「refresh」を含む例文一覧(1813)

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  • A DRAM 12 having a function for changing-over into a self- refresh mode or a refresh mode is mounted, data are held by the self-refresh of the DRAM 12 when the device is stopped and the data are used in the case of the next starting operation so that reproduction is instantaneously executed without requiring the start of a servo.
    セルフリフレッシュモードとリフレッシュモードに切り換え可能な機能を有するＤＲＡＭ１２を搭載させ、装置が停止している時はＤＲＡＭ１２のセルフリフレッシュでデータを保持し、次回の起動時にはそのデータを用いることで、サーボの起動を要せずに瞬時に再生できるようにした。 - 特許庁
  • Thereby, during self-refresh, it can be tested whether a self-refresh period is within the standard or not by performing write-in of data for a memory cell on a row address decided by a refresh counter in a state in which write-in of data for the memory cell can be performed by the circuit means.
    これにより、セルフリフレッシュ時に、前記回路手段によって前記メモリセルへのデータ書き込みを可能にさせた状態にてリフレッシュカウンタにより決められるロウアドレス上のメモリセルにデータ書き込みを行なうことにより、セルフリフレッシュ周期が規格内であるかをテスト可能にした。 - 特許庁
  • A self-refresh timing generator 71 detects existence/absence of a read signal outputted from a control signal generating part 13a of a DRAM controller 13a to a memory bank 55, when the read signal is not detected in a prescribed time, the generator 7 generates a refresh signal, and outputs it to a refresh suppression register 72.
    セルフリフレッシュタイミング発生器７１は、DRAMコントローラ１３の制御信号発生器１３ａよりメモリバンク５５に出力される読み出し信号の有無を検出し、所定時間内に読み出し信号が検出されない場合、リフレッシュ信号を発生し、リフレッシュ抑止レジスタ７２に出力する。 - 特許庁
  • In another aspect, partial array self-refresh operation is performed by controlling row addresses of one or more corresponding to a partial cell array in self-refresh operation, and at this juncture, reduction of current consumption of self-refresh is performed by cutting off activation of a part being not used in a memory bank.
    或いは、部分アレーセルフリフレッシュ動作は、セルフリフレッシュ動作中における部分セルアレーに対応する一つ以上のローアドレスを制御することによって実行され、この際、セルフリフレッシュ電流消費の低減は、メモリバンクの不使用の部分の活性化遮断によってなされる。 - 特許庁
  • The controller sets a first region and a second region different from the first region in the nonvolatile storing part, and executes refresh processing about the first region and the second region each time a refresh trigger is generated so as to make a refresh frequency about data of the first region higher than a refresh frequency about data of the second region.
    上記コントローラは、上記不揮発性記憶部に、第１領域とそれとは異なる第２領域とを設定し、上記第１領域のデータについてのリフレッシュ頻度が、上記第２領域のデータについてのリフレッシュ頻度に比べて高くなるように、リフレッシュトリガが発生される毎に上記第１領域及び上記第２領域についてのリフレッシュ処理を実行する。 - 特許庁
  • A moving image transmitter 61 is provided with a refresh control part 203 for controlling a refreshing period to be shorten based on refreshing instruction from the moving image receiver, a refresh information generation part 204 for generating refresh information by which the end image of the first refreshing period after becoming short can be specified, and a multiplexing part 205 for multiplexing the refresh information to a moving image.
    動画像送信装置６１に、動画像受信装置からのリフレッシュ指示に基づいてリフレッシュ周期が短くなるように制御するリフレッシュ制御部２０３と、短くなった後の最初のリフレッシュ周期の後尾画像を特定できるリフレッシュ情報を生成するリフレッシュ情報生成部２０４と、リフレッシュ情報を動画像に多重する多重部２０５とを備える。 - 特許庁
  • To provide a flash memory device having improved reliability and its refresh method.
    信頼性を向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそのリフレッシュ方法を提供する。 - 特許庁
  • To reduce the level of noise due to a period of triggers for requesting refresh operation of a memory.
    メモリのリフレッシュ動作を要求するためのトリガの周期に起因するノイズのレベルを低減する。 - 特許庁
  • To suppress the deterioration of encoding efficiency by appropriately setting an IDR (instantaneous decoding refresh) picture.
    ＩＤＲピクチャを適切に設定し、符号化効率の悪化を抑制することを可能とする。 - 特許庁
  • To provide a refresh method that can remarkably reduce the power consumption of a display screen.
    表示スクリーンの電力消費の大幅な削減を可能にするリフレッシュ方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a dynamic semiconductor memory device capable of reducing a wasteful refresh current.
    無駄なリフレッシュ電流を削減できるようにしたダイナミック型半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device in which a refresh flag is generated and to provide a semiconductor memory system.
    リフレッシュフラグを発生させる半導体メモリ装置及び半導体メモリシステムを提供する。 - 特許庁
  • To provide a memory controller for controlling the refresh cycle of a memory and a method thereof.
    メモリのリフレッシュ周期を制御するメモリコントローラおよびリフレッシュ周期制御方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a memory system in which a deterioration in a volatile memory performance due to a refresh operation is prevented.
    揮発性メモリの性能がリフレッシュにより低下することを防止できるメモリシステムを提供する。 - 特許庁
  • To prevent degradation when access is made from a DMA controller during a refresh operation of a DRAM.
    ＤＲＡＭのリフレッシュ実行中に、ＤＭＡコントローラからアクセスがあった場合の性能低下を防ぐ。 - 特許庁
  • The memory controller 3 for controlling data access with respect to the memory 4 is provided with a refresh control section 33.
    メモリ４に対するデータアクセスをコントロールするメモリコントローラ３は、リフレッシュ制御部３３を備える。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor storage device which saves wasteful power consumption in refresh operation.
    リフレッシュ動作において無駄な電力消費を抑制した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • At the time of refresh, an error is corrected by the error corrector 6, and data after correction is written in the memory cell array 5.
    リフレッシュ時には、エラーコレクタ６でエラーを訂正し、訂正後のデータをメモリセルアレイ５に書き込む。 - 特許庁
  • To faithfully display two or more videos displayed on one screen with original resolution and refresh rate.
    本来の解像度及びリフレッシュレートで忠実に複数の映像を１つの画面に表示する。 - 特許庁
  • To obtain an ink jet printer in which throughput is prevented from lowering even if refresh operation is performed in the interval of print operation.
    印刷の合間にリフレッシュ動作を行っても、スループットを低下させないことを課題とする。 - 特許庁
  • To provide a non-volatile semiconductor memory in which a high speed refresh function is realized at low cost.
    低コストで高速のリフレッシュ機能を実現した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • The secondary battery 50 has a memory circuit 61 for storing a flag which shows whether refresh processing is necessary or not.
    二次電池５０はリフレッシュ処理の要否を示すフラグを記憶するメモリ回路６１を有する。 - 特許庁
  • To retain correct data even if there is an instruction for a writing access of data during a self-refresh operation.
    セルフリフレッシュ動作中にデータの書き込みアクセスの指示があっても、正しいデータを保持する。 - 特許庁
  • A refresh finish signal REF_-END is transferred successively to the next sub-block in each group.
    各グループ内でリフレッシュ完了信号ＲＥＦ＿ＥＮＤが次のサブブロックに順に転送されていく。 - 特許庁
  • To reduce a consumption current during a self refresh mode without impairing high speed access operation.
    セルフリフレッシュモード時における消費電流を高速アクセス動作を損なうことなく低減する。 - 特許庁
  • To realize a semiconductor memory device having an excellent refresh characteristic matching the leak characteristic of memory cells.
    メモリセルのリーク特性に合致したリフレッシュ特性の優れた半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁
  • To distribute a refresh processing load to copy a master data on a master site as a replica data of a slave site.
    マスタサイトのマスタデータを、スレーブサイトのレプリカデータとしてコピーするリフレッシュ処理の負荷分散をする。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device in which a test time of a refresh test of redundancy area is shortened.
    リダンダンシーエリアのリフレッシュテストのテスト時間を短縮する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a production method of an alcoholic drink having moderate sweet taste and refresh aftertaste.
    適度な甘味とスッキリとした後味を持つアルコール飲料の製造方法を提供することである。 - 特許庁
  • It is possible to shorten the time of access by matching an activation period of time of the sense amplifier to the refresh operation.
    センスアンプの活性化期間をリフレッシュ動作に合わせることでアクセス時間を短縮できる。 - 特許庁
  • In use, a refresh rate is adjusted for power saving purposes, and/or any other purpose(s) for that matter.
    使用に際して、リフレッシュレートは、節電目的、及び／又はそのような他の目的で調整される。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device which suppresses malfunction when switching a refresh mode.
    リフレッシュモードの切り替え時に誤動作を抑制することができる半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁
  • To recover a refresh defective cell while effectively suppressing fluctuations of a power source potential and a ground potential.
    電源電位や接地電位の変動を効果的に抑制しつつ、リフレッシュ欠陥セルを救済する。 - 特許庁
  • To reduce power consumption, in a semiconductor memory for switching a cycle of generating refresh requests.
    リフレッシュ要求の生成周期を切り替える半導体メモリにおいて、消費電力を削減する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which can improve refresh property and soft error tolerance.
    リフレッシュ特性およびソフトエラー耐性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To reduce a self-refresh current for a low current operation when an SCRC is applied.
    低電流動作のために、ＳＣＲＣを適用した場合にセルフリフレッシュ電流を低減すること。 - 特許庁
  • You might have to first right-click the Service Assemblies nodes and select Refresh to view the Service Assembly.
    サービスアセンブリが表示されない場合は、「サービスアセンブリ」ノードを右クリックして「再表示」を選択します。 - NetBeans
  • Save the file and refresh your browser to see the list displayed in reverse order.
    ファイルを保存してブラウザを再表示し、一覧が逆の順序で表示されることを確認します。 - NetBeans
  • Drop a Button component to the right of the Label component and set its text to Refresh Results.
    「ボタン」コンポーネントを「ラベル」コンポーネントの右にドロップし、そのテキストを「結果を再表示」に設定します。 - NetBeans
  • To verify changes, right-click the contact connection node in the Services window and choose Refresh.
    変更内容を確認するには、「サービス」ウィンドウで「contact」接続ノードを右クリックし、「再表示」を選択します。 - NetBeans
  • INTELLECTUAL CACHE OF WEB CONTENT TO BE DYNAMICALLY CREATED AND STATISTIC, SYSTEM AND METHOD FOR REFRESH
    動的に作られかつ静的であるウェブコンテントの知的キャッシュとリフレッシュのためのシステムと方法 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device capable of reducing current consumption at a self refresh time.
    セルフリフレッシュ時の消費電流を低減することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • An output signal REFEN of the AND circuit 202 functions as a reference signal of automatic refresh operation.
    ＡＮＤ回路２０２の出力信号ＲＥＦＥＮが自動リフレッシュ動作の基準信号となる。 - 特許庁
  • Furthermore, a macro block whose time most elapses after it is selected as the refresh object is refreshed.
    また、リフレッシュ対象となってから最も時間の経過しているマクロブロックからリフレッシュを行う。 - 特許庁
  • At the time of self-refresh, the RTO signal is delayed by the prescribed time by the signal path A.
    セルフリフレッシュ時には、ＲＴＯ信号は信号経路Ａにより所定の時間だけ遅延される。 - 特許庁
  • REFRESH CONTROL METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING THE CONTROL METHOD
    半導体記憶装置のリフレッシュ制御方法、及び該制御方法を有する半導体記憶装置 - 特許庁
  • In the peripheral circuit of the semiconductor memory, an internal refresh control circuit 12 is provided.
    半導体記憶装置の周辺回路中には、内部リフレッシュ制御回路１２が設けられている。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT TO SUPPLY STABLE HIGH VOLTAGE DURING AUTO-REFRESH OPERATION AND METHOD THEREFOR
    オートリフレッシュ動作時に安定した高電圧を提供する半導体メモリ素子及びその方法 - 特許庁
  • To shorten an access cycle time in a semiconductor memory performing automatic refresh operation.
    リフレッシュ動作を自動的に実行する半導体メモリにおいて、アクセスサイクル時間を短縮する。 - 特許庁
  • To obtain a semiconductor memory capable of appropriately reducing a power consumption at the time of self-refresh.
    セルフリフレッシュ時の低消費電力化を適切に実現できる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁
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