「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 34 35 36 37 38 39 40 41 42 .... 429 430 次へ＞- The GaN based light-emitting diode chip has a transparent first layer where a p-type contact layer is applied to the p-side, and a reflective second layer applied onto the first layer.
ｐ型接触層がｐ側に施された透明な第１の層およびこの第１の層上に施された反射性の第２の層を有している。 - 特許庁 - A lower rubber layer 12 is constituted of a first rubber layer 21 formed on a core layer 13 side, and a second rubber layer 22 formed on a belt inner face side.
下ゴム層１２は、心体層１３側に形成された第１ゴム層２１と、ベルト内面側に形成された第２ゴム層２２とにより構成されている。 - 特許庁 - A second magnetic material layer 22 is provided between a coil conductor formation layer 21c that is a layer including the coil conductor 9, and the first surface layer 31.
コイル導体９を含む層であるコイル導体形成層２１Ｃと第１表面層３１との間に第２の磁性体層２２を備えている。 - 特許庁 - The multi-piece solid golf ball 10 comprises a solid core 12 comprising an inner layer 16, a first intermediate layer 18, a second intermediate layer 20 and an outer layer 22, and a cover 14.
マルチピースソリッドゴルフボール１０は、内層１６、第１中間層１８、第２中間層２０及び外層２２を有するソリッドコア１２と、カバー１４とを有する。 - 特許庁 - Furthermore, the magnetoresistance sensor comprises a specular layer formed on the second non-magnetic conductive layer and an exchange coupling control layer formed on the specular layer.
磁気抵抗センサはさらに、第２非磁性導電層上に設けられたスペキュラ層と、該スペキュラ層上に設けられた交換結合制御層とを含んでいる。 - 特許庁 - The heat roller 52 includes: a base body 31; a heating body 35; a first adhesion layer 46; a second adhesion layer 47; a heat-transfer layer 36; and a releasing layer 37.
ヒートローラ５２は、ベース体３１と、発熱体３５と、第１接着層４６と、第２接着層４７と、伝熱層３６と、離型層３７と、を備えている。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a light-transmitting layer, a first nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer.
実施形態によれば、発光層と、透光層と、第１窒化物半導体層と、第２窒化物半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - The plurality of pairs of layer portions includes a specific pair of layer portions 10PS having a first type layer portion and a second type layer portion.
複数対の階層部分は、第１の種類の階層部分と第２の種類の階層部分からなる特定の対の階層部分１０ＰＳを含んでいる。 - 特許庁 - A laminated layer 8 formed by laminating a first insulating layer 8a, a trap layer 8b and second insulating layer 8c in their order is formed on the channel region.
そして、チャネル領域上に、第１の絶縁層８ａ、トラップ層８ｂ、第２の絶縁層８ｃの順で積層された積層膜８が形成される。 - 特許庁 - Then, only the second layer 4 is peeled off and an area including the catalyst layer 6 and reaching a part surrounding the window hole 5 in the first layer 3 is covered with the gas diffusion layer 7.
その後、第２層４のみを剥がし、続いて、触媒層６を含み、第１層３の窓穴５周囲部分に至る領域をガス拡散層７で覆う。 - 特許庁 - The buried layer 70A includes a p-type first buried layer 70a_1, a p-type fourth buried layer 70b_2 and a p-type second buried layer 70b_1.
埋め込み層７０Ａは、ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１、ｐ型第４埋め込み層７０ｂ_２及びｐ型第２埋め込み層７０ｂ_１を含む。 - 特許庁 - A second conductive layer 40 is formed so that at least part of the layer 40 is deposited above the first conductive layer 20 and on the insulation layer 26.
第２の導電層４０を、少なくともその一部が第１の導電層２０の上方であって絶縁層２６上に配置されるように形成する。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element includes a buffer layer, a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.
実施形態によれば、バッファ層と、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - The second-conductive-type layer 150 is formed in the low-concentration collector layer 102 and is located between the base layer 120 and the first-conductive-type layer 140.
第２導電型層１５０は低濃度コレクタ層１０２に形成されており、ベース層１２０と第１導電型層１４０の間に位置している。 - 特許庁 - In a p-type clad layer 16, a first p-type clad layer 16A comprising a single layer, and a second p-type clad layer 16B comprising a superlattice structure are formed.
ｐ型クラッド層１６内に、単層からなる第１ｐ型クラッド層１６Ａと、超格子構造からなる第２ｐ型クラッド層１６Ｂが設けられている。 - 特許庁 - The exchange energy control layer 7 is a laminated layer made of a first layer containing Co or a Co-alloy and a second layer containing palladium (Pd) or platinum (Pt).
前記交換エネルギー制御層７は、ＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層である。 - 特許庁 - The photoelectric conversion layer 4 includes a first layer containing Ge and a second layer which is formed on the first layer and does not contain Ge.
そして、光電変換層４は、Ｇｅが含有された第１の層と、第１の層上に形成され、Ｇｅが含有されない第２の層とを含む。 - 特許庁 - As the ink receiving layer 4, a first ink receiving layer 4a and a second ink receiving layer 4b having different ink permeability are laminated to provide for the ink receiving layer 4.
前記インク受理層４として、インク浸透性が異なる第一のインク受理層４ａと第二のインク受理層４ｂとを積層して設ける。 - 特許庁 - In each layer, the impurity concentration is formed by satisfying the relationship of the second amorphous silicon layer 3≤the third amorphous silicon layer 4<the first amorphous silicon layer 2.
各層は、その不純物濃度が、第２のアモルファスシリコン層３≦第３のアモルファスシリコン層４＜第１のアモルファスシリコン層２、の関係を満たして形成される。 - 特許庁 - The semiconductor mesa 15 includes a light receiving layer 25, a window layer 27, and a second conductivity type semiconductor region 29 provided in the light receiving layer 25 and the window layer 27.
半導体メサ１５は、受光層２５と、窓層２７と、受光層２５および窓層２７内に設けられた第２導電型半導体領域２９を含む。 - 特許庁 - The first metal oxide layer 111 serves as a p-type semiconductor layer and the second metal oxide layer 114 serves as a n-type semiconductor layer.
第１の金属酸化物層１１１はｐ型の半導体層として、第２の金属酸化物層１１４はｎ型の半導体層として働く。 - 特許庁 - The external electrode 16A_1 has a baked electrode layer 18A_1, a resin electrode layer 20A_1, a first plating layer 22A_1, and a second plating layer 24A_1.
外部電極１６Ａ_１は、焼付電極層１８Ａ_１と、樹脂電極層２０Ａ_１と、第１めっき層２２Ａ_１と、第２めっき層２４Ａ_１とを有する。 - 特許庁 - A first linear layer 32 is formed on a sidewall of the trench 12 and a second liner layer 34 is formed on the barrier layer 30 and the first liner layer 32.
トレンチ１２の側壁に第一のライナー層３２を形成し、バリア層３０及び第一のライナー層３２上に第二のライナー層３４を形成する。 - 特許庁 - The first lens layer L1 has a diffusion degree larger than that of the third lens layer L3, and the third lens layer L3 has a diffusion degree larger than that of the second lens layer L2.
第１レンズ層Ｌ１は第３レンズ層Ｌ３よりも拡散度合が大きく、第３レンズ層Ｌ３は第２レンズ層Ｌ２よりも拡散度合が大きい。 - 特許庁 - The reflective layer consists of a first reflective layer 3 and a second reflective layer 4 exhibiting different reflectivity characteristics for the light from the active layer 6.
反射層は、活性層６からの光に対して互いに異なる反射率特性を有する第１の反射層３及び第２の反射層４よりなる。 - 特許庁 - An MR element comprises a laminate 20 where there are laminated, in sequence, an underlying layer 21, a crystal growth suppressing layer 22, a first soft-magnetic layer 23, a second soft-magnetic layer 24, an antimagnetic layer 25, a ferromagnetic layer 26, an antiferromagnetic layer 27, and a protective layer 28.
ＭＲ素子は、下地層２１，結晶成長抑制層２２，第１軟磁性層２３、第２軟磁性層２４，非磁性層２５，強磁性層２６，反強磁性層２７および保護層２８を順次積層してなる積層体２０を有している。 - 特許庁 - When a parts mounting surface or the uppermost surface layer is specified as a first layer, one side of a ground layer and the same of a power supply layer are arranged on a second layer while the other sides of them are arranged on a third layer, and an insulation film is arranged between the ground layer and the power supply layer.
部品実装面である最表面層を第１層としたときに、第２層にグランド層及び電源層の一方を、第３層にその他方を配置し、グランド層と電源層との間に絶縁フィルムを配置したことを特徴とする。 - 特許庁 - A protective element 10 comprises a low-concentration collector layer 102, a sinker layer 110, a high-concentration collector layer 112, an emitter layer 130, a high-concentration base layer 122, a base layer 120, a first-conductive-type layer 140, and a second-conductive-type layer 150.
本実施形態における保護素子１０は、低濃度コレクタ層１０２、シンカー層１１０、高濃度コレクタ層１１２、エミッタ層１３０、高濃度ベース層１２２、ベース層１２０、第１導電型層１４０、及び第２導電型層１５０を有している。 - 特許庁 - The second board 2 includes a second insulating board 27 and a second conductor layer 23 connected to the first via 14 or/and a second via 24.
上記第二基板２は，第二絶縁基板２７，及び上記第一ビア１４と接続している第二導体層２３または／及び第二ビア２４を有する。 - 特許庁 - The n-type transistor has a second work function, and a second gate electrode formed of a second material layer 211-2 rich in a second metal material.
前記Ｎ型のトランジスタは、第２の仕事関数値を有し、第２の金属材料に富んだ第２材料層２１１−２より成る第２ゲート電極を有する。 - 特許庁 - The second organic electroluminescent diode comprises the second electrode, a third electrode, and a second organic light emitting layer disposed between the second and third electrodes.
第２有機電界発光ダイオードは第２電極、第３電極及び第２電極と第３電極間に位置する第２有機発光層を具備する。 - 特許庁 - The second region 12 contains a first-conductivity first impurity diffusing layer 22 and a first-conductivity second impurity diffusing layer 24 adjoining the layer 22.
第２領域１２は、第１導電型の第１不純物拡散層２２と、第１不純物拡散層２２と隣り合う第１導電型の第２不純物拡散層２４とを含む。 - 特許庁 - Since the movement of the oil of the first filter layer 18 to the second filter layer 9 is suppressed, the second filter layer 9 can capture carbon particles efficiently.
また、第１のフィルタ層８の油が第２のフィルタ層９に移動するのが抑制されているので、第２のフィルタ層９が効率良くカーボン粒子を捕捉することができる。 - 特許庁 - The second base material is laminated by bonding the second insulating layer 101b on the top of the first conductor layer 100a of the first base material with a thin-film adhesion layer 103 interposed.
第一の基材の第一の導体層１００ａの上に薄膜接着層１０３を介して第二の絶縁層１０１ｂを接着して第二の基材を積層する。 - 特許庁 - The second passivation layer 30 is disposed between the substrate 10 and the first passivation layer 20, and the material of the second passivation layer 30 is an oxide of the material of the substrate.
第２のパッシベーション層３０は基板１０と第１のパッシベーション層２０との間に配置され、第２のパッシベーション層３０の材料は、基板の材料の酸化物である。 - 特許庁 - The first and second CD yarns form a binding pair of yarns which combine to weave each MD yarn in the first layer and cross between the first layer and the second layer.
第１ＣＤヤーン及び第２ＣＤヤーンは、第１層の各ＭＤヤーンを織成し第１層と第２層との間を横切るように組み合わせるヤーンの接結ペアを形成する。 - 特許庁 - A second layer c is formed by applying a second layer agent 20 prepared by mixing the adhesive, water, cement and sand at a predetermined compounding ratio to the upper face of the first layer b.
接着剤と水とセメントと砂とを所定の配分比率で混合して成る第２層剤２０を、第１層ｂの上面に塗布して第２層ｃを形成する。 - 特許庁 - By using the mask layer and introducing impurities, a second conductive type second layer 5 different from the first conductive type is formed on the first layer 2.
マスク層を用いて不純物を導入することによって、第１の層２の上に、第１導電型と異なる第２導電型を有する第２の層５が形成される。 - 特許庁 - Since the thermal stress occurring between a package 2 and the second layer 32 is buffered by the second layer 32, transfer of the thermal stress to the first layer and the sensor chip 1 is suppressed.
パッケージ２と第２層３２間に生じる熱応力は第２層３２により緩衝されるので、第１層およびセンサチップ１への熱応力の伝達は抑えられる。 - 特許庁 - The first wiring layer 2A has more wiring layers than those of the second wiring layer 2B and is formed at the peripheral edge of the main surface so as to surround the second wiring layer 2B.
第１の配線層２Ａは、第２の配線層２Ｂよりも多くの配線層を有し且つ主面の周縁部に第２の配線層２Ｂを囲むように形成されている。 - 特許庁 - The light-emitting diode comprises: a substrate; a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; an active layer; a first electrode; a second electrode; and a three-dimensional nanostructure array.
本発明の発光ダイオードは、基板と、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、第一電極と、第二電極と、三次元ナノ構造体アレイと、を含む。 - 特許庁 - Subsequently, a compound containing metal and a second reducing gas are supplied onto the first seed layer 5 to form a second seed layer 6 on the first seed layer 5.
続いて、第１のシード層５上に金属を含む化合物及び第２の還元性ガスを供給することにより、第１のシード層５の上に第２のシード層６を形成する。 - 特許庁 - In a second-layer interlayer insulation film 5 formed between a first-layer metal 3 and a second-layer metal 9, a first via 7 and a first dummy via 7a are formed.
第１層目メタル３と第２層目メタル９の間に設けられた第２層目層間絶縁膜５に第１ＶＩＡ７と第１ダミーＶＩＡ７ａが形成されている。 - 特許庁 - A second opening 18 in which a wiring layer 16 is exposed is formed, then a second seed layer 19 is formed, and a solder post 7 is formed with the seed layer 19 serving as a plating electrode.
配線層１６が露出する第２の開口部１８を形成した後、第２のシード層１９、このシード層１９をメッキ電極として半田ポスト７を形成する。 - 特許庁 - The flexible flat cable with gap parts is provided with a first substrate 11, a first conductive layer, a second substrate 21, a second conductive layer, an adhesive layer 3, and a cluster part 4.
隙間部を有するフレキシブルフラットケーブルは、第１の基板１１、第１の導電層、第２の基板２１、第２の導電層、粘着層３及びクラスタ部４を備える。 - 特許庁 - Metal plating is grown from a second conductive layer 120 by electrolytic Cu plating, by allowing the second conductive layer 120 to be a power supply layer so as to form the through-wirings.
第２の導電層１２０を給電層として、電解Ｃｕめっきにより第２の導電層１２０より金属めっきを成長させ、貫通配線を形成する。 - 特許庁 - A second ferromagnetic layer 32 whose direction of magnetization is antiparallel to that of a first ferromagnetic layer 30 is laminated on a second antiferromagnetic layer 31.
第２反強磁性層３１の上に磁化方向が第１強磁性層３０の磁化方向に対して反平行方向である第２強磁性層３２を積層する。 - 特許庁 - The transfer of the active component in the second oxide layer 3 is suppressed, and the active component passing through the second oxide layer 3 is captured by the reaction in the first oxide layer 2.
第２酸化物層３で活性成分の移行を抑制し、第２酸化物層３をすり抜けた活性成分は第１酸化物層２で反応することで捕捉される。 - 特許庁 - The capacity value is variable, according to the potential difference between the gate electrode and second well layer, and further to the potential difference between the second well layer and first well layer.
ゲート電極と第２ウェル層間の電位差に応じて容量値が可変であるとともに、第２ウェル層と第１ウェル層間の電位差に応じて容量値が可変である。 - 特許庁 - Light incident from the pin hole 7 of a second reflection layer 6 through a group of condenser lenses 9 is subjected to multireflection between a first reflection layer 5 and a second reflection layer 7.
集光レンズ群９を通り、第２の反射層６のピンホール７から入射した光が、第１の反射層５と第２の反射層７との間で多重反射される。 - 特許庁
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