「plasma processing」を含む例文一覧(3220)
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平面アンテナ部材及びこれを用いたプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESS EQUIPMENT AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE BY USING THE SAME
プラズマ工程装備及びこれを用いる基板加工方法 - 特許庁 - TEMPERATURE CONTROL MECHANISM, PLASMA PROCESSING APPARATUS AND TEMPERATURE CONTROL METHOD
温調機構、プラズマ処理装置及び温調制御方法 - 特許庁 - SIMULATION DEVICE AND PLASMA DISCHARGE PROCESSING DEVICE SUPPORTING SYSTEM
シミュレーション装置およびプラズマ放電処理装置支援システム - 特許庁 - AUXILIARY APPARATUS AND METHOD OF ANALYZING LUMINESCENCE OF PLASMA PROCESSING APPARATUS
プラズマ処理装置の発光解析補助方法及び装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND TREATMENT ROOM INTERNAL SURFACE STABILIZATION METHOD
プラズマ処理装置および処理室内壁面安定化方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND ELECTRODE MEMBER FOR THE SAME
プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材 - 特許庁 - GAS SUPPLYING METHOD OF PLASMA PROCESSING MACHINE AND DEVICE THEREFOR
プラズマ加工機におけるガス供給方法およびその装置 - 特許庁 - MICROWAVE GENERATING UNIT AND PLASMA PROCESSING APPARATUS COMPRISING THE SAME
マイクロ波発生ユニット及びそれを備えたプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD AND APPARATUS, AND PRODUCT USING THEM
プラズマ処理方法及び装置及びそれらを使用した製品 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH PLASMA
プラズマを用いて基板を処理するための装置および方法 - 特許庁 - HIGH-FREQUENCY PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD
高周波プラズマ処理装置及び高周波プラズマ処理方法 - 特許庁 - After the plasma processing, an additional liner can be accumulated.
プラズマ処理の後、付加的なライナを堆積することができる。 - 特許庁 - PLASMA TREATMENT APPARATUS AND SURFACE PROCESSING METHOD USING THE SAME
プラズマ処理装置及びそれを用いた表面加工方法 - 特許庁 - CUTTING METHOD OF CORNER WITH PLASMA ARC PROCESSING MACHINE AND DEVICE THEREFOR
プラズマ加工機によるコーナ部切断方法およびその装置 - 特許庁 - To reduce the charge-up damage in a plasma processing method.
プラズマ処理方法において、チャージアップダメージを減少させる。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTROOPTICAL DEVICE
プラズマ処理方法及び電気光学装置の製造方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF THIN-FILM SOLAR CELL
プラズマ処理装置および薄膜太陽電池の製造方法 - 特許庁 - ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA PROCESSING METHOD AND APPARATUS USING MICROWAVE
マイクロ波を用いた大気圧プラズマ処理方法及び装置 - 特許庁 - A toroidal plasma source (28) is located within a substrate processing chamber (10).
基板処理チャンバ（１０）内にはトロイダルプラズマ源（２８）がある。 - 特許庁 - An apparatus 100 is provided for semiconductor wafer plasma processing.
半導体ウエハーのプラズマ処理用装置１００を開示する。 - 特許庁 - VACUUM PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING CONNECTOR FOR ELECTRODE CONNECTION
電極接続用コネクタを備えた真空プラズマ処理装置 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON FILM AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
エピタキシャルＳｉ膜の製造方法およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF SUPPLYING MICROWAVES
マイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波の給電方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
プラズマ処理装置及び方法、並びに半導体製造設備 - 特許庁 - PLASMA DISCHARGE PROCESSING SYSTEM, METHOD FOR FORMING THIN FILM AND BASE MATERIAL
プラズマ放電処理装置、薄膜形成方法及び基材 - 特許庁 - A plasma processing method uses CxHyFz gas, and etching is carried out under low pressure (≤1.0 Pa).
CxHyFzガスを用い、低圧力(1.0Pa以下)にてエッチングを行う。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device capable of keeping glow discharge.
グロー放電が維持できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device capable of improving processing capability by uniformly generating high-density plasma by restraining cost.
コストを抑えて高密度のプラズマを均一に生成して処理能力の改善が図られるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of performing plasma processing on a workpiece by uniformly controlling an electron density distribution.
電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method and apparatus which are capable of subjecting only a very fine region to plasma processing.
極めて微小な領域のみにプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理方法及び装置を提供すること。 - 特許庁 - To achieve uniform plasma processing in a large range by optimizing a distribution of microwave regardless of change in a plasma processing condition.
プラズマ処理条件の変更にかかわらずマイクロ波の分布を最適化して、広い範囲で均一なプラズマ処理を得る。 - 特許庁 - DEVICE FOR CONTROLLING PLASMA PROCESSING DEVICE SYSTEM, METHOD OF CONTROLLING PLASMA PROCESSING SYSTEM, AND STORAGE MEDIUM STORING CONTROL PROGRAM
プラズマ処理装置システムの制御装置、プラズマ処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁 - To obtain a plasma processing system, capable of reducing charge up damage applied to a semiconductor element during plasma processing.
プラズマ処理時の半導体素子に加わるチャージアップダメージを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus that easily evaluates a removed film thickness after plasma processing in a short time.
プラズマ処理後の除去膜厚を短時間で簡易的に評価するプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS, ELECTRODE MEMBER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS, PROCESS FOR PRODUCING ELECTRODE MEMBER AND METHOD FOR RECYCLING IT
プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材ならびに電極部材の製造方法およびリサイクル方法 - 特許庁 - To provide a plasma processing system in which a plasma can be ignited under pressure conditions optimal for processing a substrate.
基板を処理するのに最適な圧力条件でプラズマの着火を行なうことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a device and a method for processing plasma, capable of generating uniform plasma and uniformly processing a base.
均一なプラズマを発生させることができ、基板を均一に処理可能とするプラズマ処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - A plasma processing apparatus 10 comprises: a plasma processing chamber 11; a plasma generating chamber 12 connected to the plasma processing chamber 11; a high-frequency antenna 16 for generating plasma; a plasma controlling plate 17 for controlling the electronic energy in the plasma; and an operation bar 171 and a moving mechanism 172 for adjusting the position of the plasma controlling plate 17.
本発明に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室１１と、プラズマ処理室１１と連通するプラズマ生成室１２と、プラズマを生成するための高周波アンテナ１６と、プラズマ中の電子エネルギーを制御するためのプラズマ制御板１７と、プラズマ制御板１７の位置を調整するための操作棒１７１及び移動機構１７２と、を備える。 - 特許庁 - The plasma processor has the processing chamber 12 in which a substrate to be processed 4 is arranged, and a plasma-discharge generator being mounted in the processing chamber 12 and generating a plasma for plasma-processing the substrate to be processed 4.
プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室１２と、処理室１２の内部に設けられ被処理基板４にプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ放電発生部とを備える。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of acquiring a good plasma as a prerequisite for the plasma processing apparatus of a capacitive coupling type, which applies a dc voltage other than a high-frequency power, and to provide a plasma processing method.
高周波電力の他に直流電圧を印加する容量結合型のプラズマ処理装置を前提として、良好なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method and a plasma processing device capable of reducing manufacturing cost of an electrode, as well as, capable of stably plasma processing, without damaging the electrode even when in a plasma that uses chlorine gas.
塩素ガスを用いたプラズマにおいても電極が損傷することなく安定なプラズマプロセスを行うことができると共に、電極の製作コストを低減できるプラズマプロセス方法およびプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus and plasma processing method, in which adverse effect on a Low-k film, caused by ion component in plasma can be prevented or suppressed when performing plasma processing for the purpose of curing.
キュアリングを目的としてプラズマ処理を行なう際に、プラズマ中のイオン成分によるＬｏｗ−ｋ膜への悪影響を防止もしくは抑制することが可能なプラズマ処置装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method capable of enhancing the accuracy of prediction or the like of a processing result by a plasma processing apparatus, and relieving a load required for production of a model.
プラズマ処理装置による処理結果の予測などの精度を高めることができるとともに，モデル作成の際の負担を軽減する。 - 特許庁 - To provide a plasma source and a plasma processing system using this plasma source, for easily forming large area plasma, and minimizing the facility floor area, while uniformly generating plasma of the large area.
大面積のプラズマを均一に発生することができ、大面積化が容易であり、設備面積を最小化できるプラズマソース及びこれを利用したプラズマ処理システムを提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of minimizing gate breakdown by making charge-up distribution on a surface of the object of the plasma processing uniform, and a method of forming a stage of the plasma processing apparatus.
プラズマ処理対象表面のチャージアップ分布を均一化してゲート破壊を少なくすることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のステージ製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing system and a plasma processing method by which contamination to an object to be processed can be suppressed and sputtering and etching of the inside wall of a plasma processing chamber be also effectively prevented.
被処理体に対するコンタミネーションを抑制しつつ、プラズマ処理室内壁のスパッタリングおよびエッチングをも効果的に防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching process and a plasma etching system capable of exhibiting excellent controllability of a processing profile.
加工形状の制御性に優れたプラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device generally equalizing plasma distribution with respect to a substrate.
基板に対してプラズマの分布を略均一にすることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - The plasma processing device turns on microwave power at t4 to start supplying a microwave, and ignites a plasma.
次に、ｔ４でマイクロ波パワーをオンにしてマイクロ波の供給を開始してプラズマを着火する。 - 特許庁
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