「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 179 180 181 182 183 184 185 186 187 .... 287 288 次へ＞- The organic polymer-silicon compound composite particle whose average particle size is 5-150 nm, is characterized in that (a) a core is an organic polymer particle of a copolymer consisting of vinyl acetate and a monomer having one or more vinyl groups; and (b) a shell consists of a silicon compound.
（ａ）コアが酢酸ビニルとビニル基を１つ以上持つモノマーからなる共重合体の有機ポリマー粒子であり、（ｂ）シェルがシリコン化合物からなり、平均粒子径が５〜１５０ｎｍである有機ポリマー−シリコン化合物複合粒子。 - 特許庁 - The manufacturing method of this proton conductor is characterized by bringing silica having a specific surface area of 200-1,000 m^2/g, the most frequent pore size of 2-20 nm, and a pore capacity of 0.3-3 ml/g in contact with a cesium hydrogen sulfate aqueous solution.
比表面積２００〜１０００ｍ^２／ｇ、細孔の最頻直径２〜２０ｎｍ、細孔容量０．３〜３ｍｌ／ｇのシリカと硫酸水素セシウム水溶液とを接触させることを特徴とするプロトン導電体の製造方法。 - 特許庁 - The MoNx first resistive element (18) provides a sheet resistance of 3-5 ohms/square at 4K with a thickness of approximately 95 nm and enables the superconductive integrated circuit (10) to have a raised critical current density of 6-8 kA/cm^2.
ＭｏＮ_x第１抵抗素子（１８）は、面抵抗が４゜Ｋにおいて３ないし５オーム／□、厚さが約９５ｎｍであり、超伝導集積回路（１０）の臨界電流密度を６ないし８ｋＡ／ｃｍ^2に高めることができる。 - 特許庁 - The glass film has a thickness of 0.0001 to 0.3 mm, has a thermal expansion coefficient of 50×10^-7/°C or less and has a spectral transmittance, in thickness of 0.1 mm at 355 nm, of 85% or less.
本発明のガラスフィルムは、厚み０．０００１〜０．３ｍｍのガラスフィルムであって、熱膨張係数が５０×１０^−７／℃以下であり、且つ３５５ｎｍにおける厚み０．１ｍｍの分光透過率が８５％以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - In a coated magnetic tape, tabular, granular or elliptic magnetic powder having average particle sizes of 5 to 50 nm is used as the magnetic powder to be added to a magnetic layer and the thickness of the magnetic layer is set to ≥0.09 μm.
塗布型の磁気テープにおいて、磁性層に添加する磁性粉として、数平均粒子径が５〜５０ｎｍの板状、粒状ないし楕円状の磁性粉を使用し、そのうえで磁性層の厚さを０．０９μｍ以下に設定する。 - 特許庁 - To improve the durability of a protective layer, especially LUL resistance characteristics even when the film thickness of the protective layer is set equal to/less than 5 nm in a magnetic disk having a magnetic layer on a nonmagnetic substrate and a protective layer on the magnetic layer.
非磁性基板上に磁性層を有しこの磁性層上に保護層を有する磁気ディスクにおいて、保護層の膜厚を５ｎｍ以下とした場合においても、この保護層の耐久性、特に、耐ＬＵＬ特性を優れたものとする。 - 特許庁 - In the method, a crystallization stage is executed at least one time in such a manner that the thickness of the metal oxide thin film formed by one time of the crystallization stage attains ≤30 nm in the film thickness after the crystallization.
１回の結晶化工程で形成される金属酸化物薄膜の厚さが結晶化後の膜厚で３０ｎｍ以下となるように、結晶化工程を１回以上行うＰｂ系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法。 - 特許庁 - To provide an addition type curable silicone coating composition which is provided by uniformly dispersed with zinc oxide ultra fine particles of ≤20 nm number average particle diameter and is excellent in transparency, and to provide plastic moldings covered with a coating film.
数平均粒子径２０ｎｍ以下の酸化亜鉛超微粒子を均一分散させた透明性に優れる付加型硬化性シリコーンコーティング組成物、およびコーティング膜によって被覆されたプラスチック成形体を提供すること。 - 特許庁 - To provide a polishing film producing method, the film consisting of a base film and a polishing layer which is formed by fixing submicroscopic abrasive grains with an average grain size of 1 to 500 nm, and applied to a surface of the base film in the form of primary particles.
平均粒径が１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にある極微小の砥粒が一次粒子の状態で固定された研磨層をベースフィルムの表面に形成した研磨フィルムの製造方法を提供することである。 - 特許庁 - To obtain a resin for a resist which is highly transparent to far ultraviolet rays having wavelengths of about 220 nm or lower and high etching resistance and is excellent in adhesion to a substrate; and a chemical amplification-type resist and to provide a pattern formation method using the resist.
略２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外線に対する光透明性が高く、エッチング耐性が高く、且つ基板密着性の優れたレジスト用樹脂、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The dielectric layer 40 is provided in order to improve the symmetry of the light sensitivity of both the charge generation layers 5 and 6, and its resistance value is preferably ≤200 kΩ/cm^2 or the film thickness is ≤500 nm.
この誘電体層４０は、両電荷発生層５，６の光感度の対称性を改善するために設けられるもので、その抵抗値は２００ｋΩ／ｃｍ^２以下、あるいは、その膜厚は５００ｎｍ以下とされることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a photosensitizer which exhibits effective photo-curability by a visible ray, particularly by a visible ray of a wavelength ranging from 410 to 500 nm, without causing a problem of the metal ion exudation from the photo-cured material, and does not contain a phosphor compound.
可視光線、特に４１０〜５００ｎｍの波長範囲の可視光線により光硬化することが出来、かつ、光硬化物からの金属イオンの滲み出しの問題がなく、しかも、リン化合物を含有しない光増感剤の提供。 - 特許庁 - The surface of titanium or a titanium alloy is subjected to grinding and oxidation treatment with an acid liquid, and is thereafter subjected to washing treatment with water, thus a thin, uniform and dense surface oxidized layer of <10 nm is formed on the surface of the metal.
チタンまたはチタン合金の表面を酸液により研磨並びに酸化処理し、その後水により洗浄処理して、当該金属の表面に１０ｎｍ未満の薄い均一かつ緻密な表面酸化層を形成させる。 - 特許庁 - The invention relates to a visible light response photocatalyst which is a metal nitride represented by a composition formula: (Ta_xNb_1-x)_3N_5 (wherein, x satisfies 0≤x<1), having the maximum light absorption wavelength within the range of 620-1,008 nm.
本発明の可視光応答型光触媒は、組成式：（Ｔａ_xＮｂ_1-x）_3Ｎ_5（式中、ｘは、０≦ｘ＜１を満たす）で表される金属窒化物であって、光の最大吸収波長が６２０ｎｍ以上１００８ｎｍ以下の範囲内である。 - 特許庁 - To provide a light source cover capable of absorbing the light with a wave length of 500 nm or less, preventing every harm of ultraviolet-ray, having an supplemental effect of environment protection, energy saving and warding off insects.
５００ｎｍ以下の光源を吸収できるようにし、紫外線による危害をすべて阻隔でき、且つ環境保護と省エネルギーと蚊や虫を退散させる付加効果を有する光源カバー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The deodorizing and cleaning filter is characterized in that a layer composed of a water-soluble organic binder and inorganic powder containing activated carbon having ≥0.25 cc/g pore volume of pores having 1.0-4.0 nm pore diameter at least is formed on the surface of the carrier.
担体表面に、少なくとも細孔直径１．０〜４．０ｎｍの細孔容積が０．２５ｃｃ／ｇ以上である活性炭を含有する無機粉体、および水溶性有機バインダーからなる層が形成されている脱臭浄化フィルタ。 - 特許庁 - In this waveguide grating element composed of a quartz-based glass material, a member 10 consisting of a material whose linear expansion coefficient is larger than 15×10-6 nm/°C is joined to the rear face of a quartz base-plate 1 on which a grating 9 is formed.
石英系ガラス材料からなる導波路グレーティング素子において、グレーティング９が形成された石英ガラス基板１の裏面側に、線膨張係数が１５×１０^-6nm／℃より大きい材質からなる部材１０が接合されている。 - 特許庁 - The glass has 90×10^-7 to 120×10^-7/°C thermal expansion coefficient in the temperature range from -20 to +70°C, and preferably has ≥75 GPa Young's modulus, ≥550 Vickers hardness and ≥90% transmittance at 950 to 1600 nm wavelength.
−２０〜＋７０℃における熱膨張係数が９０×１０^-7〜１２０×１０^-7／℃であり、好ましくはヤング率が７５ＧＰａ以上，ビッカース硬度が５５０以上，９５０〜１６００ｎｍの波長の光線透過率が９０％以上のガラス。 - 特許庁 - The electrically conductive adhesive material includes as a constituent thereof, such particles that the surfaces of metallic particles (e.g. silver particles) 4-40 nm in size are coated with an organic compound as an unsaturated bond-bearing amine 300 or lower in molecular weight are used.
粒子径４〜４０ｎｍである金属（例えば銀）粒子の表面が、分子量３００以下の不飽和結合を有するアミンである有機化合物により被覆されてなる粒子を導電性接着材の構成成分として用いる。 - 特許庁 - In the polyvinyl alcohol film for the polarizing film, an angle formed by a flowing direction and an optical axis is in the range of 70 to 110° and retardation in the thickness direction of a center part in a width direction is in the range of 15 to 90 nm.
本発明の偏光フィルム用ポリビニルアルコールフィルムは、流れ方向と光軸とがなす角度が７０°〜１１０°の範囲にあり、幅方向の中央部における厚さ方向のレターデーションが１５ｎｍ以上９０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - During this crystal growth process, the Si substrate 10 gradually fractures with the ion implanted layer as the boundary, and, finally, the Si substrate 10 separates into a thin film part 11 having a thickness of about 100 nm and a main part of the substrate 10.
この結晶成長過程において、上記のＳｉ基板１０は、イオン注入層を境に徐々に破断し、最終的には膜厚約１００ｎｍの薄膜部１１とＳｉ基板１０の主要部とに分離される。 - 特許庁 - A GaN based semiconductor laser 1, generating a laser light L1 whose wavelength is at most 450 nm, is used as a light source for optical pumping, and phosphor 2 is so combined that fluorescence L2 in a visible region is generated by excitation of the laser light L1.
波長４５０ｎｍ以下のレーザ光Ｌ１を発するＧａＮ系半導体レーザ１を励起光源として用い、レーザ光Ｌ１で励起されて可視域の蛍光Ｌ２を発するよう、蛍光体２を前記レーザ１と組み合わせる。 - 特許庁 - The alumina has such adjusted porosity as 0.05-3.O0 cm3/g, preferably 1.00-3.O0 cm3/g total pore volume and 0.6-80 nm pore diameter.
全細孔容積が０．０５〜３．００ｃｍ^3 ／ｇでありかつＸ線回折図表が、５°未満の回折角２θ（シータ）に対応した変位に位置する強度シグナルを有する、細孔直径０．６〜８０ｎｍの調整された多孔性を有するアルミナである。 - 特許庁 - The production method of the resist composition for EUV includes a step of preparing the resist composition in such a manner that the sensitivity E0_KrF for KrF light at 248 nm wavelength is higher than the sensitivity E0_EUV for EUV light.
２４８ｎｍのＫｒＦ光での感度Ｅ０_ＫｒＦが、ＥＵＶ光での感度Ｅ０_ＥＵＶより大きくなるように前記レジスト組成物を調製する工程を有することを特徴とするＥＵＶ用レジスト組成物の製造方法。 - 特許庁 - The aux. power supply device 2 is fed with electricity from the AC mains 6 and emits a DC voltage V2 with which a rotary hydraulic pump 92 belonging to the DC driven hydraulic pump 91 can be operated around the revolving speed Nm where the requisite torque minimizes.
補助電源装置２は、交流電源６から受電し，直流電動油ポンプ９１が持つ回転油ポンプ９２を所要トルクが最小になる回転数Ｎ_m 付近で運転できる値の直流電圧Ｖ_2 を出力する。 - 特許庁 - Subsequently, the second intermediate layer 12 is etched in the dry etching unit at an etching rate of 50 nm/sec or less to form a second intermediate layer 12a having a film thickness of d_2' and then a microlens 31 is formed thus obtaining a solid state image sensor.
ドライエッチング装置にて第二中間層１２を５０ｎｍ／ｓｅｃ以下のエッチングスピードでエッチング処理し、膜厚ｄ_2’の第二中間層１２ａを形成し、マイクロレンズ３１を形成して、固体撮像素子１００を得る。 - 特許庁 - It is particularly preferable that the alloy composition of the noble metal with Ni in the base plated layer is (75:25) to (25:75) by atom.% and the diameter of the crystallites is ≤100 nm calculated from the half-band width of X-ray diffraction lines by using a Scherrer's formula.
また、特に、下地めっき層の貴金属とＮiの合金組成が、原子％で75：25から25：75の範囲であって、かつその結晶子径がＸ回折の半価幅からシェラーの式で計算した値で100nm以下であるものが好ましい。 - 特許庁 - In the Raman spectroscopic measuring apparatus which is used to analyze a sample S, such as a living body sample, pulse-shaped near-infrared light at a wavelength of 1,064 nm from an Nd:YAG laser light source 10 is used as the excitation light, with which the sample is irradiated.
生体試料などの試料Ｓの分析に用いるラマン分光測定装置において、試料に照射する励起光として、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光源１０からの波長１０６４ｎｍのパルス状の近赤外光を用いる。 - 特許庁 - Preferably, the thickness of the base electrode is ≤80 nm.
半導体層５は、エミッタ電極３とベース電極４との間及びコレクタ電極２とベース電極４との間に設けられて、それぞれ第２半導体層５Ｂ及び第１半導体層５Ａを構成し、さらに、ベース電極の厚さが８０ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - The graphitized carbon fibers have a spacing (d002) of graphite layers, measured by the X-ray diffraction method, of <0.3370 nm and, at the same time, a peak intensity ratio (P101/P100) of the (101) diffraction peak to the (100) diffraction peak of ≥1.15.
黒鉛化炭素繊維は、Ｘ線回折法による黒鉛層間の面間隔（ｄ００２）が０．３３７０ｎｍ未満で、かつ、（１０１）回折ピークと（１００）回折ピークのピーク強度比（Ｐ１０１／Ｐ１００）が１．１５以上である。 - 特許庁 - In a second step, the thin film 10A comprising the amorphous oxide semiconductor is put into an electric furnace and is sintered at such a temperature range of 660 to 840°C that the thin film is polycrystallized while maintaining a surface roughness Ra of ≤1.5 nm.
第２工程として、非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを、電気炉へ投入し、その表面粗さＲａ値を１．５ｎｍ以下として維持しつつ多結晶化する温度領域６６０℃〜８４０℃で焼成する。 - 特許庁 - The laminated film is characterized in that a releasing layer is provided on one surface of a polyester film using polyester as a main constituent component, wherein the light transmission rate of the wave length 365 nm of the laminated film is not less than 80%.
ポリエステルを主要構成成分とするポリエステルフィルムの一方の表面に離型層を設けた積層フィルムであって、該積層フィルムの波長３６５ｎｍの光線透過率が８０％以上であることを特徴とする積層フィルム。 - 特許庁 - Moreover, the CNT 121a has a double-layer structure consisting of a cylindrical structure of double graphite layer, with an outer diameter of less than 3.5 nm and a length in the order of tens of μm, that is, a 1,000 times or more of the diameter of the CNT.
また、ＣＮＴ１２１ａは、二重の黒鉛質層の筒状構造体からなる二層構造を有し、外径は３．５ｎｍ未満であり、長さは数１０μｍオーダとＣＮＴの直径の１０００倍以上となっている。 - 特許庁 - To provide a joining technique that allows normal-temperature joining at a plastical solid layer with no need of an energy wave treatment under a high-vacuum condition or continuous joining under a high-vacuum condition, and with no need of profile accuracy before the order of several nanometers (nm).
高真空下でのエネルギー波処理及び連続した高真空化での接合を必要とせず、面精度を数ｎｍオーダーまで必要としない実用化できる固層で常温接合する接合技術を提供する。 - 特許庁 - It is desirable that the value of the ratio of the blowing depth of the inert gas blown into the molten steel to the molten steel depth is made ≥0.6 and a line speed at the outlet of a nozzle for oxygen gas blown onto the molten steel is set to the range of 300-900 Nm/s.
前記溶鋼に吹き込む不活性ガスの吹き込み深さと溶鋼深さとの比の値を0.6以上とし、また、前記溶鋼に吹き付ける酸素ガスのノズル出口における線速度を300〜900Nm/sの範囲とすることが好ましい。 - 特許庁 - In the second mixing step (b), a vapor phase-grown carbon fiber having an average diameter of 20-200 nm and an average length of 5-20 μm is mixed with the first mixture to give the second mixture in which the vapor phase-grown carbon fiber is dispersed.
第２の混合工程（ｂ）は、その第１の混合物に、平均直径が２０〜２００ｎｍかつ平均長さが５〜２０μｍの気相成長炭素繊維を混合して、気相成長炭素繊維が分散した第２の混合物を得る。 - 特許庁 - Thus, an ultra-thin gate oxide film 12 or 3 nm or less is hardly broken by dry-etching of the poly-Si film gate electrode, and the silicide formation can be realized, and the high current driving capability and low resistance of a transistor also be realized.
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜のゲート電極ドライエッチングにおいて３ｎｍ以下の極薄ゲート酸化膜１２を突き破ることがなく、かつサリサイド形成が実現でき、トランジスタの高電流駆動能力、低抵抗化が実現できる。 - 特許庁 - To provide a magnetic disk capable of preventing occurrence of obstacles of fly-stiction, corrosion and the like even when a magnetic head is floated and flown with ≤10 nm low floating height, suitable for a magnetic disk device of a load/unload system and having high reliability.
１０ｎｍ以下の低浮上量で磁気ヘッドを浮上飛行させてもフライスティクション障害や腐食障害などの発生を防止でき、またロードアンロード方式の磁気ディスク装置に好適な高信頼性の磁気ディスクを提供する。 - 特許庁 - From an input voltage value V and a motor speed (n) into the inverter 3, and a torque command value T into the motor 2, a current value I is calculated using a following equation (1): I(A)= 2π × T(Nm) × n(rpm) × Km ÷ {60(s) × V(V)}.
インバータ３への入力電圧値Ｖとモータ回転数ｎ、およびモータ２へのトルク指令値Ｔから、式（１）：Ｉ（Ａ）＝２π×Ｔ（Ｎｍ）×ｎ（ｒｐｍ）×Ｋｍ÷｛６０（ｓ）×Ｖ（Ｖ）｝により電流値Ｉを算出する。 - 特許庁 - The metal oxide particle consists of a tin atom, zinc atom, antimony atom and oxygen atom and contains the atoms in a ratio of (0.01-1.00):(0.80-1.20):1.00 as a molar ratio of SnO_2:ZnO:Sb_2O_5 and also has a primary particle diameter of 5-500 nm.
スズ原子、亜鉛原子、アンチモン原子及び酸素原子からなり、ＳｎＯ_２：ＺｎＯ：Ｓｂ_２Ｏ_５のモル比として０．０１〜１．００：０．８０〜１．２０：１．００の比率に含有し、且つ５〜５００ｎｍの一次粒子径を有する金属酸化物粒子。 - 特許庁 - A (100) spinnel substrate 1 is set on an MOCVD device, a GaN thin film 2 is formed thereon (Fig. 1(a)), and an Fe thin film 3 as a catalyst material layer is evaporated at 5 nm by resistive heat evaporation (Fig. 1(b)).
（１００）スピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置にセッティングし、その上にノンドープＧａＮ薄膜２を形成し（図１（ａ））、抵抗加熱蒸着によって、カタリスト材料層となるＦｅ薄膜３を５ｎｍ蒸着する（図１（ｂ））。 - 特許庁 - The particle size of particles of a dispersed phase is several 10 μm and silica fine particles with a means particle size of 20 nm become flocs with a thickness of about 5 μm and these flocs become a shell-like film to cover the surfaces of oil droplets (dispersed phase).
分散相粒子の径は数１０μｍであり、平均粒子径２０ｎｍのシリカ微粒子が厚み５μｍ程度の凝集体となり、この凝集体が油滴（分散相）の表面を殻状の膜になって覆っている。 - 特許庁 - Polyethylene naphthalate obtained by polycondensation is used as a base material film and the center line average roughness (Ra) of the surface thereof is set to 2-50 nm.
０．７≦Ｍｎ≦１．６ ・・・（１） ０．５≦Ｍｎ／Ｐ≦１．２ ・・・（２） ０．７≦Ｓｂ≦２．２ ・・・（３） （上記式中、Ｍｎは酸成分１０^6ｇ当りのマンガン元素のモル数、Ｐは酸成分１０^6ｇ当りのリン元素のモル数、Ｓｂは酸成分１０^6ｇ当りのアンチモン元素のモル数を表わす。） - 特許庁 - In the device wherein a stimulation source which emits the light of 350 to 415 nm and a phosphor are combined, a phosphor, which has a crystalline phase activated by Eu and satisfies the following conditions of 1 and/or 2, is used.
３５０−４１５ｎｍの光を発生する励起源と蛍光体を組み合わせた装置において、Ｅｕで付活された結晶相を有しており、かつ、次の１及び／又は２の条件を満たす蛍光体を使用した発光装置。 - 特許庁 - To provide a molded body having a highly regular structure with an order of approximately 80 nm-100 μm which is usable for a general optical application and appropriate for an optical application capable of sophisticated optical control, and a method for manufacturing a molded body.
一般の光学用途に使用可能な８０ｎｍ〜１０００μｍ程度のオーダーで規則性の高い構造を有し、高度な光制御が可能な光学用途に適した成形体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This wear resistant copper or copper base alloy is the one in which an oxidized film layer of 10 to 1000 nm thickness is formed on the topmost surface, and an intermetallic compd. layer essentically consisting of Cu-Sn of 0.1 to 10 μm thickness is formed on the inside.
最表面に厚さ１０〜１０００ｎｍの酸化皮膜層とその内側に厚さ０．１〜１０μｍのＣｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物層を形成させる耐摩耗性銅または銅基合金とする。 - 特許庁 - Furthermore, even ultraviolet light at about 254 nm which is a mercury emission line is efficiently absorbed to emit red color with the short afterglow and good color-rendering properties.
波長３９４ｎｍ前後の紫外発光を効率よく吸収し、波長５９３ｎｍ，６１５ｎｍ，６２５ｎｍに発光ピークを有し、更に、水銀輝線である２５４ｎｍ付近の紫外線も効率よく吸収して、演色性が良く残光の短い赤色を発色する。 - 特許庁 - The solder powder for soldering paste capable of controlling viscosity rise with the lapse of time after manufacturing paste is provided by forming an oxidized film made of tin oxide with average thickness of 2.5-6 nm on the surface of a solder grain.
本発明は、はんだ粒子表面に平均厚さ約２．５〜６ｎｍの酸化錫からなる酸化皮膜を形成することにより、ペースト作製後の経時的粘度上昇を抑制し得るはんだペースト用はんだ粉を提案する。 - 特許庁 - The film deposition thickness for each operation is set to be ≤ 5 nm, and alumina films are intermittently deposited on a substrate a plurality of times when depositing alumina films on the substrate by sputtering an aluminum metal target in an atmosphere containing oxidizing gas.
酸化性ガス含有雰囲気下でアルミニウム金属ターゲットをスパッタリングして基板上にアルミナ膜を形成するに当たり、１回あたりの成膜膜厚を５ｎｍ以下とし、基板上にアルミナ膜を複数回に分けて断続的に成膜する。 - 特許庁 - To provide an optical scanner in which the quantity of light quantity variation due to internal absorption of a plastic lens is suppressed practically sufficiently small, as an optical scanner using a short-wavelength light source of ≤500 nm.
本発明の目的は、５００ｎｍ以下の短波長光源を用いた光走査装置において、プラスチックレンズの内部吸収による光量変動量を、実用上充分に小さく抑えた光走査装置を提供することにある。 - 特許庁
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