「refresh」を含む例文一覧(1813)

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  • The semiconductor device specifies whether to perform a refresh operation not only by memory bank but also by segment in the memory bank, and thus it can further reduce the power consumption than in the conventional partial refresh.
    本発明によれば、メモリバンク単位だけでなく、メモリバンク内のセグメント単位でリフレッシュ動作の有無を指定できることから、従来のパーシャルリフレッシュよりもさらに消費電力を低減することが可能となる。 - 特許庁
  • A self refresh control circuit 11 is constituted with an OSC control circuit 16, an oscillation circuit 17, a cycle counter 18, a request generation circuit 19, and controls a refresh cycle based on an oscillation signal for the oscillation circuit 17.
    セルフリフレッシュ制御回路11は、OSC制御回路16、発振回路17、周期カウンタ18、リクエスト発生回路19とを備え、発振回路17の発振信号に基づいてリフレッシュの周期を制御する。 - 特許庁
  • The frequency of external refreshment request, required to refresh all the memory cells, can be reduced by increasing relatively the number of memory cells which perform refresh operation responding to one external refreshment request.
    1回の外部リフレッシュ要求に応答してリフレッシュ動作を実行するメモリセルの数を相対的に増やすことで、全てのメモリセルをリフレッシュさせるために必要な外部リフレッシュ要求の回数を減らすことができる。 - 特許庁
  • After performing printing, the refresh mode and the measurement of the total performance time T are restarted, and the refresh mode is finished when the total performance time T achieves reference performance time T0 set in advance.
    そして、印刷実行後にリフレッシュモード及び総実行時間Tの計測が再開され、総実行時間Tが予め設定された基準実行時間T0に到達した場合はリフレッシュモードを終了する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory in which the number of instruction words can be decreased, conforming to a form of burst using a burst refresh system and electric power at refresh operation can be thereby reduced.
    バーストリフレッシュ方式を用いてバーストの形に従い命令語の個数を減少させることができ、それによりリフレッシュ動作時の電力を減少させるリフレッシュプログラムが可能な半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • In such a process, if required, a memory controller changes automatic refresh bank order, while the automatic refresh operation is executed on arbitrary memory banks, a read and write operation are enabled in other memory banks.
    このような過程は、必要な場合、メモリ制御器が自動リフレッシュバンク順序を変更できるようにし、自動リフレッシュ動作が任意のメモリバンクで実行されると共に、他のメモリバンクではリードとライト動作を可能とする。 - 特許庁
  • When a refresh number recorded in the recording device 16 (#a) is equal to or less than the refresh number recorded in the recording device 16 (#b), the recording device 16 (#b) can back up and can locally merge the content recorded in the recording device 16 (#a) into the recording medium.
    記録装置16(#a)に記録されたリフレッシュナンバーが、記録装置16(#b)に記録されたリフレッシュナンバー以下であれば、記録装置16(#b)は、記録装置16(#a)に記録されたコンテンツを記録媒体にバックアップしローカルマージできる。 - 特許庁
  • The host processor 31 includes a refresh operation determining unit 32 for determining whether or not the refreshing operation is possible, and a permission signal sending unit 33 for sending a refresh permission signal if the refreshing operation is determined to be possible.
    ホストプロセッサ31は、リフレッシュ動作の可否を判断するリフレッシュ動作判断部32と、リフレッシュ動作が可能であると判断された場合にリフレッシュ許可信号を送信する許可信号送信部33とを備える。 - 特許庁
  • In a storage part 12, refresh information 121 for specifying time (refresh time) for applying the voltage to attenuate the white streak generation strength from the temperature, the humidity and the continuous contact time is stored.
    また、記憶部12には、温度と、湿度と、連続接触時間とから、白筋発生強度を減衰させるために電圧を印加する時間(リフレッシュ時間)を特定するためのリフレッシュ情報121が記憶されている。 - 特許庁
  • Also, after refreshing is completed responding to the refresh- instruction, bus efficiency is further improved by performing automatically operation activating the bank of which refresh is completed by the semiconductor memory.
    また、リフレッシュ命令に応答してリフレッシュが完了した後に、半導体メモリ装置がそのリフレッシュ完了したバンクを活性化させる動作をも自動的に行うことによって、バス効率をさらに向上させうる。 - 特許庁
  • When a main block address MRAD held in a main refresh-address counter MRAC coincides with an access block address BAD corresponding to an access request, counter values are transmitted to a sub-refresh address counter SRAC.
    メインリフレッシュアドレスカウンタMRACに保持されているメインブロックアドレスMRADがアクセス要求に対応するアクセスブロックアドレスBADに一致するときに、カウンタ値は、サブリフレッシュアドレスカウンタSRACに転送される。 - 特許庁
  • When idle state is detected for a certain period, a self-refresh mode is started, a clock frequency is lowered, and the clock frequency is lowered, by getting it out of the self-refresh mode to come into a mode for lowering the power consumption.
    一定期間アイドル状態が検出された場合、セルフリフレッシュモードに入り、クロック周波数を低く変更し、セルフリフレッシュモードを抜けることでクロック周波数を低く変化させ、消費電力を低くするモードとする。 - 特許庁
  • To provide a memory system simplifying a management and capable of performing a refresh operation to only a necessary part when storing temporarily using data in a buffer memory in need of the refresh operation, and to provide a buffer memory control method and a program.
    一時的に使用するデータをリフレッシュ動作の必要なバッファメモリに格納するとき、管理が簡単で必要な箇所にのみリフレッシュ動作を可能とするメモリシステム、バッファメモリ制御方法およびプログラムを得る。 - 特許庁
  • Centralized control is applied to a refresh control signal input from the refresh control circuit to the plurality of memories and a clock signal, consequently a circuit area is reduced and the operation timing of the memories is dispersed.
    このリフレッシュ制御回路より複数のメモリに入力されるリフレッシュ制御信号およびクロック信号を集中制御することで回路面積を縮小し、また各メモリの動作タイミングを分散させる。 - 特許庁
  • When normal access is executed in the state that the refresh request signals are activated, in an internal ROW system control circuit 124, a composite internal RAS 34 is generated by using internal refresh signals or the like.
    リフレッシュ要求信号が活性化された状態で通常アクセスが実行されると、内部ROW系制御回路124において、内部リフレッシュ信号などを用いて、合成内部RAS34が生成される。 - 特許庁
  • An instruction decoder 38 decodes a signal from an instruction buffer 36 and when the semiconductor memory cell reaches an automatic refresh mode, an automatic refresh signal aref of a prescribed level is sent to an input buffer generator 34 and a low active generator 40.
    命令デコーダ38は、命令バッファ36からの信号をデコードし、半導体メモリ素子が自動リフレッシュモードに達すると、所定レベルの自動リフレッシュ信号arefを入力バッファジェネレータ34とローアクティブジェネレータ40に送る。 - 特許庁
  • A row of normal cell array block BLK1 to BLK 16 is selected by 13-bit row address RA1 to RA13 corresponding to respective refresh cycles of 8K cycle, and refresh operation of the selected row is carried out sequentially.
    ノーマルセルアレイブロックBLK1〜BLK16はそれぞれ8Kサイクルのリフレッシュ周期に対応する13ビットのロウアドレスRA1〜RA13により行選択がなされ、選択された行のリフレッシュ動作が順次行われる。 - 特許庁
  • To provide an interface circuit, a memory system, and an access control method without need of considering execution timing of a refresh operation in performing continuous access to the same block of a storage device whose refresh is necessary.
    リフレッシュが必要な記憶装置の同一ブロックに対して連続アクセスを行う際、リフレッシュ動作の実行タイミングを考慮する必要のない、インターフェース回路、メモリシステム、およびアクセス制御方法を提供すること。 - 特許庁
  • The refresh counter control circuit 350 stops refresh access for a corresponding block when an address of the increment counter 360 or an address the decrement counter 370 and an external access block address are coincident.
    前記リフレッシュカウンタ制御回路350は、前記インクリメントカウンタ360のアドレス又は前記デクリメントカウンタ370のアドレスと、外部アクセスブロックアドレスとが一致する場合には、対応するブロックへのリフレッシュアクセスを停止する。 - 特許庁
  • In the image forming apparatus having a refresh process of discharging residual toner in a developing device 11 out of the developing device 11, the refresh process is executed after fresh toner is replenished into the developing device 11.
    現像器11内の残留トナーが現像器11から排出されるリフレッシュ工程を有する画像形成装置において、リフレッシュ工程を、現像器11内に未使用トナーが補給されてから実行する。 - 特許庁
  • The semiconductor memory device executes refresh to word lines sequentially corresponding to the row address designated by the value of a refresh counter under normal operation.
    本発明の半導体記憶装置は、通常動作時に所定の間隔でリフレッシュ要求を受けたとき、リフレッシュカウンタ15のカウント値により示される行アドレスに対応するワード線を対象として順次リフレッシュを実行する。 - 特許庁
  • A refresh control circuit changes the value of the cycle control signal to shorten the cycle of generating refresh request signals, and maintains the value of the cycle control signal when the chip temperature drops.
    リフレッシュ制御回路は、検出信号を受ける毎に、リフレッシュ要求信号の生成周期を短くするために周期制御信号の値を変更し、チップ温度が低下したときに周期制御信号の値を維持する。 - 特許庁
  • To provide an interface circuit and method which controls a pseudo SRAM, the interface circuit performing refresh operation without being supplied with a refresh command from the outside.
    本発明は、擬似SRAMを制御するインターフェース回路において、リフレッシュコマンドを外部から供給しなくてもリフレッシュ動作を可能とするインターフェース回路およびインターフェース方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A video BIOS 55 includes a reference table for registering information wherein a refresh rate of reduced noise interference for the radio module selected from among the plurality of refresh rates is associated with each of the plurality of channels.
    ビデオBIOS55は、複数のリフレッシュ・レートの中から選択した無線モジュールに対するノイズ干渉の少ないリフレッシュ・レートを複数のチャネルのそれぞれに対して関連づけた情報を登録する参照テーブルを含む。 - 特許庁
  • The refresh suppression register 72 is set previously to 'on' or 'off', by the control signal generating part 13a when it is set to 'on', the register 72 suppresses an inputted refresh signal, and does not output it to the memory bank 55.
    リフレッシュ抑止レジスタ72は、制御信号発生部13aより予めオンまたはオフに設定され、オンに設定されているとき、入力されたリフレッシュ信号を抑止して、メモリバンク55に出力しない。 - 特許庁
  • To provide a robot deterioration diagnostic device capable of determining presence/absence of deterioration in a robot driving system even when characteristic data given in refresh operation in the past are different from that given in refresh operation in the present.
    過去に再生運転したときと現在再生運転したときとで特性データに違いがあった場合にも、ロボット駆動系の劣化の有無を判断することが可能なロボット劣化診断装置を提供する。 - 特許庁
  • Refreshing ink liquid drops ejected during refresh ejection mode are deflected and collected by a recovery means.
    リフレッシュ吐出モード中に吐出されたリフレッシュ用インク液滴は偏向されて回収手段により回収される。 - 特許庁
  • For all bit refresh of a normal region, the pass switch 2-0 is opened, the pass switch 2-1, 2-2 are closed and they are used.
    ノーマル領域の全ビットリフレッシュにはパススイッチ2−0を開き、パススイッチ2−1、−2を閉じて使用する。 - 特許庁
  • To provide a method for setting a DRAM to a self-refresh state without depending on software in power shutoff, or the like.
    電源遮断などのときにソフトウェアに依存せずにDRAMをセルフリフレッシュ状態にする方法を提供する。 - 特許庁
  • The refresh pulses may be superposed on the normal driving pulses at regular intervals as shown in (b).
    また、このリフレッシュパルスは図5(b)のように、所定周期で通常の駆動パルスに重畳されたものでも良い。 - 特許庁
  • Accordingly, the LED will be lit more frequently and perform prescribed brightness with a higher refresh rate.
    これによってLEDの点滅回数が高められ、高いリフレッシュレートによって所定の輝度が表現される。 - 特許庁
  • To provide an apparatus performing appropriately refresh of a memory cell having different data holding time by suppressing increase of noise in sensing.
    センス時のノイズの増大を抑止し、データ保持時間の異なるメモリセルのリフレッシュを適格に行う装置の提供。 - 特許庁
  • To reduce current consumption and to hold stably stored data, in the case of self-refresh mode in which data are held.
    データ保持を行なうセルフリフレッシュモード時において消費電流を低減しかつ安定に記憶データを保持する。 - 特許庁
  • At the time, after memory output coincides with the refresh-data, additional write-in of the prescribed number of times is performed (M times, M≥1).
    この時、メモリ出力がリフレッシュデータを一致した後、所定の回数(M回、M≧1)の追加書き込みを行う。 - 特許庁
  • IMAGE DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY SYSTEM, IMAGE OUTPUT EQUIPMENT AND METHOD FOR SETTING REFRESH RATE OF IMAGE DISPLAY DEVICE
    画像表示装置、画像表示システム、画像出力機器、及び画像表示装置のリフレッシュレート設定方法 - 特許庁
  • A DRAM 10 is equipped with the power down mode to suspend the refresh operation for the memory holding while the internal current is kept active.
    DRAM10は、内部電源を活性化しつつ、記憶保持のためのリフレッシュを停止するパワーダウンモードを備える。 - 特許庁
  • To provide technology for shortening a time required for deciding a memory refresh frequency for a dynamic random access memory.
    ダイナミックランダムアクセスメモリに対するメモリリフレッシュ周波数を決定する時間を減少させた技術を提供する。 - 特許庁
  • A refresh block counter is composed of counters of two systems of an increment counter 360 and a decrement counter 370.
    リフレッシュブロックカウンタがインクリメントカウンタ360及びデクリメントカウンタ370の2系統のカウンタによって構成される。 - 特許庁
  • The ion generator 10 generates plus ions and minus ions in a clean mode and generates minus ions in a refresh mode.
    イオン発生装置10はクリーンモード時にプラスイオンとマイナスイオンを発生し、リフレッシュモード時にマイナスイオンを発生する。 - 特許庁
  • Therefore, the refresh rate can be raised efficiently without changing the bandwidth for inputting data.
    従って、データを入力するための帯域幅を変えることなくリフレッシュレートを効率的に上げることが出来る。 - 特許庁
  • A memory cell array is refreshed based on the external signal supplied through terminals and the refresh information.
    メモリセルアレイは、端子を介して供給される外部信号とリフレッシュ情報とに基づいて、リフレッシュが行われる。 - 特許庁
  • To surely suppress the degradation of image quality when driving a liquid crystal display device at a high refresh rate.
    液晶表示装置を高いリフレッシュレートで駆動させる場合の画質の劣化をより確実に抑制すること。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory having an error correction func tion in refresh operation.
    本発明は、リフレッシュ動作時のエラー訂正機能を有する半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device capable of satisfactorily refreshing a memory cell while having a small refresh busy rate.
    リフレッシュビジーレイトが小さく、メモリセルを充分にリフレッシュすることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a technique capable of reducing power consumption caused by a refresh operation of a semiconductor memory device.
    半導体メモリ装置のリフレッシュ動作に起因する消費電力を低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁
  • The microcomputer 19 causes the battery 6 of the automated tool 2 to be charged and discharged twice through the operation of the refresh button 25.
    リフレッシュボタン25の操作でマイクロコンピュータ19により電動工具2のバッテリ6を2回充放電させる。 - 特許庁
  • To provide a charge control method and controller capable of performing refresh charge control appropriately.
    適切にリフレッシュ充電制御を行うことができるバッテリの充電制御方法および装置を提供すること。 - 特許庁
  • The semiconductor memory device which minimizes the refresh current consumption and the driving method therefor are presented.
    リフレッシュ電流消耗を最小化する半導体メモリ装置及びこれに対する駆動方法が掲示される。 - 特許庁
  • He then moved to Fujikawa Town, Ihara County, Shizuoka Prefecture, but returned to Kyoto since he decided to refresh his career from scratch.
    その後静岡県庵原郡富士川町に移り住むも、初めからやり直すことを決心し、京都に戻る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To reduce power consumption during standby by reducing the fundamental frequency of a self refresh oscillator.
    セルフリフレッシュ発振器の基本周波数の低減することによって、待機時の電力消費量を低減する。 - 特許庁
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