「plasma processing」を含む例文一覧(3220)
＜前へ 1 2 .... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 .... 64 65 次へ＞- In this plasma processing system, O2 concentration of the gas 8 is set at 0.8-2.0%.
プラズマ生成用ガス８のＯ_2濃度を０．８〜２．０％に設定する。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
プラズマ処理方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To prevent heavy metal contamination, inside a plasma processing chamber by to cleaning.
クリーニングによるプラズマ処理室内での重金属汚染を防止する。 - 特許庁 - COVER FIXTURE AND COVER FIXING DEVICE OF INDUCTION COUPLING PLASMA PROCESSING APPARATUS
誘導結合プラズマ処理装置のカバー固定具およびカバー固定装置 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING UNIT AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT
プラズマ処理装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - As the result of the oxygen plasma processing, the reaction product 14 is removed.
この酸素プラズマ処理の結果、反応生成物１４が除去される。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment apparatus capable of broadly and uniformly processing.
広範囲に、かつ均一に処理できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - Plasma processing is conducted to the joining surface 13a of the glass rid 13.
ガラスリッド１３の接合面１３ａにはプラズマ処理が施されている。 - 特許庁 - The raw material gas is introduced into a reaction chamber to generate plasma, and a substrate support part 1, on which a semiconductor substrate as the processing object is placed, is arranged within the reaction chamber in the plasma processing apparatus provided for the plasma processing.
反応室内に原料ガスを導入し、プラズマを発生させて、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、反応室の内部に、処理対象となる半導体基板が載置される基板支持部１を配置する。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
プラズマ処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - FOCUS RING, SUBSTRATE MOUNTING TABLE, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING SAME
フォーカスリング及び基板載置台、並びにそれらを備えたプラズマ処理装置 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PLASMA PROCESSING
プラズマ処理を含む基板材料及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which can obtain a plasma distribution meeting processing conditions with a high degree of freedom without restructuring a structure such as a slot and also perform plasma processing of a large-area substrate.
スロットなどの構造を作り変えることなく、高い自由度で、処理条件に応じたプラズマ分布を得ることが可能であって、大面積の基板に対するプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING METHOD AND APPARATUS, AND PROGRAM AND DATA STORING MEDIUM
プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、プログラムおよび情報記憶媒体 - 特許庁 - ELECTRODE FITTING METHOD, PLASMA PROCESSING DEVICE AND SPATTERING DEVICE
電極取り付け方法およびプラズマ処理装置ならびにスパッタリング装置 - 特許庁 - To provide a plasma processing device and focus ring capable of performing uniform plasma processing all over a substrate to be processed and improving uniformity of the plasma processing in the plane in comparison with the conventional devices.
被処理基板の全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことができ、従来に比べてプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びフォーカスリングを提供する。 - 特許庁 - To provide a member for a plasma processing apparatus that is excellently anticorrosive against plasma processing carried out by using halogen-based anticorrosive gas as a raw material.
ハロゲン系腐食性ガスを原料として行なわれるプラズマ処理に対して耐食性に優れたプラズマ処理装置用部材を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING DIELECTRIC MATERIAL WINDOW, DIELECTRIC MATERIAL WINDOW, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - COMPONENT DELIVERY MECHANISM, PLASMA REACTOR, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING METHOD
成分送給機構、プラズマリアクタ、及び、半導体基板を処理する方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PLASMA PROCESSING METHOD AND APPARATUS
半導体装置の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置 - 特許庁 - To improve the productivity and maintain uniformity of plasma processing, in a plasma processing apparatus provided with a plurality of shower electrodes.
複数のシャワー電極が設けられたプラズマ処理装置において、生産性を高めるとともに、プラズマ処理の均一性を維持できるようにする。 - 特許庁 - Disclosed is the plasma processing apparatus that processes the sample placed in a processing chamber in a vacuum container using plasma generated in the processing chamber, wherein the plasma processing apparatus includes an in-processing-chamber member which is disposed in the processing chamber to face the plasma and made of quartz containing 0.05 to 0.5% by weight of yttrium or 0.1 to 1% by weight of aluminum.
真空容器内の処理室内に配置された試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、この処理室内に配置されて前記プラズマに面しイットリウムを０.０５乃至０.５重量％またはアルミニウムを０.１乃至１重量％含む石英から構成された処理室内部材を備えた。 - 特許庁 - The silicon nitride film 23 is deposited by supplying a processing gas containing a silane gas, a nitrogen gas and a hydrogen gas to a processing vessel of a plasma deposition apparatus, exciting the processing gas to generate plasma while maintaining the temperature of the substrate inside the processing vessel at 100°C or lower and the pressure inside the processing vessel at 20-60 Pa, and applying plasma processing using the plasma.
シリコン窒化膜２３は、プラズマ成膜装置の処理容器内にシランガス、窒素ガス及び水素ガスを含む処理ガスを供給し、処理容器内の基板の温度を１００℃以下に維持し、且つ処理容器内の圧力を２０Ｐａ〜６０Ｐａに維持した状態で、処理ガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマ処理を行って成膜される。 - 特許庁 - The plasma processing apparatus 100 includes at least: a plasma processing chamber 101 for executing plasma processing to a semiconductor wafer W; a mounting base 102 for arranging the semiconductor wafer W in the plasma processing chamber 101; and a microwave generator 108 for generating plasma in the plasma processing chamber 101, wherein a device capable of intermittently supplying energy is used for the microwave generator 108.
半導体ウエハＷにプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室１０１と，半導体ウエハＷを，プラズマ処理室１０１内に配置するための載置台１０２と，該プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生装置１０８とを少なくとも含むプラズマ処理装置１００において，マイクロ波発生装置１０８に，断続的なエネルギー供給可能なもの使用している。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method and a plasma processing apparatus, wherein a film of good quality can be obtained by minimizing an impurity concentration of a thin film formed by a microwave plasma processing apparatus including a dielectric for introducing an electromagnetic wave into a processing chamber.
電磁波を処理室へ導入するための誘電体を備えたマイクロ波プラズマ処理装置において成膜された薄膜の不純物濃度を低く抑え、良質な膜を得ることが可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - A plasma processing apparatus includes a plasma generating mechanism (for example, a pair of opposing electrodes 11 and 12 and a high-frequency power source 2) for generating plasma by high frequency power.
高周波電力によってプラズマを発生させるプラズマ発生機構（例えば、一対の対向電極１１、１２及び高周波電源２）を備える。 - 特許庁 - In addition, a shaped member (66) between a substrate and the plasma source controls the plasma density in a prescribed fashion to enhance-plasma processing uniformity.
また、基板とプラズマ減との間に位置する形成部（６６）は、プラズマの密度を所定の形態で制御して，プラズマ処理の均一性が向上される。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus coping with variations in a plasma density generated by various causes and having high controllability over the variations in the plasma density.
種々の要因により発生した揺らぎについて対応でき、またプラズマ密度の揺らぎに対して高い制御性を持つプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - A gas introduction system 2 introduces gas into a plasma forming area in a processing chamber 1, and a plasma forming means 3 gives energy to form plasma P.
処理チャンバー１内のプラズマ形成領域にガス導入系２がガスを導入し、プラズマ形成手段３がエネルギーを与えてプラズマＰを形成する。 - 特許庁 - To improve uniformity and yield of a plasma process by enabling easy and free control of plasma density distribution in a capacitive coupling plasma processing apparatus.
容量結合型のプラズマ処理装置においてプラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させること。 - 特許庁 - To provide plasma processing technology which can generate large-area plasma in high reproducibility and therefore can use inexpensive plasma source applicable for wide application.
大面積のプラズマを再現性良く生成することができ、これにより幅広い用途に適用可能な安価なプラズマソースを用いたプラズマ処理技術を提供する。 - 特許庁 - To solve a matter that the electric energy being fed to plasma increases because a high voltage must be applied between the electrodes in order to generate and sustain uniform plasma between the electrodes at a second plasma processing step when a first plasma processing step and the second plasma processing step of higher discharge start voltage are performed in the same plasma reaction chamber.
第１のプラズマ処理工程とその工程より放電開始電圧が高い第２のプラズマ処理工程を同一プラズマ反応室内において行う場合に、第２のプラズマ処理工程において均一なプラズマを電極間に発生および維持させるためには、電極間に高電圧を印加する必要があり、プラズマへの投入電力量が大きくなる。 - 特許庁 - To provide a microwave plasma generator for a plasma processing device and an ion beam processing device which perform various processes using plasma in the field of semiconductor processing, enabled to stably generate a uniform plasma having big area for long period at low gas pressure.
半導体プロセッシングの分野において、プラズマを用いて各種の加工を行なうプラズマ加工装置およびイオンビーム加工装置において、低ガス圧で、均一、大面積のプラズマを長時間安定に発生さすことを可能とするマイクロ波プラズマ生成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method enhancing plasma processing characteristics, reproducibility of the plasma processing characteristics, and reducing plasma processing cost by stably achieving matching adjustment of high frequency power in the plasma processing method for processing a workpiece set in a reaction vessel by introducing a plurality of high frequency powers having different frequencies into the reaction vessel and decomposing raw gas in the reaction vessel, and to provide a plasma processing apparatus.
周波数の異なる複数の高周波電力を反応容器中に導入し、前記反応容器中で原料ガスを分解することにより、前記反応容器中に設置した被処理物に処理を施すプラズマ処理方法において、高周波電力のマッチング調整が安定して達成され、その結果、プラズマ処理特性の向上、プラズマ処理特性の再現性向上、更にはプラズマ処理コストの低減が可能なプラズマ処理方法、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a low cost plasma processing device that is excellent in starting with steady lighting of plasma and capable of reducing the time and trouble of maintenance, and further that enables to start plasma processing immediately after the plasma lighting.
プラズマの点灯が確実に行えて始動が良好であり、またメンテナンスにかかる手間を少なくすることができ、さらにプラズマ点灯後に直ぐにプラズマ処理を開始することができる安価なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - Further, the apparatus A comprises a plasma region increasing/reducing means 21 for increasing or reducing a plasma region formed in the processing chamber, and cleaning means 23 and 28 for performing plasma cleaning in the processing chamber by using plasma of the plasma region which has been increased or reduced by the plasma region increasing/reducing means 21.
そして、処理室の内部に形成されるプラズマ領域を増大又は減少させるプラズマ領域増減手段２１と、プラズマ領域増減手段２１により増大又は減少されたプラズマ領域のプラズマにより、処理室の内部をプラズマクリーニングするクリーニング手段２３，２８とを備えている。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING APPARATUS AND MEASURING METHOD FOR HIGH-FREQUENCY CHARACTERISTICS THEREOF
プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の高周波特性測定方法 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which continuously forms a barrier film to a workpiece.
ワークに連続的にバリア膜を形成するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a high voltage plasma generator of which NO_x processing efficiency is high.
ＮＯ_ｘの処理効率が高い高電圧プラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁 - These adjustments need no plasma processing and the like for the processed object etc.
この調整の際には、被処理物等をプラズマ処理等する必要がない。 - 特許庁 - SURFACE LAYER DETECTING APPARATUS, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND SURFACE LAYER DETECTING METHOD
表面層検出装置、プラズマ処理装置および表面層検出方法 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of suppressing an abnormal discharge.
異常放電を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an inductively-coupled plasma processing apparatus having improved uniformity.
均一性の向上した誘導結合型プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a highly reliable plasma processing apparatus having stable sealing performance.
シール性能が安定して信頼性の高いプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus improved in the cooling efficiency of substrates or the like.
プラズマ処理装置において、基板の冷却効率の向上等を図る。 - 特許庁 - The proposed analytical method can be performed in-situ, immediately after plasma processing.
提案した分析方法は、プラズマ処理の直後、その場(in situ)で実施できる。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE AND LIQUID CRYSTAL MANUFACTURE DEVICE
プラズマ処理装置及び半導体製造装置並びに液晶製造装置 - 特許庁 - To provide a processing device with improved shield electrodes of a plasma generator.
プラズマ発生装置のシールド電極を改良した処理装置を提供する。 - 特許庁 - The induction coupled plasma processing chamber has a chamber having an upper wall.
誘導結合型プラズマ処理チャンバは、上壁を有するチャンバを備えている。 - 特許庁 - To perform plasma processing of a wafer efficiently by cooling the wafer uniformly.
ウエハを均一に冷却することにより、ウエハを効率的にプラズマ処理する。 - 特許庁
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