「refresh」を含む例文一覧(1813)
＜前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 .... 36 37 次へ＞- To provide a semiconductor integrated circuit in which timing to enter into a self-refresh mode can be finely set while reducing a layout area.
レイアウト面積を抑えて、セルフリフレッシュモードに入るタイミングを細かく設定することができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁 - The determination circuit 60 determines that the refresh command signal/REFE is outputted when the semiconductor memory device is in a standby state.
判定回路６０は、半導体記憶装置がスタンバイ状態のときにリフレッシュ指令信号／ＲＥＦＥを出力すると判定する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory element to supply a stable high voltage during an auto-refresh operation and to provide a driving method of the element.
オートリフレッシュ動作の時に安定した高電圧を供給するための半導体メモリ素子及びその駆動方法を提供すること。 - 特許庁 - When charging by the ordinary charging portion 6 lasts by a predetermined number of times, next charging is carried out by the refresh charge portion 7.
通常充電部６による充電が、所定回数連続したときに、次回の充電はリフレッシュ充電部７で充電する。 - 特許庁 - Proper use of a refresh sequence after a copy scratchpad operation reduces the number of weak bit failures in a touch environment.
複写スクラッチパッド操作の後に適切なリフレッシュ・シーケンスを使うと、接触環境における弱磁化ビット故障の数が減少する。 - コンピューター用語辞典 - To safely, surely refresh a filter for collecting particulates contained in exhaust gas of an internal combustion engine with a microwave electric power.
内燃機関の排出ガス中に含まれているパティキュレートを捕集するフィルタをマイクロ波電力により安全確実に再生する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR REPAIRING ITS DEFECTIVE MEMORY CELL, METHOD FOR REGULATING INTERNAL POWER SUPPLY POTENTIAL, AND METHOD FOR REGULATING SELF REFRESH PERIOD
半導体記憶装置、およびその欠陥メモリセル修復方法、内部電源電位調整方法、セルフリフレッシュ周期調整方法 - 特許庁 - On the other hand, if the frame number is not 4 or the number smaller than 4, the processes in the "photographing loop" are finished, and a refresh operation is performed (step S9).
一方、フレーム番号が４以下でなくなった場合は、「撮影ループ」の処理を終了し、リフレッシュ動作を行う（ステップＳ９）。 - 特許庁 - To provide a memory core suitable for a mixed memory in which the memory capacity can be changed easily and a circuit change of a refresh control system can be performed easily.
メモリ容量が容易に変更でき、かつリフレッシュ制御系の回路変更が容易に可能な混載メモリ向けのメモリコアを提供する。 - 特許庁 - To provide a refresh control method and a circuit of a graphics memory capable of reducing the power consumption of a memory and capable of enhancing the operating performance of the memory.
電力消耗を減らし動作性能を向上させ得るグラフィックメモリ装置のリフレッシュ制御方法及び回路を提供する。 - 特許庁 - A flash memory device includes a refresh management table and occasionally stores and updates the number of times for reading data by physical block and the number of erasing times.
フラッシュメモリデバイスにリフレッシュ管理テーブルを設け、物理ブロック毎のデータ読み出し回数、消去回数を随時記憶、更新する。 - 特許庁 - We like talking so much because we hope by our conversations to gain some mutual comfort, and because we seek to refresh our wearied spirits by variety of thoughts.
私たちは、互いの会話から元気を得、さまざまな考えに悩まされている気持ちから楽になりたいと思っているのです。 - Thomas a Kempis『キリストにならいて』 - In the liquid crystal display device using the liquid crystal display elements of the long information holding time, a refresh control means is so constituted as to periodically write image information at intervals of the refresh time Tref regardless of the presence or absence of the write of the image information by a change control means.
情報保持時間の長い液晶表示素子を用いた液晶表示装置において、変更制御手段による画像情報の書き込みの有無に関わらず、リフレッシュ制御手段は定期的にリフレッシュ時間Ｔｒｅｆの間隔で画像情報を書き込む。 - 特許庁 - In the refresh mode, a read-out and rewriting circuit 60 reads out respective stored data of a memory cell 10 conforming to an output of an address counter 22, and performs refresh operation in which data of a logical value being inverse to a logical value of the read out data is rewritten in the memory cell 10.
リフレッシュモードでは、読み出し再書き込み回路６０が、アドレスカウンタ２２の出力に従ってメモリセル１０の各々の記憶データを読み出し、かつ該読み出したデータの論理値とは逆の論理値のデータを当該メモリセル１０に書き戻すリフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁 - An image forming apparatus sets the period for performing a refresh mode with temperature and humidity of an indoor environment and exposure time of a photoreceptor drum 31 as parameters based on output signals of a temperature-humidity sensor 101 and a timer circuit 102, so as to activate a polishing member 60 at an appropriate period and then perform a refresh mode.
温湿度センサ１０１、タイマー回路１０２の出力信号にもとづいて、室内環境の温湿度と、感光体ドラム３１の放置時間をパラメータとしてリフレッシュモード実施時期を設定して、適正な時期で研磨部材６０を作動させてリフレッシュモードを実施するようにしている。 - 特許庁 - Since the level of switching signal CS is low at this time, switching element SW1 and SW4 go into conducting state and switching element SW2 and SW3 get into non-conducting state, so that the refresh pressure that is impressed on a first and second refresh pressure line L1, and L2 is reversed as black pressure Vb+ and Vb-.
このとき、スイッチング信号ＣＳがローレベルであるので、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ４は導通しスイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ３は非導通となるので、第１及び第２リフレッシュ電圧線Ｌ１、Ｌ２に印加されていたリフレッシュ電圧は、ブラック電圧Ｖｂ＋、Ｖｂ−となって反転する。 - 特許庁 - In this memory access device 102 of a nonvolatile storage system 101, because a refresh control part can perform a reading/writing instruction of data of the nonvolatile storage device 103 by the file, refresh processing can be executed by the file defined by a prescribed file system.
不揮発性記憶システム１０１のメモリアクセス装置１０２では、リフレッシュ制御部が、ファイル単位で不揮発性記憶装置１０３のデータの読出し／書込み指示を行うことができるので、所定のファイルシステムで定義されるファイル単位でリフレッシュ処理を実行することができる。 - 特許庁 - When there is a request for image formation, a value (S101) of a number-of-times counter counting the number of times of image writing from the refresh operation of the previous time, the value (S103) of the latest refresh time, the time of day (S103), when the latest image forming operation is executed, and the temperature (S104) are acquired.
画像形成要求があった場合には、前回のリフレッシュ動作からの画像書き込みの回数をカウントしている回数カウンタの値（Ｓ１０１）、直近のリフレッシュ時刻の値（Ｓ１０３）、直近の画像形成動作が実行された時刻（Ｓ１０３）、温度（Ｓ１０４）を取得する。 - 特許庁 - A circuit is provided with timers 1, 2 for starting clocking when receiving a timer refresh signal, and for outputting a time-up signal when a clocking result exceeds a threshold time, and OR circuit 3, a memory 4, and a timer refresh processing part 51 and an interrupt input processing part 52 constituted of a micro-computer 5 of a PLC.
タイマリフレッシュ信号を受信すると計時を開始し、計時結果がしきい時間を超えるとタイムアップ信号を出力するタイマ１，２と、ＯＲ回路３と、メモリ４と、ＰＬＣのマイコン５により構成されるタイマリフレッシュ処理部５１および割込入力処理部５２とを備えた。 - 特許庁 - To improve convenience in the auto-refresh mode of a synchronous DRAM or the like, to successively activate plural banks at prescribed time intervals without being affected by the internal dispersion of delay time and to further suppress a power supply noise at the time of refresh operation in the synchronous DRAM or the like.
シンクロナスＤＲＡＭ等のオートリフレッシュモードにおける使い勝手を高めるとともに、遅延時間の内部バラツキによる影響を受けることなく、複数のバンクを所定時間間隔をおいて順次活性化し、シンクロナスＤＲＡＭ等のリフレッシュ動作時における電源ノイズをさらに抑制する。 - 特許庁 - A memory controller 193 in a printing apparatus 10 makes refresh requests to each DRAM device (15, 16) at standard intervals of 78 μs, and as to four DRAM devices (15, 16), staggers the timing of refresh requests to the respective DRAM devices by 1.95 μs.
印刷装置１０内のメモリコントローラ１９３は、１つのＤＲＡＭデバイス（１５，１６）についてみると、標準的な７８μｓの間隔でリフレッシュを要求し、４つのＤＲＡＭデバイス（１５，１６）についてみると、そのリフレッシュ要求のタイミングをＤＲＡＭデバイス毎に１．９５μｓずつずらす。 - 特許庁 - The circuit number determination circuit determines the number of booster circuits to be driven during the refresh operation based on the generation interval of the refresh detection signals and generates a group of signals to drive the determined number of booster circuits as the group of the control signals.
前記台数決定回路は、前記リフレッシュ検出信号の生成間隔に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される前記昇圧回路の台数を決定し、決定した台数の前記昇圧回路を駆動させる信号群を、前記制御信号群として生成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device of a design system which makes it possible to set read/write operation and refresh operation in a close state, and makes the accuracy of test and quality improvement realizable in the semiconductor storage device having a memory cell which requires refresh for holding data.
データ保持のためにリフレッシュを要するメモリセルを有する半導体記憶装置において、リード／ライト動作とリフレッシュ動作とを接近した状態に設定することを可能とし、テストの精度、品質向上を実現可能とする設計方式の半導体記憶装置の提供。 - 特許庁 - The memory controller 110 comprises a counter 120 counting the prescribed period after detection of an idle state, and self-refresh shift instructing circuits 130, 140 preforming processing required for instructing shifting to a self-refresh state for the dynamic random access memory after the counter 120 counts the period.
前記メモリコントローラ１１０は、アイドル状態を検出したあと、所定期間をカウントするカウンタ１２０と、前記カウンタ１２０が前記期間をカウント後に、ダイナミックランダムアクセスメモリに対しセルフリフレッシュ状態への移行を指示するために必要な処理を行うセルフリフレッシュ移行指示回路１３０，１４０と含む。 - 特許庁 - In a magnetic memory device having a memory cell array 2 provided with a plurality of memory cells 60 having a magneto resistive element 61, the device is provided with a refresh control section reading information stored in the memory cell and performing refresh operation rewriting the information immediately after the information is read out.
磁気抵抗効果素子６１を有する記憶セル６０を複数個備えた記憶セルアレイ２を有する磁気記憶装置において、記憶セルに格納された情報を読み出し、この読み出した情報をその直後に再書き込みするリフレッシュ動作を行うリフレッシュ制御部を備えている。 - 特許庁 - The method has a step in which many elements to be refreshed are divided into a plurality of element groups and one element group is selected in reading, and a step in which refresh stop, read-out, and refresh restart are repeated successively for elements of one or one row or one column out of one element group selected in the step.
読み出し時に、多数のリフレッシュ必要な素子を複数の素子群に分け、１つの素子群を選択するステップと、ステップで選択された１つの素子群のうちの、１つあるいは１行あるいは１列の素子について、リフレッシュ停止、読み出し、リフレッシュ再開を順次繰り返すステップとを有する。 - 特許庁 - Power source circuits are controlled by a power source control circuit 25 so that power source voltage supply states of a power source circuit 22c generating power source voltage for a refresh system circuit 14a and a power source circuit 22b for a column system peripheral control circuit 14b at the time of a self-refresh mode are made different each other.
リフレッシュ系回路（１４ａ）に対する電源電圧を発生する電源回路（２２ｃ）およびコラム系／周辺制御回路（１４ｂ）に対する電源回路（２２ｂ）のセルフリフレッシュモード時における電源電圧供給状態を互いに異ならせるように電源制御回路（２５）により制御する。 - 特許庁 - Frequency of external light made incident on a liquid crystal panel 110 is measured, based on the measurement result, a refresh frequency is properly changed, therefore, the refresh frequency can be prevented from being deviated from the frequency of the external light, and as the result, the flickering of the display can be suppressed.
液晶パネル１１０に入射する外光をの周波数を測定し、この測定結果に基づいてリフレッシュ周波数を適宜切り替えることとしたので、リフレッシュ周波数と外光の周波数とがずれるのを防ぐことができ、表示のちらつきを抑えることができる。 - 特許庁 - The display device is provided with a refresh control means which writes the image information stored in an image memory into the liquid crystal display elements corresponding to the respective pixels of a liquid crystal display part in the refresh time Tref of a time interval shorter than the information holding time Thol of the liquid crystal display elements.
液晶表示素子の情報保持時間Ｔｈｏｌｄより短い時間間隔のリフレッシュ時間Ｔｒｅｆで、液晶表示部の各画素に対応した液晶表示素子に、画像メモリに記憶されている画像情報をそれぞれ書き込むリフレッシュ制御手段を設ける。 - 特許庁 - When an auto-refresh signal AREF is inputted at the time of auto-refresh, this over-drive control circuit 14 delays an over-drive control signal ODCT2 by some time by a delay circuit 15, and outputs an over- drive signal SAOD having longer period than that at the time of normal operation.
このオーバドライブ制御回路１４は、オートリフレッシュ時において、オートリフレッシュ信号ＡＲＥＦが入力された際に、オーバドライブ制御信号ＯＤＣＴ２をディレイ回路１５によってある時間だけ遅延し、通常動作時よりも長い期間のオーバドライブ信号ＳＡＯＤを出力する。 - 特許庁 - This semiconductor memory activates column decoders 221, 222 of all banks 111, 112 based on a write-command WR or a read-command RD supplied after a refresh command REF is supplied at the time of a test operation of a refresh counter 15.
開示される半導体記憶装置は、リフレッシュ・カウンタ１５のテスト動作時には、リフレッシュ・コマンドＲＥＦが供給された後に供給されるライト・コマンドＷＲ又はリード・コマンドＲＤに基づいて、すべてのバンク１１__１及び１１_２のカラム・デコーダ２２_１及び２２_２を活性化する。 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus which can prevent the occurrence of out of color registration while retaining high speed printing performance, and can form high quality image as a result even when performing a refresh process of supplying toner to an image carrier to refresh a developing device and the surface of the image carrier.
像担持体にトナーを供給し、現像装置や像担持体表面をリフレッシュするリフレッシュ工程を実行する場合でも、高速な印刷性能を保持したまま、色ずれの発生を防止することができ、高品質な画像形成を遂行することが可能な画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device which can reduce a consumption current in a power down mode to suspend a refresh operation for memory holding and resume the refresh operation accurately in shifting from the power down mode to a normal standby mode, while an internal current is kept active.
内部電源を活性化しつつ、記憶保持のためのリフレッシュを停止するパワーダウンモードでの消費電流を低減し、かつパワーダウンモードから通常待機モードへの移行時においてリフレッシュ動作を的確に再開することができる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - An operation control circuit sets a deactivation timing of a sense amplifier, which has been activated in accordance with a reading request, a writing request, and a refresh request, in correspondence to a timing with which the maximum amount of signals that can be outputted from the sense amplifier operating in response to the refresh request are transmitted to a memory cell.
動作制御回路は、読み出し要求、書き込み要求およびリフレッシュ要求に応じて活性化されたセンスアンプの非活性化タイミングを、リフレッシュ要求に応答して動作するセンスアンプから出力可能な最大信号量がメモリセルに伝達されるタイミングに合わせて設定する。 - 特許庁 - A control part 1 applies a prescribed voltage to a display part 4 performing the display operation using the charged body moving in response to the applied voltage to perform the refresh operation, wherein the current state is detected and it is controlled to determine whether or not to perform the refresh operation on the basis of the detection result.
制御部１は、印加電圧に応じて移動する荷電体を利用して表示動作を行う表示部４に所定電圧を印加することによってリフレッシュ動作を行うが、その際、現在の状態を検出し、この検出結果に基づいてリフレッシュ動作を行うか否かを制御する。 - 特許庁 - On the other hand, when the semiconductor device is operated, the refresh address generation circuit 10 generates and outputs a self-refresh operation address signal according to the synthesized signal of the clock signal and an operation detection signal generated from an operation detection circuit at a cycle shorter than that of the clock signal.
一方、半導体記憶装置が動作時には、リフレッシュアドレス生成回路１０は、前記クロック信号と、このクロック信号よりも短い周期で発生する動作検出回路からの動作検出信号との合成信号に応じてセルフリフレッシュ動作用アドレス信号を生成し出力する。 - 特許庁 - Therefore, as refresh for an internal dynamic memory is internally operated and refresh does not need to be considered for external access timing, the device can be easily used and has high operation speed.
ダイナミックメモリをパイプライン化し、前記パイプラインダイナミックメモリ(PDRAM)のパイプライン周波数(CLK)を、外部アクセスの周波数(CLK1)よりも高くし、前記パイプラインダイナミックメモリのパイプラインの空きスロット（外部アクセスが必ず発行されないタイミング）にリフレッシュ動作に必要なアクセスを前記パイプラインダイナミックメモリに対して行う。 - 特許庁 - When leakage is normal or within a normal range, a refresh-cycle time is optimized, and power consumption used for DRAM refreshing is minimized.
リークが普通か、または通常範囲内の場合、リフレッシュ時間が最適化され、ＤＲＡＭリフレッシュに使用される消費電力は最小化される。 - 特許庁 - First of all, data read from a memory cell during refresh operation is not written back to a memory soon but is saved in a refreshing sense amplifier 9-2.
まず、リフレッシュ動作時にメモリセルから読み出したデータをすぐにメモリセルに書き戻さずに、リフレッシュ用のセンスアンプ9-2内にデータを退避させておく。 - 特許庁 - A refresh-execution permission signal RFEN being a determination result is inputted to a word driver 18, and activation control of the word driver 18 is preformed.
判定結果であるリフレッシュ実行許可信号ＲＦＥＮはワードドライバ１８に入力され、ワードドライバ１８の活性化制御が行なわれる。 - 特許庁 - To obtain a device where DRAMs are mixedly mounted that can improve speed margin characteristic and at the same time can avoid deterioration in refresh characteristic, and to obtain the manufacturing method of the device.
速度マージン特性を向上できるとともに、リフレッシュ特性の劣化を回避できるＤＲＡＭ混載デバイスとその製造方法を得る - 特許庁 - To provide a semiconductor device which enables reduction of current consumption in a refresh control corresponding to an open page and improvement in access efficiency.
オープンページに対応するリフレッシュ制御における消費電流の低減とアクセス効率の向上が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The refresh rate is reduced if the image analysis determines that the frames received of image data do not have characteristics prone to showing flicker.
この分析により、受信された画像データのフレームがフリッカを生じやすい特徴を有しないと判断された場合、リフレッシュレートが低くされる。 - 特許庁 - A correction factor by the transfer function can be freely adjusted so as to be adapted for various scanning standards and display refresh rates.
伝達関数による修正因子は、例えば、種々の走査標準及び表示リフレッシュ・レートに適応するように自由に調整可能である。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device having a reference memory cell that generates reference potential with less variation and does not need any refresh operation.
ばらつきが少ない基準電位を生成し尚且つリフレッシュ動作を必要としない基準メモリセルを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To quickly perform DMA transfer even in using a memory in which read access is made impossible for a fixed period after releasing self-refresh.
セルフリフレッシュ解除後の一定期間リードアクセスが不能になるメモリを用いる場合でも、ＤＭＡ転送を迅速に行うことができるようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device capable of preventing conflict of the selection period of a refresh word line with the selection period of a read/write word line.
リフレッシュ用のワード線の選択期間とリード／ライト用のワード線の選択期間の衝突を回避する半導体記憶装置の提供。 - 特許庁 - In a case where the variable number count has exceeded the threshold value Th1, all pixels are rewritten to a single gradation and refresh driving for rewriting necessary pixels is subsequently executed, a step Sa4.
超えていれば、すべての画素を単一階調に書き換え、この後、必要な画素を書き換えるリフレッシュ駆動を実行する（ステップＳａ４）。 - 特許庁 - A method and a system using group counters and track counters to reduce the need for adjacent-track-erasure (ATE) refresh are shown.
隣接トラック消去（ＡＴＥ）リフレッシュの必要性を低減するために、グループカウンタ及びトラックカウンタを用いる方法及びシステムが示される。 - 特許庁 - Therefore, a priority can be given to the read operation until a wordline corresponding to a refresh address is substantially activated.
従って、アクセス競合時には、実質的にリフレッシュ用アドレスに対応するワード線が活性化されるまでリード動作を優先させることができる。 - 特許庁
- 特許庁
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- 日英対訳文対応付けデータ
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- 原題：”The Imitation of Christ”
邦題：『キリストにならいて』 - This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide.
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- 原題：”The Imitation of Christ”
