「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 429 430 次へ＞- The adhesive layer 7 is exposed, and the adhesive layer 7 is adhered to the second wall panel 3.
これにより粘着層７が露出し、粘着層７が第２壁パネル３に接着される。 - 特許庁 - The third layer is provided with pores 39, through which the second layer 2 is subjected to wet etching.
第３層に細孔３９を形成し、この細孔３９を介して第２層２をウェットエッチングする。 - 特許庁 - A second transparent electrode layer 18 is formed in a back face 17a of the organic electroluminescent layer 17.
有機エレクトロルミネッセンス層１７の背面１７ａには第２電極層１８が形成されている。 - 特許庁 - Then a second electrode layer 24 is deposited on the piezoelectric layer 22 by using, for instance, the sputtering method.
次いで、圧電層２２上に第２電極層２４を、例えばスパッタリング法を用いて成膜する。 - 特許庁 - This photodiode element (20) includes a first layer having a first diffusion type, and a second layer.
フォトダイオード素子（２０）が、第一の拡散形式を有する第一の層と、第二の層とを含んでいる。 - 特許庁 - The second clad layer is formed of a quartz glass while the third clad layer 4 formed of silicon resin.
第２クラッド層３を石英系ガラスにより、第３クラッド層４をシリコーン樹脂により形成する。 - 特許庁 - Each of the actuators has a first end supporting the cover layer and a second end supporting the support layer.
各アクチュエータは、カバー層を支持する第１端と、支持層を支持する第２端とを有する。 - 特許庁 - A semiconductor area 9 is provided between the first clad layer 5 and the second clad layer 7.
半導体領域９は、第１のクラッド層５と第２のクラッド層７との間に設けられている。 - 特許庁 - The first sealing resin layer 4 and the lid 9 are sealed with a second sealing resin layer 10.
そして、第１封止樹脂層４と蓋体９とを第２封止樹脂層１０で封止する。 - 特許庁 - The second diamond layer 3 is the carrier high-density layer formed by high density excitation.
第２のダイヤモンド層３が、高密度励起することにより形成されたキャリア高密度相である。 - 特許庁 - The first metal layer contains zinc, and the second metal layer does not contain zinc but contains tin.
第１の金属層は亜鉛を含有し、第２の金属層は亜鉛を含有せず錫を含有する。 - 特許庁 - The second electrode layer is formed in the extending direction of the tube inside the organic substance layer.
第２電極層は、有機物層の内側に管の延びる方向に沿って形成されている。 - 特許庁 - On the foundation layer 2, an upper layer 3 is formed epitaxially with a second group III nitride rich in Al.
下地層２の上に、上部層３をＡｌリッチな第２のIII族窒化物にてエピタキシャル形成する。 - 特許庁 - The attachment of the first layer (10) to the second layer (20) defines the overall thickness of a collimator assembly (100).
第一（１０）及び第二の層（２０）の付着は、コリメータ・アセンブリ（１００）の全厚を画定する。 - 特許庁 - In the groove 14, an active layer 15 (a second semiconductor layer) including an Al element is formed.
溝１４内に、Ａｌ元素を含有する活性層１５（第２の半導体層）を形成する。 - 特許庁 - The multilayered films for pattern formation has the first lower layer film, the second lower layer film and the resist film.
パターン形成用多層膜は、第一下層膜、第二下層膜およびレジスト被膜を有する。 - 特許庁 - Thereafter, the surface of the first doped layer 540a is coated with a second semiconductor layer 550a.
その後、第１のドーピング層５４０ａの表面を第２の半導体層５５０ａで被覆する。 - 特許庁 - Dielectric layer (64) of the capacitor is formed in the second dielectric layer and one piece of the TFT.
キャパシタの誘電体層（６４）はＴＦＴの第２の誘電体層と一体に形成される。 - 特許庁 - Next, a second insulating layer 3 having a pore 3a is formed on the first insulating layer 1.
次に、孔部３ａを有する第２の絶縁層３を第１の絶縁層１上に形成する。 - 特許庁 - A p+-type embedded layer 4 is formed on the region under the n+-type second drain layer 3.
また、Ｎ＋型の第２ドレイン層３の下の領域にＰ＋型埋め込み層４を形成する。 - 特許庁 - This semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 20, a first layer 30, and a second layer 40.
半導体装置１は、半導体基板２０と、第１層３０と、第２層４０とを備える。 - 特許庁 - One layer of internal electrode 4 is buried in one second ceramic dielectric layer 3b.
第二のセラミック誘電体層３ｂ一層につき内部電極４一層が埋設されている。 - 特許庁 - An electroluminescent fluorescence material positions between the first dielectric layer and the second dielectric layer.
エレクトロルミネッセンス蛍光物質は第１誘電体層と第２誘電体層との間に位置する。 - 特許庁 - The source-side gate insulating layer 25 includes a second source-side gate insulating layer 25b made of aluminum oxide.
ソース側ゲート絶縁層２５は、酸化アルミニウムからなる第２ソース側ゲート絶縁層２５ｂを含む。 - 特許庁 - The second layer 52 is doped with Zn up to the same dopant atom concentration, and is in contact with the first layer.
第2の層(52)も同じドーパント原子濃度までZnでドーピングされ、第1の層と接触している。 - 特許庁 - The second electrode layer 5b is formed on the first electrode layer 5a by plating.
第２の電極層５ｂは、第１の電極層５ａ上にめっき法により形成されている。 - 特許庁 - The second electrode layer 8b is formed to be set thicker than the first metal layer 8a.
第二の電極層８ｂは、第一の金属層８ａよりも厚くなるように形成されてなる。 - 特許庁 - The band gap of the second quantum well layer is larger than the band gap of the first quantum well layer.
第２の量子井戸層のバンドギャップが該第１の量子井戸層のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁 - Further, the first dielectric layer 5a has a larger dielectric constant than the second dielectric layer 5b.
しかも、第１の誘電体層５ａは、第２の誘電体層５ｂよりも誘電率が高い。 - 特許庁 - The second epitaxial crystal layer is composed of the same crystal as that of the first epitaxial crystal layer.
第２のエピタキシャル結晶層は前記第１のエピタキシャル結晶層と同じ結晶からなる。 - 特許庁 - The first adhesive layer and the second adhesive layer are a vinyl or acrylic polymer.
第１の接着剤層および第２の接着剤層は、ビニル系またはアクリル系ポリマーである。 - 特許庁 - And, a second barrier layer made of, for example, titanium or titanium nitride is deposited on the aluminum barrier layer.
例えばチタン及び窒化チタンからなる第２バリア層が、アルミニウム・バリア層上に堆積される。 - 特許庁 - The second ink receiving layer 4b is partially provided to the outside of the first ink receiving layer 4a.
第二のインク受理層４ｂは第一のインク受理層４ａの外面に部分的に設ける。 - 特許庁 - The external element 11 includes a first electrode layer 51a and a second electrode layer 51b.
外部電極５１は、第１の電極層５１ａと、第２の電極層５１ｂとを有している。 - 特許庁 - The hydrogen bonding density of the third insulation layer 23 is made lower than that of the second insulation layer 22.
そして、第３絶縁層２３の水素結合密度は第２絶縁層２２より小さくする。 - 特許庁 - A thickness of the first semiconductor layer 12n is smaller than that of the second semiconductor layer 13p.
第１の半導体層１２ｎの厚みは、第２の半導体層１３ｐの厚みよりも薄い。 - 特許庁 - The second optical wavelength conversion layer 26 is disposed on the first optical wavelength conversion layer 24.
第２の光波長変換層２６は、第１の光波長変換層２４の上に設けられている。 - 特許庁 - a boundary layer above the top layer of a deep sea bed which causes a strong water flow of over 0.5 metres per second
深海底の直上で,秒速0.5メートルを越える強い流れを生ずる場所の境界層 - EDR日英対訳辞書 - A power-supply electrode 21 is installed to the power-supply electrode layer 20, and the land 11 for mounting the IC is installed to the second signal electrode layer 10.
第２の信号電極層１０にはＩＣ実装用ランド１１が設けられている。 - 特許庁 - Next, Co is deposited as a second magnetic layer 14 on the center of this insulating layer 12.
次に、前記絶縁層１２の中心上に、第二磁性層１４としてＣｏを成膜する。 - 特許庁 - When the second layer 720 is peeled away from the first layer 710, a flat-shaped photo print is obtained.
第２層７２０を第１層７１０から剥がすと平坦形状のフォトプリントが得られる。 - 特許庁 - Then, the color tone of the second upper coating electrically conductive GL layer as the outermost surface layer is a light color.
そして、最表層となる第二の上引き導電性ＧＬ層の色調は薄色である。 - 特許庁 - The air electrode 103 is formed with two layers of a first layer 103a and a second layer 103b.
空気極１０３が、第１層１０３ａと第２層１０３ｂとの２層から構成されている。 - 特許庁 - In this case, the first diffusion layer 12 has conductive type opposite to that of the second diffusion layer 13.
ここで、第１拡散層１２と第２拡散層１３は、反対の導電型を有している。 - 特許庁 - The first layer part 21 and the second layer part 22 are arranged around the coupling part 31.
第１層部分２１および第２層部分２２は、連結部３１の回りに配置されている。 - 特許庁 - The backing board material is arranged in a first enclosing layer of a wall, and covered with a second enclosing layer.
細長い下地板材は、壁の第１の包囲層に配置され、第２の包囲層で覆われる。 - 特許庁 - A lamination gate composed of the first conductive layer and second conductive layer is formed on the active region.
アクティブ領域の上部に第１導電層と第２導電層との積層ゲートを形成する。 - 特許庁 - Next, the width of the first layer 102 is made smaller than the width of the second layer 103 by ashing.
次に、アッシングによって、第１の層１０２の幅を第２の層１０３の幅よりも小さくする。 - 特許庁 - The resonance tunnel diode has a structure where a buffer layer 22, a sub-emitter layer 23, an emitter layer 24, a spacer layer 25, a first barrier layer 26, a well layer 27, a second barrier layer 28, an electron transit layer 29, and a collector layer 30 are laminated sequentially on a substrate 21.
共鳴トンネルダイオードは、バッファ層２２と、サブエミッタ層２３と、エミッタ層２４と、スペーサ層２５と、第１の障壁層２６と、井戸層２７と、第２の障壁層２８と、電子走行層２９と、コレクタ層３０とが、基板２１上に順次積層された構造からなる。 - 特許庁 - Well regions are not formed inside the second semiconductor layer 13 that corresponds to the second region 17.
第２の領域17に対応する第２の半導体層13内には、ウェル領域が形成されていない。 - 特許庁
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