「plasma processing」を含む例文一覧(3220)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .... 64 65 次へ＞- To provide a plasma processing method capable of performing preheating before plasma processing in a short time when performing the plasma processing accompanied by heating of a workpiece.
被処理体の加熱をともなうプラズマ処理を行う際に、処理前のプリヒートを短時間で行うことができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device and a plasma processing method capable of stably performing a glow discharge plasma processing by continuous waves under almost atmospheric pressure.
大気圧近傍の圧力下で、連続波によって安定したグロー放電プラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理方法および装置を提供する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF COMPONENT TO BE USED IN PLASMA PROCESSING APPARATUS AND COMPONENT USED IN PLASMA PROSSING APPARATUS
プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品 - 特許庁 - The plasma processing device to supply this plasma P to a treating object H is provided.
このプラズマＰを被処理物Ｈに供給するプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁 - To provide a method for suitably controlling plasma of a plasma processing apparatus.
プラズマ処理装置のプラズマを好適に制御するための方法を提供する。 - 特許庁 - MAGNET ARRANGEMENT MAKING POINT-CUSP MAGNETIC FIELD FOR PLASMA GENERATION AND PLASMA PROCESSING SYSTEM
プラズマ生成用ポイントカスプ磁界を作るマグネット配列およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - During the plasma processing, the plasma penetrates the liner without influencing the liner.
プラズマ処理の間、プラズマはライナに影響を及ぼすことなくライナを貫通する。 - 特許庁 - CONTROL METHOD OF INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA AND INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA PROCESSING APPARATUS
誘導結合型プラズマの制御方法及び誘導結合型プラズマ処理装置 - 特許庁 - To minimize aging of power consumption of a plasma, thereby stabilizing a plasma processing.
プラズマの消費電力の経時変化を小さくし、プラズマ処理を安定化する。 - 特許庁 - The mixed gas is introduced into a plasma processing vessel.
混合ガスをプラズマ処理容器内に導入する。 - 特許庁 - As a result, plasma processing is improved in uniformity.
その結果、プラズマ処理の均一性も向上する。 - 特許庁 - COMPONENT USED FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS AND ITS MANUFACTURING METHOD
プラズマ処理装置の部品及びその製造方法 - 特許庁 - INDUCTIVELY COUPLED ANTENNA UNIT AND PLASMA PROCESSING DEVICE
誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 - 特許庁 - GRADATION DISPLAY PROCESSING METHOD AND PLASMA DISPLAY DEVICE
階調表示処理方法及びプラズマディスプレイ装置 - 特許庁 - SHOWERHEAD AND SURFACE WAVE EXCITING PLASMA PROCESSING DEVICE
シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - PROCESS PLASMA GENERATOR, AND MATERIAL PROCESSING METHOD
プロセスプラズマ発生装置及び材料プロセシング方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PROCESS USING THE SAME
プラズマプロセス装置およびプラズマ装置を用いたプロセス - 特許庁 - MEMBER IN PLASMA PROCESSING CONTAINER, AND ITS MANUFACTURING METHOD
プラズマ処理容器内部材及びその製造方法 - 特許庁 - REACTION VESSEL AND PLASMA PROCESSING APPARATUS EQUIPPED THEREWITH
反応容器及びそれを備えるプラズマ処理装置 - 特許庁 - FOCUS RING, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD
フォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - 特許庁 - MEMBER FOR PLASMA PROCESSING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
プラズマ処理装置用部材及びその製造方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING DEVICE AND ELECTRODE USED FOR IT
プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 - 特許庁 - PLASMA TREATMENT DEVICE AND PROCESSING METHOD EMPLOYING IT
プラズマ処理装置およびそれを用いた加工方法 - 特許庁 - SAMPLE STAGE FOR PLASMA PROCESSING SYSTEM AND ITS MANUFACTURING PROCESS
プラズマ処理装置用試料台及びその製法 - 特許庁 - INSULATOR AND PLASMA PROCESSING APPARATUS EQUIPPED WITH IT
絶縁碍子及びこれを具備するプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND VACUUM VESSEL USED THEREIN
プラズマ処理装置およびそれに用いる真空容器 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND EXHAUSTING METHOD OF RESIDUAL GAS
プラズマ処理装置及び残留ガスの排気方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING DEVICE AND ELECTRODE USED THEREFOR
プラズマ処理装置およびそれに用いられる電極 - 特許庁 - ELECTROSTATIC CHUCK AND PLASMA PROCESSING EQUIPMENT HAVING IT
静電チャック及びこれを備えたプラズマ処理装置 - 特許庁 - YTTRIA SINTERED COMPACT AND MEMBER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS
イットリア焼結体およびプラズマプロセス装置用部材 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING ARCING DURING PLASMA PROCESSING
プラズマ処理中のアーク減少方法及び装置 - 特許庁 - METHODS AND APPARATUS FOR REDUCING ARCING DURING PLASMA PROCESSING
プラズマ処理中のアーク減少方法及び装置 - 特許庁 - In the plasma processing apparatus, a hermetically sealed plasma processing space is formed by using a base platform 21 and a cover member 22.
基台２１と蓋部材２２により、密閉されたプラズマ処理空間を形成するプラズマ処理装置。 - 特許庁 - The plasma processing system comprises a process chamber within which plasma is both ignited and sustained for processing.
プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus for performing a uniform plasma processing on a substrate to be processed.
被処理基板に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS, PLASMA PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM STORING PROGRAM FOR EXECUTING THE SAME
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにこれを実施するためのプログラムを記憶する記憶媒体 - 特許庁 - To provide the plasma processing equipment of a large area wafer processing which can control plasma density and uniformity.
プラズマ密度と均一性を制御できる大面積ウエハ処理のプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of securing traceability in plasma processing.
プラズマ処理におけるトレーサビリティを確保することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - METHOD FOR DETECTING DEVIATION AMOUNT OF EFFECTIVE POWER OF MICROWAVE IN PLASMA PROCESSING DEVICE, AND ITS PLASMA PROCESSING DEVICE
プラズマ処理装置におけるマイクロ波の実効パワーのずれ量検出方法及びそのプラズマ処理装置 - 特許庁 - SHOWER PLATE, PLASMA PROCESSING DEVICE USING THE SAME, PLASMA PROCESSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC APPARATUS
シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 - 特許庁 - To accurately measure actual thickness of a processed layer on line in plasma processing, specially plasma etching processing.
プラズマ処理、特にプラズマエッチング処理において、被処理層の実際の厚さをオンラインで正確に測定する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus having such a structure that a plasma processing head can be easily placed on a roller conveyer.
プラズマ処理ヘッドをローラコンベア上に容易設置可能な構造のプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method capable of obtaining uniform processing and high processing capabilities.
均一な処理と高い処理能力を得ることができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - A processing system, based on previously loaded plasma, is provided with a preliminary reaction plasma processing chamber, a power source connected to the preliminary reaction plasma processing chamber so as to drive the chamber and a wafer plasma processing chamber connected to the preliminary reaction plasma processing chamber through fluid.
事前ロードしたプラズマに基づく処理システムは、予備反応プラズマ処理チャンバと、この予備反応プラズマ処理チャンバと動作可能に連通して配置された電力源と、予備反応プラズマ処理チャンバと流体連通して配置されたウエハプラズマ処理チャンバとを具備する。 - 特許庁 - To provide a plasma processor and a plasma processing method which can perform equal plasma processing without heat damage.
熱ダメージがなく均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device which can obtain an equalized processing rate distribution.
均一な処理速度分布が得られるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA PROCESSING APPARATUS FOR WAFER OUTER EDGE AND PROCESSING METHOD THEREOF SUCH AS ETCHING
ウェハー外縁の常圧プラズマ処理装置及びエッチング等の処理方法 - 特許庁 - ELECTROSTATIC ATTRACTION DEVICE, WAFER PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
静電吸着装置およびウエハ処理装置ならびにプラズマ処理方法 - 特許庁 - A processing gas containing CO_2 and CO are introduced into the plasma processing system, and the plasma is produced from the processing gas.
二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which allows the improvement of the evenness of processing in a direction of a sample surface, and a plasma processing method.
試料の面方向について処理の均一性を向上させたプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁
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