「plasma processing」を含む例文一覧(3220)
＜前へ 1 2 .... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 .... 64 65 次へ＞- To provide a plasma processing device facilitating the starting of plasma discharge or capable of suppressing excessive power consumption due to auxiliary plasma during plasma processing.
プラズマ放電を開始することが容易となる、あるいは、プラズマ処理中の補助プラズマによる余分な電力消費を抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a microwave plasma processor which performs uniform plasma processing of an object having a large area.
均一性を保ちつつ、大面積のプラズマ処理を行えるプラズマ処理装置。 - 特許庁 - To prevent a plasma processor from causing Na contamination of a substrate at the time of plasma processing.
プラズマ処理装置によるプラズマ処理時に生じる基板へのＮａ汚染を防ぐ。 - 特許庁 - PLASMA DEPOSITION METHOD, PLASMA PROCESSING DEVICE, SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
プラズマ製膜方法、プラズマ処理装置、太陽電池及び太陽電池の製造方法 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus uniformly generating plasma on a loading surface.
載置面上において均一にプラズマを生成できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - PLASMA GENERATING METHOD, CLEANING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING METHOD
プラズマ発生方法、クリーニング方法、基板処理方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE
プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 - 特許庁 - TOP PANEL STRUCTURE, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS USING THE SAME
天板構造及びこれを用いたプラズマ処理装置 - 特許庁 - ULTRA PRECISE PROCESSING METHOD BY PLASMA AND DEVICE THEREOF
プラズマによる超精密加工方法及びその装置 - 特許庁 - INTERIOR MEMBER OF PLASMA PROCESSING CONTAINER AND MANUFACTURING METHOD
プラズマ処理容器内部材およびその製造方法 - 特許庁 - CHUCKING STATE DETECTING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
チャッキング状態検出方法及びプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND TREATMENT GAS SUPPLY STRUCTURE THEREOF
プラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造 - 特許庁 - TEMPERATURE-MEASURING APPARATUS, CHUCK MONITOR, AND PLASMA PROCESSING DEVICE
温度測定装置、チャックモニター及びプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD AND APPARATUS OF POROUS MATERIAL
多孔性素材のプラズマ処理方法及び処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND ELECTRODE FOR THE SAME
プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極 - 特許庁 - CLEANING METHOD OF PLASMA PROCESSING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM
プラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体 - 特許庁 - TOP PLATE MEMBER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS USING THE SAME
天板部材及びこれを用いたプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING DEVICE AND METHOD
プラズマ処理装置及びこれを用いたプラズマ処理方法 - 特許庁 - METHOD FOR DETECTING ABNORMAL OPERATION IN PLASMA PROCESSING
プラズマ処理の異常動作を検知するための方法 - 特許庁 - A plasma processing chamber having a chamber wall is provided.
チャンバ壁を持つプラズマ処理チャンバが提供される。 - 特許庁 - SHOWER PLATE AND SURFACE WAVE EXCITED PLASMA PROCESSING APPARATUS
シャワープレートおよび表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - SEPARATOR FOR FUEL CELL AND PLASMA PROCESSING APPARATUS THEREFOR
燃料電池用セパレータ及びそのプラズマ処理装置 - 特許庁 - ELECTRODE WITH GAS DISCHARGE FUNCTION AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
ガス吐出機能付電極およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA ETCHING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING METHOD
プラズマエッチング装置及び半導体ウエーハの加工方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING VACUUM CONTAINER
プラズマ処理装置および真空容器の清掃方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
半導体デバイス製造装置及びプラズマ処理方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS INCLUDING ELECTROSTATIC CHUCK WITH BUILT-IN HEATER
ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置 - 特許庁 - To rovide plasma processing equipment which can perform various plasma processing even in a process where the conditions of plasma processing are limited by its device configuration when at least two plasma processing steps are performed in the same plasma reaction chamber.
同一のプラズマ反応室内において、少なくとも２のプラズマ処理工程を行う場合、その装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device capable of improving a plasma generation efficiency by increasing a plasma density.
プラズマ密度を高くして、しかもプラズマ生成効率を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus generating high-density plasma with even plasma density over a large area.
大面積にわたって均一なプラズマ密度を有する高密度プラズマを生成できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which makes possible the long-time execution of plasma processing with stable high-density plasma without damaging an introducing window or a three-dimensional microwave circuit in the plasma processing using microwave plasma, and to provide a plasma processing method and a method of manufacturing a semiconductor device.
マイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理において、導入窓またはマイクロ波立体回路を破損させることなく、かつ、安定した高密度プラズマで長時間の処理を行なうことができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus that can prevent the reduction of processing gas concentration in a part to be processed of a workpiece that is subject to plasma processing, and to provide a plasma processing method.
被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分の処理ガスの濃度の低下を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method and a plasma processing apparatus, capable of suppressing oxidation of an object to be treated during plasma processing and improving the processing rate, without increasing the RF power.
プラズマ処理時に、被処理体の酸化を低減すると共に、ＲＦパワーを上げずに、処理レートを向上させることができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - This application is related to this plasma processing device for executing plasma processing to a processing object S by jetting the plasma P from a lower opening of the discharge space 3 to supply it to the processing object S.
このプラズマＰを放電空間３の下側開口から吹き出して被処理物Ｓに供給することにより被処理物Ｓにプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁 - A plasma processing apparatus 2 causing plasma to penetrate to the inside of a processing object 1 that is at least partially breathable, and conducting a given plasma processing on the processing object 1 comprises: plasma generating means 3 for generating plasma; and plasma penetration means for causing the plasma to penetrate to the inside of the processing object 1.
少なくともその一部が通気性を有する処理対象物１の内部にプラズマを透過させることにより所定のプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置２であって、プラズマを生成するプラズマ生成手段３と、前記プラズマを前記処理対象物１の内部に透過させるプラズマ透過手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus with a dielectric plate applied with surface processing.
誘電体板に表面処理を施したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which has a high processing speed and high uniformity.
処理速度が大きく、均一性の高いプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing system capable of applying plasma processing to a large area with a low potential in a feeding part, excellent in-plane uniformity for the plasma processing, and excellent controllability.
給電部の電位が低く、プラズマ処理の面内均一性に優れ、制御性にも優れ、しかも、大面積のプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus and a shower head, wherein a plasma density distribution in the processing space is controlled, and an in-plane uniformity of plasma processing is improved.
処理空間内のプラズマ密度分布を制御することができ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることのできるプラズマ処理装置及びシャワーヘッドを提供する。 - 特許庁 - To provide a microwave plasma processing apparatus and a microwave plasma processing method, that can perform microwave plasma processing having higher in-plane uniformity than before.
従来よりも面内均一性の高いマイクロ波プラズマ処理を行うことができるマイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁 - A processing gas supplying device 22 supplies the processing gas for plasma processing into the plasma chamber 21, and a gas exhaust device 23 sets the inside of the plasma chamber 21 under a high vacuum.
処理ガス供給装置２２は、プラズマ処理用の処理ガスをプラズマ室２１内に供給し、ガス排気装置２３は、プラズマ室２１内を高真空に設定する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device and a plasma processing method, in which plasma generation density is uniformalized with a simple structure and uniform processing can be applied to a large area.
簡単な構成によってプラズマ発生密度を均一化し、大面積に対して均一な処理を施すことのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETIC MEMORY
プラズマ処理方法および磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING PLASMA PROCESSING WITH HIGH UNIFORMITY OVER LARGE AREA
大面積高均一プラズマ処理方法及び装置 - 特許庁 - ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA PROCESSING SYSTEM AND METHOD
大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF
プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法 - 特許庁 - DETECTION METHOD OF END POINT OF PLASMA PROCESSING AND ITS APPARATUS
プラズマ処理の終点検出方法およびその装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD FOR FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARD AND ITS DEVICE
フレキシブルプリント基板のプラズマ処理方法及びその装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND SURFACE TREATMENT METHOD FOR BASE MATERIAL
プラズマ処理装置及び基材の表面処理方法 - 特許庁 - PLASMA-DISCHARGE PROCESSING APPARATUS AND METHOD THEREFOR
プラズマ放電処理装置およびプラズマ放電処理方法 - 特許庁
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