「plasma processing」を含む例文一覧(3220)
＜前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 64 65 次へ＞- To provide a plasma processing device to process the circumferential part of a wafer using a microwave discharge plasma.
マイクロ波放電プラズマを用いてウエハーの周縁部を処理するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which is capable of making plasma density distribution uniform in a vacuum vessel.
真空容器内のプラズマ密度分布の均一化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and a system that adjust and control uniformity, in plasma in a plasma processing system.
プラズマ処理システム内のプラズマの均一性を調整・制御する方法及びシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device which does not generate mode jump of a surface wave excitation plasma.
表面波励起プラズマのモードジャンプを生じさせないプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - The plasma processing chamber is a vacuum chamber with a device connected for generating and sustaining plasma.
プラズマ処理室は、プラズマを発生し維持するために接続される装置を持つ真空チャンバである。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD OF PLASMA DENSITY MEASUREMENT AND PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD BY USING IT
プラズマ密度計測装置および方法並びにこれを利用したプラズマ処理装置および方法 - 特許庁 - The plasma processing apparatus 10 has a vacuum chamber 12, a plasma source 14 and a electrode part 16.
プラズマ処理装置１０は、真空容器１２と、プラズマ源１４と、電極部１６とを有する。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING ARCING AT PORT EXPOSED TO PLASMA IN PLASMA PROCESSING CHAMBER
プラズマ処理チャンバでプラズマに露出されたポートでのアーク放電を防止する方法及び装置 - 特許庁 - To prevent discharge in a gas introducing path for plasma excitation, in a microwave plasma processing apparatus.
マイクロ波プラズマ処理装置において、プラズマ励起のためのガス導入経路での放電を防止する。 - 特許庁 - The plasma processing apparatus includes a reactor vessel 10 having a plasma source and a substrate holder 15.
プラズマ処理装置はプラズマ源と基板ホルダ１５を含む反応容器１０によって構成される。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus or the like for effectively suppressing pressure variations just after plasma inflammation.
プラズマ着火直後の圧力変動を効果的に抑止するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device capable of uniformly processing a substrate surface.
基板表面を均一に処理することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - RESIDUE MODIFICATION PROCESSING METHOD, PLASMA PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM
残渣改質処理方法、プラズマ処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 - 特許庁 - To provide a plasma processing device with a high plasma controllability that stably forms a surface wave plasma in a chamber.
プラズマの制御性が高く、チャンバー内で安定的に表面波プラズマを形成することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processor which can prevent generation of an abnormal plasma to realize stable plasma processing.
異常プラズマの発生を防止して、安定してプラズマを用いた処理を実施することが可能なプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁 - Compatibility between ensuring of uniformity of plasma distribution and prevention of gas inflow from the plasma processing space to the plasma producing spaces can be established.
プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れる。 - 特許庁 - PLASMA DENSITY INFORMATION MEASURING METHOD AND ITS EQUIPMENT, AND PROBE FOR PLASMA DENSITY INFORMATION MEASUREMENT, PLASMA PROCESSING METHOD AND ITS EQUIPMENT
プラズマ密度情報測定方法及びその装置並びにプラズマ密度情報測定用プローブ、プラズマ処理方法及びその装置 - 特許庁 - A plasma processing apparatus provides a first electrode in a processing container which can be depressurized, introduces a processing gas into the processing container to generate plasma by the power of high-frequency electrical power, and performs a desired plasma process to a processed body by the plasma.
プラズマ処理装置は、減圧可能な処理容器内に第１の電極を設け、前記処理容器内に処理ガスを導入して高周波電力のパワーによりプラズマを生成し、前記プラズマによって被処理体に所望のプラズマ処理を施す。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus, along with a method of controlling the same, for stabilizing wafer processing characteristics, by measuring the temperature of a plasma resistant wall material so as to carry out temperature control, even in such arrangement that the materials of the same quality are in a line without changing the plasma resistant wall material in a processing chamber of the plasma processing apparatus.
プラズマ処理装置の処理室内の耐プラズマ壁材を変えず、同材質が並ぶ配置のままでも耐プラズマ壁材温度を測定し温度制御を行ってウェハ処理特性を安定化するプラズマ処理装置及び制御方法とする。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method that can suppress an increase in manufacturing cost of the apparatus, can perform detailed control of a plasma processing state, and can improve in-plane uniformity of plasma processing.
装置の製造コストの増大を抑制することができるとともに、プラズマ処理状態の微細な制御を行うことができプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method and processing apparatus capable of remarkably decreasing an amount of foreign materials adhered to a wafer so as to improve the yield in plasma processing processes for manufacturing a semiconductor device.
半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。 - 特許庁 - This plasma processing device is provided with a plurality of microwave sources 52 and 54 for supplying microwaves having frequencies f1 and f2 different from each other to the processing vessel of this plasma processing device.
プラズマ処理装置の処理容器に互いに異なる周波数ｆ１，ｆ２のマイクロ波を供給する複数のマイクロ波源５２，５４を備えた。 - 特許庁 - To obtain a magnetron plasma processing apparatus and a processing method, where plasma can be uniformly formed in a processing space, even if a work substrate is large.
被処理基板が大型の場合にも処理空間に均一なプラズマを形成することができるマグネトロンプラズマ処理装置および処理方法を提供すること。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE USING PLASMA REACTOR PROCESSING SYSTEM
プラズマ反応炉処理システムを用いた電子装置の製造方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING DEVICE, EVALUATION METHOD AND CONTROL METHOD OF THE SAME
プラズマ処理装置とその評価方法及びその制御方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS, FAULT DETECTION APPARATUS, AND FAULT DETECTION METHOD
プラズマ処理装置、異常検出装置、及び異常検出方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PRODUCTION METHOD OF THIN FILM USING IT
プラズマ処理装置およびそれを用いた薄膜の製造方法 - 特許庁 - HIGH FREQUENCY APPLYING ELECTRODE AND PLASMA PROCESSING SYSTEM
高周波印加電極とこの電極を用いたプラズマプロセス装置 - 特許庁 - To obtain a plasma processing apparatus which can stabilize discharge.
放電の安定化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING DEVICE, GAS SUPPLY MEMBER, AND ITS PRODUCTION PROCESS
プラズマ処理装置とガス供給部材およびその製造方法 - 特許庁 - To facilitate the attaching/detaching operation of an electrode of a plasma processing apparatus.
プラズマ処理装置の電極の着脱操作を容易化する。 - 特許庁 - To improve uniformity of plasma processing on a substrate surface.
基板表面におけるプラズマ処理の均一性を向上させる。 - 特許庁 - ELECTRODE STRUCTURE, MOUNTING BASE STRUCTURE, PLASMA TREATMENT SYSTEM, AND PROCESSING UNIT
電極構造、載置台構造、プラズマ処理装置及び処理装置 - 特許庁 - INVERSE CORRECTION PROCESSING METHOD OF VIDEO INPUTTED TO PLASMA DISPLAY PANEL
プラズマディスプレイパネルに入力する映像の逆補正処理方法 - 特許庁 - WIDE AREA RADIO FREQUENCY PLASMA APPARATUS FOR PROCESSING MULTIPLE SUBSTRATES
複数の基材を処理するための広域高周波プラズマ装置 - 特許庁 - GRADATION DISPLAY PROCESSOR FOR PLASMA DISPLAY PANEL AND PROCESSING METHOD
プラズマディスプレイパネルの階調表示処理装置及び処理方法 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR IMPROVED PLASMA PROCESSING OF SUBSTRATE
基板の改良されたプラズマ処理のための装置および方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD AND APPARATUS FOR PARTICLES
粒状体に対するプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA DISPLAY DEVICE, AND IMAGE PROCESSING METHOD THEREOF
プラズマ表示装置およびプラズマ表示装置の画像処理方法 - 特許庁 - INDUCTION COUPLED ANTENNA, AND PLASMA PROCESSING DEVICE USING THE SAME
誘導結合型アンテナおよびこれを採用したプラズマ処理装置 - 特許庁 - POWER INTRODUCTION TERMINAL AND PLASMA PROCESSING DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME
電力導入端子およびそれを備えたプラズマ処理装置 - 特許庁 - PART FOR PLASMA PROCESSING DEVICE, METHOD FOR IDENTIFICATION DISPLAY IMPRINTING
プラズマ処理装置用部品及び識別表示の刻印方法 - 特許庁 - DISCHARGE PLASMA PROCESSING METHOD OF SHEET-LIKE BASE MATERIAL AND DEVICE THEREFOR
シート状基材の放電プラズマ処理方法及びその装置 - 特許庁 - ETCHING METHOD, CLEANING METHOD, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND MATCHING CIRCUIT
エッチング方法、クリーニング方法、プラズマ処理装置及び整合回路 - 特許庁 - GAP OCCURRENCE PREVENTION STRUCTURE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME
ギャップ発生防止構造及びこれを有するプラズマ処理装置 - 特許庁 - ADJUSTABLE CAPACITOR, PLASMA IMPEDANCE MATCHING DEVICE, AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
可変キャパシター、プラズマインピーダンスマッチング装置、及び基板処理装置 - 特許庁 - MICROWAVE INTRODUCTION APPARATUS AND SURFACE WAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS
マイクロ波導入装置および表面波励起プラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREBY
プラズマ処理装置およびそれを用いて作製した半導体装置 - 特許庁 - SYSTEM FOR PROCESSING A WAFER USING RADIALLY UNIFORM PLASMA OVER WAFER SURFACE
ウェハー表面径方向均一プラズマを用いるウェハー処理システム - 特許庁 - SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS HAVING REMOTE PLASMA SOURCE FOR SELF-CLEANING
セルフクリーニング用の遠隔プラズマソースを備えた半導体処理装置 - 特許庁
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