「refresh」を含む例文一覧(1813)

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  • The desktop space image can refresh a user's recollection about the target file, and hence allows the user to narrow down the scope of search.
    デスクトップ空間画像によりターゲット・ファイルに対するユーザの既視感が再現され検索範囲を絞り込むことができる。 - 特許庁
  • Furthermore, the number of resets performed for the control device 110 after a preceding refresh operation is executed for the block, is determined.
    さらに、そのブロックに対して先のリフレッシュ操作が実行されてからの制御装置１１０のリセット回数が決定される。 - 特許庁
  • To improve the refresh characteristic and the manufacturing yield of a twin cell DRAM wherein one bit data are stored in two DRAM cells.
    １ビットのデータを２つのＤＲＡＭセルで記憶するツインセルＤＲＡＭのリフレッシュ特性改善および製造歩留り改善を図る。 - 特許庁
  • To provide a memory system for enhancing the availability of a semiconductor memory unit, and to provide a refresh method for the semiconductor memory unit.
    半導体メモリ装置の利用効率を高めるメモリシステム及び前記半導体メモリ装置のリフレッシュ方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device which can vary the number of banks to be refreshed in executing the refresh and its operation method.
    リフレッシュの実行時に、リフレッシュするバンクの個数を可変できる半導体メモリ装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁
  • As refresh processing is performed while selecting a time in which the SDRAM 1 is not accessed, a bus of the SDRAM 1 can be efficiently utilized.
    ＳＤＲＡＭ１へのアクセスがされていないときを選んでリフレッシュ処理されるため、ＳＤＲＡＭ１のバスを効率的に利用できる。 - 特許庁
  • To simultaneously attain a refresh operation even in a memory array in which one word line is selected for an access request from the outside.
    外部からのアクセス要求時に１本のワード線が選択されるメモリアレイ内であっても、同時にリフレッシュ動作を可能にする。 - 特許庁
  • At the position capable of switching reproduction, an intra-picture (IDR picture) at the Closed-GOP head which is aiming at refresh operation of decoding exists.
    再生切り換えが可能となる位置には、デコーディングのリフレッシュ動作を意図しているClosed-GOP先頭のイントラピクチャ(IDRピクチャ)が存在する。 - 特許庁
  • To improve processing efficiency of a logic circuit by extending a refresh period of a DRAM, with respect to a DRAM mixed type semiconductor device.
    ＤＲＡＭ混載型半導体装置においてＤＲＡＭのリフレッシュ周期を伸ばし、以てロジック回路の処理効率を向上させる。 - 特許庁
  • The second predetermined value may be fixed, or may be n+1, where n is the value of the bank address counter when self-refresh mode is initiated.
    第２の所定値は固定値、またはｎを自己リフレッシュモードが開始されるときのバンクアドレスカウンターの値としてｎ＋１である。 - 特許庁
  • When charging by the normal charge part 6 has continued, for example ten times, next charging is performed with a refresh charge part 7.
    通常充電部６による充電が、例えば１０回連続したときに、次回の充電はリフレッシュ充電部７で行う。 - 特許庁
  • To maintain the optimal gamma value even if refresh rate varies.
    本発明は、リフレッシュレートが変化しても最適なガンマ値を維持することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a method of driving an electrophoretic display device, in which refresh operation can be performed while controlling power consumption.
    電力消費を抑えつつ表示画像のリフレッシュ動作を可能とした電気泳動表示装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁
  • By this, even when power supply to the CPU 1 is suspended, the self-refresh mode of the main memory 3 is maintained, and thus power saving is improved.
    これにより、ＣＰＵ１への電力が停止しても、メインメモリ３のセルフリフレッシュモードが維持され、省電力化が向上する。 - 特許庁
  • Therefore a delay time for stored electric charges is shortened, and a test time of a refresh frequency of a memory cell is shortened.
    従って、格納電荷に対する遅延時間が短縮され、メモリセルのリフレッシュ周波数をテストする時間が短縮される。 - 特許庁
  • As the attributes of each file, the impression of the piece of music corresponding to the file is expressed with emotions, for example, "Refresh" is applied.
    ファイルの属性として、そのファイルに対応する楽曲の印象を感情で表した「Ｒｅｆｒｅｓｈ」などを与える。 - 特許庁
  • To provide a memory system in which bus efficiency is improved, a semiconductor memory unit and a refresh method for the semiconductor memory unit.
    バス効率を向上させるメモリシステム及び半導体メモリ装置と該半導体メモリ装置のリフレッシュ方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device comprising a plurality of core chips and an interface chip, which allows reduction in the minimum issue interval for the refresh command.
    複数のコアチップとインターフェースチップからなる半導体記憶装置においてリフレッシュコマンドの最短発行間隔を短縮する。 - 特許庁
  • The image forming apparatus 10 includes a control unit 60 which performs refresh operation to remove charges staying on a toner carrier 46.
    画像形成装置１０は、トナー担持体４６上の滞留電荷を除去するリフレッシュ動作を行う制御部６０を含む。 - 特許庁
  • The second circuit 12 temporarily halts the update of the refresh address REFA in response to the activation of the interruption signal A.
    第２の回路１２は、割り込み信号Ａの活性化に応答してリフレッシュアドレスＲＥＦＡの更新を一時的に停止する。 - 特許庁
  • To obtain a memory device in which a level of a peak current at the time of sensing operation and refresh operation of a sense amplifier can be reduced.
    センスアンプのセンシング動作時及びリフレッシュ動作時のピーク電流のレベルを小さくすることのできるメモリ装置を得る。 - 特許庁
  • To provide a liquid detergent for skin that has high detergency and shows good sense of use and gives refresh sensation after rinse.
    高い洗浄性能を有し、使用感およびすすぎ時のさっぱり感などに優れた皮膚用液体洗浄剤を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory in which a waveform of an internal signal starting refresh can be detected, and the waveform can be monitored.
    リフレッシュを起動する内部信号の波形を検出し、該波形をモニタすることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • Therefore, refresh operation is automatically performed utilizing the idle time of an external command, and stopped by the input of an external command.
    従って、リフレッシュ動作は、外部コマンドの空き時間を利用して自動的に行われ、外部コマンドの入力によって停止する。 - 特許庁
  • The memory controller 20 includes a refresh controller 26 for executing the rewrite of data retained by the NAND flash memory 10.
    メモリコントローラ２０は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０が保持するデータの再書込みを実行するリフレッシュコントローラ２６を備える。 - 特許庁
  • A semiconductor storage device relating to this invention includes a memory cell array 13, a memory controller 11, and a refresh control circuit 12.
    本発明にかかる半導体記憶装置は、メモリセルアレイ１３と、メモリコントローラ１１と、リフレッシュ制御回路１２と、を備える。 - 特許庁
  • A refresh rate control circuit 5-6 controls the driver based on the analysis results to change the repeating number of unit frames of a single frame.
    この解析結果に基づきリフレッシュレート制御回路５−６がドライバを制御して１フレームの単位フレーム数を変更させる。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory element which allows unnecessary power consumption associated with an operation in a self refresh mode to be reduced.
    セルフリフレッシュモードの動作に伴う不必要な電力消費を節減することができる半導体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁
  • Therefore, a waveform of the RASB signal is adjusted in accordance with length of a cycle of refresh-operation, appropriate restoring level is obtained.
    従って、リフレッシュ動作のサイクルの長さに応じてＲＡＳＢ信号の波形が調整され、適切なリストアレベルが得られる。 - 特許庁
  • To provide a technique for speeding up and at the some time, for relatively prolonging of the refresh time of a DRAM.
    ＤＲＡＭにおいて、高速化を実現すると同時にリフレッシュ時間を相対的に長くすることのできる技術を提供する。 - 特許庁
  • When the value of the increment counter 360 becomes larger than the value of the decrement counter 370, refresh and count-up operation are stopped.
    前記インクリメントカウンタ３６０の値が前記デクリメントカウンタ３７０の値よりも大きくなると、リフレッシュとカウントアップ動作を停止する。 - 特許庁
  • In the memory control circuit 107, a refresh-period is decided based on these internal clock 109 and the enable-signal 110.
    メモリコントロール回路１０７では、これ等の内部クロック１０９及びイネーブル信号１１０に基づいてリフレッシュ周期を判定する。 - 特許庁
  • At the time of communicating with the RF tag 1, a controller 3 transmits a refresh command at timing different from that of normal reading processing.
    コントローラ３は、ＲＦタグ１との交信時に、通常の読書き処理とは異なるタイミングでリフレッシュコマンドを送信する。 - 特許庁
  • At the time of the buildup of the BBUE signal to an H level, a self-refresh signal SELF corresponding to the signal SELFO is outputted.
    ＢＢＵＥ信号がＨレベルに立上がると、信号ＳＥＬＦ０に対応するセルフリフレッシュ信号ＳＥＬＦが出力される。 - 特許庁
  • As a result, the effective voltage of the positive polarity and the effective voltage of the negative polarity are appropriately set according to the refresh period.
    これにより、正極性の実効電圧および負極性の実効電圧がリフレッシュ期間に応じて適正に設定される。 - 特許庁
  • To provide a technique capable of relaxing the long cycle restriction in a semiconductor memory device requiring a refresh operation.
    リフレッシュ動作を必要とする半導体メモリ装置におけるロングサイクル制限を緩和することのできる技術を提供する。 - 特許庁
  • To effectively refresh NOx catalyst when necessary, without bringing about problems such as degradation of combustibility.
    燃焼性が悪化する等の問題を生じることなく、必要時にＮＯｘ触媒を効果的にリフレッシュできるようにする。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory in which current consumption of a circuit system relating to refresh-operation can be reduced effectively.
    リフレッシュ動作に関与する回路系の消費電流を有効に低減することができる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
  • The access control circuit 25 performs the refresh operation after the internal access operation, based on the determination of the refreshing determining circuit 23.
    そして、アクセス制御回路２５は、リフレッシュ判定回路２３の判定に基づいて、内部アクセス動作後にリフレッシュ動作を行う。 - 特許庁
  • To reduce power consumption in a power saving mode in a semiconductor memory having a memory cell requiring a refresh operation.
    リフレッシュ動作が必要なメモリセルを有する半導体メモリにおいて、低消費電力モード中の消費電力を削減する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor storage device which has a small refresh busy rate, small in current consumption for data retention, and is advantageous at miniaturization.
    リフレッシュビジーレイトが小さく、データ保持時の消費電流が低く、さらに、小型化に優れた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor storage device for improving the refresh control of a dynamic type semiconductor storage device and shortening test time.
    ダイナミック型半導体記憶装置のリフレッシュ制御を改良し、テスト時間の短縮を図る半導体記憶装置の提供。 - 特許庁
  • To provide an inkjet reorder employing UV-curing ink in which ink adhering to a head refresh unit is not hardened.
    ヘッドリフレッシュ装置に付着したインクを硬化させることのない、紫外線硬化型インクを用いたインクジェット記録装置を提供する。 - 特許庁
  • On the other hand, refresh operation is carried out periodically for the deterioration of image information (for example, voltage of pixels) with lapse of time.
    一方、画像情報（例えば、画素の電圧）が時間とともに劣化することに対しては、定期的にリフレッシュ操作をおこなう。 - 特許庁
  • Through the review on this occasion we found that many of the trainees are requesting opportunities to upgrade or refresh the knowledge they gained during training in Japan.
    多くの研修員が日本で学んだ知識についてのアップグレード、リフレッシュする機会を要望していることが認められた。 - 厚生労働省
  • To propose a multi-host management server which can efficiently and automatically perform host-refresh which updates path information.
    パス情報を更新するホストリフレッシュを効率的に、かつ、自動的に行えるマルチホスト管理サーバを提案しようというものである。 - 特許庁
  • The next day, we touched at Sidon. Julius treated Paul kindly, and gave him permission to go to his friends and refresh himself.
    翌日，わたしたちはシドンに寄港した。ユリウスはパウロを親切に扱い，友人たちのところに行って休憩することを許可した。 - 電網聖書『使徒行伝 27:3』
  • In an ordinary operation mode, a plurality of the memory mats are set in a selection state at the same time and at the time of a refresh operation, the refresh operation is simultaneously performed for a plurality of memory sub-arrays (MB# 0, MB# 2, MB# 4, MB# 6) in the one memory mat (MM# 0).
    通常動作モードにおいては、同時に複数のメモリマットを選択状態に設定し、リフレッシュ動作時には、１つのメモリマット（ＭＭ♯０）において複数のメモリサブアレイ（ＭＢ♯０，ＭＢ♯２，ＭＢ♯４，ＭＢ♯６）に対して同時にリフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁
  • When a refresh-test for a redundant memory cell is performed, a redundant CBR refresh-counter 15 is activated for each input of a control signal RACBR, counts the number of input of redundant CBR commands, and outputs them to a X address buffer 2A as redundant counter signals RCNT0- RCNT5.
    冗長CBRリフレッシュカウンタ15は、冗長メモリセルに対するリフレッシュテストを行う場合、制御信号RACBRが入力される毎に活性化され、冗長CBRコマンドの入力される数を計数し、計数値を冗長カウンタ信号RCNT0〜RCNT5として、Xアドレスバッファ2Aへ出力する。 - 特許庁
  • To provide an arbiter circuit for arbitrating two conditions based on control condition of refresh speed in a DRAM device and access operation condition for the DRAM device to control refresh speed by processing in the DRAM device.
    ＤＲＡＭ装置内の処理によってリフレッシュ速度を制御するため、ＤＲＡＭ装置でのリフレッシュ速度の制御状況とＣＰＵのＤＲＡＭ装置に対するアクセス動作状況とに基づいて二つの状況を調停するための調停回路を備えさせなればならない。 - 特許庁
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