「refresh」を含む例文一覧(1813)

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  • To improve a data transfer rate at the time of reading a semiconductor memory generating refresh request inside it.
    リフレッシュ要求を内部で発生する半導体メモリの読み出し動作時のデータ転送レートを向上する。 - 特許庁
  • To refresh a memory without lowering the access efficiency while minimizing an increase of the circuit scale.
    回路規模の増加を最小限に抑えて、アクセス効率を低下させることなくリフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁
  • CONTROL SYSTEM FOR UNMANNED TRAVELING VEHICLE MOUNTED WITH BATTERY AND AUTOMATIC REFRESH CHARGING/DISCHARGING CONTROL METHOD FOR ITS BATTERY
    バッテリを搭載した無人走行車の制御システム及びバッテリの自動リフレッシュ充放電制御方法 - 特許庁
  • The arbitration part 14 instructs a second selection part 32 on initialization and refresh timing.
    調停部１４は第２の選択部３２を指示して初期設定の指示とリフレッシュのタイミングの指示を行う。 - 特許庁
  • To provide a circuit updating temperature information in accordance with a refresh period in a semiconductor element.
    半導体素子においてリフレッシュ周期に応じて温度情報を更新する回路を提供すること。 - 特許庁
  • (iii) when there is a need to refresh the witness's memory with regard to a matter on which his/her memory is unclear;
    三　証人の記憶が明らかでない事項についてその記憶を喚起するため必要があるとき。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • To provide a SDRAM refresh circuit in which a resource of a logic emulator is prevented to consume wastefully.
    論理エミュレータのリソースを無駄に消費することを防止し得るＳＤＲＡＭリフレッシュ回路を提供する。 - 特許庁
  • ADJACENT-TRACK-ERASURE (ATE) REFRESH WITH INCREASED TRACK RESOLUTION FOR OFTEN-WRITTEN AREA
    書き込みの多い領域に対するトラック分解能の増加を伴う隣接トラック消去（ＡＴＥ）リフレッシュ - 特許庁
  • At this point, a command issuing means issues a command of closing the page and then issues a refresh command.
    このときコマンド発行手段は該ページをクローズするコマンドを発行した後リフレッシュコマンドを発行する。 - 特許庁
  • This time-up signal 6 is generated at all the time in spite of the refresh mode and outputted to an outside of the DRAM 1.
    このタイムアップ信号６を、リフレッシュモードに関わらず常時生成し、ＤＲＡＭ１外部に出力する。 - 特許庁
  • Thereby, a leak path of a circuit system relating to refresh-operation is cut off, this leak current is reduced.
    これにより、リフレッシュ動作に関与する回路系のリーク経路を遮断し、このリーク電流を低減する。 - 特許庁
  • The refresh control means rewrites the image information of all pixels including the image information of the pixels which has changed immediately without waiting for the lapse of the refresh time when a change is detected by an image information change detecting means, and determines the point in time of the rewrite so as to make it the start point of the next refresh time.
    このリフレッシュ制御手段は、前記画像情報変化検出手段による変化検出があった場合には、前記リフレッシュ時間の経過を持つことなく直ちに当該変化した画素の画像情報を含め、全画素の画像情報を書き換えるとともに、この書き換え時点を次回のリフレッシュ時間の開始点とする。 - 特許庁
  • In this method, a plurality of system statuses are monitored (202), a change in at least one of the monitored system statuses is detected (204), an optimum refresh rate in the current status of the computer system is determined in response to the detection (302), and the determined optimum refresh rate is set as a refresh rate (302).
    この方法は、複数のシステム状態を監視し（２０２）、監視したシステム状態のうちの少なくとも１つにおける変化を検出し（２０４）、検出に応じてコンピュータシステムの現在の状態における最適リフレッシュレートを判定し（３０２）、リフレッシュレートをその判定された最適リフレッシュレートに設定すること（３０２）からなる。 - 特許庁
  • When the data in the RFID memory 40 cannot be recognized, a T/C in a developing device 16 is set to be smaller than a reference value, and the number of times of developer refresh operations, the number of drum refresh operations and the number of transfer refresh operations are set to be larger than the normal number of times (reference execution number of times).
    ＲＦＩＤメモリ４０内のデータが認識不可能である場合は、現像装置１６内のＴ／Ｃを基準値よりも小さく設定するとともに、現像剤リフレッシュ動作、ドラムリフレッシュ動作、転写リフレッシュ動作の回数を通常の回数（基準実行回数）よりも多く設定する。 - 特許庁
  • An accumulator state management part and an accumulator refresh program creation part are arranged at an operation program creation device.
    運転計画作成装置に蓄電池状態管理部と蓄電池リフレッシュ計画作成部を設ける。 - 特許庁
  • Thereby, self-refresh for a block requiring no refreshing is prevented, and current consumption is reduced.
    これにより、リフレッシュが不要なブロックに対するセルフリフレッシュが回避され、消費電流が低減される。 - 特許庁
  • The control means performs display control of the display means with a refresh rate changed by the change means.
    制御手段は、変更手段で変更されたリフレッシュレートで、表示手段の表示制御を行う。 - 特許庁
  • CIRCUIT AND METHOD FOR REFRESHING INTEGRATED CIRCUIT MEMORY, AND REFRESH CIRCUIT FOR INTEGRATED CIRCUIT MEMORY
    集積回路メモリをリフレッシュするための回路および方法、ならびに集積回路メモリのためのリフレッシュ回路 - 特許庁
  • To provide the refresh method of a NAND type flash memory device which does not apply an excessive load to the controller of the device.
    デバイスのコントローラに過大な負荷を掛ることのない、NAND型フラッシュメモリデバイスのリフレッシュ方法の提供。 - 特許庁
  • Data is passed in the background, and can be automatically loaded into the page without requiring a page refresh.
    データはバックグラウンドで送信され、ページを再表示しないで自動的にページに読み込むことができます。 - NetBeans
  • To make the property appear, right-click in the Visual Designer and choose Refresh from the pop-up menu.
    プロパティーを表示するには、ビジュアルデザイナ内を右クリックし、ポップアップメニューから「再表示」を選択します。 - NetBeans
  • To verify changes, right-click the contact connection node in the Database Explorer and choose Refresh.
    変更内容を確認するには、データベースエクスプローラで「contact」接続ノードを右クリックし、「再表示」を選択します。 - NetBeans
  • The simultaneous accessing from the microcomputer 20 to the SDRAM 30 and the refresh operation do not simultaneously occur.
    このため、マイコン２０からＳＤＲＡＭ３０へのアクセスと、リフレッシュ動作が同時に発生することはない。 - 特許庁
  • To constitute a refresh cycle as advantageously as possible regarding a required energy demand in a semiconductor memory.
    半導体メモリ装置で、所要のエネルギ需要に関してリフレッシュサイクルをできる限り有利に構成すること。 - 特許庁
  • When there are many macro blocks selected to be refresh objects, the number of refreshed macro blocks in one frame is increased.
    リフレッシュ対象となったマクロブロックが多いときは１フレーム内にリフレッシュするマクロブロック数を増やす。 - 特許庁
  • Lastly, after completing the writing, the synchronous-type DRAM device is set from the refresh mode into the normal mode.
    最後に、書込みが完了たし後に、同期型ＤＲＡＭ装置はリフレッシュモードからノーマルモードに設定される。 - 特許庁
  • Thereby, only if the processor fetches the sleep command, the semiconductor memory can be shifted into the self refresh mode.
    このため、プロセッサがスリープ命令を取り込むだけで、半導体メモリをセルフリフレッシュモードに移行できる。 - 特許庁
  • To improve processing capability of a processing device comprising a memory system by improving refresh-operation.
    リフレッシュ動作を改善することにより、メモリシステムを含む処理装置の処理能力を向上させる。 - 特許庁
  • Moreover, the contents of the skipped pixels are held in the contents of the frame immediately before the frame in which the refresh has occurred.
    さらに、スキップされた画素を、書換の発生したフレームの直前フレームの内容に保持させる。 - 特許庁
  • The dynamic memory is required to perform a refresh operation in a fixed cycle even at the time of the power down mode.
    ダイナミックメモリは、パワーダウンモード時においても一定の周期でリフレッシュ動作を行う必要がある。 - 特許庁
  • Consequently, a refresh characteristic is improved and then the occurrence of the punch through between the source and the drain region is prevented.
    従って、リフレッシュ特性を改善し、ソース／ドレーン間のパンチスルー発生を防止することができる。 - 特許庁
  • In one embodiment, the voltage control system and the method are performed by a DRAM circuit at refresh-operation.
    一実施形態では、電圧制御システムおよび方法は、リフレッシュ動作時のＤＲＡＭ回路で実施される。 - 特許庁
  • The dual-port memory includes a method for hiding refresh and a method for increasing operating speed.
    この発明のデュアルポートメモリは、リフレッシュを隠すための方法と動作速度を上げるための方法とを含む。 - 特許庁
  • For the memory macro 1, a dynamic memory having an access port and a refresh port is used.
    ここで、メモリマクロ１としては、アクセス用ポート及びリフレッシュ用ポートを含むダイナミック型メモリが使用されている。 - 特許庁
  • The semiconductor storage device is equipped with the refresh function for holding data stored in a memory cell.
    メモリーセルに記憶されたデーターを保持するためのリフレッシュ機能を備えた半導体記憶装置である。 - 特許庁
  • To accelerate I/O refresh processing and software processing inside a master CPU unit including a ring master.
    リングマスタを含むマスタＣＰＵユニット内部のＩ／Ｏリフレッシュ処理、およびソフトウェア処理を高速化する。 - 特許庁
  • A refresh counter sequentially outputs count values C0 to C13 corresponding to the refreshing target word lines.
    リフレッシュカウンタは、リフレッシュ対象のワード線に対応するカウント値Ｃ０〜Ｃ１３を順次出力する。 - 特許庁
  • To unnecessitate supplying refresh-operation to a DRAM cell from the outside of a DRAM circuit section.
    ＤＲＡＭセルに対するリフレッシュ動作を、ＤＲＡＭ回路部の外部から供給する必要がないようにする。 - 特許庁
  • To reduce power consumption by selecting simultaneously a plurality of word lines and performing self-refresh.
    複数のワード線を同時に選択してセルフリフレッシュを行うことで消費電力の低減を可能にする。 - 特許庁
  • To provide a control method of a semiconductor memory device capable of performing efficient refresh processing.
    効率の良いリフレッシュ処理を行うことが可能な半導体記憶装置の制御方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a refresh control method in a multiport DRAM and a multiport memory system using its method.
    マルチポートＤＲＡＭでのリフレッシュ制御方法及びその方法を利用するマルチポートメモリシステムを提供する。 - 特許庁
  • To verify changes, right-click the MyNewDatabase connection node in the Runtime window and choose Refresh.
    変更内容を確認するには、「実行時」ウィンドウで「MyNewDatabse」接続ノードを右クリックし、「再表示」を選択します。 - NetBeans
  • To provide an on-chip temperature sensor, a temperature detection method, and a refresh control method using this.
    オンチップ温度センサ及び温度検出方法、そしてこれを用いたリフレッシュ制御方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device in which whether to perform a refresh operation can be specified in more detail.
    リフレッシュ動作の有無をより細かく指定することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • The refresh address management is simplified sharply by inserting a row address counter incorporated in each array.
    リフレッシュ・アドレス管理は、各アレイ内に組み込まれた行アドレス・カウンタの挿入により、大幅に簡略化される。 - 特許庁
  • To improve the refresh characteristic without increase of a sense current and without any delay of sense operation.
    センス電流を増加させることなくかつセンス動作を遅延させることなくリフレッシュ特性を改善する。 - 特許庁
  • The number of simultaneous activities at the refresh of a memory cell array is kept as it is by setting an internal test mode, and at the refresh operation of a DRAM, the operation is carried out by an externally inputting address signal not an internally generating address signal.
    内部のテストモードを設定することで、メモリセルアレイのリフレッシュ時の同時活性数をそのままで、ＤＲＡＭのリフレッシュ動作時には、内部発生アドレス信号ではなく外部入力アドレス信号によって動作を行う。 - 特許庁
  • When a refresh occurs during reading and scanning of the memory 120, a display controller 130 skips the reading of the grayscale data corresponding to rows subsequent to the row that is read and scanned when the refresh occurs.
    表示メモリ１２０の読出走査の途中で、書換が発生したとき、ディスプレイコントローラ１３０は、書換が発生したときに読出走査していた行の次行以降に相当する階調データの読出をスキップさせる。 - 特許庁
  • The core control circuit sets the number of memory cells, to which the refresh operation is performed, in response to the external refreshment request more than the number of memory cells, to which the refresh operation is performed, in response to the internal refreshment request.
    コア制御回路は、外部リフレッシュ要求に応答してリフレッシュ動作が実行されるメモリセルの数を、内部リフレッシュ要求に応答してリフレッシュ動作が実行されるメモリセルの数より多く設定する。 - 特許庁
  • If a refresh has occurred during a reading and scanning operation of the display memory 120, a display controller 130 skips the reading operation of the grayscale data corresponding to rows subsequent to the row which was being read and scanned when the refresh occurred.
    表示メモリ１２０の読出走査の途中で、書換が発生したとき、ディスプレイコントローラ１３０は、書換が発生したときに読出走査していた行の次行以降に相当する階調データの読出をスキップさせる。 - 特許庁
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