「refresh」を含む例文一覧(1813)
＜前へ 1 2 .... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 .... 36 37 次へ＞- The method involves adjusting a programmable signal delay to avoid a simultaneous memory refresh between two or more of the multiple memory elements and passing a refresh signal from one memory element to another memory element based on the programmable signal delay.
本方法は、プログラム可能な信号遅延を調節して、複数のメモリ・エレメントのうちの２つ以上のメモリ・エレメントでの同時のメモリ・リフレッシュを回避し、また、プログラム可能な信号遅延に基づいて、或るメモリ・エレメントから別のメモリ・エレメントへとリフレッシュ信号を渡す。 - 特許庁 - The electronic apparatus is provided at least with a memory control means 1 for maintaining the expansion memory 3 in a self-refresh mode when there is no memory access and on the other hand, releasing a self-refresh command, reading data and writing the data when the add-in memory 3 becomes the target of memory access.
メモリアクセスのないときには増設メモリ３をセルフリフレッシュモードに保持する一方、メモリアクセスの対象になったときには、セルフリフレッシュ指令を解除して、データの読出し、書き込みを行うことを特徴とするメモリ制御手段１を少なくとも備えている。 - 特許庁 - In a period when a reading control line GT(n+1) or a reading control line GT(n-1) for controlling a reading switch for pixels of a semiconductor imaging element array is selected, a refresh control line GR(n) for controlling a refresh switch for pixels is selected.
半導体撮像素子アレイの画素の読出用スイッチを制御する読出用制御線ＧＴ（ｎ＋１）又は読出用制御線ＧＴ（ｎ−１）が選択されている期間に、画素のリフレッシュ用スイッチを制御するリフレッシュ用制御線ＧＲ（ｎ）を選択する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device capable of simultaneously carrying out CBR refreshing of a normal area and CBR refreshing of a redundancy area once for eachpredetermined frequency of CBR refresh operation of the normal area at the refresh test of the redundancy area.
冗長領域のリフレッシュテスト時において、通常領域のＣＢＲリフレッシュ動作の所定回数ごとに１回、通常領域のＣＢＲリフレッシュと冗長領域のＣＢＲリフレッシュとを同時に行なうことができる、半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To achieve a semiconductor memory device which can arbitrate the competition of various external access and internal simultaneous refresh without regarding to an internal refresh word line address by a system side, on which the semiconductor memory device using no memory bank constitution is mounted with a small footprint.
メモリバンク構成を用いない半導体記憶装置が搭載されるシステム側が内部リフレッシュワード線アドレスを意識することなく、かつ、様々な外部アクセスと内部同時リフレッシュとの競合の調停が可能な半導体記憶装置を省面積で実現する。 - 特許庁 - The image forming apparatus includes a refresh mode for supplying toner to a photoreceptor by a developing device when no image is formed, wherein the refresh mode includes a basic unit (A) setting a larger toner supply amount and a basic unit (B) setting a smaller toner supply amount.
非画像形成時において、現像装置により感光体にトナーを供給するリフレッシュモードを有しており、該リフレッシュモードはトナー供給量を多く設定した基本単位Ａとトナー供給量を少なく設定した基本単位Ｂとからなる画像形成装置。 - 特許庁 - To provide a memory system capable of preventing performance in the refresh operation of one memory from being deteriorated due to the influence of heat discharged from the other different memory in a plurality of memories, and to provide a memory controller and a method for controlling refresh operation of the memory controller.
複数のメモリの内の一のメモリとは異なる他のメモリが放出する熱の影響を受けて、一のメモリのリフレッシュ動作の性能が劣ることを防止することができるメモリシステム、メモリコントローラ及びメモリコントローラのリフレッシュ動作制御方法を提供する。 - 特許庁 - A control part 36 locks action of a charge driving part 37 from the detected electric voltage and outputs a action signal to a refresh driving part 40 to make it on and the battery is discharged (refreshed) to a definite value through the refresh part 39 consisting of a discharge resistance.
制御部３６は検知された電圧から、充電駆動部３７の動作を鎖錠してリフレッシュ駆動部４０に動作信号を出力してＯＮにし、蓄電池を放電抵抗でなるリフレッシュ部３９を介して一定値まで放電（リフレッシュ）させる。 - 特許庁 - Hence, a method in which a refresh period corresponding to temperature is set by a mode register and a method in which a refresh period is adjusted in a self-control manner based on temperature of the semiconductor memory device can be shared without any trouble and productivity is improved.
したがって、モードレジスタによって温度に対応したリフレッシュ周期を設定する方法と、半導体記憶装置の温度に基づいてリフレッシュ周期を自己制御的に調整する方法とを問題なく共用することができ、生産性が向上する。 - 特許庁 - Three operations, i.e. an operation for storing packets in the serial/parallel converter and writing them simultaneously in parallel into respective SDRAMs, an operation for storing signals read out from the SDRAMs in the parallel/serial converter, and a refresh operation, are performed within the refresh period.
パケットを直並列変換器に格納してバッファメモリの各ＳＤＲＡＭに並列に同時に書き込む動作と，ＳＤＲＡＭからの読み出し信号を並直列変換器に格納する動作と，リフレッシュ動作の３つの動作をリフレッシュ周期内で行うよう構成する。 - 特許庁 - A memory circuit requiring refresh, has a first circuit 11 for receiving a command in synchronizing with a clock and generating a first internal command, and a second circuit 20 for generating a second internal command (refresh command REF) inside with the prescribed cycle.
リフレッシュが必要なメモリ回路において、クロックに同期してコマンドを受信し内部に第１の内部コマンドを生成する第１の回路(11)と、所定のサイクルで内部に第２の内部コマンド（リフレッシュコマンドREF）を生成する第２の回路(20)とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor storage device has a transition detecting circuit 41 detecting a change in the prescribed input signal and outputting a detected signal, and a REF control circuit 72 generating a refresh request signal requiring self-refresh in response to the detected signal.
所定の入力信号の変化を検出して検出信号を出力する遷移検出回路４１と、テストモードにおいて、前記検出信号に応答してセルフリフレッシュを要求するリフレッシュ要求信号を生成するＲＥＦ制御回路７２とを有する。 - 特許庁 - When the mode register control part 7 obtains indication of refresh time change from the control firmware 6, after a memory cycle performed now is finished, the mode register control part 7 makes a memory bus idle once, and generates a mode register setting cycle for setting refresh interval of a memory to be short.
モードレジスタ制御部７はリフレッシュ時間変更の指示を制御ファームウェア６から得ると、現在行われているメモリサイクルが終了した後に一旦メモリバスをアイドルにし、メモリのリフレッシュ間隔を短く設定するためのモードレジスタ設定サイクルを生成する。 - 特許庁 - A part of a memory region to be subjected to refresh-operation is selected in accordance with one part of address bits (Am-An).
リフレッシュ動作の対象となる一部のメモリ領域は、セルフリフレッシュエントリサイクルにおける一部のアドレスビット（Ａｍ〜Ａｎ）に応じて選択される。 - 特許庁 - This memory controller 100 is provided with a BANK/ROW address comparison section 7, and a refresh request generation section 8.
本発明に係るメモリ制御装置１００は、ＢＡＮＫ／ＲＯＷアドレス比較部７と、リフレッシュ要求生成部８とを備えている。 - 特許庁 - Respective banks are set so that regions for holding or not holding data are included in common during a self-refresh period.
各バンクにはセルフリフレッシュ期間中にデータを保持する保持領域と非保持領域とが共通に含まれるように設定されている。 - 特許庁 - To obtain a natural moving picture in the case of carrying out a refresh operation for sweeping out electric charges stored in pixels through photoelectric conversion.
光電変換により画素に蓄積された電荷を掃き出すリフレッシュ動作を行っても自然な動画像が得られるようにする。 - 特許庁 - Thereby, a state in which the specific address is included in a refresh object is kept, and defect occurrence cause is analyzed in the state.
それにより、特定のアドレスがリフレッシュ対象に含まれる状態を維持して、当該状態にて不良発生原因を解析する。 - 特許庁 - Power is saved by the flexibility allowed at the time of determining which sub-array should be refreshed in each new refresh cycle.
電力は、どのサブアレイが各々の新しいリフレッシュサイクルにおいてリフレッシュされるかを決定する際の柔軟性により、節約される。 - 特許庁 - In the image heating device, the outer diameter of a refreshing roller 55 is formed into a reverse-crown shape, and a pressurizing roller 52 pressurizes a fixing roller 51 during a refresh operation.
リフレッシュローラ５５の外径を逆クラウン形状とし、リフレッシュ動作中は、加圧ローラ５２を定着ローラ５１に加圧するようにする。 - 特許庁 - To reduce current consumption at the time of auto-refresh, to improve the reliability of a cell, and to improve the margin of a cycle time in FCRAM having a 'Late Write' function.
「Late Write」機能を有するFCRAM において、オートリフレッシュ時の消費電流の低減、セル信頼性の向上、サイクルタイムのマージンアップを図る。 - 特許庁 - After the refresh operation, an electromotive force of the battery is measured, and when the electromotive force is not recovered, an alert signal of the fact is transmitted.
リフレッシュ動作後に電池の起電力を計測し、起電力が回復されていない場合には、その旨の報知信号を送信する。 - 特許庁 - To provide a technique for suppressing deterioration of refresh characteristics by preventing the Vth difference of a pair of transistors for composing a sense amplifier.
センスアンプを構成するペアトランジスタのＶｔｈ差を抑えて、リフレッシュ特性の劣化を抑制することのできる技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device which can prevent disturbing deterioration during self-refreshing and reduce a refresh current.
セルフリフレッシュ時におけるディスターブ劣化を防止し、リフレッシュ電流の低電流化を図ることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device of a design system capable of raising performance by suppressing degradation of access speed by a refresh operation.
リフレッシュ動作によるアクセス速度の劣化を抑止することで、性能を向上させる設計方式の半導体記憶装置の提供。 - 特許庁 - Thus, a refresh operation period in the standby state is set longer than that in the active state.
これにより、スタンバイ状態におけるリフレッシュ動作期間が、アクティブ状態におけるリフレッシュ動作期間よりも長くなるように構成される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device which refreshes the specified number of word lines when a refresh command is input.
１回のリフレッシュコマンドが入力された場合に、任意の数のワード本数でリフレッシュ動作をする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To properly refresh a non-volatile memory installed in an image processing device by relatively simple structure.
画像処理装置に設けられた不揮発性メモリに対して、比較的に簡素な構成で適切にリフレッシュを行うことができるようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device which can finely control refresh period fit for actual data retention time of a memory cell.
メモリセルのデータ保持時間の実力値に適合するリフレッシュ周期をきめ細かく制御可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - When a test signal TMSEL is at a 'H' level, an auto- refresh signal is generated in accordance with the output of the clock buffer 2 (external clock).
テスト信号ＴＭＳＥＬＦＤがＨレベルであればクロックバッファ２の出力（外部クロック）に応じてオートリフレッシュ信号が発生する。 - 特許庁 - To provide an organic EL (electroluminescence) display device controlling light emission and putting-out of organic EL elements without performing special control for performing refresh.
リフレッシュのための特別な制御をせずに、有機ＥＬ素子の発光、消灯の制御を行う有機ＥＬディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a control method for an image forming device which operates in refresh mode in the best timing without greatly increasing the number of components.
部品点数を大幅に増やすことなく、最適なタイミングでリフレッシュモードを実行する画像形成装置の制御方法を提供する。 - 特許庁 - In a fixing device 50, an external heating roll 53 and a refresh roll 54 are movably constituted with respect to a fixing roll 51.
定着装置５０において、外部加熱ロール５３及びリフレッシュロール５４は、定着ロール５１に対して移動可能に構成されている。 - 特許庁 - To obtain a combined food like a product to refresh breathing containing the following ingredients in a mass to be eaten as a whole.
全体として食べられるべき集合体中に以下のものを含む呼吸爽快化製品のような複合食料品に関する。 - 特許庁 - Since a particular bit of a refresh counter is not used as in the conventional manner, only small design change is needed even in the case of changing array configurations.
従来のように、リフレッシュカウンタの特定ビットを利用しないので、アレイ構成を変更する場合にも設計変更が少なくて済む。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor memory device which can relieve defect without lowering yield even when spare memory cells have poor refresh characteristic.
予備のメモリセルのリフレッシュ特性が悪い場合にも、歩留りを低下させずに有効に欠陥救済ができる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁 - A timer section 115, after time selected by a user has elapsed, halts refreshing of the RAM 113 with respect to a refresh circuit 117.
タイマ部１１５は、ユーザの選択した時間が経過すると、リフレッシュ回路１１７に対するＲＡＭ１１３のリフレッシュを停止させる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is improved for refresh characteristic improvement.
リフレッシュ特性の向上を図ることができるように改良された半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁 - After the completion of the discharge, a re-filling mode is set, and refresh of toner is completed by clearing all the settings when the re-filling ends.
吐き出し終了後は、再充填モードを設定し、再充填が終わるとすべての設定をクリアしてトナーのリフレッシュを終了する。 - 特許庁 - An operation control circuit simultaneously refreshes the first and second memory cells in response to a refresh control signal in a low power consumption mode.
動作制御回路は、低消費電力モード中に、リフレッシュ制御信号に応答して、第１および第２メモリセルを同時にリフレッシュする。 - 特許庁 - The register write circuit 20 writes in formation on refresh period and manufacturing read from the EEPROM into the control register 30.
レジスタ書き込み回路２０は、ＥＥＰＲＯＭから読み出されたリフレッシュ期間情報や製造情報を制御レジスタ３０に書き込む。 - 特許庁 - To provide a memory device capable of performing cell refresh between write commands when write commands are consecutively inputted.
ライトコマンドが連続して入力された場合に、ライトコマンド間でセルフリフレッシュを行うことができるメモリ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory which prevents complicated circuit constitution by dispensing with an external interface for controlling refresh operation from the outside.
リフレッシュ動作を外部から制御するための外部インターフェースを不要とする抑制し、回路構成が煩雑化することを防止する。 - 特許庁 - To provide a technique through which refresh operations suitable to a plurality of respective operating states a semiconductor memory can take are performed.
半導体メモリ装置が取り得る複数の動作状態にそれぞれ適したリフレッシュ動作を実行することのできる技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory which comprises a memory cell which does not require a refresh operation and materializes a high integration and a large capacity.
リフレッシュ動作を必要とせず、かつ、高集積化・大容量化を実現するメモリセルを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To appropriately drive a sense amplifier in an active region at the reading/writing time and the refresh time without complicating a circuit configuration.
回路構成を複雑にすることなく、読み出し／書き込み時とリフレッシュ時とでアクティブ領域のセンスアンプを適切に駆動できるようにする。 - 特許庁 - The coupling circuit electrically couples the first node to the second node in response to a boosting enable signal and a self-refresh control signal.
結合回路はブースティングイネーブル信号とセルフリフレッシュ制御信号に応答して第１ノードを第２ノードに電気的に結合する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device that externally operates on a timing condition like an SRAM product while internally performing a refresh function.
内部的にリフレッシュ機能を行いながら外部的にはSRAM製品のようなタイミング条件で動作する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - When a refresh mode is executed, yellow, cyan, magenta, and black polishing images Y, C, M, and K are formed on an intermediate transfer belt 8.
リフレッシュモードが実行されると、イエロー、シアン、マゼンタ、及びブラックの研磨用画像Ｙ、Ｃ、Ｍ、Ｋが中間転写ベルト８上に形成される。 - 特許庁 - When an external address latched to the latch circuit 3 and an internal address coincide, operation is performed by finishing a self-refresh mode.
ラッチ回路３にラッチされた外部アドレスと内部アドレスとが一致したときにセルフリフレッシュモードを終了することにより実行する。 - 特許庁
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