「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 358 359 360 361 362 363 364 365 366 .... 429 430 次へ＞- A nitride semiconductor device 111 comprises: a semiconductor layer 30 containing a nitride semiconductor; a source electrode 40; a drain electrode 50; a first gate electrode 10; and a second gate electrode 20.
窒化物半導体を含む半導体層３０と、ソース電極４０と、ドレイ電極５０と、第１ゲート電極１０と、第２ゲート電極２０と、を備えた窒化物半導体装置１１１が提供される。 - 特許庁 - Nitride ion gas 18 generated by ionizing plasma is radiated to the surface of second nitride semiconductor layer 14 with a cathode for generating plasma fully away from a substrate to be processed.
第２の窒化物半導体層１４の表面に、プラズマを電離することにより生成した窒素イオンガス１８を、プラズマを発生させる陰極と被処理基板の距離を十分離して照射する。 - 特許庁 - A nitride semiconductor device includes a semiconductor laminate 110 made of a nitride semiconductor comprising a first main surface and a second main surface that faces it, and containing a channel layer 104.
窒化物半導体装置は、第１主面及び該第１主面と対向する第２主面を有する窒化物半導体からなり、チャネル層１０４を含む半導体積層体１１０を有している。 - 特許庁 - A color layer 61 transmitting light having a wavelength of red and absorbing light having a wavelength shorter than the wavelength of red is provided between the second and the third liquid crystal layers 52 and 53.
さらに、第２の液晶層５２と第３の液晶層５３との間には、赤色の波長の光を透過し、かつ、赤色より短い波長の光を吸収する着色層６１が設けられている。 - 特許庁 - The cathode member includes a first contact part 111 coming in contact with the cathode catalyst layer, a second contact part 112 coming in contact with the cathode separator, and a gas passage 121 through which gas flows.
カソード電極部材は、カソード触媒層に対して接触する第１の接触部１１１と、カソードセパレータに対して接触する第２の接触部１１２と、ガスが流れるガス流路１２１と、を備えている。 - 特許庁 - A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.
選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。 - 特許庁 - The optical reflectivity and/or phase of the indices are different from the surrounding servo layer, and the indices are optically accessible from at least one of the first side and the second side of the tape.
指標の光反射率および／または位相は、まわりのサーボ層とは異なっており、指標は、テープの第１の側および第２の側の少なくとも一方から光学的にアクセス可能である。 - 特許庁 - The divided second semiconductor elements 8 are picked up from the dicing film 21, and the adhesive films 22 stuck on the rear surface thereof are bonded as an adhesive layer on the first semiconductor element.
分割した第２の半導体素子８をダイシングフィルム２１からピックアップすると共に、その裏面に貼り付けられた接着剤フィルム２２を接着剤層として第１の半導体素子上に接着する。 - 特許庁 - The electroluminescent element 1 has a second light emitting layer 40a including a host material containing a mixed crystal of zinc sulfide and a gallium sulfide, and manganese as the light emitting center added to the host material.
エレクトロルミネッセンス素子１は、硫化亜鉛と硫化ガリウムとの混晶を含むホスト材料と、前記ホスト材料に添加された発光中心としてのマンガンと、を含む第２発光層４０ａを有する。 - 特許庁 - There is provided the method of manufacturing a lithium secondary cell in which the active substance layer 130 containing a second metal not alloyed with Li and an active substance is formed on the current collector 110 containing a first metal not alloyed with Li.
Liと合金化しない第一金属を含む集電体110上に、Liと合金化しない第二金属および活物質を含む活物質層130を形成するリチウム二次電池の製造方法である。 - 特許庁 - The method for manufacturing the microlens array includes a process for forming second layers 126 on a member having a first layer 120 and shading layers 122 and provided with a plurality of recessed parts 124.
マイクロレンズアレイの製造方法は、第１の層１２０及び遮光性層１２２を有してなるとともに複数の凹部１２４が形成された部材上に、第２の層１２６を形成することを含む。 - 特許庁 - The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole.
第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。 - 特許庁 - The first conductive barrier layer includes a substance that suppresses the diffusion of the first metal from the first metal region to the outside, and the second metal region includes a catalytic metal internally.
前記第１導電性バリア層は、前記第１金属領域からの前記第１金属の外部拡散を抑制する物質を含み、前記第２金属領域は、内部に触媒金属を含む。 - 特許庁 - A second coil conductor 13 having an inductance substantially identical to that of the first coil conductor 9 and slightly longer than the first coil conductor 9 is formed on the third insulation layer 11.
第３絶縁層１１上には、第１のコイル導体９とほぼ同じインダクタンス値を有し、かつ、第１のコイル導体９よりも僅かに全長が長い第２のコイル導体１３が形成されている。 - 特許庁 - When the hydrogen permeable membrane for selectively permeating hydrogen is produced, a metal base layer containing a metal of Group 5 and a second component capable of being oxidized, nitrided or carbonized is firstly prepared (step S100).
水素を選択的に透過させる水素透過膜を製造する際には、まず、５族金属と、酸化、窒化あるいは炭化され得る第２の成分とを含有する金属ベース層を用意する（ステップＳ１００）。 - 特許庁 - Then, nano-crystallization process is conducted by using an electrolyte comprising a mixed solution of hydrogen fluoride aqueous solution and ethanol and oxidization process is conducted to form a second composite nano-crystalline layer 6a.
その後、フッ化水素水溶液とエタノールとの混合液よりなる電解液を用いたナノ結晶化プロセスを行い、酸化プロセスを行うことで第２の複合ナノ結晶層６ａを形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁 - The resin layer contracts and decreases in volume by being irradiated with light of a first wavelength, and expands and increases in volume by being irradiated with light of a second wavelength different from the first wavelength.
前記樹脂層は、第１波長の光の照射により収縮して体積が小さくなり、前記第１波長とは異なる第２波長の光の照射により膨張して体積が大きくなる。 - 特許庁 - An acoustic lens 12 is formed on each of the upper surfaces of the second oscillator electrodes 23 via an acoustic matching layer 11 and first signal electrodes 24 are respectively formed in the respective first oscillator electrodes 22.
この第２振動子電極２３上面に音響整合層１１を介して音響レンズ１２が形成され、各第１振動子電極２２に第１信号電極２４が夫々形成されている。 - 特許庁 - The transistor has a second gate electrode for controlling a threshold voltage in addition to a normal gate electrode, and has extremely low off-state current because its active layer includes an oxide semiconductor.
上記トランジスタは、通常のゲート電極の他に、閾値電圧を制御するための第２のゲート電極が備えられており、また、活性層に酸化物半導体を含むためにオフ電流が極めて低い。 - 特許庁 - A first heater 23a which heats a fixing roller (not shown) is supplied with power from a commercial power source 43 whereas a second heater 23b is supplied with power from a power storage device 45 which is an electric double-layer capacitor.
定着ローラ（図示せず）を加熱する第１ヒータ２３ａは商用電源４３から給電され、第２ヒータ２３ｂは電気二重層コンデンサである蓄電装置４５から給電される。 - 特許庁 - An alignment layer covers the protrusion and the upper substrate and is aligned along a second direction, parallel to the first direction or extended from the reflective region to the transmissive region so as to intersect with the first direction.
配向膜は突起と上基板を被覆し、第一方向に平行な第二方向に沿って配向するか、或いは、第一方向と交差するように反射領域から透過領域に延伸する。 - 特許庁 - An insulating layer 15 covering the organic light emitting elements 10R, 10G and 10B is provided with a first aperture 15A and a second aperture 15B per organic light emitting element.
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを覆う絶縁層１５には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに、第１の開口部１５Ａおよび第２の開口部１５Ｂが設けられている。 - 特許庁 - The lower end layer 2a is formed at a first forming temperature of 900-1,100°C, and the remaining layers are formed at a second forming temperature of 1,100-1,280°C higher than the first forming temperature.
下端層２ａは、９００℃〜１１００℃の第１形成温度にて形成し、残りの層は、これに連続して、第１形成温度よりも高い１１００℃〜１２８０℃の第２形成温度にて形成する。 - 特許庁 - The first and second heat-resistance reinforcing layers are each formed of a layer using selenium as a main body and containing 10-40 wt.% in total of one or more constituents out of As, Ge and Ga.
第１、第２の耐熱強化層は、セレンを主体とし、Ａｓ、Ｇｅ、Ｇａのうち少なくとも一以上の成分を総量で１０重量パーセント以上４０重量パーセント以下含有する層とする。 - 特許庁 - To control a recording/reproducing position by irradiation with second light without depending on a track pitch formed in a position control information recording layer by performing recording/reproducing by irradiation with first light.
第１の光の照射により記録再生を行い位置制御情報記録層に形成されたトラックのピッチに依らぬにずに第２の光の照射により記録再生位置の制御を行う。 - 特許庁 - The luminous layer 30 is composed of a first and a second phosphor layers 32 and 34 disposed in a sate that the end parts thereof are overlapped each other in an area R which is a space between the electrodes.
発光体層３０は、電極間スペースである領域Ｒにおいて互いに端部が重なり合うように設けられた第１蛍光体層３２及び第２蛍光体層３４から構成されている。 - 特許庁 - A bonding pad 42 for grounding on a surface of a second circuit device 40 is connected, via a ground wire 70 made of gold or the like, to a bonding pad 62 provided on a surface of a conductive layer 60.
第２の回路素子４０の表面に設けられた接地用のボンディングパッド４２を、金などの接地用ワイヤ７０によって、導電層６０の表面に設けられたボンディングパッド６２と接続する。 - 特許庁 - The other main surface of the first conductive layers 103, connected to the heat sink 101, and the other main surface of the second conductive layer with which the power semiconductor element is brought into contact, are connected.
前記放熱板１０１に接合された第１の導電層１０３のもう一方の主面と、パワー半導体素子が接する第２の導電層のもう一方の主面とが接続される。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer advantageous for setting a relatively more carrying volume of a fluid matter at a first exposed surface side of a base material and relatively less at a second exposed surface side.
流動物の担持量を基材の第１表出面側で相対的に多く、基材の第２表出面側で相対的に少なく設定させるのに有利なガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An insulating liquid is delivered to a substrate 10 on which a wiring pattern including first and second leads 12, 14 is formed, and an insulating layer 16 is formed so that a part of the first lead 12 may be covered.
第１及び第２のリード１２，１４を含む配線パターンが形成された基板１０に、絶縁性の液体を吐出して、第１のリード１２の一部を覆うように、絶縁層１６を設ける。 - 特許庁 - A first gate electrode 38 and a second gate electrode 39 are provided in the same layer on a vertical transfer channel 33 via a gate insulating film 35 for controlling the read or transfer of signal charges.
第１ゲート電極３８や第２ゲート電極３９は垂直転送チャネル３３上の同一層内にゲート絶縁膜３５を介して設けられ、信号電荷の読み出しや転送を制御する。 - 特許庁 - A floating gate is formed into an L- shaped thin layer of a conductive material, and has a first part positioned on a channel region and a second part extending vertically along the conductive block.
フローティングゲートは、導電性材料の薄いＬ字型層として形成され、チャンネル領域上に配置された第１部分と、導電性ブロックに沿って垂直に延びる第２部分とを有する。 - 特許庁 - A semiconductor light receiving element has multilayered structure, and each layer has each thickness and width and has conductivity property of either a first conductivity (for example, p-type) or a second conductivity (for example, n-type).
半導体受光素子は多層構造で、各層はそれぞれの厚さと幅を有し、かつ第一の導電型（例えばｐ型）または第二の導電型（例えばｎ型）のいずれかの導電型特性を有する。 - 特許庁 - The second line 15a is electromagnetically coupled with the first line 13a so as to sandwich the dielectric layers 13, 14, and also electromagnetically coupled with the third line 16a so as to sandwich the dielectric layer 15.
第２の線路１５ａは、誘電体層１３，１４を間にして第１の線路１３ａと電磁的に結合し、誘電体層１５を間にして第３の線路１６ａと電磁的に結合している。 - 特許庁 - To provide a structure for fixing a flexible sheet-like first member to a second member having an FRP layer via sewing threads in the case of fixing a plastic member in which an interface is hard to be adhered.
この発明は、界面が接着しにくいプラスチック部材を固着する際に縫糸を介して柔軟なシート状の第１部材とＦＲＰ層を有する第２部材とを固着する構造に関する。 - 特許庁 - The recording layer 18 of a high-speed WORM type optical recording medium 10 is formed by laminating first and second subrecording layers 18A, 18B mainly containing metals of one kind, e.g. Al and Sb.
高速追記型光記録対媒体１０の記録層１８は、一種の金属、例えばＡｌ及びＳｂをそれぞれの主成分とする第１及び第２副記録層１８Ａ、１８Ｂを積層してなる。 - 特許庁 - A contact 5 of each side wall 4 in contact with the side peripheral edge of the substrate W, the first support piece 20, and the second support piece 24 are coated with a resin layer 30 with lower friction than the container body 1.
そして、基板Ｗの側部周縁と接触する各側壁４の接触部５、第一の支持片２０、及び第二の支持片２４を容器本体１よりも低摩擦性の樹脂層３０で被覆する。 - 特許庁 - The glass fibers for rubber reinforcement comprises: a strand composed of glass fiber filaments bundled together; a first coating layer formed on the strand and comprising a phenol compound-formaldehyde condensate selected from a monohydroxybenzene-formaldehyde condensate and a chlorophenol-formaldehyde condensate and an acrylonitrile-butadiene copolymer; and a second coating layer formed on the first coating layer and comprising a chlorosulfonated polyethylene and maleimide.
複数本のガラス繊維フィラメントを集束させたストランドにモノヒドロキシベンゼン−ホルムアルデヒド縮合物またはクロロフェノール−ホルムアルデヒド縮合物から選ばれたフェノール類−ホルムアルデヒド縮合物と、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体とを含有する１次被覆層を形成し、その上層にクロロスルホン化ポリエチレンとマレイミドを含有する２次被覆層を設けてなるゴム補強用ガラス繊維。 - 特許庁 - Bi-layer oral osmotic dosage forms include a first component layer, comprising a selected drug and excipients for forming a deliverable drug composition when hydrated, and a second push layer, comprising a fluid-expandable osmopolymer and excipients, contained within a compartment formed by a semipermeable membrane and having exit means for drug release from the compartment.
二層経口浸透性投薬形態には、水和すると、送達可能な薬物組成物を形成するために選択された薬物および賦形剤を含んでなる第一成分層、および半透膜により形成されるコンパートメント内に含まれる、流体膨張可能なオスモポリマーおよび賦形剤を含んでなり、コンパートメントからの薬物放出のための流出方法を有する第二押出層が含まれる。 - 特許庁 - The optical waveguide 10 includes: a first cladding layer 15; a first waveguide core 20 formed on the first cladding layer 15; and a second cladding layer 35 formed to cover the first waveguide core 20, wherein the first waveguide core 20 includes a first long period grating 30 formed in at least one sidewall 24 of the first waveguide core 20.
第一のクラッド層１５と、前記第一のクラッド層１５上に形成された第一の導波路コア２０と、前記第一の導波路コア２０を覆うように形成された第二のクラッド層３５と、を備え、前記第一の導波路コア２０は、該第一の導波路コア２０の少なくとも一つの側壁２４に形成された第一の長周期グレーティング３０を有する光導波路１０を提供する。 - 特許庁 - This sensor wherein a moving electrode 4 of the moving part 1 is arranged oppositely to the fixed electrodes 6, 7 and an acceleration is detected based on a capacity change between the moving electrode 4 and the fixed electrodes 6, 7 when the moving part 1 is displaced by receiving the acceleration, is constituted of an SOI substrate 20 having an insulating layer 22 between the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 23.
可動部１の可動電極４を固定電極６、７と対向配置し、加速度を受けて可動部１が変位したときの可動電極４と固定電極６、７間の容量変化に基づいて加速度を検出するようにしたものであって、第１の半導体層２１と第２の半導体層２３との間に絶縁層２２を有するＳＯＩ基板２０によって構成される。 - 特許庁 - The method for manufacturing the ZnO nanowire by using ultrasonic energy comprises: a first step of forming a Zn layer on the surface of a substrate; a second step of patterning the Zn layer; and a third step of putting the resulting substrate in a mixed solution of a Zn-containing solution with a Zn ionization solution and forming the ZnO nanowire on the Zn layer by using an ultrasonic generator.
基板の表面にＺｎ層を形成する第１段階と、Ｚｎ層をパターニングする第２段階と、基板をＺｎを含む溶液とＺｎをイオン化する溶液との混合溶液に入れ、超音波発生器を使用し、Ｚｎ層上にＺｎＯナノワイヤを形成する第３段階とを含むことを特徴とする超音波エネルギーを利用したＺｎＯナノワイヤの製造方法である。 - 特許庁 - An EL display device interposes a light emitting layer 60 between a pixel electrode and the cathode, the cathode 50 has a laminated metal film 51 formed by alternately laminating a first metallic layer 61 containing low work function metal and a second metallic layer 62 containing high work function metal having a work function higher than the low work function metal.
本発明に係るＥＬ表示装置は、画素電極と陰極との間に発光層６０を挟持してなり、陰極５０が、低仕事関数金属を含む第１金属層６１と、前記低仕事関数金属より高い仕事関数を有する高仕事関数金属を含む第２金属層６２とを交互に積層した積層金属膜５１を備えた構成とされている。 - 特許庁 - A first dielectric layer 1051 covering a display electrode 103 and a display scanning electrode 104 is formed, and at the same time, a second dielectric layer 1052 having a dielectric constant lower than the first dielectric layer 1051 is formed in a region surrounded by the display electrode 103, the display scanning electrode 104 and a front glass substrate 101.
表示電極１０３と表示スキャン電極１０４とを覆う第１誘電体層１０５１を形成するとともに、表示電極１０３と、表示スキャン電極１０４、および前面ガラス基板１０１によって囲まれる領域において、前記第１誘電体層１０５１よりも低い比誘電率を有する第２誘電体層１０５２を形成するようにした。 - 特許庁 - In a cup body 1, a cup section is formed in an inversely conical taper shape, a first light transmission resin layer 3 that is filled to a portion near the region of a wire where a luminous chip is bonded is formed, and a second light transmissive resin layer 4 where a phosphor for carrying out the wavelength conversion operation of light is admixed is laminated onto the first light transmission resin layer.
カップ体１には、逆円錐状にテーパをなしてカップ部が形成され、発光チップをボンディングしたワイヤの領域近傍まで充填された第１の光透過性樹脂層３が形成され、この第１の光透過性樹脂層の上に、光の波長変換作用をなす蛍光体が混和された第２の光透過性樹脂層４が積層して形成されている。 - 特許庁 - In the manufacturing method of EL element comprising at least a first electrode, an EL layer formed on the first electrode and a second electrode formed on the EL layer, at least a part of the above EL layer is formed by an electric field jet method in which an electrode is provided at the opening of the paint or in the vicinity of the opening and electric voltage is impressed to the electrode and the paint is applied.
少なくとも、第１電極と、該第１電極上に形成されたＥＬ層と、該ＥＬ層上に形成された第２電極とからなるＥＬ素子の製造方法であって、前記ＥＬ層の少なくとも一部を、塗布液の吐出口またはその近傍に電極を設け、該電極に電圧を印加し、その塗布液を吐出する方法である電界ジェット法を用いて形成する。 - 特許庁 - Rewiring is further executed to a member composed by forming a third insulation layer (in a semi-cured state) covering the insulation layer 44, thereafter superposing a first structure with a conductor to be connected to the projecting parts 43b through the rewiring formed therein on a second structure manufactured through a process similar to that of it, and thermally curing the third insulation layer to be integrated.
さらに、絶縁層４４を覆う第３の絶縁層（半硬化状態）を形成後、上記再配線を介して突起部４３ｂに接続される導体が形成された第１の構造体と、これと同様の工程を経て作製された第２の構造体とを重ね合わせ、第３の絶縁層を熱硬化させて一体化したものに対し、さらに再配線を行う。 - 特許庁 - The method includes a step of decomposing a desired pattern to be printed on a substrate into at least two constituent sub-patterns that are capable of being optically resolved by the lithography system, and a step of coating the substrate with a first positive tone resist layer and a relatively thin second positive tone resist layer on top of a target layer of the substrate which is to be patterned with a desired dense line pattern.
本発明は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィシステムによって光学的に分解することができる少なくとも二つの成分サブパターンに分解する工程、所望の高密度ラインパターンでパターンを形成させる基板のターゲット層の上に、第一のポジ型レジスト層と比較的薄い第二のポジ型レジスト層とを塗布する工程を含む。 - 特許庁 - The electric field enhancement optical device D3 is configured to have a micro-resonator structure including a semi-transmissive and semi-reflective first reflection layer, a translucent layer having permeability, and a reflective second reflection layer, and the micro-resonator structure is configured to include a plurality of resonating areas W-Z differed in optical path length so that a plurality of wavelengths can be resonated.
電場増強光デバイスＤ３を、半透過半反射性を有する第１の反射層と、透過性を有する透光層と、反射性を有する第２の反射層とからなる微小共振器構造を有するように構成し、かつ微小共振器構造を、複数の波長に対して共振可能とするように光路長が異なる複数の共振領域Ｗ〜Ｚによって構成する。 - 特許庁 - The annular surface portion 28 of the diffuser 20 is at least partially covered with a coating which can be abraded by the outer edge of each circumferential vane 18, the abradable coating comprising a first lower metal-based coating layer applied on the annular surface portion 28 of the diffuser 20, and a second upper polymer-based coating layer applied on the first lower metal-based coating layer.
ディフューザ２０の環状表面部分２８は、各円周方向ベーン１８の外縁部によって摩耗することができる皮膜で少なくとも部分的に覆われており、このアブレイダブル皮膜は、ディフューザ２０の環状表面部分２８上に施工された第１の下部金属ベース皮膜層と該第１の下部金属ベース皮膜層上に施工された第２の上部ポリマーベース皮膜層とからなる。 - 特許庁
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