「plasma processing」を含む例文一覧(3220)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 64 65 次へ＞- Successively, ashing processing is performed by plasma including oxygen.
続いて酸素を含むプラズマで灰化処理する。 - 特許庁 - HIGH-FREQUENCY AMPLIFICATION DEVICE AND PLASMA PROCESSING DEVICE
高周波増幅装置およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - METHOD OF CONTROLLING PARTICLE AND PLASMA PROCESSING CHAMBER
パーティクル制御方法及びプラズマ処理チャンバー - 特許庁 - The plasma processing apparatus comprises a chamber for performing plasma processing of an article to be processed, a slot electrode guiding a microwave for plasma processing, and a plasma source for igniting the plasma.
プラズマ処理装置を、被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室と、該プラズマ処理のためのマイクロ波を案内するスロット電極と、該プラズマを着火させるためのプラズマ源とで構成する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device generating plasma by microwave, improving uniformity of plasma density at plasma processing.
マイクロ波によってプラズマを発生させてプラズマ処理する際に，プラズマ密度の均一性を向上させると共に，所望の領域でのプラズマ密度を変更する。 - 特許庁 - To provide an atmospheric pressure plasma processing device capable of producing high-density plasma.
高密度プラズマを得ることができる常圧プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - MICROWAVE INTRODUCING MECHANISM, MICROWAVE PLASMA SOURCE, AND MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS
マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 - 特許庁 - To improve an in-plane uniformity of plasma density and plasma processing characteristics.
プラズマ密度ないしプラズマ処理特性の面内均一性を向上させる。 - 特許庁 - PLASMA GENERATION APPARATUS HAVING TERMINAL REFLECTION WALL FILTER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
終端反射壁フィルタを有するプラズマ生成装置及びプラズマ加工装置 - 特許庁 - MICROWAVE TRANSPARENT WINDOW, MICROWAVE PLASMA GENERATOR AND MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPAARATUS
マイクロ波透過窓、マイクロ波プラズマ発生装置及びマイクロ波プラズマ処理装置 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which can perform more uniformly plasma process.
より均一なプラズマ処理を可能にするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of more uniformly generating a plasma.
プラズマをより均一にたてることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - PLASMA EXPOSURE COMPONENT AND ITS SURFACE TREATMENT METHOD AS WELL AS PLASMA PROCESSING DEVICE
プラズマ露出部品及びその表面処理方法並びにプラズマ処理装置 - 特許庁 - To achieve a plasma processing apparatus for achieving circularly polarized wave processing of microwaves to wide plasma processing conditions and obtaining plasma processing characteristics having improved axisymmetry, and to provide a processing method in the plasma processing apparatus using microwaves.
マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、広いプラズマ処理条件に対してマイクロ波の円偏波化が達成され、軸対称性の良いプラズマ処理特性を得ることのできるプラズマ処理装置の実現と処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of exciting a uniform plasma on a large-area substrate.
大面積基板上に均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - The plasma processing apparatus provides plasma processing to the substrate to be processed by generating plasma by the use of a microwave.
本発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波を用いてプラズマを発生させて被処理基板にプラズマ処理を施すものである。 - 特許庁 - CHAMBER INNER WALL PROTECTING MEMBER AND PLASMA PROCESSING EQUIPMENT
チャンバー内壁保護部材及びプラズマ処理装置 - 特許庁 - SAMPLE STAND AND PLASMA PROCESSING DEVICE WITH IT
試料台及びそれを備えたプラズマ処理装置 - 特許庁 - REMOTE PLASMA CLEANING METHOD FOR PROCESSING CHAMBER
処理チャンバのための遠隔式プラズマクリーニング方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS WITH REAL-TIME PARTICLE FILTER
リアルタイムパーティクルフィルタを具備したプラズマ処理装置 - 特許庁 - ETCHING METHOD, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM
エッチング方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING PLASMA TO GLASS SUBSTRATE
ガラス基板対応プラズマ処理方法及び装置 - 特許庁 - MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF SUPPLYING MICROWAVES
マイクロ波プラズマ処理装置及び給電方法 - 特許庁 - PROCESSED GAS SUPPLY STRUCTURE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
処理ガス供給構造およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING SYSTEM FOR DAMAGE-FREE DRY ETCHING OF WAFER
ダメージのないウェハードライエッチングのプラズマ処理装置 - 特許庁 - METHOD FOR PROCESSING GRAY SHADES DISPLAY OF PLASMA DISPLAY PANEL
プラズマディスプレイパネルの階調表示処理方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND WORKPIECE CARRYING METHOD
プラズマ処理装置および被処理物搬送方法 - 特許庁 - To provide an induction coupled plasma processing chamber.
誘導結合型プラズマ処理チャンバを提供する。 - 特許庁 - PLASMA DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING IMAGE THEREOF
プラズマ表示装置及びその画像処理方法 - 特許庁 - METHOD OF WAFER TEMPERATURE CONTROL IN PLASMA PROCESSING APPARATUS
プラズマ処理装置内のウェハ温度制御方法 - 特許庁 - CONTROL APPARATUS, PLASMA PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD
制御装置、プラズマ処理装置、及び制御方法 - 特許庁 - SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
基板温度制御方法及びプラズマ処理装置 - 特許庁 - ANTENNA UNIT AND INDUCTION COUPLING PLASMA PROCESSING APPARATUS
アンテナユニットおよび誘導結合プラズマ処理装置 - 特許庁 - Argon (Ar) is used for the plasma processing.
このプラズマ処理にはアルゴン（Ａｒ）が用いられる。 - 特許庁 - RADIAL ANTENNA AND PLASMA PROCESSING APPARATUS USING THE SAME
ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ処理装置 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
半導体の製造方法及びプラズマ処理装置 - 特許庁 - PROCESSING PERFORMANCE STABILIZING METHOD OF PLASMA TREATMENT APPARATUS
プラズマ処理装置の処理性能安定化方法 - 特許庁 - RF PLASMA GENERATOR AND WAFER PROCESSING SYSTEM
ＲＦプラズマ発生装置及びウエハの処理装置 - 特許庁 - CIRCULATOR, PLASMA GENERATOR, AND WORK PROCESSING DEVICE
サーキュレータ、プラズマ発生装置、及びワーク処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND DIELECTRIC PLATE AS WELL AS PROCESSING VESSEL USED THEREFOR
プラズマ処理装置、これに用いる誘電体板及び処理容器 - 特許庁 - To provide a processing tube in a batch-type remote plasma processing unit.
バッチ式リモートプラズマ処理装置における処理管を提供する。 - 特許庁 - According to this method, the plasma is generated in the plasma chamber 41 to apply the plasma processing on a semiconductor wafer W.
これにより、プラズマ室４１内にプラズマを発生させ、半導体ウエハＷにプラズマ処理を施す。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device that accurately measures plasma parameters so as to stably supply plasma.
プラズマ・パラメータを正確に計測し、プラズマを安定して供給可能とするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To obtain a plasma processing method and an equipment which can obtain stable plasma with high plasma density.
プラズマ密度が高く、かつ、安定したプラズマを得ることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - A processing gas is introduced into the processing chamber, and a plasma is formed from the processing gas.
処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。 - 特許庁 - A processing gas is introduced into the processing chamber, and a plasma is formed from the processing gas.
処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method that improve processing precision of a surface to be processed.
被処理面の加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma inspection method capable of simply and accurately inspecting whether atmospheric plasma is good or not, a plasma processing method, a plasma inspection device, and plasma processing device.
簡便かつ的確に大気圧プラズマの良否検査を行うことができるプラズマ検査方法、プラズマ処理方法、プラズマ検査装置及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In a plasma processing device, a plasma processing chamber 26 is provided inside a metal vessel 20, and an object 27 is placed in the plasma processing chamber 26.
プラズマ処理装置は、金属製容器２０の内側にプラズマ処理室２６が設けられ、このプラズマ処理室２６に被処理物２７が設置されている。 - 特許庁 - To provide a plasma leak preventing plate of plasma processing system in which plasma generated in a processing chamber can be prevented effectively from leaking to the outside of the processing chamber.
処理室で発生したプラズマが処理室外に漏洩するのを有効に防止することができるプラズマ処理装置のプラズマ漏洩防止板を提供する。 - 特許庁
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