「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 30 31 32 33 34 35 36 37 38 .... 429 430 次へ＞- The second diffusion prevention layer 19 has a wider shape than that of the diffusion prevention layer 21.
第２の拡散防止層１９は第３の拡散防止層２１より幅広の形状を有する。 - 特許庁 - The feeder 14 is held between a first shield layer 12S and a second shield layer 17S.
給電線１４は第１のシールド層１２Ｓと第２のシールド層１７Ｓとの間に挟まれている。 - 特許庁 - Finally, alumina in the layer 7 is selectively etched by phosphoric acid to lift-off the second deposited layer.
最後に、リン酸で犠牲層７のアルミナを選択エッチングし、第２の堆積層６ｂをリフトオフする。 - 特許庁 - The first skin layer 62 can be thereby formed thinner than the second skin layer 64.
これにより、第一表皮層６２を第二表皮層６４よりも薄く形成することができる。 - 特許庁 - The second light emitting unit 15-2 is provided with a blue luminous layer 15c-3 as the organic luminous layer.
第２発光ユニット１５-2は、有機発光層として青色発光層１５ｃ-3を備えている。 - 特許庁 - The first layer and the second layer preferably cover the whole actuator.
前記第１の層と前記第２の層が前記アクチュエータ全体を被覆していることが好ましい。 - 特許庁 - The first layer 30 is a part of the drift region 12 where the second layer 40 is not formed.
第１層３０は、ドリフト領域１２のうち、第２層４０が形成されていない部分である。 - 特許庁 - The cover layer may be situated adjacent to the second outer surface of the component layer.
前記カバー層は構成部品層の前記第２の外側の表面に隣接して配置される。 - 特許庁 - The translucent layer has a first optical density, and the etching stopper layer has a second optical density.
半透光層は第１の光学濃度を有し、エッチングストッパ層は第２の光学濃度を有する。 - 特許庁 - Existing part of the second spacer layer 57 is arranged, in response to the space of the spacer layer 53.
第２スペーサ層５７の実在部分は、スペーサ層５３の空間に対応して配置されている。 - 特許庁 - The anti-fogging sheet is constituted by laminating a first layer and a second layer on a substrate, in that order.
本発明の防曇性シートは、基材上に第１層と第２層が順に積層されてなる。 - 特許庁 - The first fin silicon layer 106 is lower in height than the second fin silicon layer 108.
第１のフィン型シリコン層１０６は、第２のフィン型シリコン層１０８よりも高さが低い。 - 特許庁 - Thereafter, the first metal layer 6 is etched with nitric fluoric acid via the second metal layer 6.
その後、フッ硝酸で第２金属層１０を媒介して第１金属層６をエッチングする。 - 特許庁 - An electric resistance value of the first electrode layer and an electric resistance value of the second electrode layer are the same.
第１電極層の電気抵抗値と第２電極層の電気抵抗値とは同じである。 - 特許庁 - A lower contact is formed in the second insulation layer electrically connected to the metallic layer.
下部コンタクトを金属層と電気的に接続されるよう第二の絶縁層内に形成する。 - 特許庁 - The second layer 20b has a expansion coefficient lower than that of the first layer 20a.
これにより、第２の層２０ｂは、第１の層２０ａよりも水素膨張率が低くなっている。 - 特許庁 - The edge E2 of the second semiconductor layer 12 is nearer to the first semiconductor layer 10.
この第２の半導体層１２のエッジＥ２は、第１の半導体層１０に近い側のエッジである。 - 特許庁 - When viewed from above, the opening of the insulation layer and the second contact layer do not overlap with each other.
上方からみて、前記絶縁膜の前記開口部と、前記第２コンタクト層とは、重ならない。 - 特許庁 - The wiring parts of the first electrode layer and the wiring parts of the second electrode layer are subjected to electroless plating.
第１電極層の配線部と第２電極層の配線部とに無電解メッキを施す。 - 特許庁 - This semiconductor device includes: a first wiring layer 12; a second wiring layer 16; and a switch via 35.
この半導体装置は、第１配線層１２、第２配線層１６、及びスイッチビア３５を備える。 - 特許庁 - The thin film transistor array can include a first metalized layer (214) and a second metalized layer (218).
薄膜トランジスタ・アレイは、第一の金属化層（２１４）及び第二の金属化層（２１８）を含み得る。 - 特許庁 - As a second process, a resin layer for the optical waveguide is further laminated on the lower clad layer 3.
第２の工程として、下部クラッド層３の上に光導波路用樹脂層をさらに積層する。 - 特許庁 - A difference in a thermal expansion coefficient between the first layer and the second layer is set within 1.0 ppm/K.
また、第１の層と第２の層との熱膨張係数の差が１．０ｐｐｍ／Ｋ以内とする。 - 特許庁 - The first metal layer includes scan lines and gates, and the second metal layer includes data lines and sources/drains.
第一金属層は走査線とゲートを有し、第二金属層はデータ線とソース／ドレインを有する。 - 特許庁 - By the covering of this double-layer structure, the transmission of heat from the second layer 14 to the blade 2 is prevented.
この２層構造の被膜によって、熱の第二層１４からブレード１２への伝達を防ぐ。 - 特許庁 - The light-emitting part is provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
前記発光部は、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる。 - 特許庁 - A p-type second nitride gallium layer 8 is formed on the surface of the first nitride gallium layer 6.
次に、第１の窒化ガリウム層６の表面にｐ型の第２の窒化ガリウム層８を形成する。 - 特許庁 - The second catalyst layer 4B (7B) contains ionomers more than the first catalyst layer 4A (7A).
第２の触媒層４Ｂ（７Ｂ）は第１の触媒層４Ａ（７Ａ）よりアイオノマーを多く含んでいる。 - 特許庁 - The device contains a first adhesive layer, a polyimide substrate, a second adhesive layer, and a heat sink.
デバイスは、第１の接着剤層、ポリイミド基板、第２の接着剤層およびヒートシンクを含む。 - 特許庁 - A silicon layer 4 included in the first MOS transistor is thicker than a silicon layer 4 included in the second MOS transistor.
第１のＭＯＳトランジスタのシリコン層４は、第２のＭＯＳトランジスタのシリコン層４より厚い。 - 特許庁 - Further, the thickness of the second metal layer 5 is ≥20% of the thickness of the first metal layer 3.
さらに、第２金属層５の厚みが第１金属層３の厚みの２０％以上である。 - 特許庁 - The second layer 24 is 8 to 20 times as thick as that of the first layer 22.
第２の層２４の膜厚は、第１の層２２の膜厚の８倍以上２０倍以下である。 - 特許庁 - The intermediate canvas 20 and the primer layer 24 are adhered to each other through a second adhesive agent layer 32.
中間帆布２０とプライマー層２４は、第２の接着剤層３２を介して接着される。 - 特許庁 - Also, a predetermined potential difference is generated between the first conductive layer 12 and the second conductive layer 15.
また、第１導電層１２と第２導電層１５との間で、所定の電位差を生じさせる。 - 特許庁 - The first reflection layer 32, the optical modulation film 34, and the second reflection layer 40 construct a resonator.
第１反射層３２、光変調膜３４、第２反射層４０は共振器を構成する。 - 特許庁 - The first layer and the second layer are bonded with each other by solid-phase diffusion (step S4).
前記第１の層及び前記第２の層を互いに固相拡散接合する（ステップＳ４）。 - 特許庁 - On the other hand, the classification of the map layer units U0 to U3 is insufficient, and the classification of the second layer is operated.
他方、マップ層ユニットＵ０〜Ｕ３は、分類が不十分であり、第２層の分類を行う。 - 特許庁 - A sealed rectangular pocket 112 is formed between the first layer and the second layer.
前記第１の層と第２の層との間には、密封された矩形のポケット１１２が形成されている。 - 特許庁 - A plurality of vias are formed in the layer of second conductivity type, penetrating to the layer of first conductivity type.
複数のヴィアが、第２導電型層内に第１導電型層まで下って形成される。 - 特許庁 - An N+ layer 104 is formed in the center of the second face by detaching it from the P+ layer 103.
また、第２の面の中心部に、Ｐ^+層１０３と離隔してＮ^+層１０４を形成する。 - 特許庁 - The conductive layer is provided on at least one of the first surface and the second surface of the base layer.
導電層は、基層の第一面および第二面のうち少なくとも一方に設けられる。 - 特許庁 - A second heat-resistance reinforcing layer 142 is formed on a first amorphous photoconductive layer 141.
また、第１の非晶質光導電層１４１上に第２の耐熱強化層１４２を設ける。 - 特許庁 - A part of the second rewiring layer 7 is formed at a position overlapping the first rewiring layer 5.
第２再配線層７の一部は第１再配線層５に重なる位置に形成されている。 - 特許庁 - Image quality represented by first layer reproduction data is higher than that represented by the second layer reproduction data.
第１層再生用データが示す画質は、第２層再生用データが示す画質より高い。 - 特許庁 - The thickness of the first metal coating layer 30 is smaller than that of the second metal coating layer 40.
第１金属被覆層３０の厚みは第２金属被覆層４０の厚みよりも小さい。 - 特許庁 - The first conductivity type buried layer 25 is formed on the second conductivity type buried layer 23.
第１導電型埋め込み層２５は、第２導電型埋め込み層２３上に設けられている。 - 特許庁 - The first bonding layer is brought into contact with the second bonding layer and heated, and then both are bonded.
第１の接合層と第２の接合層とを接触させて加熱し、両者を接合する。 - 特許庁 - Alternatively, the laminate can have a second conductive layer bonded to the curl balance layer.
任意選択的に、ラミネートは、カールバランス層に結合した第２の導電層をも含むことができる。 - 特許庁 - The MR film 30 is arranged between the first shield layer 31 and the second shield layer 33.
ＭＲ膜３０は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３の間に設けられている。 - 特許庁 - The first reflective layer 32, the optical modulation film 34, and the second reflective layer 40 constitute a resonator.
第１反射層３２、光変調膜３４、第２反射層４０は共振器を構成する。 - 特許庁
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