「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 355 356 357 358 359 360 361 362 363 .... 429 430 次へ＞- In this case, although dry etching using a fluorine gas is made, contact structure with improved ohmic contact can be formed by allowing the second conductive layer 106b to function as an etching stopper.
この際、フッ素系のガスを用いたドライエッチングを行うが、第２の導電層１０６ｂをエッチングストッパーとして機能させることにより、良好なオーミック接触が実現されたコンタクト構造を形成する。 - 特許庁 - Then, the second cooling treatment is performed, and the upper silicon 16 is formed by crystal growing the silicon in the silicon containing low melting point metal fused solution 13 on the area starting from the lower silicon layer 14.
そして第２の冷却処理を行い、シリコン含有低融点金属溶融液１５中のシリコンを下層シリコン層１４を起点に結晶成長させて上層シリコン層１６を形成する。 - 特許庁 - The heat sink 15 is composed of a composite material formed in higher hardness than the second metal surface layer 14 by a matrix phase consisting of aluminum alloy and a dispersion phase consisting of SiC particles.
放熱板１５は、アルミニウム合金からなるマトリクス相と、ＳｉＣ微粒子からなる分散相とで第２金属表層１４よりも高硬度に形成された複合材によって構成されている。 - 特許庁 - After the reflecting layer 21' made of an alloy containing silver as a main component and ruthenium and copper is formed on the surface of a second substrate 20, it is soaked into a treatment solution 52 containing phosphoric acid.
第２基板２０の面上に、銀を主成分としてルテニウムおよび銅を含む合金からなる反射層２１’を形成した後、当該反射層２１’を、リン酸を含む処理液５２に浸漬する。 - 特許庁 - The first resistance R1 and the second resistance R2 are formed by patterning the same conductive layer formed on the same substrate as the control means 4, and formed on mutually adjacent spots.
第１の抵抗Ｒ１と第２の抵抗Ｒ２が、制御手段４と同じ基板に形成された同一の導電層をパターンニングして形成され、かつ、互いに隣接した箇所に形成されている。 - 特許庁 - The first and second wiring layers 30 and 32 at the level below the wiring layer 40 that the pad opening ends at are formed on the outside of the area of the pad opening 60 in a plane view.
パッド開口部が達している配線層４０より下のレベルの第１および第２の配線層３０，３２は、平面的にみてパッド開口部６０の領域外において形成されている。 - 特許庁 - A thin-film transistor 300 is formed in a dual gate structure in which a first gate electrode 311 and a second electrode 332 face each other through a channel formation region 321c of a semiconductor layer 321.
第１ゲート電極３１１と第２ゲート電極３３２とが、半導体層３２１のチャネル形成領域３２１ｃを介して対面しているデュアルゲート構造にて、薄膜トランジスタ３００を形成する。 - 特許庁 - An electrolytic liquid as a layer shape lamina flow Wr having a width wider than a sheet width of the metal band 1 is injected from the first electrode 31 and the second electrode 33 to the cleaning surface 1a of the metal band 1.
第１電極３１及び第２電極３３から金属帯１の洗浄面１ａに金属帯１の板幅以上の幅をもつ層状のラミナー流Ｗｒとしての電解液を噴射する。 - 特許庁 - In the conductive bump 20, the crystal grain size in the direction parallel with the surface S of the semiconductor substrate 12 is larger than the crystal grain size in the conducting direction of the electrode 14 and the second wiring layer 18.
導電性バンプ２０は、電極１４と第２の配線層１８との導通方向の結晶粒のサイズより、半導体基板１２の表面Ｓと平行な方向の結晶粒のサイズが大きい。 - 特許庁 - A second electrode 236 is formed in the first region 234 by forming a layer of an electrode material on the base 110 on which the first electrode 132 and the ferroelectric film 234 are formed.
第１電極１３２及び強誘電体膜２３４が形成された基板１１０に対して、電極材料の成膜を行って、第１の領域２３４に第２電極２３６を形成する。 - 特許庁 - The second adjustment layer 16 of SiO_2 is formed also on the surface of the substrate 11 not covered with the lower electrode film 12 or the upper electrode film 14 and on the surface of the piezoelectric film 13.
また、ＳｉＯ_２の第２の調整層１６は、下部電極膜１２または上部電極膜１４で被覆されていない基板１１表面上および圧電膜１３表面上にも形成されている。 - 特許庁 - A connecting and conducting layer 31 bridges one of the source and drain diffusion layers 26 which are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 and sandwich a channel region below the second gate electrode 22, and the conducting film 13.
接続導電層３１は、半導体基板の表面に形成され且つ第２ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２６の一方と導電膜との上に亘る。 - 特許庁 - First and second ink absorbing materials 32, 35 are contained in layer in a case member 21 having a capillary force generating part 24 constituting the contour of a waste ink tank 13.
廃インクタンク１３の外郭を構成する毛細管力発生部２４を有するケース部材２１内には、第１インク吸収材３２、第２インク吸収材３５が積層状態で収納されている。 - 特許庁 - The fine structure layer 2d has a plurality of first patterns 2e comprising separate fine elements and at least one second pattern 2f comprising an integrated element larger than each of separate fine elements.
微細構造層２dは、分離した微細要素からなる複数の第一パターン２eと、前記分離した各微細要素よりも大きい一体要素からなる少なくとも一つの第二パターン２fとを有している。 - 特許庁 - A contact hole 11 formed at the inter-layer insulating film 10 penetrates the second silicon oxide film 10b with an almost vertical side wall while penetrating the first silicon oxide film 10a with a forward tapered surface.
層間絶縁膜１０に形成されたコンタクト孔１１は、第２のシリコン酸化膜１０ｂを略垂直側壁をもって貫通し、第１のシリコン酸化物膜１０ａを順テーパ面をもって貫通する。 - 特許庁 - Thus, the wavelength of scintillation light 6 is fitted to wavelength sensitivity of the photodetector 5 by the second light wavelength conversion layer 3, and the transmittance of the scintillator crystal 2 is transmitted effectively into a high wavelength.
このため、第二光波長変換層３によりシンチレーション光６の波長が光検出器５の波長感度に適合し、シンチレータ結晶２の透過率が高い波長に効果的に変換される。 - 特許庁 - The semiconductor integrated circuit includes: a first electrode; a transistor formed on a semiconductor substrate and having a second electrode: and third and fourth electrodes formed on the same wiring layer.
半導体集積回路であって、第１の電極と、半導体基板上に形成され、第２の電極を有するトランジスタと、同一の配線層に形成された第３及び第４の電極とを有する。 - 特許庁 - The second semiconductor multilayer film reflector region 16b is formed on the phase regulation layer 25 and the uppermost surface of the exposed first semiconductor multilayer film reflector region 16a.
また、この位相調整層２５上と、露出されたままの上記第１の半導体多層膜反射鏡領域１６ａの最上面とに、第２の半導体多層膜反射鏡領域１６ｂが形成される。 - 特許庁 - An insulating surface coating the top face (first surface) of the base material 100 and the internal side face (second surface) of the circular hole 101 is constituted of the spray-coated film 110, the sleeve 120 and the insulator layer 130.
そして、溶射皮膜１１０と、スリーブ１２０と、絶縁体層１３０とによって、基材１００の上面（第１の面）と、円孔１０１内側面（第２の面）を覆う絶縁面が構成されている。 - 特許庁 - The optical dispersion compensation is carried out with the reflection body of the optical component and a reflection body of a second optical component placed opposite to each other, which form 1-30° angle and sandwiching the filter layer of the optical component.
前記光学部品のフィルタ層を挟んで前記光学部品の反射体と１〜３０度の角度をなして対向配置した第２の光学部品の反射体とによって、分散補償を行った。 - 特許庁 - A light-emitting layer 214 of the light-emitting element 212 is divided into a first region (R) for emitting red light, a second region (G) for emitting green light, and a third region (B) for emitting blue light.
発光素子２１２の発光層２１４は、赤色光を発光する第１領域（Ｒ）と、緑色光を発光する第２領域（Ｇ）と、青色光を発光する第３領域（Ｂ）とに分かれている。 - 特許庁 - According to this method, the first substrate and the second substrate are peeled under a negative pressure to enlarge the gap in the inside or interface of the peeling layer, so that peeling can be facilitated.
かかる方法によれば、負圧状態下で、前記第１基板と前記第２基板とを剥離することにより、剥離層の層内又は界面の隙間が膨張し、剥離を容易に行うことができる。 - 特許庁 - Each pixel PX has: a cathode, an anode, and an organic light emitting diode OLED including an organic layer; a P channel type drive transistor DR; a first capacitor section Ck; and a second capacitor section.
各画素ＰＸは、陰極、陽極及び有機物層を含んだ有機発光ダイオードＯＬＥＤと、Ｐチャネル型の駆動トランジスタＤＲと、第１容量部Ｃｋと、第２容量部とを有している。 - 特許庁 - In second and subsequent films, since internal stress can be offset between the dielectric film 31 which is the first layer and the films, the occurrence of distortion in the laser device P is suppressed and operation reliability can be assured.
また、第２層目以降の成膜では、第１層目の誘電体膜３１との間で内部応力を相殺できるので、レーザ素体Ｐの歪みの発生が抑えられ、動作信頼性を確保できる。 - 特許庁 - Thereafter, a reflection-type screen in which a blue color reflective layer 31B is arranged on the light incident side is produced through a process of transferring the produced particulate arrangement structure 20A to a second base body 22.
その後、作製した微粒子配列構造体２０Ａを第２の基体２２へ転写する工程を経て、青色反射層３１Ｂが光入射側に配置された反射型スクリーンが作製される。 - 特許庁 - Respective liquid droplets Fb1 which are discharged from a liquid droplet discharge device and are struck are coupled to one another to form a liquid layer Z1 on a counter electrode 26 of a counter substrate on which respective second recessed parts 26c are formed.
各第２の凹部２６ｃが形成された対向基板の対向電極２６に、液滴吐出装置から吐出されて着弾した各液滴Ｆｂ１は、相互に結合して液層Ｚ１を形成する。 - 特許庁 - A first cut portion (221) is formed from a cutting surface (220a) on the side that is not opposed to a liquid crystal layer (50) of the two sides of a second substrate (220) along a first external form line (250X) (a first step).
第２基板（２２０）の両面のうち液晶層（５０）に面しない側の切り込み面（２２０ａ）から、第１外形線（２５０Ｘ）に沿って第１切り込み部（２２１）を形成する（第１工程）。 - 特許庁 - The second pseudo-memory cell transistor 10 comprises a fifth gate 2, formed on the element separation layer 21; and a sixth gate 3 formed on the side of the fifth gate 2 to face the fourth gate 3.
第２擬似メモリセルトランジスタ１０は、素子分離層２１上に形成された第５ゲート２と、第５ゲート２の側面に第４ゲート３と対向するように形成された第６ゲート３とを備える。 - 特許庁 - The coding device 106 also records past coding parameters of first, second, or third generation on user_data of a picture layer, and performs multiplexing to coding stream ST of fourth generation and outputting to a channel encoding device 602.
符号化装置１０６はまた、第１世代乃至第３世代の過去の符号化パラメータをピクチャ層のuser_dataに記録し、第４世代の符号化ストリームSTに多重化して、チャンネルエンコーディング装置６０２に出力する。 - 特許庁 - The sealing resin layer 4 comprises two parts including a first structural part 4a in contact with a surface of the substrate 3 and a second structural part 4b in a different shape constituted in conjunction on the first structural part 4a.
封止樹脂層４は、基板３面に接触する第１構成部４ａ、第１構成部４ａ上に連結して構成される形状の異なる第２構成部４ｂ、の２つの部分で構成される。 - 特許庁 - The magnetic pole layer 16 incorporates: a first portion 16C having an end face located in the medium facing surface 30; and a second portion 16D having a thickness greater than that of the 1st portion 16C.
磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面を有する第１の部分１６Ｃと、第１の部分１６Ｃよりも大きな厚みを有する第２の部分１６Ｄを有している。 - 特許庁 - Furthermore, at least one sheet of the conductive films in a major region of the film composite material contains a first metal and has at least one film portion with a second metal layer thinner than the first metal.
さらに、膜複合材の主領域の少なくとも１つの導電膜は、第１の金属を含み、かつ前記膜の厚さに比べて薄い第２の金属層を有する少なくとも１つの膜部分を有する。 - 特許庁 - A brazing filler metal 7 is uniformly distributed on the metalized layer 6, the first columnar metal work 1 and the second columnar metal work 2 are concentrically opposite to each other, and brazed in a fixing manner while pressing them against each other.
メタライズ層６にろう材７を均一に配置し、第一円柱状金属ワーク１と第二円柱状金属ワーク２とを同軸合わせで対向させ加圧しながら、ろう接固定する。 - 特許庁 - Each pattern is in contact with at least one pattern in the adjacent layer, and the spaces in the whole plurality of layers are connected to one another and the spaces contain, for example, a second material such as silicon dioxide.
それぞれのパターンは、隣接する層の少なくとも一つのパターンと接触していて、複数の層全体の隙間は、相互に接続していて、隙間は、例えば、二酸化シリコンのような第２の材料を含む。 - 特許庁 - The metallized layer 102 is provided with a first region 102a surrounding the recess 105, and a plurality of second regions 102b projected from the first region 102a toward the outer rim of the insulating substrate 101.
メタライズ層１０２は、凹部１０５を取り囲む第１の領域１０２ａと第１の領域１０２ａから絶縁基体１０１の外縁に向かって突出した複数の第２の領域１０２ｂとを有する。 - 特許庁 - The sheet 10 is divided into a first region 16 (26) and a second region 17 (27) and the peripheral edge part of the first region 16 (26) can allow the pressure-sensitive adhesive layer 12 to be exposed.
シート１０は第１の領域１６（２６）および第２の領域１７（２７）に分割されており、第１の領域の１６（２６）の周縁部は粘着剤層１２が露出可能とされている。 - 特許庁 - In this device, the p-type Al_xGa_1-xN layer 5 side is down bonded, and light is emitted from a second principal plane 1a which is a principal plane opposite from the first principal plane of the GaN substrate 1.
発光装置は、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、ＧａＮ基板１の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。 - 特許庁 - The second and fourth strip line conductor layers 17, 20 are set mutually opposed via the dielectric layer.
第１及び第３のストリップライン導体層１６、１９は誘電体層を介して互いに対向配置され、第２及び第４のストリップライン導体層１７、２０）は誘電体層を介して互いに対向配置されちる。 - 特許庁 - With this configuration, the side surfaces of first, second and third interlayer films 13, 15 and 17 and the passivation film 22 are each covered with a portion of the sealing resin layer 4 entering into the groove 31.
これにより、第１層間膜１３、第２層間膜１５、第３層間膜１７およびパッシベーション膜２２の各側面は、封止樹脂層４の溝３１に入り込んだ部分によって被覆されている。 - 特許庁 - The organic electroluminescent device has a low reflectance ratio multilayer structure utilizing optical interference in which a first translucent film, a second translucent film, and a reflection layer are laminated in order or in inverse order.
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、第１半透過性膜と、第２半透過性膜と、反射層と、が順または逆順に積層されてなる光学干渉を利用した低反射率積層構造を有する。 - 特許庁 - With the photosensitive film 47 as a mask, the second metal layer 45 is patterned so as to have a width (W2) narrower by about 1-4 μm than the photosensitive film width (W1) by an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).
感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。 - 特許庁 - Furthermore, the second antiferromagnetic layer 41 is made of an insulative and antiferromagnetic material, so that a current is hardly branched and a magnetism detection element with a large reproduction output can be obtained.
しかも前記第２反強磁性層４１は絶縁性の反強磁性材料であるから、電流が前記第２反強磁性層に分流せず、再生出力の大きい磁気検出素子を得ることができる。 - 特許庁 - An overhung-shaped sidewall 202a is formed on the sidewall of the aperture 105, and a second interlayer insulating film 106 is formed on the layer 105, in a state such that the aperture 105a is filled.
開口部１０５ａの側壁にオーバーハング形状のサイドウォール２０２ａを形成し、開口部１０５ａを埋め込む状態で、第１ストッパ層１０５上に第２層間絶縁膜１０６を形成する。 - 特許庁 - The adhesive layer of the sampling module allows the movable ring to be stuck to the target region at a second adjacent position, and affects the deformation of the target region while the sampling module is used.
サンプリングモジュールの接着層は標的部位の第２近隣位置における遊動リングの身体への接着取付けを可能とし、サンプリングモジュールの使用中の標的部位の変形に影響を与える。 - 特許庁 - Next, a surface roughening process is done on the part of the first conductive pattern 2 exposed inside the pore 3a of the second insulating layer 3 so that its average surface roughness Ra may become 20 nm or more and 200 nm or less.
次に、第２の絶縁層３の孔部３ａ内で露出する第１の導体パターン２の部分の平均表面粗さＲａが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となるように、粗面化処理を行う。 - 特許庁 - The first base layer 21 has a disk like shape having the boss 20 as a center and first and second information layers 25 and 26 on one and the other surface sides thereof, respectively, and is formed integrally with the boss 20.
第１基層２１はボス２０を中心とする円板形状をもち、一方の面側に第１情報層２５を、他方の面側に第２情報層２６をもち、ボス２０と一体に形成されている。 - 特許庁 - Furthermore, the contact surface of a sleeve 60 oscillatorily supporting the second end 18b of the worm shaft 18 so as to be deviated to the worm wheel 19 side, which is contacted with a housing 17a, is formed of the elastic layer 65.
また、ウォーム軸１８の第２の端部１８ｂを、ウォームホイール１９側へ偏倚できるように揺動可能に支持するスリーブ６０の、ハウジング１７ａとの接触面を弾性層６５によって形成する。 - 特許庁 - Further, the double-sided adhesive member has at least one region at its ends where the second adhesive layer is not stacked for increasing repeatability of peeling off.
更に、剥離の再現性を高めるために、両面粘着部材の端部において、第２の粘着層が積層されていない領域を少なくとも１箇所有することを特徴とする両面粘着部材である。 - 特許庁 - To provide a dye-sensitized solar cell which has a structure in which the electric power generated in photo-generation can be efficiently recovered through a current collecting conductor layer on the side of a second substrate and a large area can be realized advantageously.
光発電により得た電力を第２基体側の集電導体層を介して効率よく回収可能で、大面積化に有利な構造の色素増感型太陽電池を提供する。 - 特許庁 - First and second dopes 61 and 62 different from each other are cast on a traveling casting support 86 and the cast film 87 is gelled on its exposed surface side to form a part of the cast film 87 as a gel layer 171.
走行する流延支持体８６の上に、互いに異なる第１，第２ドープ６１，６２を流延し、流延膜８７の露出面側をゲル化して、流延膜８７の一部をゲル層１７１とする。 - 特許庁
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