「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 139 140 141 142 143 144 145 146 147 .... 287 288 次へ＞- The optical information recording medium which records the information by irradiation with a laser light of ≤450 nm in wavelength contains a futhalocyanine coloring matter which is represented by the general formula (I) in a recording layer.
波長４５０ｎｍ以下のレーザ光の照射により情報が記録される光情報記録媒体であって、記録層に下記一般式（Ｉ）で表されるフタロシアニン色素を含有させる。 - 特許庁 - To provide a composite having fine particle sizes in such a nano level that the particle sizes are 1-20 nm, in which nanoparticles of cerium oxide CeO_2 whose particle sizes are uniform exist in a dispersed form in zeolite.
粒径１〜２０ｎｍというナノレベルの微細な粒径を有し、しかも粒径が均一な酸化セリウムＣｅＯ_２のナノ粒子が、ゼオライト中に分散した形で存在する複合体を提供する。 - 特許庁 - An under plating layer 16 is formed by subjecting an Si substrate 11 to surface treatment to chemically activate the surface thereof and form an adequate ruggedness (R_a:1 nm to 1 μm).
Ｓｉ基板１１に表面処理を施して表面を化学的に活性化するとともに、適度な凹凸（Ｒ_a：１ｎｍ〜１μｍ）を形成して下地メッキ層１６を形成する。 - 特許庁 - To provide a negative resist composition suitable for exposure with light having a wavelength shorter than 200 nm and forming a high resolution resist pattern, and also to provide a resist pattern forming method.
２００ｎｍより短波長の光による露光に好適で高解像度のレジストパターンを形成することができるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The thickness D_13 of the semiconductor region 13 is larger than a thickness D_InGaN of the InGaN layer 15, and the thickness D_InGaN of the InGaN layer 15 is 150 nm or more.
半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_ＩｎＧａＮより大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_ＩｎＧａＮは１５０ｎｍ以上を有する。 - 特許庁 - The method of removing mercury from exhaust gas is characterized in that exhaust gas containing metal mercury is irradiated with ultraviolet light of a wavelength of 254 nm or below, and the concentration of metal mercury in the exhaust gas is consequently reduced.
金属水銀を含有する排ガスに波長が２５４nm以下の紫外光線を照射し、該排ガス中の金属水銀の濃度を低減する排ガス中の水銀除去方法。 - 特許庁 - To realize a stepped etalon which is suitable for a very accurate laser tuning application that is required to be accurately tuned to a laser output frequency in a narrow range of 1 nm or below.
１ナノメートル以下の精度で狭い範囲のレーザ出力周波数を正確に同調することが必要な高精度レーザ同調アプリケーションに適したステップエタロンを実現する。 - 特許庁 - In the texture processing, 25 to 60 nearly concentric grooves per μm are preferably formed and depth of the grooves is preferably 3 to 5 nm.
テクスチャ加工は、１μｍ平方あたり２５本以上、６０本以下の略同心円状の溝であることが好ましく、溝の深さは、３ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - In the inequality Δd represents the depth (μm) of the recessing part of the die line formed on the surface, d represents the thickness (μm) of the optical retardation plate and Re represents the retardation value (nm) of the optical retardation plate.
前記不等式中、Δｄは表面に形成されたダイラインの凹部深さ（μｍ）を、ｄは位相差板の厚み（μｍ）を、Ｒｅは位相差板のレターデーション値（ｎｍ）を表す。 - 特許庁 - To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity characteristics in the wavelength band of 380-500 nm, free of fatigue and deterioration due to light and excellent in durability and to provide an image forming apparatus.
３８０〜５００ｎｍの波長域で高い感度特性を有し、光によって疲労劣化しない耐久性に優れる電子写真感光体、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - The first impurity atom 106 and the second impurity atom 107 are introduced to the channel region within a range of 30 nm from the boundary with a gate electrode 105.
また、第１不純物原子１０６および第２不純物原子１０７は、上記チャネル領域のゲート電極１０５の側の界面より３０ｎｍの範囲に導入されている。 - 特許庁 - In some aspects of this method, the semiconductor buffer layer 206 is formed of YBa_2Cu_3O_7-X(YBCO), etc., and has a thickness in the range of 10 to 200 nanometers (nm).
この方法のいくつかの局面において、半導体バッファ層２０６は、ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ（ＹＢＣＯ）などから形成され、１０〜２００ナノメートル（ｎｍ）の範囲の厚さを有する。 - 特許庁 - When the PZT film is formed by an MOCVD method, a TiOx nucleation layer is formed to a thickness exceeding 5 nm by the MOCVD method before forming the PZT film.
ＭＯＣＶＤ法によりＰＺＴ膜を形成する際に、ＰＺＴ膜の形成に先立ってＴｉＯｘ核生成層をＭＯＣＶＤ法により、５ｎｍを超える厚さに形成する。 - 特許庁 - The sensor comprises an ultraviolet detector (12) and filters (14, 32) which cooperate with the ultraviolet detector, and is configured to detect a light having a wavelength of 200 to 300 nm.
本センサは、紫外線検出器（１２）と該紫外線検出器と協働するフィルタ（１４、３２）とを含み、２００〜３００ｎｍの波長をもつ光線を検出するように構成される。 - 特許庁 - To provide an ultraviolet absorbing laminated structure capable of cutting 100-400 nm ultraviolet ray to ≤1% and particularly suitable as glass for vehicle.
波長領域１００〜４００ｎｍの紫外線を１％以下にカットすることができる、特に車両用ガラスとして好適な紫外線吸収性合わせ構造体を提供すること。 - 特許庁 - These synthetic resin plates can be discriminated from other synthetic resin plate(s) by the discrimination method comprising irradiating the edge faces thereof with rays of 300-400 nm wavelength to effect emission of the fluorescent substance.
これらの合成樹脂板は、その端面に３００〜４００ｎｍの波長の光を照射して蛍光物質を発光させる識別方法によって、他の合成樹脂板と識別される。 - 特許庁 - The composition shows optical characteristics that in the wavelength region of 400 to 700 nm, the composition has at least a region with ≥70% transmittance and a region with ≤10% transmittance.
４００〜７００ｎｍの波長領域において、７０％以上の透過率を示す領域と１０％以下の透過率を示す領域とを少なくとも有する光学特性を示す。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device including the AlGaN layer is formed in such a structure that the AlGaN layer is formed on the GaN substrate having a lattice constant (a) of 0.3188 nm or less.
ＡｌＧａＮ層を有する半導体発光装置において、格子定数ａ軸長が０．３１８８ｎｍ以下であるＧａＮ基板上にＡｌＧａＮ層を形成した構造とする。 - 特許庁 - The depth X of etching of the etching groove 3 is set at a prescribed range of 100 to 170 nm, by which the edge of a trench opening can be roounded large in a curvature radius.
このエッチング溝３のエッチング量Ｘを１００ｎｍから１７０ｎｍの範囲の所定の値に設定することで、トレンチ開口部の縁を大きな曲率半径で丸めることができる。 - 特許庁 - To provide an ozone generator preventing the leakage of ultraviolet rays which are generated when generating ozone using an ultraviolet lamp, which are harmful to human bodies and whose wavelength is 253.7 nm and being usable in a people-existing place.
紫外線ランプでオゾンを生成するときに生成される人体に有害な紫外線２５３．７ｎｍの漏れを防止し、人がいるところでも使用できるオゾン発生装置を提供する。 - 特許庁 - The present invention relates to an albumin-bile acid complex material which forms nano particles having a particle size of 30-400 nm by forming self-aggregates in an aqueous system, and the method of producing the same.
本発明は、水系で自己集合体を形成して、３０〜４００ｎｍの大きさのナノ粒子を形成するアルブミン−胆汁酸複合体及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁 - In a conditional expression (1), V denotes a particle volume (nm^3), Mr denotes residual magnetization (kA/m) and Hc denotes coercive force (kA/m).
１００４．８＜Ｖ・Ｍｒ／Ｈｃ＜２７６３．２ …条件式（１）（条件式（１）中、Ｖは粒子体積（ｎｍ^3）を示し、Ｍｒは残留磁化（ｋＡ／ｍ）を示し、Ｈｃは保磁力（ｋＡ／ｍ）を示す。） - 特許庁 - And the separator for the electric storage device in which a degree of crystallinity obtained by a solid NMR method is 60% or more, and consisting of the fine cellulose fiber in which the maximum fiber size is 400 nm or less.
固体ＮＭＲ法によって求められる結晶化度が６０％以上であり、最大繊維太さが４００ｎｍ以下である微細セルロース繊維からなる蓄電デバイス用セパレータ。 - 特許庁 - The cellulose porous body includes the fine cellulose fibers having a mean fiber diameter of 2-1,000 nm as a main structural component and has an apparent density of 0.005-0.15 g/cm^3.
平均繊維径が２〜１０００ｎｍの微小セルロース繊維を主たる構成成分としてなり、見掛け密度が０．００５〜０．１５ｇ／ｃｍ^３であることを特徴とするセルロース多孔質体。 - 特許庁 - This active beam curable type composition is characterized by including a photopolymerization initiator and photopolymerizable compound and also rubber fine particles having 10 to 1,000 nm mean particle diameter.
光重合開始剤及び光重合性化合物を含有し、かつ、平均粒径１０ｎｍ〜１０００ｎｍ未満のゴム微粒子を含有することを特徴とする活性光線硬化型組成物。 - 特許庁 - The shading film 10 is then etched anisotropically until the shading film part 10b at the side wall of the charge transfer electrode 5 comes to have a film thickness of 100-200 nm.
この後、遮光膜１０における電荷転送電極５の側壁側の部分１０ｂの膜厚が１００ｎｍ〜２００ｎｍになるまで遮光膜１０に異方性エッチングを施す。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium which provides high reflectance to a laser light of 635-660 nm and exhibits excellent pit forming characteristics and a method for manufacturing it.
６３５〜６６０ｎｍのレーザー光に対して高反射率が得られ、しかもピット形成特性に優れた記録材料を用いた光記録媒体及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a photosensitive composition and a photosensitive lithographic printing plate material suitable for exposure with a laser beam with an emission wavelength of 350-450 nm, and having high sensitivity and excellent preservability.
発光波長が３５０〜４５０ｎｍのレーザー光での露光に適し、高感度であり、かつ保存性に優れる感光性組成物および感光性平版印刷版材料を提供すること。 - 特許庁 - By virtue of this constituent feature, since small catalytic metal particles having an average particle diameter of about 3.5 to 5 nm are dispersed in a highly concentrated, highly dispersed and multilayered form, the efficiency of the catalyst is increased.
これにより、平均粒径が３．５〜５ｎｍ程度で小さな触媒金属粒子が高濃度、高分散および多層に分散されているので、その触媒の効率が増加する。 - 特許庁 - Resin compositions comprises a vinyl chloride type resin and a graft copolymer obtained by grafting a vinyl monomer on to a rubber polymer having an average particle diameter of not smaller than 260 nm.
塩化ビニル系樹脂と、平均粒子径が２６０ｎｍ以上のゴム重合体にビニル単量体をグラフト共重合させたグラフト共重合体とを含有した樹脂組成物。 - 特許庁 - To provide a method for producing silicon carbide powder inexpensively producing silicon carbide powder having an average particle diameter of ≤200 nm and an optional particle diameter on an industrial scale.
平均粒子径が２００ｎｍ以下であり、かつ、任意の粒子径の炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The halogen atom is adjusted so as to be included in the surface layer vicinity (particularly, an area of at least ≤4 nm toward the particle inside from a particle surface layer) of the MgO particulates 16a.
ハロゲン原子は、ＭｇＯ微粒子１６ａの表層近傍（特に粒子表層から粒子内部に向かって、少なくとも４ｎｍ以下の領域）に含まれるように調整する。 - 特許庁 - To provide a group III nitride light emitting element having an emission peak wavelength of 410 nm or longer, and including a luminescent layer of a quantum well structure formed on a semipolar surface.
波長４１０ｎｍ以上の発光ピーク波長を有しており半極性面上に設けられた量子井戸構造の発光層を含むIII族窒化物発光素子を提供する。 - 特許庁 - The colloidal complex metal particles preferably have particle diameters of 1-20 nm, and include at least two elements selected from the group consisting of transition metals.
好ましくは、前記コロイドを形成する複合金属粒子が１〜２０ｎｍの粒子径を有し、前記複合金属粒子が、遷移金属の群より選択された少なくとも２種の元素を含む。 - 特許庁 - Since the wavelength λ of a light source exceeds 700 nm, for example even when a CD-R or a CD-RW is used, information recording or reproducing is effectively executed.
光源の波長λが７００ｎｍを超えているので、例えばＣＤ−Ｒ或いはＣＤ−ＲＷを用いた場合でも、情報の記録又は再生を有効に行うことができる。 - 特許庁 - To provide a dielectric ceramic having a high dielectric constant even if the average crystal particle size is ≤100 nm, and to provide a multilayer ceramic capacitor provided with the dielectric ceramic as a dielectric layer.
平均結晶粒径が１００ｎｍ以下であっても高誘電率の誘電体磁器と、このような誘電体磁器を誘電体層として備えた積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁 - The hard film 3 is composed of CrN type chromium nitride, the lattice constant of the crystals lies in the range of 0.4145 to 0.4200 nm, and the content of Cr is 30 to 49 atom%.
硬質皮膜３は、ＣｒＮ型の窒化クロムからなり、結晶の格子定数が０．４１４５〜０．４２００ｎｍの範囲にあり、Ｃｒの含有量が３０〜４９原子％である。 - 特許庁 - A light-emitting device, having emission peak wavelength in the wavelength region of 500 nm or shorter, is mounted on the cup-shaped section of a substrate, and silicone rubber containing an epoxy group is filled into the cup-shaped section.
５００ｎｍ以下の波長領域に発光ピーク波長を有する発光素子を基体のカップ状部にマウントし、カップ状部にエポキシ基含有のシリコーンゴムを充填する。 - 特許庁 - This optical member consists of the synthetic quartz having ≤5 ppb Ma concentration and ≤3 ppb difference between the maximum value and the minimum value of the Na concentration and has ≤2 nm birefringence.
Ｎａ濃度が５ｐｐｂ以下、かつＮａ濃度の最大値と最小値の差が３ｐｐｂ以下である合成石英ガラスからなり、複屈折が２ｎｍ以下である合成石英ガラス製光学部材。 - 特許庁 - A second organic EL display element color filter (c) comprises a blue pixel area 4B, the blue pixel area 4B having a light transmittance of 30% or less over 500-550 nm.
第２の有機ＥＬ表示素子用カラーフィルターｃは、青色画素領域４Ｂを備え、青色画素領域４Ｂの光透過率が５００ｎｍ〜５５０にわたって３０％以下である。 - 特許庁 - To provide a ferroelectric memory element, having a high polarized moment and a high Curie temperature in the thin-film thickness area of not more than 50 nm and to provide an electronic unit provided with the element.
５０ｎｍ以下の薄い膜厚領域において、高い分極モーメント及び高いキュリー温度を有する強誘電体メモリ素子及びこの素子を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁 - On the signal surface 10 of the stamper 11 for an optical disk made of nickel, pits 12 which have a width w at the root of 0.24 μm and a height d of 20-100 nm are spirally arranged.
ニッケル製の光ディスク用スタンパ１１の信号面１０には、根元での幅ｗが０．２４μｍ、高さｄが２０〜１００ｎｍであるピット１２がスパイラル状に並んでいる。 - 特許庁 - To provide a photosensitive lithographic printing plate material suitable for exposure with laser light whose emission wavelength is in a range of 350-450 nm, excellent in sensitivity and printing durability, and excellent also in suitability to development.
発光波長が３５０〜４５０ｎｍの範囲にあるレーザー光での露光に適し、感度、耐刷性に優れ、かつ現像適性にも優れる感光性平版印刷版材料を提供する。 - 特許庁 - To prevent the degradation of output power and output stability in spite of a change in ambient temperature when a laser beam of ≤300 nm in wavelength is generated by a CLBO crystal.
ＣＬＢＯ結晶により波長が３００ｎｍ以下のレーザ光を発生させるに際し、周囲温度が変化しても、出力パワー及び出力安定性が低下しないようにすること。 - 特許庁 - In the second step, carbon black having a mean particle diameter of from 50 nm to 10 μm and the second carbon nanofiber are mixed with ethylene-propylene rubber and dispersed in the ethylene-propylene rubber by means of shearing force.
第２の工程は、平均粒径が５０ｎｍ〜１０μｍのカーボンブラックと第２のカーボンナノファイバーとを、エチレン・プロピレンゴムに混合し、剪断力でエチレン・プロピレンゴム中に分散する工程である。 - 特許庁 - Otherwise, this exhaust gas cleaning catalyst is manufactured by depositing ceria and a noble metal on the porous metal oxide so that ceria has ≤12 nm average primary particle size.
また多孔質金属酸化物上に、セリア及び貴金属を担持している排ガス浄化触媒であって、セリアが１２ｎｍ以下の平均一次粒子径を有する、排ガス浄化触媒とする。 - 特許庁 - This method manufactures olefin sulfides from an olefin, sulfur and hydrogen sulfide in the presence of a solid catalyst based on a zeolite having middle to large pore size of 0.5 to 0.8 nm.
０．５〜０．８ｎｍの中〜大孔径のゼオライトに基づく固体触媒の存在下で単段階で反応させるオレフィン、硫黄および硫化水素から硫化オレフィン類を製造する方法。 - 特許庁 - The carbon carrier for a combustion catalyst comprises carbon of which the average face distance d_002 of graphite crystallites is 0.346 nm or lower; the combustion catalyst is prepared by causing the carbon carrier to carry a noble metal.
黒鉛結晶子の平均面間隔ｄ_００２が０．３４６ｎｍ以下であるカーボンからなる燃焼触媒用カーボン担体；および該カーボン担体に貴金属を担持させてなる燃焼触媒。 - 特許庁 - Consequently, Raman amplification of signal light having wavelength larger than wavelength λp+Δλ+20 nm can be performed, where Δλ is a quantity of Raman shifting of wavelength by the exciting light.
これにより、励起光による波長のラマンシフト量をΔλとして、波長λｐ＋Δλ＋２０ｎｍ以上の波長を有する信号光をラマン増幅することが可能となる。 - 特許庁 - A carbon having oxygen deficiency of 5 to 20 nm, and carrying nitrogen-doped lithium titanate nanoparticles with high dispersion is produced by heating the dispersion in a nitrogen atmosphere.
この分散体を窒素雰囲気中で加熱することにより、５〜２０ｎｍの酸素欠損を有し、窒素がドープされたチタン酸リチウムナノ粒子を高分散担持させたカーボンを生成する。 - 特許庁
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