「plasma processing」を含む例文一覧(3220)
＜前へ 1 2 .... 16 17 18 19 20 21 22 23 24 .... 64 65 次へ＞- To provide a plasma processing apparatus capable of controlling plasma more precisely as compared with the conventional one.
従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of improving the conductance of a baffle plate while preventing a plasma leak.
プラズマリークを防止した上でバッフル板のコンダクタンスを改善できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - The plasma processing system also includes a component for controlling impedance between the electrode and the plasma.
プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。 - 特許庁 - The plasma processing chamber is a vacuum chamber with a device connected for generating and maintaining a plasma.
プラズマ処理チャンバは、プラズマを発生し、維持するために結合された装置を持った真空チャンバである。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD AND COLOR FILTER MANUFACTURED BY USING THE SAME METHOD
プラズマ処理方法およびその方法を用いて製造したカラーフィルタ - 特許庁 - To suppress generation of arc discharge in a DC plasma processing system.
直流プラズマ処理システム内のアーク放電発生を迎えること。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PROCESS GAS SUPPLY DEVICE FOR USE IN THE SAME
プラズマ処理装置及びそれに用いられる処理ガス供給装置 - 特許庁 - METHOD OF PROCESSING SILICON NITRIDE WITH PLASMA, USING ARGON, NITROGEN AND SILANE GAS
アルゴン、窒素、およびシランガスを使用した窒化珪素プラズマ処理方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY THE SAME
プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 - 特許庁 - To provide a plasma processing device which performs uniform CVD process.
均一なＣＶＤ処理をおこなうプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device capable of surely insulating an electrode.
電極を確実に絶縁できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an improved deposition shield for a plasma processing system.
プラズマ処理システム用の改良された堆積シールドを提供する。 - 特許庁 - To provide a method and device for plasma processing.
プラズマ処理のための方法及び装置を本願において提供する。 - 特許庁 - MAGNETIC NEUTRAL BEAM DISCHARGING PLASMA PROCESSING DEVICE FOR FORMING LARGE-SIZED MASK
大型マスク形成用の磁気中性線放電プラズマ処理装置 - 特許庁 - MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS AND GATE VALVE THEREFOR
マイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波プラズマ処理装置用ゲートバルブ - 特許庁 - ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA PROCESSING SYSTEM EQUIPPED WITH MECHANISM FOR COLLECTING AND REUSING HELIUM
ヘリウム回収・再利用機構を備えた大気圧プラズマ処理装置 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR REACTIVE ATOM PLASMA PROCESSING FOR MATERIAL DEPOSITION
材料堆積のための反応原子プラズマ処理の装置及び方法 - 特許庁 - DUAL ELECTROSTATIC-CHUCK WAFER STAGE FOR PLASMA ASSISTED WAFER PROCESSING REACTOR
プラズマ支援ウェハー処理反応容器の二重静電チャックウェハーステージ - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING TEMPERATURE
プラズマ処理装置及び温度測定方法並びに温度測定装置 - 特許庁 - To reduce size or an installation area of a plasma processing apparatus.
プラズマ処理装置の小型化ないし設置面積の低減を図る。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, PLASMA PROCESSING METHOD, AND APPARATUS THEREOF
半導体の製造方法並びにプラズマ処理方法及びその装置 - 特許庁 - GRADATION DISPLAY PROCESSOR FOR PLASMA DISPLAY PANEL AND ITS PROCESSING METHOD
プラズマディスプレイパネルの階調表示処理装置及びその処理方法 - 特許庁 - The susceptor 105 is provided in a plasma processing device 10.
プラズマ処理装置１０の内部には、サセプタ１０５が設けられている。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM
半導体装置の製造方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体 - 特許庁 - SUBFIELD CODING CIRCUIT, VIDEO SIGNAL PROCESSING CIRCUIT, AND PLASMA DISPLAY DEVICE
サブフィールドコーディング回路、映像信号処理回路、プラズマ表示装置 - 特許庁 - METHOD OF PLASMA STABILIZATION AND DUMMY SUBSTRATE IN VACUUM PROCESSING APPARATUS
真空処理装置におけるプラズマ安定化方法及びダミー基板 - 特許庁 - HEATING APPARATUS, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE
加熱装置、プラズマ処理装置、および半導体素子の形成方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SUPPLY CIRCUIT, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
半導体装置の製造方法、電源回路、及びプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD AND APPARATUS WITH CONTROL OF HIGH-FREQUENCY BIAS
高周波バイアスの制御を伴うプラズマ処理方法および装置 - 特許庁 - PARTICLE STRIPPING, PARTICLE-REMOVING METHOD, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置 - 特許庁 - MICROWAVE GENERATING DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME, AND PLASMA PROCESSING DEVICE
マイクロ波発生装置とその制御方法およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - Under the same pressure conditions as upon plasma processing operation of a plasma processing apparatus 1, a projected deformation is made to be generated toward the interior of a chamber 2.
プラズマ処理装置１でのプラズマ処理時と同じ圧力条件下で、チャンバ２の内部に向けて凸状の撓みを発生させる。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which has small variation in CD (Critical Dimension) precision by stabilizing the temperature of an in-apparatus member of the plasma processing apparatus.
プラズマ処理装置の装置内部材の温度を安定化し、ＣＤ（Critical Dimension）精度の変動の少ないプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To prevent a seal member for maintaining airtightness in a plasma processing apparatus from being deteriorated by plasma generated in the processing apparatus.
プラズマ処理装置内の気密性を保持するためのシール材が、処理装置内で発生したプラズマによって劣化するのを抑制する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of supporting a substrate supporting base without uneven exhausting and in easy maintenability, and to provide a plasma processing method.
排気の偏りが無く、かつ、メンテナンスが容易となるように基板支持台を支持するプラズマ処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device prevented from causing streamer discharge and capable of efficient plasma processing a large area of material to be processed.
ストリーマー放電の発生を防ぐとともに、被処理物の大面積を効率良くプラズマ処理できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - SHOWER PLATE AND ITS FABRICATION PROCESS, PLASMA PROCESSING EQUIPMENT EMPLOYING IT, PLASMA PROCESSING METHOD AND PROCESS FOR FABRICATING ELECTRONIC DEVICE
シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 - 特許庁 - The plasma irradiation processing by the normal pressure plasma irradiation device 20 is preferably performed with a processing intensity of 0.1-36 W/cm^2.
常圧プラズマ照射装置２０によるプラズマ照射処理を、０．１〜３６Ｗ／ｃｍ^２ の処理強度で行なうことが好ましい。 - 特許庁 - The plasma processing apparatus 1 is provided with a grounded conductive container 10 which regulates the inner space 4 for performing plasma processing.
プラズマ処理装置１は、プラズマ処理を行なうための内部空間４を規定し、接地されている導電性の容器１０を備える。 - 特許庁 - In a microwave plasma processing method for depositing a thin film layer on a base body disposed in a plasma processing chamber by introducing a microwave into the plasma processing chamber to turn treatment gas into plasma, the microwave is intermittently oscillated and introduced into the plasma processing chamber.
プラズマ処理室にマイクロ波を導入し、処理用ガスをプラズマ化することにより、前記プラズマ処理室内に配置した基体に薄膜層を形成するマイクロ波プラズマ処理方法において、前記マイクロ波を断続発振させて、前記プラズマ処理室に導入することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理方法である。 - 特許庁 - A plasma processing apparatus 1 for turning a processing gas into plasma and processing a substrate includes a processing container 3 which houses a substrate 31, a shower plate 21 which is arranged in the processing container 3 and supplies the processing gas to a processing chamber 2, and a gas supply pipe 22.
処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置１は、基板３１を収容する処理容器３と、処理容器３内に配置され、処理室２に処理ガスを供給するシャワープレート２１と、ガス供給配管２２とを備えている。 - 特許庁 - To prevent a part other than a processing objective part of a wafer inside than the wafer outer edge from also being processed in a plasma processing apparatus in which a processing gas is turned into plasma under substantially atmospheric ambient and blown off to perform plasma processing of the wafer outer edge.
略常圧の環境下において処理ガスをプラズマ化して吹出し、ウェハーの外縁をプラズマ処理する装置において、ウェハーの外縁より内側の処理対象外の部分までもが処理されてしまうのを防止する。 - 特許庁 - To provide a method for determining a running state of a plasma processing apparatus capable of determining the running state, under the condition that a processing condition adapted to a first plasma processing apparatus is adapted to a second plasma processing apparatus.
第２のプラズマ処理装置に第１のプラズマ処理装置に適用される処理条件を適用した場合における運転状態を判定することができるプラズマ処理装置の運転状態判定方法を提供する。 - 特許庁 - In order to enhance an effect by only a modification by a plasma processing and only a modification by a thermal annealing processing, a plasma based on a processing gas containing a rare gas and an oxygen atom is used, and a modification processing which combines the plasma processing with the thermal annealing processing is performed on the insulating film, to modify the insulating film.
プラズマ処理による改質のみ、熱アニール処理のみによる改質による効果を向上する為に、希ガスと酸素原子を含む処理ガスに基ずくプラズマを用いて、絶縁膜にプラズマ処理と熱アニール処理を組み合わせた改質処理を施すことで、該絶縁膜を改質する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method supplying sufficient power to plasma, avoiding risk of breaking a pulse wave power source by the reflected power, eliminating emission delay of plasma, and depositing a film having excellent performance.
十分なパワーをプラズマに供給するとともに、反射電力によりパルス波電源が破損するという危険を回避でき、しかも、プラズマの発光遅れを無くして、性能のよい膜を形成可能とする。 - 特許庁 - To efficiently and optionally control a plasma density profile in doughnut-shaped plasma formed in a chamber in inductively coupled plasma processing.
誘導結合型のプラズマ処理においてチャンバ内に形成されるドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度分布を効率よく任意に制御すること。 - 特許庁 - To provide a drive device for a plasma display panel which reduces false contours, an and to provide image processing method for the plasma display panel, and the plasma display panel.
疑似輪郭を低減させるプラズマディスプレイパネルの駆動装置，プラズマディスプレイパネルの画像処理方法，及びプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method, by which a processing object that is at least partially breathable can be plasma-processed to inside the breathable portion thereof, and which enables the reduction in the cost, and allows various types of plasma processing to be performed on any processing objects easily, a plasma processing apparatus, and a processing object processed by plasma.
少なくとも一部に通気性を有する処理対象物の当該通気性部分の内部にまでプラズマ処理を施すことができるとともに、コストを削減することができ、さらには、あらゆる処理対象物に対して様々なプラズマ処理を簡便に行うことが可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置ならびにプラズマ処理された処理対象物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a discharge plasma processing device having a simple structure, and capable of restraining a manufacturing cost, of preventing degradation of a product life of the device, of improving processing accuracy to a processing object, and of preventing plasma damage from occurring in the processing object; and to provide a discharge plasma processing method.
簡易な構造で製造コストを抑制でき、装置の製品寿命の低下を防止するとともに被処理体に対する処理精度を向上させ被処理体にプラズマダメージを生じさせない放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法を得る。 - 特許庁 - To provide a plasma processing system and a method for processing a substrate using a heat transfer system.
熱伝達システムを使用して基板を処理するプラズマ処理システムおよび方法を提供する。 - 特許庁
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