８０ｎｍであり、かつ屈折率がｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たすことが好ましい。 - 特許庁 - Also, a metallic nano fine line whose size is 10-50 nm is secondarily electrolytically formed of the barrier layers with innumerable pores therein having a nano structure formed on the surface of the porous anodically oxidized film.
更に、多孔質陽極酸化皮膜の表面の無数に形成されたナノ構造のポアー内部のバリヤー層から、太さ１０〜５０ｎｍの金属ナノ細線を二次電解形成した。 - 特許庁 - The CMR memory film 204 may be formed of a Pr_1-XCa_XMnO_3 (PCMO) memory film, where x is in the region between 0.1 and 0.6 and has a thickness in the range of 10 to 200 nm.
ＣＭＲメモリ膜２０４は、Ｐｒ_１−ＸＣａ_ＸＭｎＯ_３（ＰＣＭＯ）メモリ膜から形成され得、ここでｘは０．１〜０．６の領域であり、１０〜２００ｎｍの範囲の厚さを有する。 - 特許庁 - The flame-retardant particles contain at least a metal hydrate having the volume-average particle diameter within the range of 1-500 nm.
マトリックス樹脂に、少なくとも体積平均粒子径が１〜５００ｎｍの範囲の金属水和物を含んでなる難燃性粒子と、難燃助剤と、を配合してなる難燃性樹脂組成物である。 - 特許庁 - This negative electrode material is manufactured by combining graphite, a conductive material, and a binder together and converting them into particles, and the conductive material is a carbon fiber having a minor axis of 150-500 nm and an aspect ratio of 100-200.
黒鉛と導電材とバインダーとを用いて複合粒子化したものであって、導電材は短径が１５０〜５００ｎｍでかつアスペクト比が１００〜２００の炭素繊維である。 - 特許庁 - The toner containing the charge control agent particles having an average dispersion grain size of ≤300 nm is provided.
比較的低付着量でも十分な画像濃度を確保でき、かつ／または環境変動に対する帯電安定性に優れたトナーおよび該トナーを形成可能な樹脂粒子を提供すること。 - 特許庁 - The linear nanomaterial thus produced has a diameter of not more than 200 nm and comprises a tubular shell of which the inside is hollow and a core which is formed inside the shell.
また、本発明の線状ナノ材料は、直径が２００ｎｍ以下であり、内部が空いているチューブ形状のシェルと、前記シェルの内部に形成されているコアとを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an oil-in-water type emulsion composition which can be prepared without applying energy and has superior stability and cosmetic characteristics, and of which the average diameter of liquid drops falls in the range of 50-500 nm.
エネルギーを投入なしに調製され、優れた安定性および化粧品特性を有する、液滴の平均径が50〜500nmの範囲の水中油型エマルション組成物に関する。 - 特許庁 - The blanket for offset printing comprises a high-smoothness layer 3 on the outermost surface of the blanket 1 and the 10-point average roughness Rz of the surface of the high-smoothness layer is 5 nm or less.
ブランケット１の最表面に高平滑層３を備えるオフセット印刷用ブランケットであって、高平滑層表面の十点平均粗さＲｚが５ｎｍ以下であること。 - 特許庁 - At least a reflecting layer 12, a recording layer 13 and a dielectric layer 14 having ≥140 nm thickness are successively laminated on a substrate 11 to obtain the objective magneto-optical recording medium.
基板上に少なくとも反射層、記録層および誘電体層をこの順に積層してなり、誘電体層の膜厚が１４０ｎｍ以上である光磁気記録媒体とする。 - 特許庁 - For example, colloidal silica with average grain diameter of 20 to 80 nm is used for the slurry for CMP polishing, and pH of the slurry in the range of 2 to 7, acid or neutral is used.
ＣＭＰ研磨用スラリとしては、例えば、平均粒径２０乃至８０ｎｍのコロイダルシリカが用いられ、このスラリのｐＨ値を２〜7の酸性もしくは中性領域として用いる。 - 特許庁 - This system also emits an excitation light L2 with a wavelength of 410 nm thereto, and captures the image of the autofluorescence emitted from the part 1 to be tested with a CCD image pickup device 107 to acquire the autofluorescence information.
また波長４１０ｎｍの励起光Ｌ２を照射し、被検部１から発せられる自家蛍光をＣＣＤ撮像素子１０７で撮像して自家蛍光情報を取得する。 - 特許庁 - This anatase/brookite junction type titanium dioxide has an anatase/brookite ratio of 35/65-45/55, and the particle diameter of each of anatase type and brookite type crystals is less than 20 nm.
アナタース／ブルッカイト比が３５／６５ないし４５／５５であり、アナタース形およびブルッカイト形結晶それぞれの粒子径が２０ｎｍ未満であるアナタース／ブルッカイト接合型二酸化チタン。 - 特許庁 - To provide a method capable of manufacturing a magnetoresistance effect element having a fine constricted part of ≤30 nm easily with high yield, and to provide a magnetoresistance effect element having large magnetoresistance effect.
３０ｎｍ以下の微小くびれ部を有する磁気抵抗効果素子を容易に歩留まり高く製造できる方法と、大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子とを得る。 - 特許庁 - On an upper surface 170c of the translucent electrode 170, a plurality of recessed parts 170a are formed which are 100 to 1,000 nm in inter-gravity-center distance in a section.
透光性電極１７０の上面１７０ｃには、断面の重心間距離が１００ｎｍ以上且つ１０００ｎｍ以下である複数の凹部１７０ａが形成されている。 - 特許庁 - When using infrared light having the wavelength of 800-1,000 nm as the detection light, polyether imido, polyether sulfone or polyphenyl sulfone is preferably adopted as a colored resin material.
検出光には８００ｎｍ〜１０００ｎｍの赤外光を用いた場合、有色樹脂材料として、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、もしくはポリフェニルサルホンを採用することが好適である。 - 特許庁 - The sulfur compound removing agent is a nanoparticle which contains a spinel type compound oxide of metals consisting of manganese, cobalt and copper and has ≤100 nm particle size.
マンガン、コバルト、および銅からなるスピネル型複合金属酸化物を含み粒径が１００ｎｍ以下のナノ粒子である硫黄化合物除去剤によって課題を解決することができた。 - 特許庁 - This method for promoting the expression of the squalene epoxidase gene of a plant comprises irradiating the plant with light containing a wavelength component in a wavelength region of 435 to 480 nm.
本発明によれば、植物に、435nm〜480nmの波長領域内の波長成分を含む光を照射することにより、植物のスクアレンエポキシダーゼ遺伝子の発現を促進させることができる。 - 特許庁 - The shock absorber includes a spongy structure containing a fiber dispersion of single fiber having a number-average diameter of 1-1,000 nm, and has a shock absorption rate of ≥80%.
単繊維の数平均直径が１〜１０００ｎｍである繊維分散体を含有したスポンジ状構造体からなり、衝撃吸収率が８０％以上である衝撃吸収材。 - 特許庁 - A flip-chip group-III nitride compound semiconductor light emitting element, emitting a light of wavelength of 400 nm or shorter, is connected to a Zener diode, and these are sealed with a metallic casing having a window.
４００ｎｍ以下の波長の光を放出するフリップチップタイプのIII族窒化物系化合物半導体発光素子をツエナーダイオードに連結し、これらを窓付き金属ケーシングで封止する。 - 特許庁 - In the inspection process, illuminating light having a wavelength of 400 nm or less is applied from a light source 7 to the lamination film and light from the lamination film is imaged on a CCD 24 by lens optical systems 13, 24.
検査工程は、積層膜に波長４００ｎｍ以下の照明光を光源７から照射し、積層膜からの光をレンズ光学系１３，２４でＣＣＤ２４に結像させる。 - 特許庁 - It is preferable that the fine particles are contained from 0.005 to 0.5 wt.% against the weight of the active substance of the positive electrode, and that their average particle size is from 1 to 80 nm.
上記微粒子は正極活物質重量に対して０．００５〜０．５重量％含有されることが好ましく、その平均粒径は１〜８０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁 - The thickness of the high-melting-point metal film is 40-80 nm; and the capacitance insulating film 104 is formed of a silicon oxide film using organic silane as a material.
高融点金属膜の膜厚は、４０ｎｍ以上、８０ｎｍ以下であり、容量絶縁膜１０４は、有機シランを原料としたシリコン酸化膜からなることを特徴とする。 - 特許庁 - The pulse laser beam 10 of which the wavelength is 300-400 nm is emitted from a laser beam source, and the laser beam 10 is irradiated to the glass substrate 2 by being made into a rectangular (square or rectangle) beam shape.
レーザ光源から、波長が３００〜４００ｎｍのパルスレーザ光１０を出射し、レーザ光１０を矩形（正方形又は長方形）のビーム形状にしてガラス基板２に照射する。 - 特許庁 - The base 11 is made of an aluminum plate having mixed therein a predetermined wt.% of multilayered carbon nanofibers having an average diameter of 100 nm or less and an aspect ratio (length/diameter) of 500 or less.
ベース１１は、平均直径が１００ｎｍ以下で、アスペクト比（長さ／直径）が５００以下で、多層の構造であるカーボンナノファイバを、所定のｗｔ％混合したアルミニウム板製である。 - 特許庁 - To uniformly disperse organic ultrafine fiber of 10-5,000 nm as reinforcement fiber and to provide a fiber-reinforced elastomer molding that theoretically has little deterioration specific to strength.
１０〜５０００ｎｍの有機系極細繊維を強化繊維として均一に分散させ、かつ理論上からの強度特定劣化の少ない繊維強化エラストマー成型品を提供すること。 - 特許庁 - The lithographic apparatus using a 157 nm irradiation, wherein a projected beam is activated with low intensity to monitor intensity at a substrate level after a low flow purge mode is used.
１５７ｎｍの照射を使用したリソグラフィ装置において、低フロー・パージ・モードが使用された後に、投影ビームが、低い強度で活性化され、基板レベルにおける強度が監視される。 - 特許庁 - To provide a scanning probe microscope having a plurality of electrically independent probes, capable of operating a micro-material having the size below 100 nm, and electric measurement thereof.
電気的に独立した複数のプローブを有し、１００ｎｍ以下程度の微小な物質の操作を可能とし、かつ電気測定を可能とする走査型プローブ顕微鏡を提供すること。 - 特許庁 - In an optical system having a plurality of optical surfaces, at least two surfaces includes antireflection structures having fine uneven structure whose average pitch is equal to or less than 400 nm.
複数の光学面を有する光学系において，少なくとも２面には，平均ピッチが４００ｎｍ以下の微細凹凸構造を有する反射防止構造体を有して構成する。 - 特許庁 - Next, a drain electrode 7 and a gate wiring 1 are made to be contacted (Figure 1 (b)-3) by irradiating a laser irradiation part for contact with a laser beam whose wavelength is 1064 nm from the back side of the substrate.
波長が１０６４ｎｍであるレーザ光をＴＦＴアレイ基板の裏面側から照射することにより、ドレイン電極７とゲート配線１をコンタクトさせる（図１(b)-3 ）。 - 特許庁 - In a method comprising charging coal into the coke oven carbonizing chamber and dry distilling it, a medium calorie gas of 1,500-3,500 kcal/Nm^3 is used as a fuel gas introduced into the combustion chamber.
コークス炉の炭化室に石炭を装入して乾留する方法において、燃焼室に導入する燃料ガスとして、１５００から３５００ｋｃａｌ／Ｎｍ^３の中カロリーガスを使用する。 - 特許庁 - Semispherical optical unit cover 6 wholly reflecting a light having wavelength of 380 nm or less and an electrical circuit unit cover 8 are provided at a position covering the optical unit 1 and the electrical circuit unit 2.
光学ユニット１及び電気回路ユニット２を覆う位置に、３８０ｎｍ以下の波長の光を全反射する半球形の光学ユニットカバー６及び電気回路ユニットカバー８を設ける。 - 特許庁
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