「plasma processing」を含む例文一覧(3220)
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プラズマ処理における高周波電源ならびに圧力計の検査 方法 - 特許庁 - METHOD FOR SEASONING PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND METHOD FOR DETERMINING END POINT OF SEASONING
プラズマ処理装置のシーズニング方法およびシーズニングの終了判定方法。 - 特許庁 - To simply and inexpensively constitute evacuate control of an atmospheric pressure plasma processing apparatus.
常圧プラズマ処理装置の排気制御を、簡易かつ安価な構成にする。 - 特許庁 - METHODS AND APPARATUS FOR OPTIMIZATION OF ETCH RESISTANCE IN PLASMA PROCESSING SYSTEM
プラズマ処理システムにおけるエッチング耐性を最適にする方法および装置 - 特許庁 - To provide a plasma generator capable of high-speed wafer processing with no contamination.
無汚染で高速度のウエハ処理ができるプラズマ生成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma generator which can perform high speed wafer processing without contamination.
無汚染で高速度のウエハ処理ができるプラズマ生成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device capable of restraining leakage of the electromagnetic waves.
プラズマ処理装置における電磁波の漏洩が抑制できるようにする。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD OF PLASMA PROCESSING, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To surely detect an endpoint even if plasma processing is stopped.
プラズマ処理が停止した場合であっても、確実なエンドポイントの検出をする。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF AND PROGRAM FOR EXECUTING THIS METHOD
プラズマ処理装置、該装置の制御方法及び該方法を実行するプログラム - 特許庁 - IMAGE SIGNAL PROCESSING CIRCUIT, PLASMA DISPLAY DEVICE, AND FALSE CONTOUR REDUCTION METHOD
映像信号処理回路、プラズマ表示装置、及び、偽輪郭低減方法 - 特許庁 - METHOD FOR PLASMA PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HIGH-K/METAL STRUCTURE
ｈｉｇｈ−ｋ／メタル構造を備えた半導体素子のプラズマ処理方法 - 特許庁 - DC-BIAS VOLTAGE MEASUREMENT CIRCUIT AND PLASMA-CVD PROCESSING DEVICE CONTAINING IT
ＤＣバイアス電圧測定回路及びそれを含むプラズマＣＶＤ処理装置 - 特許庁 - INSTALLATION STAND DEVICE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING, PLASMA PROCESSOR AND VACUUM PROCESSOR
半導体処理用の載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置 - 特許庁 - GAS SUPPLY MEMBER, PLASMA PROCESSING DEVICE, AND YTTRIA CONTAINING FILM FORMATION METHOD
ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus reducing an exhaust time.
排気時間を短縮することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device stable in sealability and high in reliability.
シール性能が安定して信頼性の高いプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR AND PLASMA-PROCESSING APPARATUS USED FOR IT
薄膜トランジスタの製造方法およびそれに用いられるプラズマ処理装置 - 特許庁 - To provide a high frequency power supply that can perform an accurate power control, a plasma processing apparatus and a plasma processing method, and an inspection method that can provide an accurate inspection.
正確な電力制御が可能な高周波電源、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法と、正確な検査が可能な検査方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device capable of efficiently carrying out a treatment by discharge plasma as well as a processing by ultrasonic cleansing or the like.
超音波洗浄などの処理を行うとともに放電プラズマによる処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - Consequently, various plasma processing can be performed even in a process where the conditions of plasma processing are limited by its device configuration.
これにより、装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method, that can decrease the number of conductance controllers controlling an introduction amount of process gas.
本発明は、プロセスガスの導入量を制御するコンダクタンス制御部の数を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus wherein deposition of contamination along with implementation of plasma processing can be minimized on the inner surface of a cylindrical vacuum container.
筒状をなす真空容器の内表面において、プラズマ処理の実施に伴う付着物の堆積を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method which controls the distribution of a temperature on the face of a stage, uniforms the temperature of a substrate and performs a highly precise plasma processing.
ステージの面上の温度分布を制御して基板の温度の均一化を図り、精度の良いプラズマ処理を行えるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - The stage 11 is so worked at room temperature as to keep the flatness at the plasma processing by supporting the deformation at the temperature at which the apparatus is used for the plasma processing.
ステージ１１を、プラズマ処理時の装置使用温度での変形を想定しプラズマ処理時に平坦面を確保するように、常温で加工する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of acquiring data useful in finding the cause of an abnormal discharge in plasma processing.
プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus that improves the in-plane uniformity of a workpiece in an inductively coupled plasma processing.
誘導結合プラズマを用いるプラズマ処理において、被処理体の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a low-cost plasma vacuum system and a plasma vacuum processing method which enable automatic supply and high-massive processing of workpieces.
処理対象物の自動供給及び高速・大量処理が可能な低コストのプラズマ真空装置及びプラズマ真空処理方法を提供すること。 - 特許庁 - Microwave and plasma-produced gas are introduced into a processing chamber 2, and high frequency voltage is applied to a sample bed 3 for plasma processing on the sample W.
処理室２内にマイクロ波及びプラズマ生成ガスが導入され、試料台３に高周波電圧が印加されて試料Ｗにプラズマ処理が施される。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device, where a plurality of discharge spaces exist in one chamber and power can be equally introduced to each electrode, and to provide a semiconductor element manufactured by the plasma processing device.
放電空間が１つのチャンバー内に複数あり、それぞれの電極に均等に電力を導入することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - The wafer plasma processing chamber is constituted so as to allow reaction radicals to react with the seeds on the surface of a wafer arranged in the wafer plasma processing chamber.
ウエハプラズマ処理チャンバは、ウエハプラズマ処理チャンバ内に配置されたウエハの表面において反応基を種と反応させるように構成されている。 - 特許庁 - To provide a device structure capable of stabilizing processing condition of a workpiece by stabilizing a generating condition of plasma in a plasma processing apparatus.
プラズマ処理装置において、プラズマの発生状態を安定化させることにより、ワークの処理状態の安定化を図ることのできる装置構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a chamber inner wall protecting member for plasma processing equipment which can be used stably for a long period of time, and also to provide a plasma processing chamber provided with the protecting member.
長時間に亘り安定使用が可能なプラズマ処理装置のチャンバー内壁保護部材及び該保護部材を配置したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method and a plasma processing apparatus that can sufficiently and easily prevent uneven coloring on a treatment surface of a substrate to be processed.
被処理基体の被処理面における色斑の発生を充分かつ容易に防止することのできるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置の提供。 - 特許庁 - The plasma processing is performed in the plasma processing chamber by supplying high frequency output of a high frequency power source through an impedance matching device.
高周波電源の高周波出力をインピーダンス整合器を介してプラズマ処理室に供給し、このプラズマ処理室でプラズマ加工を行う構成とする。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method for preventing toxic gas from being discharged to the outside of the device even when a shower plate is broken.
万が一シャワープレートが割れても、毒性ガスが装置外部に放出するのを防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - Gas (processing fluid) from a processing fluid source 1 is introduced to a plasma making means 20 with pressure lower than the almost atmospheric pressure to be made plasma under low pressure.
処理流体源１からのガス（処理流体）を略大気圧より低い圧力のプラズマ化手段２０に導入して低圧下でプラズマ化する。 - 特許庁 - The wafer 2 is sucked to the lower electrode 3 and subjected to plasma processing, and dechucked after the processing is completed.
このウエハ２を下部電極３に吸着させプラズマ処理し、処理完了後にウエハ２をデチャックさせる。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device capable of improving processing efficiency by reducing contamination of a sample.
試料の汚染を低減して処理の効率を向上することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of stably processing the sample of an object to be processed for a long time.
長期間安定して被処理対象の試料を処理できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an improved method and apparatus relating to ion-assisted etching processing in a plasma processing system.
プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of performing fine and uniform etching processing at a high speed.
微細かつ均一なエッチング加工を高速度で実施することができるプラズマ加工装置を提供する。 - 特許庁 - Since temperature of the processing vessel drops quickly, plasma processing is carried out in a stabilized temperature atmosphere.
このため速やかに処理容器の温度が降温し、安定した温度雰囲気でプラズマ処理することができる。 - 特許庁 - The plasma processing apparatus includes the substrate placing table 5 on which the substrate W to be processed is placed in a processing vessel.
プラズマ処理装置は、処理容器内で被処理基板Ｗを載置する基板載置台５を備える。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method which can do a surface processing evenly all over the inner surface of a member.
部材の内面全体に均一な表面処理を施すことができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device with a hardly deformable shield plate attaining processing cost reduction.
加工費を低減することができ、変形が生じにくい遮蔽板を有するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - A plurality of electrode plates 11, 12 are juxtaposed at the processing section 1 of a plasma surface processing device M.
プラズマ表面処理装置Ｍの処理部１には、複数の電極板１１，１２が並設されている。 - 特許庁 - MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS USING VACUUM ULTRAVIOLET LIGHT SHIELDING PLATE WITH OBLIQUE THROUGH HOLE AND ITS PROCESSING METHOD
斜め貫通孔付真空紫外光遮光板を用いたマイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING PROCESS IN PLASMA- PROCESSING APPARATUS, AND METHOD FOR PROCESSING SAMPLE USING THEM
プラズマ処理装置におけるプロセスモニター方法及びモニター装置及びそれを用いた試料の処理方法 - 特許庁 - The plasma processing apparatus is provided with a processing chamber 100 which can be evacuated, and a first electrode (a high frequency electrode) arranged inside the processing chamber.
真空排気可能な処理室１００、処理室内に配置された第１の電極（高周波電極）１０を具備する。 - 特許庁
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